JP2000081641A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置に関し、液晶の挙動を正確に制
御することのできる横電界駆動型の液晶表示装置を提供
することを目的とする。 【解決手段】 第１及び第２の対向する基板１２、１４
と、該第１及び第２の基板の間に封入された液晶層１６
と、該第１の基板に設けられた第１の電極１８と、該第
２の基板に該第１の電極とは基板面と平行な方向にずら
した位置に設けられた第２の電極２０とを備え、該液晶
層の液晶は垂直配向されたものであり、液晶の誘電率異
方性が正である構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
る。特に、本発明は視角特性の優れた液晶表示装置を実
現するために基板面にほぼ平行な方向に電界を形成して
液晶分子をオンオフさせる液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板面にほぼ平行な方向に電界を形成し
て液晶分子をオンオフさせる液晶表示装置は、横電界駆
動型液晶表示装置とも呼ばれる。横電界駆動型液晶表示
装置においては、液晶を挟持する一対の基板のうちの一
方の基板が第１の電極と第２の電極とを有し、第１の電
極から第２の電極へ向かって電界が形成される。このよ
うな液晶表示装置は、例えば特開平７−３６０５８号公
報に記載されている。
【０００３】横電界駆動型液晶表示装置では、水平配向
型の液晶が使用される。液晶は最初は基板面に平行に且
つ第１の方向に配向しており、電圧が印加されると液晶
は基板面に平行に且つ第１の方向から回転した第２の方
向に配向するようになる。つまり、電圧が印加される
と、液晶分子は第１及び第２の電極間に形成される電界
に平行に並ぼうとする。液晶分子の動きが基板面に平行
な平面内で起こるため、ＴＮ型液晶のように視角特性が
悪化せず、視角特性の広い液晶表示装置が実現される。
【０００４】特開平７−１５９８０７号公報は、横電界
駆動型液晶表示装置の変形例を開示している。この液晶
表示装置では、液晶を挟持する一対の基板のうちの一方
の基板が第１の電極を有し、他方の基板が第２の電極を
有し、第１の電極と第２の電極とは基板面に平行な方向
でずらした位置関係に配置される。この場合、第１及び
第２の基板は互いに平行に小さな幅の帯状に延びる。第
１の電極と第２の電極とを含む平面は基板面に対して斜
めになり、斜め電界が形成される。ただし、第１の電極
と第２の電極との間の距離は液晶層の厚さに比べてかな
り大きいので、第１の電極と第２の電極とを含む平面は
基板面にほぼ平行ということができる。従って、この場
合にも、水平配向型の液晶が使用され、液晶の挙動は上
記したのと同様である。
【０００５】特開平１０−４８６７１号公報は、斜め電
界によって駆動される液晶表示装置を開示している。画
素電極及びコモン電極はともに櫛歯状に形成されてお
り、画素電極及びコモン電極の各々は平行な線状の複数
の電極要素からなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一つの基板に第１及び
第２の電極が形成された横電界駆動型液晶表示装置で
は、電界は第１の電極から第２の電極へ向かって形成さ
れるが、電界の強度は電極のある基板側で強く、電極の
ない基板側で弱くなる。従って、電圧を印加したとき
に、液晶の配向が第１及び第２の基板の間で均一になら
ず、画素内にディスクリネーションが生じることがあ
る。また、電極が一方の基板のみにあって、他方の基板
には電極がないと、電極のない基板の配向膜に静電気が
たまることがある。
【０００７】第１の基板が第１の電極を有し、第２の基
板が第２の電極を有する横電界駆動型液晶表示装置の場
合には、静電気の問題は解決される。しかし、電界は実
際には第１の電極から第２の電極へ基板面に斜めに形成
される。このため、電圧が印加されたときに、水平配向
型の液晶は、電界と平行になるためには、回転しながら
斜めに立ち上がることになる。しかし、水平配向型の液
晶が回転しながら斜めに立ち上がることは難しく、液晶
の挙動が乱れることがある。
【０００８】さらに、横電界駆動型液晶表示装置では、
第１の電極と第２の電極の少なくとも一方が画素内に設
けられる構成になり、開口率が小さくなることが多い。
そこで、開口率が大きくて明るい表示を行うことのでき
る電極の配置が求められている。液晶パネルを構成する
２枚の基板上のそれぞれの電極に異なる電圧を印加し
て、液晶を駆動する斜め電界方式では、２枚の基板間の
位置ずれが生じると、一方の基板の電極と他方の基板の
電極との間の間隙が変化し、電圧−透過率特性が変化す
るという問題がある。そのため、２枚の基板の貼り合わ
せ精度は非常に厳しく、製造マージンが非常に小さい。
【０００９】本発明の目的は、液晶の挙動を正確に制御
することのできる横電界駆動型の液晶表示装置を提供す
ることである。本発明の他の目的は、開口率が大きくて
明るい表示を行うことのできる横電界駆動型の液晶表示
装置を提供することである。本発明の他の目的は、２枚
の基板間の位置ずれが生じても電圧−透過率特性の変化
が小さいような液晶表示装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、第１及び第２の対向する基板と、該第１及び第２
の基板の間に封入された液晶層と、該第１の基板に設け
られた第１の電極と、該第２の基板に該第１の電極とは
基板面と平行な方向にずらした位置に設けられた第２の
電極とを備え、該液晶層の液晶は垂直配向されたもので
あり、液晶の誘電率異方性が正であることを特徴とする
ものである。
【００１１】この構成では、第１の電極は第１の基板に
設けられ、第２の電極は第２の基板に設けられ、第１の
電極と第２の電極とは基板面と平行な方向にずらした位
置に配置されている。従って、第１の電極と第２の電極
との間に電圧を印加すると、斜め電界が第１の電極と第
２の電極との間に形成される。液晶分子は垂直配向して
いる。液晶は正の誘電率の異方性を有する。従って、電
界が斜めであるため液晶分子の傾きもこの斜め電界に平
行な方向に偏ることになる。これによって、電圧印加状
態においてディスクリネーションのない配向が実現され
る。このディスクリネーションが無いことにより弾性エ
ネルギーの留まる部分がなくなり、しきい値電圧の低減
も実現される。
【００１２】好ましくは、該液晶はフッソ系の液晶およ
びシアノ系の液晶の少なくとも一方を含むブレンド液晶
からなる。該第１及び第２の電極が少なくとも部分的に
長く直線状に延びる。該第１及び第２の電極の少なくと
も一部分が互いに平行である。該第１及び第２の基板の
一方がブラックマトリクス及びカラーフィルタを有し、
該ブラックマトリクス及びカラーフィルタを有する基板
の電極が該ブラックマトリクスの一部分からなる。該ブ
ラックマトリクスが基板に接して設けられている。カラ
ーフィルタはブラックマトリクスの形成する電極の位置
に形成されたスリットを有する。
