JPH0862586A

JPH0862586A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH0862586A
Application number: JP6195033A
Authority: JP
Inventors: Hisahide Wakita; 尚英脇田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-08-19
Filing date: 1994-08-19
Publication date: 1996-03-08

Abstract

(57)【要約】【目的】電極の厚みを厚くすることなく低電圧で駆動
でき、明るい表示が得られるとともに視野角の広い液晶
表示素子を提供する。【構成】高分子マトリクス中に液晶を分散させた高分
子分散型液晶層を上下基板１，３間に挟持し、上下基板
１，３の両外側に一対の直交偏光板１０，１１を配置
し、下基板３の電極を横電界（基板と水平方向の電界）
を印加可能な対をなす櫛歯形電極５，６とし、偏光板１
０，１１の偏光軸が櫛歯形電極５，６の櫛歯部分と４５
度の角度を有している。なお、上基板１の電極は表示領
域全体を被う共通電極２である。そして、櫛歯形電極
５，６を同電位とし、共通電極２との間に電圧を印加し
たときに液晶分子が垂直配向するようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶素子として、最も広く用いられてい
るのは、捻れネマチック（ＴＮ）モードである。ＴＮモ
ードの欠点の一つに視野角の狭さが上げられる。これ
は、捻れた水平配向から垂直配向への途中の電圧で、斜
めからパネルを見たとき、液晶分子の立ち上がる向きか
らは分子の短軸が見えるので複屈折が小さく暗いが、そ
の逆方向からみると分子の長軸から見るので明るくなっ
てしまう。このため、逆方向のコントラストは低く、階
調が反転しやすい。

【０００３】このような欠点を解決する手段として、液
晶分子を基板に水平で、その方位角を横方向の電界で変
える方法が提案されている（例えば、特願平５−８７０
４１）。電圧無印加のときには基板上の配向膜により液
晶は一方向に水平配向しており、その方向に偏光軸を合
わせた直交偏光板でパネルを挟めば、黒状態は偏光板自
身の特性とほとんど変わらず方向依存性が非常に小さ
い。そして、この液晶層に横方向の電界を印加するため
に、図５のような櫛歯形電極が用いられる。図５（ａ）
は櫛歯形電極を用いた液晶セルの概略断面図であり、４
０，４１は櫛歯形電極、４２は上基板、４３は下基板、
４４は液晶層である。図５（ｂ）は櫛歯形電極４０，４
１を形成した下基板４３の平面図である。櫛歯形電極４
０，４１はそれぞれの櫛歯部分を交互に平行に配置して
あり、隣接する櫛歯の間に電圧を印加して基板に水平な
方向の電界（横電界）を印加する。偏光板の偏光軸方向
（無電界時の液晶の配向方向）と櫛歯形電極の櫛歯の突
出方向とが直交していなければ（４５度が最も明る
い）、横電界により液晶分子が配向すると複屈折効果に
より入射偏光が回転し明るくなる。

【０００４】一方、視野角を広げる方法として、直交す
る偏光板の間に高分子分散型液晶を挟んだ液晶素子が提
案されている（例えば、ジャパンディスプレイ’９２、
p631「高分子分散液晶を用いたフルカラーＴＦＴＬＣ
Ｄ」）。高分子分散液晶は、低分子のネマチック液晶を
高分子マトリクス（マイクロカプセルや多孔質体）で包
んだ構造を持っている。入射偏光は液晶滴を通過すると
きに複屈折を受けるが、液晶滴によって液晶分子の配向
方向はばらばらであり、しかも液晶と高分子マトリクス
の屈折率不一致により散乱が生じ光路が複雑に変わるた
め、どの方向から入射しても複屈折量はあまり変わらな
い。このため、電圧無印加時には明状態になる。電圧を
印加すると液晶分子は垂直配向し暗くなるが、途中の電
圧でも立ち上がり方向が様々であるため、視野角依存性
は小さい。液晶パネルに負の複屈折を持つポリマーフィ
ルムを添付すれば、垂直配向の視野角依存性も小さくな
り、さらに視野角が広がる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】横電界を印加する従来
例では、液晶分子は配向膜により束縛されているため
に、界面の液晶分子は電圧を印加しても動かない。電圧
印加により容易に動くのは液晶層の中央部の液晶分子で
あるので、中央部に電界が十分掛からなければならない
ので、櫛歯形電極の厚みを１μｍ以上と非常に厚くしな
ければ、低い電圧での駆動は難しい。通常、透明電極は
せいぜい数百ｎｍであるが、これを、１μｍの厚みにす
ると透過率は極めて低くなり、しかも、膜厚が大きいと
微細加工の最小幅も大きくなるので、有効な表示領域で
ある電極間部が小さくなり、開口率が下がり暗い表示に
なる。しかも、電極を非常に厚くするので、コストも高
くなる。