【００１３】該第１及び第２の電極の一方はベタ電極で
あり、カラーフィルタが該透明なベタ電極の上に形成さ
れ、該カラーフィルタはスリットを有し、該ベタ電極の
該スリットから露出した部分が該第１及び第２の電極の
一方となる。該第１及び第２の電極の一方と共通の電位
を有するように第３の電極が該第１及び第２の基板の一
方に設けられる。
【００１４】該第３の電極は該第１及び第２の電極の一
方と少なくとも部分的に重なるように形成されている。
該第１及び第２の基板の一方はゲートライン及びデータ
ラインを有し、該第１及び第２の基板の他方に設けられ
た電極はデータラインを覆うように形成されている。該
第１及び第２の電極の一方は、データラインから画素に
向かう方位に面内ではみ出してデータラインを覆ってい
る。
【００１５】該第１及び第２の基板の一方はゲートライ
ン及びデータラインを有し、該第１及び第２の電極の一
方がゲートライン及びデータラインの一方に近接して形
成されている。該第１及び第２の基板の一方はゲートラ
イン及びデータラインを有し、該第１及び第２の基板の
他方に設けられた電極は画素内に形成されている。
【００１６】該第１及び第２の基板の一方はゲートライ
ン及びデータライン及びＴＦＴを有し、該第１及び第２
の電極の一方は該ＴＦＴのソース電極に接続されて次の
ゲートライン上まで延びており、補助容量を形成する。
本発明の他の特徴による液晶表示装置は、第１及び第２
の対向する基板と、該第１及び第２の基板の間に封入さ
れた液晶層と、該第１の基板に設けられた第１の電極
と、該第２の基板に該第１の電極とは基板面と平行な方
向にずらした位置に設けられた第２の電極とを備え、該
第１及び第２の基板の一方はゲートライン及びデータラ
イン及びＴＦＴを有し、該第１及び第２の電極の一方は
ゲートラインに接続された部分からなる。
【００１７】好ましくは、該ゲートラインに接続された
部分からなる電極をコモン電極として用い、該第１及び
第２の電極の他方はＴＦＴのソース電極に接続され、第
１及び第２の電極の間に形成される電界によって液晶を
駆動する。隣接する第１及び第２のゲートラインがあ
り、第１のゲートラインに接続された部分からなる電極
がデータライン上を第２のゲートライン近くまで延び、
ＴＦＴは該第１のゲートラインに接続された部分からな
る電極の先端部に形成され、該ソース電極に接続された
電極は主として第２のゲートラインに関して第１のゲー
トラインとは反対側にあり、該ソース電極に接続された
電極は第２のゲートラインを超えて第１のゲートライン
に接続された部分からなる電極の先端部に形成されたＴ
ＦＴに接続される。
【００１８】隣接する第１及び第２のゲートラインがあ
り、第１のゲートラインに接続された部分からなる電極
がデータライン上を第２のゲートライン近くまで延び、
ＴＦＴは該第１のゲートラインに接続された部分からな
る電極の先端部に形成され、該第１のゲートラインに接
続された部分からなる電極の先端部は、ＴＦＴ形成用部
分及び電界形成用部分として二股状に形成されている。
【００１９】該ソース電極に接続された電極はゲートラ
インと重なる部分を含む。該ソース電極に接続された電
極は画素の一方側に位置するゲートライン及び画素の他
方側に位置するゲートライン少なくとも一方と重なる部
分を含む。本発明の他の特徴による液晶表示装置は、第
１及び第２の対向する基板と、該第１及び第２の基板の
間に封入された液晶層と、該第１及び第２の基板の一方
に互いに間隔をあけ且つ基板面からの距離が異なった位
置に設けられた第１及び第２の電極とを備え、該第１及
び第２の電極の間で斜め電界を形成するようにしたこと
を特徴とする。
【００２０】好ましくは、該液晶は垂直配向されていて
斜め電界によって駆動される。液晶の誘電率の異方性が
正である。該第１及び第２の電極が少なくとも部分的に
長く直線状に延びる。該第１及び第２の電極の少なくと
も一部分が互いに平行である。該第１及び第２の電極の
一方が絶縁層及び半導体層の上に形成され、該第１及び
第２の電極の他方が該第１及び第２の基板の上に形成さ
れている。
【００２１】該第１の電極と該第２の電極とが基板面に
垂直な方向に少なくとも0.3 μm 離れて形成されてい
る。さらには、該第１の電極と該第２の電極とが基板面
に垂直な方向に少なくとも0.6 μm 離れて形成されてい
る。絶縁層及び半導体層の厚みが0.3 μm 以上である。
さらには、絶縁層及び半導体層の厚みが0.６μm 以上で
ある。
【００２２】本発明の他の特徴によるによる液晶表示装
置は、第１及び第２の対向する基板と、該第１及び第２
の基板の間に封入された液晶層と、該第１の基板に設け
られた第１の電極と、該第２の基板に設けられた第２の
電極とを備え、該第１の電極及び該第２の電極は一画素
内において平行な複数の電極要素からなり、該電極要素
の電極幅と電極間隙の少なくとも一方が非一様であるこ
とを特徴とするものである。
【００２３】好ましくは、第１及び該第２の電極の少な
くとも一方の電極要素の電極幅と電極間隙の少なくとも
一方が非一様である。第１及び該第２の電極の少なくと
も一方は櫛歯状に形成されている。また、第１及び該第
２の電極の少なくとも一方の電極要素はデータバスライ
ンと平行又は垂直である。好ましくは、第１及び該第２
の電極の少なくとも一方の電極要素の電極幅は一定であ
り、電極間隙が非一様である。あるいは、第１及び該第
２の電極の少なくとも一方の電極要素の電極間隙は一定
であり、電極幅が非一様である。
【００２４】また、第１及び該第２の電極の少なくとも
一方の電極要素の一部又は全てがデータバスラインと平
行でない。あるいは、第１及び該第２の電極の一方の電
極要素はバスラインと平行で、もう一方の基板の電極要
素はバスラインとある角度をもつ。あるいは、第１及び
該第２の電極の少なくとも一方の電極要素の幅の一部又
は全てが不連続に変化する。
【００２５】また、第１及び該第２の電極の少なくとも
一方の電極要素が階段状である。この場合、第１及び該
第２の電極の電極要素がともに階段状で、電極幅の狭ま
る方向が同じであることもできる。あるいは、第１及び
該第２の電極の一方の電極要素が他方の電極要素に対し
て段が互いにずれている。あるいは、第１及び該第２の
電極の一方の電極要素が他方の電極要素に対して少なく
とも一点で交差するようにすることもできる。
【００２６】電圧無印加時に液晶分子が基板と平行に配
向している。あるいは、電圧無印加時に液晶分子が基板
と垂直に配向している。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の原理構成を示す。
図１（Ａ）は電圧を印加していないときの液晶表示装置
を示し、図１（Ｂ）は電圧を印加しているときの液晶表
示装置を示し、図１（Ｃ）は電圧を印加しているときの
１画素の表示を示している。図１において、液晶表示装
置１０は、第１及び第２の対向する透明なガラス基板１
２、１４と、第１及び第２の基板１２、１４の間に封入
された液晶層１６とを備える。
【００２８】第１の電極１８が第１の基板１２に設けら
れ、第２の電極２０が第２の基板１４に設けられる。第
１の電極１８及び第２の電極２０は図１の紙面に垂直な
方向に長く直線状に延びる。第２の電極２０は第１の電
極１８とは、互いに重なる（又は相対する）ことなく、
基板面と平行な方向にずらした位置に設けられている。
実施例では、第１の電極１８がコモン電極であり、第２
の電極２０が画素電極である。
【００２９】液晶層１６の液晶は垂直配向されたもので
ある。液晶の誘電率異方性が正である。さらに、配向膜
２２、２４が第１及び第２の基板１２、１４にそれぞれ
設けられる。配向膜２２、２４は垂直配向型の配向膜で
ある。垂直配向膜２２、２４は、日本合成ゴム（株）製
のポリイミド製垂直配向膜を用いることができる。液晶
は、メルク社の正の誘電率異方性の液晶を用いることが
できる。液晶はフッソ系の液晶およびシアノ系の液晶の
少なくとも一方を含むブレンド液晶からなる。
【００３０】従って、図１（Ａ）に示されるように、電
圧を印加していないときには、液晶分子は基板面に対し
てほぼ垂直に配向する。図１（Ｂ）に示されるように、
第１の電極１８と第２の電極２０との間に電圧が印加さ
れると、矢印で示されるように第２の電極２０から第１
の電極１８へ向かう電界が形成される。電界は基板面に
対して斜めに形成されるけれども、第１の電極１８と第
２の電極２０との間の距離は液晶層１６の厚さに比べて
かなり大きい。従って、第１の電極１８と第２の電極２
０とを含む平面の傾斜は比較的に小さく、基板面に対し
てほぼ平行と見なすことができる。従って、この液晶表
示装置１０は、横方向電界駆動型液晶表示装置の一種と
考えることができる。なお、ここでは、基板面に対して
斜めに形成される電界を斜め電界と呼ぶ。
【００３１】電圧が印加されると、垂直に配向し且つ正
の誘電率の異方性を有する液晶分子は斜め電界に平行に
なるように配向する。１画素内の多くの液晶分子は、図
１（Ａ）の状態から図１（Ｂ）へきわめてスムーズに移
行し、斜め電界に平行になるように安定的に配向する。
従って、図１（Ｃ）に示されるように、液晶表示装置１
０の１画素領域１０ａは明るい、ディスクリネーション
のない表示を実現することができる。
【００３２】図２は図１の液晶表示装置の比較例を示す
図である。図２においては、第１の電極１８ａ及び第２
の電極２０ａが第２の基板１４のみに設けられている。
液晶層１６は垂直配向型で且つ正の誘電率の異方性を有
する液晶を含む。従って、電圧が印加されると、液晶分
子は矢印で示されるように横電界に平行になるように配
向する。しかし、２つの電極１８ａ、２０ａ間の中間部
に位置する液晶分子は、右端部側の液晶分子の配向方向
に従うのか左端部側の液晶分子の配向方向に従うのか不
明確であり、液晶の配向が不安定になる。従って、図２
（Ｃ）に示されるように、液晶表示装置の１画素領域１
０ｂの中央部にディスクリネーションＤが生じる。
【００３３】また、図１の構成において、液晶分子が負
の誘電率の異方性を有する場合には、液晶分子は電界に
対して垂直に配向するようになる。これは例えば図２
（Ｂ）の中間部に位置する液晶分子の配向に類似する。
この場合には、液晶分子はほとんど垂直配向していて、
明るい表示を実現することができない。図１の実施例に
おいては、電圧印加状態においてディスクリネーション
のない配向が実現される。ディスクリネーションが無い
ことにより弾性エネルギーの留まる部分がなくなり、し
きい値電圧の低減も実現される。
【００３４】図３は図１の構成の変化例を示す図であ
る。図３（Ａ）は電圧を印加していないときの液晶表示
装置を示し、図３（Ｂ）は電圧を印加しているときの液
晶表示装置を示し、図３（Ｃ）は電圧を印加していると
きの１画素の表示を示している。図３において、液晶表
示装置１０は、第１及び第２の対向する透明なガラス基
板１２、１４と、第１及び第２の基板１２、１４の間に
封入された液晶層１６とを備える。
【００３５】第１の電極１８が第１の基板１２に設けら
れ、第２の電極２０及び第３の電極２６が第２の基板１
４に設けられる。第１の電極１８、第２の電極２０及び
第３の電極２６は図３の紙面に垂直な方向に長く直線状
に延びる。第２の電極２０は第１の電極１８とは、互い
に重なることなく、基板面と平行な方向にずらした位置
に設けられている。第３の電極２６は第１の電極１８と
重なる（あるいは相対する）位置に設けられる。図３に
おいては、第１の電極１８及び第３の電極２６はコモン
電極であり、第２の電極２０は画素電極である。液晶層
１６の液晶は垂直配向されたものであり、且つ液晶の誘
電率異方性が正である。さらに、垂直配向膜２２、２４
が第１及び第２の基板１２、１４にそれぞれ設けられ
る。
【００３６】従って、図３（Ａ）に示されるように、電
圧を印加していないときには、液晶分子は基板面に対し
てほぼ垂直に配向する。図３（Ｂ）に示されるように、
第１の電極１８と第２の電極２０との間、及び第３の電
極２６と第２の電極２０との間に電圧が印加されると、
矢印で示されるように第２の電極２０から第１の電極１
８及び第３の電極２６へ向かう電界が形成される。
【００３７】このように、斜め電界と横電界とを併用す
ることにより、特に中間部に位置する液晶分子の配向が
安定するようになり、図３（Ｃ）に示されるように、液
晶表示装置１０の１画素領域１０ａは明るい、ディスク
リネーションのない表示を実現することができる。ま
た、駆動電圧を低下することができるようになる。図４
は図１の構成を詳細にした実施例を示す断面図である。
第１の基板１２はカラーフィルタ２８及びブラックマト
リクス３０を有するカラーフィルタ基板である。カラー
フィルタ２８は赤色の画素２８Ｒ、緑色の画素２８Ｇ、
及び青色の画素２８Ｂを含む。第１の電極１８はブラッ
クマトリクス３０の紙面に垂直な方向に長く直線状に延
びる部分によって構成される。
【００３８】ブラックマトリクス３０はクロム等の金属
により第１の基板１２に接して形成されている。カラー
フィルタ２８はブラックマトリクス３０の上に形成され
るが、電圧を液晶に対して印加しやすくするために、カ
ラーフィルタ２８は第１の電極１８に相当するブラック
マトリクス３０の部分においてスリットがあけられ、第
１の電極１８の上にはカラーフィルタ層が無いようにな
っている。配向膜２２が上に突出しているように見える
部分がカラーフィルタ２８のスリットの部分である。
【００３９】第２の基板１４はＴＦＴ（図示せず）を形
成したＴＦＴ基板である。ＴＦＴ基板は格子状に延びる
ゲートライン（走査ライン）とデータラインとの交差部
にＴＦＴを形成したものである。ＴＦＴはゲートライン
に接続されるゲート電極と、データラインに接続される
ドレイン電極と、ソース電極とを含む。第２の電極２０
はソース電極とともにソース電極を延長して形成された
ものである。図４には、データライン３２も見えてい
る。データライン３２は第１の電極１８の下方にあり、
第２の電極２０は２つの第１の電極１８の中間にある。
このようにして、第１の電極１８がコモン電極であり、