【０００６】また、偏光板の間に高分子分散液晶を挟ん
だ従来例では、明状態の明るさがＴＮモードの１／３程
度と非常に暗くなってしまう。これは、複屈折効果によ
る出射光強度は偏光に対して複屈折の主軸が４５度傾い
たときに最も大きいが、従来例の高分子分散液晶では配
向方向がランダムなために、このような条件を満たすこ
とができないことが原因である。

【０００７】この発明の目的は、電極の厚みを厚くする
ことなく低電圧で駆動でき、明るい表示が得られるとと
もに視野角の広い液晶表示素子を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
素子は、高分子マトリクス中に液晶を分散させた高分子
分散型液晶層を電極を内側にして対向配置した一対の基
板間に挟持し、一対の基板の両外側に一対の偏光板をそ
れぞれの偏光軸が直交するように配置し、一対の基板の
うち少なくとも一方の基板の電極を基板と水平方向の電
界を印加可能な対をなす櫛歯形電極とし、一対の偏光板
のうち一方の偏光軸が対をなす櫛歯形電極の櫛歯の突出
方向と３０度ないし４５度で交差している。

【０００９】請求項２記載の液晶表示素子は、請求項１
記載の液晶表示素子において、一対の基板のうち一方の
基板の電極は対をなす櫛歯形電極とし、他方の基板の電
極は表示領域全体を被う電極とし、対をなす櫛歯形電極
を同電位とし対をなす櫛歯形電極と他方の基板の電極と
の間に電圧を印加したときに液晶分子が垂直配向するよ
うにしている。

【００１０】請求項３記載の液晶表示素子は、請求項２
記載の液晶表示素子において、電界が印加されないとき
の高分子マトリクス中の液晶分子が高分子マトリクス表
面に垂直配向している。請求項４記載の液晶表示素子
は、請求項２記載の液晶表示素子において、高分子分散
型液晶層の厚みを、対をなす櫛歯形電極の櫛歯部分の間
隙より大きくしている。

【００１１】請求項５記載の液晶表示素子は、高分子マ
トリクス中に液晶を分散させた高分子分散型液晶層を電
極を内側にして対向配置した一対の基板間に挟持し、一
対の基板の両外側に一対の偏光板をそれぞれの偏光軸が
直交するように配置し、一対の基板の電極を基板と水平
方向の電界を印加可能な対をなす櫛歯形電極とし、一対
の偏光板のうち一方の偏光板の偏光軸は対をなす櫛歯形
電極の櫛歯の突出方向と平行とし、電界が印加されない
ときの高分子マトリクス中の液晶分子が基板面に水平で
かつ対をなす櫛歯形電極の櫛歯の突出方向と３０度ない
し４５度の角度をもって配向し、対をなす櫛歯形電極間
に電圧を印加することにより液晶分子が櫛歯形電極の櫛
歯の突出方向と直交する方向に配向するようにしてい
る。

【００１２】

【作用】この発明の液晶表示素子は、高分子マトリクス
中に液晶を分散させた高分子分散型液晶層を一対の基板
間に挟持し、基板に形成した電極を横電界（基板と水平
方向の電界）を印加できる櫛歯形電極としている。従来
の高分子配向膜で配向させた液晶では、櫛歯形電極のあ
る基板平面上の液晶分子が固定されているため、最も横
電界が強くなる基板表面近くの液晶分子は固定されて動
かず、電圧を強くしなければならなかった。しかし、高
分子分散液晶では、高分子マトリクスと液晶の間に未重
合のモノマーが存在するため、液晶と高分子の相互作用
は弱く、界面近傍の液晶分子も動き易い。また、高分子
分散液晶の液晶滴はほぼ球形なので、どの方向の電界に
対しても、電界方向に分子長軸が平行に近い部分があ
り、通常、その部分の液晶は閾値性を持たず、極く弱い
電界に対しても応答する。