第２の電極２０が画素電極になる。
【００４０】図５は図４の実施例の変形例を示す図であ
る。この例では、ＩＴＯのベタ電極３４がカラーフィル
タ基板である第１の基板１２に形成される。カラーフィ
ルタ２８はＩＴＯのベタ電極３４の上に形成されてい
る。図４の例と同様に、カラーフィルタ２８にはスリッ
トが形成されて第１の電極１８を形成するＩＴＯの部分
がスリットから露出している。カラーフィルタ２８は１
〜２μｍと比較的に厚いためにカラーフィルタ２８で覆
われているＩＴＯのベタ電極３４の部分は液晶を駆動す
るのには寄与しない。また、図４及び図５の構成は静電
気対策としても十分に働く。
【００４１】図６及び図７は図４の実施例の応用例を示
す。ゲートライン３６とデータライン３２との交差部に
ＴＦＴ３８が形成されている。ＴＦＴ３８はゲート電極
４０と、ドレイン電極４２と、ソース電極４４とを含
み、第２の電極２０はソース電極４４からゲートライン
３６と平行に画素の中間部まで延びる第１部分２０ｂを
経てデータライン３２と平行に延びる。このように、第
２の電極２０は画素の中央に配置されている。
【００４２】第１の電極１８はブラックマトリクス３０
によって形成されたものであって、ＴＦＴ３８を覆い、
且つデータライン３２の上方にデータライン３２よりも
幅広く延びている。第１の電極１８はマージンｍをもっ
てデータライン３２に重なっており、これによってデー
タライン３２から発生する電界の影響を防止するように
なっている。つまり、第１の電極１８とデータライン３
２との間で形成される電界により液晶の配向の乱れる領
域ができるが、第１の電極１８で遮蔽されているので表
示は影響されない。カラーフィルター２８は省略されて
いる。
【００４３】図８及び図９は図６及び図７の実施例の変
形例を示す。この例においては、第２の電極２０はソー
ス電極４４からゲートライン３６と平行に画素の中間部
まで延びる第１部分２０ｂを経てデータライン３２と平
行に延び、さらにゲートライン３６と重なって延びる第
２部分２０ｃを有する。このようにして、第２の電極２
０は前の実施例と同様に作用するとともに、液晶に対す
る補助容量を提供するCs-on-Gate構造を形成する。
【００４４】図１０及び図１１は図８及び図９の実施例
の変形例で、画素分割数を増やした例を示す図である。
この例では、第２の電極２０はソース電極４４からゲー
トライン３６と平行に画素の中間部まで延びる第１部分
２０ｂからデータライン３２と平行に２本延びている。
さらに、第１の電極１８は２本の第２の電極２０の両外
側にあるとともに、第１の電極１８が２本の第２の電極
２０の中間に追加される。このようにして、第２の電極
２０から第１の電極１８へ向かう電界がより短いピッチ
で複数形成される。画素を４分割以上にすることも可能
である。
【００４５】図１２及び図１３は図１０及び図１１の実
施例の変形例で、ゲートラインを伸ばしてその先端にＴ
ＦＴを形成した例を示す図である。ゲートライン３６は
データライン３２に沿って図面で下方に伸ばされた延長
部分３６ａを有し、データライン３２は絶縁層４６を介
してゲートライン３６の延長部分３６ａ上に形成され
る。ＴＦＴ３８はゲートライン３６の下方延長部分３６
ａの先端に形成されている。
【００４６】さらに、第２の電極２０は図面で上方に位
置するＴＦＴ３８に接続されるようになっている。すな
わち、第２の電極２０は上方に位置するＴＦＴ３８のソ
ース電極から少し下方に延びる第３部分２０ｄを有し、
それから右に曲がってゲートライン３６に沿って延びる
第１部分２０ｂとなり、それから前の例と同様に２条に
なって下方に延びる。第２の電極２０のゲートライン３
６に沿って延びる第１部分２０ｂは、ゲートライン３６
と重なって形成される。従って、前の例では第１部分２
０ｂはゲートライン３６よりも画素の内側に延びていた
ので、開口率を低下させていたが、この実施例では開口
率が高くなる。また、第１部分２０ｂ及び第２部分２０
ｃはゲートライン３６と重なって補助容量を形成する。
【００４７】図１４及び図１５は図６及び図７の実施例
の変形例で、斜め電界および横電界を併用する例を示す
図である。第１の電極１８及び第２の電極２０はほぼ図
６及び図７の実施例と同様に形成される。図３に示され
たのと同様の第３の電極２６が四角の枠状に形成されて
いる。第３の電極２６はゲートライン３６と同じ層に形
成される。第３の電極２６は第１の電極１８と同電位に
される。このように、ＴＦＴ基板側に第２の電極２０及
び第３の電極２６を設けた場合には構造が複雑になり開
口率も下がるという問題はあるが、データラインからの
電界を遮蔽する働きが大きい。また、第２の電極２０の
第１部分２０ｂ及び第２部分２０ｃと第３の電極２６と
の重なる部分とが補助容量を形成する。なお、これらの
電極の重なる部分には絶縁層が介在されることは言うま
でもない。
【００４８】図１６及び図１７は図１４及び図１５の実
施例の変形例で、第３の電極２６を画素中央に追加した
例を示す図である。この場合、第２の電極２０は２条あ
り、第１の電極１８及び第３の電極２６は３条ある。こ
のように、画素が分割して駆動される。第３の電極２６
は枠状になっている。コモン電極である第１の電極１８
及び／又は第３の電極２６はデータライン３２あるいは
ゲートライン３６からの横電界の影響を最低限にするた
め画素を取り囲むように形成しておくことが望ましい。
例えば図６から図１７の実施例ではこのことを念頭にお
いた設計となっている。
【００４９】以上の実施例では、逆スタッガー型のＴＦ
Ｔを想定したためにゲートが最下層になっているが、ト
ップゲート型を用いれば（Csはソース電極とゲート電極
との間に形成される）Cs-on-Gate構造のゲートをデータ
ラインの上に形成することが可能であり、より好まし
い。この場合、データライン３２をゲートライン３６の
下方延長部分３６ａで覆うことが出来るので、データ電
極による横電界の悪影響を防止することが可能である。
【００５０】この様子を図２２及び図２３に示す。この
実施例は（下方延長部分３６ａを有する）ゲートライン
３６とドレインライン３２とを上下逆にすれば図１２及
び図１３の実施例とほぼ同様である。ここで、第１の電
極１８と第２の電極２０との間の距離は６μｍから２０
μｍの範囲にした。これにより電極間に１５Ｖ以下の電
圧を印加するのみで液晶を駆動することが出来た。セル
厚が厚いほど駆動電圧が低くなることを確認している。
セル厚としては３μｍから６μｍの範囲に設定した。そ
して、パネルのΔｎｄとしては、0.5 μｍ±0.2 μｍの
時に良好な白表示の輝度を得ることが出来た。さらに、
垂直配向性の液晶を含む液晶表示装置であるので、屈折
率の異方性が負の一軸性の光学フィルムを重ね合わせる
構成が視角の向上に有効であった。例えば、液晶パネル
部分においてセル厚をｄ、液晶の屈折率の異方性をΔｎ
とする。フィルムの厚さをｄ２、屈折率の異方性をΔn2
として、Δｎ×ｄとΔn2×ｄ２とをほぼ同一になるよう
に構成した。
【００５１】図１８及び図１９はＴＦＴ基板のゲート電
極を表示用のコモン電極として用いる実施例を示す図で
ある。この場合、横電界で駆動する開口率の高い液晶表
示装置を実現することができる。上記した実施例の第１
の基板１２の第１の電極１８はなく、第２の基板１４の
第２の電極２０及び第３の電極２６により横電界を形成
するようにする。第２の電極２０はＴＦＴ３８のソース
電極４４に接続されたものであり、第３の電極２６はゲ
ートライン３６に接続されたものである。図１２及び図
１３の実施例と同様に、ゲートライン３６はデータライ
ン３２に沿って延びる下方延長部分３６ａを含む。ゲー
トライン３６はさらに画素の中央部分に位置する第２の
下方延長部分３６ｂを含む。これらの下方延長部分３６
ａ、３６ｂが第３の電極２６となる。
【００５２】図１８及び図１９に示されるように、横電
界を用いた駆動において、開口率を向上させるため、ゲ
ートライン３６と第２の電極２０の第１部分２０ｂ及び
２０ｃとの重なりを補助容量として用いることも可能で
ある。ここでは、ゲートライン３６に接続された第３の
電極２６は非選択期間はコモン電位とし、この電極と第
２の電極２０との間に電界を形成して液晶を駆動する。
これにより、より開口率の向上した横電界型のＬＣＤを
構成することが可能である。また、データライン上に伸
ばした下方延長部分３６ａの先端の形状として、ＴＦＴ
３８形成用のくびれ（図中Ａで示した部分）とは別に、
液晶に均一な電界を印加するために別途下方延長部分３
６ａの先端を伸ばす（図中Ｂで示した部分）構成とし
た。
【００５３】図２０及び図２１は図１８及び図１９の実
施例の変形例を示す図である。この例においては、ゲー
トライン３６はデータライン３２に沿って延びる下方延
長部分３６ａ（ゲート電極４０）及び上方延長部分３６
ｃを含む。ＴＦＴ３８は下方延長部分３６ａに設けら
れ、上方延長部分３６ｃは第３の電極２６となる。さら
に、ゲートライン３６は画素の中央に延びる中央延長部
分３６ｄを有し、中央延長部分３６ｄも第３の電極２６
となる。この場合には、上方延長部分３６ｃはデータラ
イン３２に平行にデータライン３２の際に伸ばす。そし
て、中央延長部分３６ｄの上下部分は第２の電極２０の
第１部分２０ｂ及び第２部分２０ｃとそれぞれ重なって
補助容量を形成するようにする。
【００５４】図１８から図２１の実施例において、第１
の基板１２の第１の電極１８はないが、第３の電極２０
に対応する第１の基板１２の位置に第１の電極１８を設
けることができることは言うまでもない。図２４は、ゲ
ートライン３６の延長部分３６ｃ、３６ｄをコモンとし
て用いる場合の駆動波形例を示す。ＴＦＴ３８の駆動の
関係から、ゲートのOFF 電圧としてマイナス５Ｖ程度を
印加することが必要である。これをコモンとして用いる
訳であるので、データ電圧もこのマイナス５Ｖを中心に
振ることが必要である。ドライバの駆動電圧の基準とし
て-10Vを入れてこの構成を実現した。データ自体は例え
ば３Ｖまでのロジックとして入ってくるので調整が必要
ではある。
【００５５】図２５及び図２６は斜め電界を印加する他
の実施例を示す。この例においては、第１の電極５８と
第２の電極２０との間で斜め電界を形成するようになっ
ている。第１の電極５８は例えば図１の第１の電極１８
と同様の作用を行うものである。ただし、第１の電極５
８及び第２の電極２０がともに第２の基板１４に位置さ
れている。
【００５６】第１の電極５８は第２の基板１４の基板面
に接して配置されている。第２の電極２０は第２の基板
１４の基板面から離れて配置されている。具体的には、
第２の電極２０は窒化シリコンの層５０及びアモルファ
スシリコンの層５２の上に形成されている。すなわち、
ＴＦＴ３８を形成する際に、窒化シリコンの層５０及び
アモルファスシリコンの層５２の上にソース電極の層を
設けるが、第２の電極２０をソース電極の層とともに窒
化シリコンの層５０及びアモルファスシリコンの層５２
の上に設けるのである。
【００５７】従って、第１の電極５８と第２の電極２０
とは高さが異なるので斜め電界を形成することができ
る。この斜め電界を活用することによりディスクリネー
ションの無い配向を実現することが出来る。ここで、斜
め電界を形成する第１及び第２の電極の層のずれとして
0.3 μm 以上、望ましくは0.6 μm 以上の時に特にディ
スクリネーションの少ない表示を実現することが出来
た。即ち、窒化シリコンの層５０及びアモルファスシリ
コンの層５２の厚さを0.3 μm 以上とすることで良好な
表示を実現することが出来た。
【００５８】第１の電極５８と第２の電極２０の高さの
差を付けるには窒化シリコンの層５０及びアモルファス
シリコンの層５２の他に特別な層を設けることも可能で
ある。例えば紫外線硬化樹脂を塗布し、この上に電極を
形成してソース電極と接続し、ソース電極の位置をより
硝子基板から離すことも可能である。この場合、第２の
電極２０とゲートラインの層にある第１の電極５８との
間の電界がより斜めになる。
【００５９】上の例では逆スタッガーについて説明した
がスタッガー型であっても同様の構成を実現することが
可能である。この場合にはコモンの層となるゲートが最
も基板から離れた位置になり、図２５及び図２６の第２
の電極がコモン電極である第１の電極に、第２の電極が
画素電極になる。また、SiN とa-Siの位置関係が逆にな
るかあるいはSiN,a-Siの重なりの上に更にSiN がある構
成になる。この場合にはSiＮ層が２層あるためさらに電
極同士の高さの差が大きくなる可能性がある。
【００６０】図２７は本発明のさらに他の実施例による
液晶表示装置を説明するために各電極が一画素内で平行
な複数の電極要素からなる例を示す図である。図２７は
一画素内の電極構成を液晶表示装置の一方の基板の上方
から見た図である。第１の電極７０は櫛歯状に形成さ
れ、平行な複数の電極要素７２を有する。第２の電極７
４は櫛歯状に形成され、平行な複数の電極要素７６を有
する。第１の電極７０の電極要素７２と第２の電極７４
の電極要素７６とは互いに平行に交互に形成されてい
る。
【００６１】図２８は斜め電界方式の液晶表示装置の電
圧無印加時の状態を示す図、図２９は図２８の液晶表示
装置の電圧印加時の状態を示す図である。図２８及び図
２９において、液晶表示装置１０は、第１及び第２の基
板１２、１４と、液晶層１６とを含む。さらに、第１の
基板１２は第１の電極要素７２を有し、第２の基板１４
は第２の電極要素７６を有する。第１の電極要素７２と
第２の電極要素７６とは図２７に示されるように基板面
と平行な方向で互いにずらして配置されている。
【００６２】第１の電極要素７２を有する第１の電極７
０は図６から図２６に示されるコモン電極１８と同様に
して第１の基板（カラーフィルタ基板）１２に形成され
ることができる。第２の電極要素７６を有する第２の電
極７４は図６から図２６に示される画素電極２０と同様
にしてアクティブマトリクスのＴＦＴ３８に接続される
ことができる。
【００６３】液晶層１６は正の誘電異方性を有する液晶
を含み、第１及び第２の基板１２、１４には垂直配向膜