【００１３】このように、この発明の液晶表示素子は従
来より低い電圧でも応答し、櫛歯形電極の厚みを厚くす
る必要はない。櫛歯形電極による横電界で応答したとき
には、パネルを挟む直交偏光板を櫛歯から４５度方向に
設置すれば、通常の高分子液晶パネルを偏光板に挟んだ
場合より明るくなる。数μｍの距離で隣接する櫛歯形電
極の電位を等しくし、対向する電極との間に電圧を印加
すれば、櫛歯間の電極のある部分はもちろん、ない部分
にも厚み方向の電圧がある程度印加される。したがっ
て、液晶分子は垂直配向になるが、その横電界による水
平配向との中間状態では、分子長軸の方位は分子が立ち
上がるにつれてランダムになるので、視野角は広い。

【００１４】また、高分子分散液晶は磁場印加や延伸に
より、楕円球状になり水平に一方向に並べることが可能
である。この初期の水平配向と、４５度方向に横電界で
配向方向を変えた状態とにより、水平配向間でコントラ
ストを付け、視野角の広い表示も可能である。

【００１５】

【実施例】以下、この発明の実施例を図面を用いて説明
する。〔第１の実施例〕図１はこの発明の第１の実施例の液晶
表示素子の模式断面図である。図１において、１はガラ
スからなる上基板、２は共通電極、３はガラスからなる
下基板、５，６は櫛歯形電極、８は液晶滴、９は液晶パ
ネル、１０，１１は偏光板、１２，１３は画素である。
図２は図１における下基板３の平面図であり、４は薄膜
トランジスタ、７はバスラインである。

【００１６】この液晶表示素子は、高分子マトリクス中
に液晶を分散させた高分子分散型液晶層を上下基板１，
３間に挟持し、上下基板１，３の両外側に一対の直交偏
光板１０，１１を配置し、下基板３の電極を横電界（基
板と水平方向の電界）を印加可能な対をなす櫛歯形電極
５，６とし、偏光板１０，１１の偏光軸が櫛歯形電極
５，６の櫛歯の突出方向と４５度の角度を有している。
なお、上基板１の電極は表示領域全体を被う共通電極２
である。そして、櫛歯形電極５，６を同電位とし、共通
電極２との間に電圧を印加したときに液晶分子が垂直配
向するようにしている。

【００１７】この液晶表示素子の製造方法を簡単に説明
しておく。上基板１上には、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）の共通電極２を表示領域全体に１００ｎｍの厚みで
膜付けしている。また、下基板３上には薄膜トランジス
タ４を形成した後、ＩＴＯを２００ｎｍ膜付けし、フォ
トリソグラフィー法によりパターンニングして櫛歯形電
極５，６を形成した。櫛歯形電極５は薄膜トランジスタ
４のドレインに接続され、櫛歯形電極６には±３Ｖの交
流電圧がバスライン７から供給される。櫛歯形電極５，
６は、櫛歯部分の幅が３μｍで、ピッチが１２μｍであ
り、櫛歯形電極５，６はそれぞれの櫛歯部分が交互に平
行に配置され、櫛歯形電極５，６の隣接する櫛歯部分の
間隔は３μｍになる。図１，図２では、櫛歯は２本づつ
しかないが、実際は約１５０μｍの画素内に全体に設け
てある。

【００１８】それから、上基板１と下基板２を直径４μ
ｍの球形スペーサを挟んで貼合わせた後、液晶と高分子
前駆体の溶液を注入した。高分子前駆体は紫外線硬化性
のふっ素系アクリルモノマーとオリゴマーと重合開始剤
１％の混合物であり、液晶は複屈折率Δｎが約０．０８
のネマチック液晶を用い、高分子前駆体と液晶との混合
比を１：４とした。このパネルに１０mJ／cm²の紫外線
を照射したところ、直径が約３μｍの液晶滴８が形成さ
れた。偏光顕微鏡による観察の結果、液晶分子は高分子
マトリクス壁に垂直で、液晶滴８の中心から放射状に並
ぶ配向をしている。

【００１９】この液晶パネル９の両側に偏光板１０，１
１を配置する。このとき偏光板１０，１１の偏光軸が、
図２の矢印Ａ，Ｂのように、櫛歯形電極５，６の櫛歯の
突出方向と４５度をなす方向に配置する。この液晶表示
素子は、図１に示す左側の画素１３では、薄膜トランジ
スタ４に駆動される櫛歯形電極５は０Ｖになっており、
交流電圧が印加された櫛歯形電極６との間に横電界が印
加される。このとき、櫛歯形電極６の中央部はやや暗く
なるが、画素全体としては、ＴＮモードの７０％程度の
透過率が得られ、液晶分子は水平に近い配向を示してい
ることが確認された。

【００２０】また、右側の画素１２では、櫛歯形電極５
は、櫛歯形電極６と同相の交流電圧が印加されている。
このとき、画素はほぼ暗くなり、櫛歯の間の液晶分子も
垂直配向していた。櫛歯形電極５，６の隣接する櫛歯の
間隔が数μｍ程度の場合、電極のない部分にも電極のあ
る部分とさほど変わらない電界強度が印加される。垂直
配向と水平配向の中間状態では、分子が立ち上がるにつ
れて横電界は弱まり、水平面での配向方位は液晶滴８の
中心から放射状になる。このため、視野角は、±４０度
程度の斜め方向からみても、階調レベルの逆転は生じ
ず、コントラストが１０以上の範囲も従来より２倍以上
広がった。

【００２１】なお、高分子分散液晶の初期配向は、高分
子マトリクス壁に垂直配向している方が水平配向の場合
より駆動電圧が低いので、この発明の液晶表示素子には
適している。また、共通電極２と櫛歯形電極５，６との
距離、すなわち、高分子分散液晶の厚み（４μｍ）は、
この実施例のように、櫛歯形電極５，６の隣接する櫛歯
の間隔（３μｍ）より大きい方が、横電界印加時により
水平に並びやすいので好ましい。

【００２２】また、偏光板１０，１１の一方の偏光軸と
櫛歯形電極５，６の櫛歯の突出方向とのなす角度は４５
度が最適値だが、３０度以上であれば十分明るい。図３
に、液晶分子長軸方向と偏光板１０，１１の一方の偏光
軸とのなす角θと、相対透過率Ｉとの関係を示す。ここ
で、角θと相対透過率Ｉとの関係はつぎの数１で示さ
れ、図３は数１を図式化したものである。

【００２３】

【数１】Ｉ＝ｓｉｎ²２θ 角θが３０度より小さくなると相対透過率Ｉの減少が著
しいため、相対透過率Ｉが７５％以上となる３０度以上
の角θであれば、十分明るいものとした。なお、角θ
は、偏光板１０，１１のうちどちらか一方の偏光軸とは
必ず４５度以下となることは言うまでもない。

【００２４】なお、この実施例では、下基板３の電極の
みを対をなす櫛歯形電極５，６としたが、さらに上基板
１の共通電極２も対をなす櫛歯形電極としても同様の効
果が得られる。〔第２の実施例〕図４はこの発明の第２の実施例の液晶
表示素子の模式断面図である。図４において、３０，３
２は上下基板、３１ａ，３１ｂは上基板３０に形成した
櫛歯形電極、３３ａ，３３ｂは下基板３２に形成した櫛
歯形電極、３４，３５は偏光板、３６は液晶滴である。
なお、図４の液晶滴３６中の液晶分子は、Ｉ型（棒状）
とＴ型で示しているが、Ｉ型は紙面に平行な液晶分子を
示し、Ｔ型はハンマー表記と呼ばれる表記法で、ハンマ
ーの柄（Ｔの縦棒）が液晶分子で、ハンマーの頭（Ｔの
横棒）の方が紙面の手前に傾いていることを示す。

【００２５】この実施例の液晶表示素子は、高分子マト
リクス中に液晶を分散させた高分子分散型液晶層を上下
基板３０，３２間に挟持し、上下基板３０，３２の両外
側に一対の直交偏光板３４，３５を配置し、上下基板３
０，３２の電極を横電界（基板と水平方向の電界）を印
加可能な対をなす櫛歯形電極３１ａ，３１ｂ・３３ａ，
３３ｂとし、上側の偏光板３４の偏光軸は櫛歯形電極３
１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂの櫛歯の突出方向と平行
とし、下側の偏光板３５の偏光軸は櫛歯形電極３１ａ，
３１ｂ，３３ａ，３３ｂの櫛歯の突出方向と直交してい
る。そして、電界が印加されないときの高分子マトリク
ス中の液晶分子が基板３０，３２面に水平でかつ櫛歯形
電極３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂの櫛歯の突出方向
と４５度の角度をもって配向し、横電界を印加すること
により液晶分子が櫛歯形電極３１ａ，３１ｂ，３３ａ，
３３ｂの櫛歯の突出方向と直交する方向に配向するよう
にしている。