（図示せず）が設けられる。従って、電圧無印加時には
液晶分子は基板面に垂直に配向しており（図２８）、電
圧無印加時には液晶分子は斜め電界に沿って配向してい
る（図２９）。この作用は、前の実施例と同様である。
【００６４】図３０は斜め電界方式の他の液晶表示装置
の電圧無印加時の状態を示す図である。この場合にも、
第１の基板１２は第１の電極要素７２を有し、第２の基
板１４は第２の電極要素７６を有する。第１の電極要素
７２と第２の電極要素７６とは図２７に示されるように
基板面と平行な方向に互いにずらして互いに平行に配置
されている。図３０においては、液晶層１６は正の誘電
率異方性を有する液晶を含み、第１及び第２の基板１
２、１４には水平配向膜（図示せず）が設けられる。従
って、電圧無印加時には液晶分子は基板面にほぼ平行に
配向する。電圧無加時には液晶分子は斜め電界に沿って
配向する。これから説明する実施例は、図２８の垂直配
向型の液晶表示装置及び図３０の水平配向型液晶表示装
置のいずれにも適用される。
【００６５】図２７に示されるような電極構成において
は、第１の基板１２と第２の基板１４とを貼り合わせる
ときに位置ずれが生じると、第１の基板１２の第１の電
極要素７２と第２の基板１４の第２の電極要素７６との
間の間隙（電極間隙）が変化し、液晶表示装置の使用時
に電圧−透過率特性が変化する。図３１は斜め電界方式
の液晶表示装置で液晶が電圧無印加時に基板に対して垂
直に配向している場合の電圧−透過率特性の例を示す図
である。曲線Ｐは電極間隙が１５μｍの場合、曲線Ｑは
電極間隙が１０μｍの場合、曲線Ｒは電極間隙が６μｍ
の場合の、電圧−透過率特性を示す。図３１から分かる
ように、電圧−透過率特性は電極間隙の影響を大きく受
ける。従って、液晶表示装置の組み立てにおいては第１
の基板１２と第２の基板１４とを貼り合わせるときに位
置ずれが生じないように細心の注意を払う必要があり、
製造マージンが非常に小さい。
【００６６】曲線Ｓは上記の３つの曲線を平均化した場
合の電圧−透過率特性を示す図である。曲線Ｓは一画素
内に複数の電極間隙が混在する場合を示している。この
場合、曲線Ｓに示されるように電圧−透過率特性はなだ
らかになり、電圧変動による透過率変化が少なくなる。
また、第１及び第２の基板１２、１４の貼り合わせずれ
が生じた場合、電圧−透過率特性が低電圧側にシフトす
る領域と高電圧側にシフトする領域が生じ、一画素全体
の変化が電極間隙が一様のときより小さくなる。以上の
理由により、貼り合わせずれ、あるいは製造時における
電極幅の変動による電圧−透過率特性の変化を抑えるこ
とが可能になる。
【００６７】図３２は斜め電界方式の液晶表示装置で第
１及び第２の基板の貼り合わせずれがある場合の電圧−
透過率特性を示す図である。曲線Ｈは貼り合わせずれが
３．９μｍの場合、曲線Ｉは貼り合わせずれが１．８μ
ｍの場合、曲線Ｊは貼り合わせずれが５．８μｍの場
合、曲線Ｊは貼り合わせずれが０．４μｍの場合の、電
圧−透過率特性を示す。貼り合わせずれによって、異な
る２つの電極間隙が生じ、電圧−透過率特性が２段の階
段状になり、かつあわせずれの程度が液晶パネルによっ
て異なるため、電圧−透過率特性が液晶パネルによって
異なる。
【００６８】従って、第１の電極７０及び第２の電極７
４は一画素内において平行な複数の電極要素７４、７６
からなり、第１及び第２の電極の電極要素７４、７６の
電極幅と電極間隙の少なくとも一方が非一様であるよう
にすることにより、位置ずれが生じても電圧−透過率特
性の変化が少ないようにすることができる。図３３から
図４４は電極幅と電極間隙の少なくとも一方が非一様で
あるようにした例を示す図である。いずれの場合にも、
セル厚は４μｍ、液晶材料のΔεは１４．８であった。
【００６９】図３３は電極幅を一定にしたまま、電極間
隙を変えた電極要素７４、７６の例を示す図である。平
行で直線状の電極要素７４、７６の電極幅は４μｍで一
定である。例において、斜め電界を形成する２つの電極
要素７４、７６間の電極間隙（光が透過する部分）は、
１２μｍ、１０μｍ、８μｍ、１２μｍ、１０μｍ、８
μｍであった。図３４はこのときの電圧−透過率特性を
示す。複数の異なった電極間隙が混在し、一画素内にそ
れぞれの電極間隙に対応した電圧−透過率特性が現れ、
全体ではそれらの和となる。
【００７０】図３５は電極間隙を一定（１０μｍ）にし
たまま、電極幅を８μｍ、６μｍ、４μｍと変えてい
る。電極要素７２、７６は直線状に平行に配置し、電極
幅を複数変化させている。そのため、一画素内にそれぞ
れの電極幅に対応した電圧−透過率特性が現れ、全体で
はそれらの和となる。図３６はこのときの電圧−透過率
特性を示す。
【００７１】図３７はＴＦＴ基板側の電極要素７６は一
定の幅及びピッチで配置し、カラーフィルタ基板側の電
極要素７２を台形状の形状にして電極間隙を変化させて
いる。台形状の電極要素７２の電極幅は、広い部位で１
２μｍ、狭い部位で４μｍであった。電極間隙は電極要
素７２の電極幅の広い部位で８μｍ、狭い部位で１２μ
ｍであった。電極間隙は電極要素７２の長手方向に連続
的に変化する。図３８はこのときの電圧−透過率特性を
示す。
【００７２】図３９はカラーフィルタ基板側の電極要素
７２は一定の幅及びピッチで配置し、ＴＦＴ基板側の電
極要素７６を台形状の形状にして電極間隙を変化させて
いる。寸法関係は図３７の例を逆にしたのと同様であ
る。図４０はこのときの電圧−透過率特性を示す。図３
７及び図３９において、電極要素を台形状の形状にして
いるため、無数の異なる電極間隙があり、それらに対応
した無数の異なる電圧−透過率特性が現れ、全体ではそ
れらの和となる。
【００７３】図４１は電極要素７２、７６を階段状の形
状にして電極間隙を変化させている。このとき、電極間
隙を細かく変化させるため、階段の段差をＴＦＴ基板側
の電極要素７６とカラーフィルタ基板側の電極要素７２
でずらしている。図３７及び図３９の電極間隙が連続的
に変化するのに対して、図４１の電極間隙は図３７及び
図３９の電極間隙の変化の割合と同じ変化の割合で離散
的に変化する。電極間隙をできるだけ細かく変化させる
ために、第１及び第２の基板のそれぞれの電極要素の段
をずらしている。図４２はこのときの電圧−透過率特性
を示す。
【００７４】図４３はＴＦＴ基板側の電極要素７６とカ
ラーフィルタ基板側の電極要素７２を交差させることで
電極間隙を変化させている。カラーフィルタ基板側の電
極要素７２はバスライン（例えば図６のバスライン３
２）と平行であるのに対して、ＴＦＴ基板側の電極要素
７６は同じバスラインに対して３０度の角度で形成され
ている。ＴＦＴ基板側の電極要素７６は１６μｍのピッ
チで配置されている。こうして、無数の異なる電極間隙
を作っている。図４４はこのときの電圧−透過率特性を
示す。また、ＴＦＴ基板側の電極要素７６をバスライン
と平行にし、カラーフィルタ基板側の電極要素７２をバ
スラインに対して角度（例えば３０度）をつけて配置し
てもよい。
【００７５】図３３から図４３のいずれの場合も、第１
及び第２の基板１２、１４の貼り合わせずれに対し、電
極間隙の変化が一画素内である程度相殺される構造にな
っている。また、図３３から図４３のように一画素内で
電極間隙に変化をもたせると、一画素内に複数の電圧−
透過率特性をもつようになり、一画素全体の電圧−透過
率特性は、複数の電圧−透過率特性の和になる。その結
果、透過率の電圧に対する挙動が緩やかになり、電極間
隙の変化に対し、電圧−透過率特性の変化が小さくな
る。
【００７６】従来方式の斜め電界方式の液晶表示装置で
は、図３２を参照して説明したように、第１及び第２の
基板の貼り合わせずれによって、異なる２つの電極間隙
が生じ、電圧−透過率特性が２段の階段状になり、かつ
あわせずれの程度が液晶パネルによって異なるため、電
圧−透過率特性が液晶パネルによって異なった。図４１
のように階段状の電極要素７２、７６を有する斜め電界
方式の１５型ＸＧＡの液晶表示装置では、第１及び第２
の基板の貼り合わせずれによる電圧−透過率特性の変化
がなく、液晶パネルによる電圧−透過率特性の違いはみ
られなかった。
【００７７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
開口率が高くて明るく、視角特性の良好な液晶表示装置
を実現することが可能である。また、電圧−透過率特性
の変化の小さい液晶表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理構成を示す図である。
【図２】図１の液晶表示装置の比較例を示す図である。
【図３】図１の構成の変化例を示す図である。
【図４】図１の構成を詳細にした実施例を示す断面図で
ある。
【図５】図４の実施例の変化例を示す断面図である。
【図６】図４の実施例の応用例を示す平面図である。
【図７】図６の線VII −VII に沿った断面図である。
【図８】図６の実施例の変形例で、補助容量を形成した
例を示す図である。
【図９】図８の線IX−IXに沿った断面図である。
【図１０】図８の実施例の変形例で、画素分割数を増や
した例を示す図である。
【図１１】図１０の線XI−XIに沿った断面図である。
【図１２】図１０の実施例の変形例で、ゲートラインを
伸ばしてその先端にＴＦＴを形成した例を示す図であ
る。
【図１３】図１２の線XIII−XIIIに沿った断面図であ
る。
【図１４】図６の実施例の変形例で、斜め電界および横
電界を併用する例を示す図である。
【図１５】図１４の線XV−XVに沿った断面図である。
【図１６】図１４の実施例の変形例で、対向基板のコモ
ン電極を画素中央に追加した例を示す図である。
【図１７】図１６の線XVII−XVIIに沿った断面図であ
る。
【図１８】ＴＦＴ基板のゲート電極を表示用の電極とし
て用いる実施例を示す図である。
【図１９】図１８の線XIX −XIX に沿った断面図であ
る。
【図２０】図１８の実施例の変形例を示す図である。
【図２１】図２０の線XXI −XXI に沿った断面図であ
る。
【図２２】トップゲート方式で構成したＴＦＴを含む実
施例を示す図である。
【図２３】図２２の線XXIII −XXIII に沿った断面図で
ある。
【図２４】ゲート電極をコモンとして用いる場合の駆動
波形の例を示す図である。
【図２５】斜め電界を印加する他の実施例を示す図であ
る。
【図２６】図２５の線XXVI−XXVIに沿った断面図であ
る。
【図２７】本発明のさらに他の実施例を説明するために
各電極が一画素内で平行な複数の電極要素からなる例を
示す図である。
【図２８】斜め電界方式の液晶表示装置の電圧無印加時
の状態を示す図である。
【図２９】図２８の液晶表示装置の電圧印加時の状態を
示す図である。
【図３０】斜め電界方式の他の液晶表示装置の電圧無印
加時の状態を示す図である。
【図３１】斜め電界方式の液晶表示装置で液晶が電圧無
印加時に基板に対して垂直に配向している場合の電圧−
透過率特性の例を示す図である。
【図３２】斜め電界方式の液晶表示装置で第１及び第２
の基板の貼り合わせずれがある場合の電圧−透過率特性
を示す図である。
【図３３】電極幅を一定にしたまま、電極間隙を変えた
電極要素の例を示す図である。
【図３４】図３３の電極要素を使用した場合の電圧−透
過率特性を示す図である。
【図３５】電極間隙を一定にしたまま、電極幅を変えた
電極要素の例を示す図である。
【図３６】図３５の電極要素を使用した場合の電圧−透
過率特性を示す図である。
【図３７】カラーフィルタ側の電極要素は一定で、ＴＦ
Ｔ側の電極要素を台形状の形状にして電極間隙を変化さ
せた電極要素の例を示す図である。
【図３８】図３７の電極要素を使用した場合の電圧−透
過率特性を示す図である。
【図３９】カラーフィルタ側の電極要素を台形状の形状
にし、ＴＦＴ側の電極要素は一定にして電極間隙を変化
させた電極要素の例を示す図である。
【図４０】図３９の電極要素を使用した場合の電圧−透
過率特性を示す図である。
【図４１】電極要素を階段状の形状にして電極間隙を変
化させた電極要素の例を示す図である。
【図４２】図４１の電極要素を使用した場合の電圧−透
過率特性を示す図である。
【図４３】ＴＦＴ側の電極要素とカラーフィルタ側の電
極要素を交差させることで電極間隙を変化させた電極要
素の例を示す図である。
【図４４】図４３の電極要素を使用した場合の電圧−透
過率特性を示す図である。
【符号の説明】
１０…液晶表示装置 １２…第１の基板 １４…第２の基板 １６…液晶層 １８…第１の電極 ２０…第２の電極 ２２、２４…配向膜 ２６…第３の電極 ２８…カラーフィルタ ３０…ブラックマトリクス ３２…データライン ３４…ベタ電極 ３６…ゲートライン ３８…ＴＦＴ ５８…第１の電極 ７２…第１の電極要素 ７６…第２の電極要素
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹林 貴 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田坂 泰俊 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１及び第２の対向する基板と、該第１
    及び第２の基板の間に封入された液晶層と、該第１の基
    板に設けられた第１の電極と、該第２の基板に該第１の
    電極とは基板面と平行な方向にずらした位置に設けられ
    た第２の電極とを備え、該液晶層の液晶は垂直配向され
    たものであり、液晶の誘電率異方性が正であることを特
    徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 該第１及び第２の電極が少なくとも部分
    的に長く直線状に延びることを特徴とする請求項１に記
    載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 該第１及び第２の基板の一方がブラック
    マトリクス及びカラーフィルタを有し、該ブラックマト
    リクス及びカラーフィルタを有する基板の電極が該ブラ
    ックマトリクスの一部分からなることを特徴とする請求
    項１に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 該第１及び第２の電極の一方はベタ電極
    であり、カラーフィルタが該透明なベタ電極の上に形成
    され、該カラーフィルタはスリットを有し、該ベタ電極
    の該スリットから露出した部分が該第１及び第２の電極
    の一方となることを特徴とする請求項１に記載の液晶表
    示装置。
  5. 【請求項５】 該第１及び第２の電極の一方と共通の電
    位を有するように第３の電極が該第１及び第２の基板の
    一方に設けられることを特徴とする請求項１に記載の液
    晶表示装置。
  6. 【請求項６】 該第３の電極は該第１及び第２の電極の
    一方と少なくとも部分的に重なるように形成されている
    ことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 該第１及び第２の基板の一方はゲートラ
    イン及びデータラインを有し、該第１及び第２の基板の
    他方に設けられた電極は画素内に形成されていることを
    特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 該第１及び第２の基板の一方はゲートラ
    イン及びデータライン及びＴＦＴを有し、該第１及び第
    ２の電極の一方は該ＴＦＴのソース電極に接続されて次
    のゲートライン上まで延びており、補助容量を形成する
    ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 第１及び第２の対向する基板と、該第１
    及び第２の基板の間に封入された液晶層と、該第１の基
    板に設けられた第１の電極と、該第２の基板に該第１の
    電極とは基板面と平行な方向にずらした位置に設けられ
    た第２の電極とを備え、該第１及び第２の基板の一方は
    ゲートライン及びデータライン及びＴＦＴを有し、該第
    １及び第２の電極の一方はゲートラインに接続された部
    分からなることを特徴とする液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 該ゲートラインに接続された部分から
    なる電極をコモン電極として用い、該第１及び第２の電
    極の他方はＴＦＴのソース電極に接続され、第１及び第
    ２の電極の間に形成される電界によって液晶を駆動する
    ことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 隣接する第１及び第２のゲートライン
    があり、第１のゲートラインに接続された部分からなる
    電極がデータライン上を第２のゲートライン近くまで延
    び、ＴＦＴは該第１のゲートラインに接続された部分か
    らなる電極の先端部に形成され、該ソース電極に接続さ
    れた電極は主として第２のゲートラインに関して第１の
    ゲートラインとは反対側にあり、該ソース電極に接続さ
    れた電極は第２のゲートラインを超えて第１のゲートラ
    インに接続された部分からなる電極の先端部に形成され
    たＴＦＴに接続されることを特徴とする請求項１０に記
    載の液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 隣接する第１及び第２のゲートライン
    があり、第１のゲートラインに接続された部分からなる
    電極がデータライン上を第２のゲートライン近くまで延
    び、ＴＦＴは該第１のゲートラインに接続された部分か
    らなる電極の先端部に形成され、該第１のゲートライン
    に接続された部分からなる電極の先端部は、ＴＦＴ形成
    用部分及び電界形成用部分として二股状に形成されてい
    ることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 第１及び第２の対向する基板と、該第
    １及び第２の基板の間に封入された液晶層と、該第１及
    び第２の基板の一方に互いに間隔をあけ且つ基板面から
    の距離が異なった位置に設けられた第１及び第２の電極
    とを備え、該第１及び第２の電極の間で斜め電界を形成
    するようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 該液晶は垂直配向されていて斜め電界
    によって駆動されることを特徴とする請求項１３に記載
    の液晶表示装置。
  15. 【請求項１５】 第１及び第２の対向する基板と、該第
    １及び第２の基板の間に封入された液晶層と、該第１の
    基板に設けられた第１の電極と、該第２の基板に設けら
    れた第２の電極とを備え、該第１の電極及び該第２の電
    極は一画素内において平行な複数の電極要素からなり、
    該電極の電極要素の電極幅と電極間隙の少なくとも一方
    が非一様であることを特徴とする液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】 該第１及び該第２の電極の少なくとも
    一方の電極要素はデータバスラインと平行又は垂直であ
    ることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】 該第１及び該第２の電極の少なくとも
    一方の電極要素の一部又は全てがデータバスラインと平
    行でないことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示
    装置。
  18. 【請求項１８】 該第１及び該第２の電極の少なくとも
    一方の電極要素の幅の一部又は全てが不連続に変化する
    ことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】 該第１及び該第２の電極の少なくとも
    一方の電極要素が階段状であることを特徴とする請求項
    １５に記載の液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】 該第１及び該第２の電極の電極要素が
    ともに階段状で、電極幅の狭まる方向が同じであること
    を特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
  21. 【請求項２１】 該第１及び該第２の電極の一方の電極
    要素が他方の電極要素に対して少なくとも一点で交差す
    ることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
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