【００２６】したがって、ここでは、薄膜トランジスタ
を形成していない上基板３０側にも櫛歯形電極３１ａ，
３１ｂを設けている。櫛歯形電極３１ａ，３１ｂ，３３
ａ，３３ｂの櫛歯部分のピッチと幅は図１の場合と同様
であり、下基板３２上の櫛歯形電極３３ａ，３３ｂの位
置と上基板３０上の３１ａ，３１ｂの位置とは、上下基
板３０，３２を貼合わせるときに合わせてある。

【００２７】高分子分散液晶は、アクリル樹脂として、
メルク社製ＰＮ３９３を用いており、液晶分子（複屈折
率Δｎが０．１）は高分子マトリクス壁に水平に配向す
る。高分子分散液晶を紫外線を照射して作製後（粒径約
１μｍ）、磁場を基板３０，３２に水平でかつ櫛歯形電
極３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂの櫛歯の突出方向と
４５度の角度を有する方向に印加しながら、１００度ま
で昇温、徐冷することにより、液晶分子を磁場の方向へ
配向させた。上下基板間の距離は約２．５μｍであり、
この実施例の場合は第１の実施例の場合（約４μｍ）よ
り薄いパネルである。

【００２８】偏光板３４の偏光軸は櫛歯形電極３１ａ，
３１ｂ，３３ａ，３３ｂの櫛歯の突出方向と平行であ
り、偏光板３５は櫛歯形電極３１ａ，３１ｂ，３３ａ，
３３ｂの櫛歯の突出方向と垂直な方向に偏光軸が向いて
いる。上基板３０の櫛歯形電極３１ａに±２Ｖの交流電
圧を印加し、櫛歯形電極３１ｂを接地して横電界を印加
している。下基板３２の櫛歯形電極３３ｂは接地されて
おり、ＴＦＴに駆動される櫛歯形電極３３ａに電圧が印
加されると液晶層に均一に横電界が印加される。このた
め、図４に示す左側の液晶分子は櫛歯形電極３１ａ，３
１ｂ，３３ａ，３３ｂに直交し、基板３０，３２と水平
な方向に配向し、偏光板３５の偏光軸と合うので、暗い
表示になる。

【００２９】図４に示す右側のように下基板３２の櫛歯
形電極３３ａが接地されると、横電界の印加される上基
板３０近傍の液晶分子は櫛歯形電極３１ａ，３１ｂ，３
３ａ，３３ｂに直交し、基板３０，３２と水平な方向に
配向されているが、下基板３２近傍の液晶分子は磁場印
加による初期の水平配向が残り、複屈折が生じて明るく
なる。

【００３０】いずれの状態も、液晶分子は水平であるの
で視野角は極めて広い。なお、この実施例では、磁場を
基板３０，３２に水平でかつ櫛歯形電極３１ａ，３１
ｂ，３３ａ，３３ｂの櫛歯の突出方向と４５度の角度を
有する方向に印加して、液晶分子を磁場の方向へ配向さ
せたが、この電界が印加されないときの高分子マトリク
ス中の液晶分子は基板３０，３２に水平で櫛歯形電極３
１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂの櫛歯の突出方向と３０
度ないし４５度の角度をもって配向するようにしてあれ
ばよい。

【００３１】以上のように上記実施例によれば、高分子
分散型液晶層に横電界を印加することにより、通常の厚
みの櫛歯形電極５，６，３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３
ｂを用いて、低電圧でも水平配向の液晶の配向方位を変
えるができ、明るく、視野角の広い表示を得ることがで
きる。なお、本実施例では、ＴＦＴを用いた液晶表示素
子について説明したが、スタティック駆動や表示容量の
小さい単純マトリクス駆動の液晶表示素子にも本発明は
有効である。

【００３２】

【発明の効果】この発明の液晶表示素子は、高分子マト
リクス中に液晶を分散させた高分子分散型液晶層を一対
の基板間に挟持し、基板に形成した電極を横電界（基板
と水平方向の電界）を印加できる櫛歯形電極としてい
る。高分子分散型液晶層に横電界を印加することによ
り、通常の厚みの櫛歯形電極を用いて、低電圧でも水平
配向の液晶の配向方位を変えるができ、明るく、視野角
の広い表示を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例の液晶表示素子の模式
断面図。

【図２】この発明の第１の実施例の液晶表示素子の下基
板の平面図。

【図３】この発明の第１の実施例における液晶分子長軸
方向と偏光板の一方の偏光軸とのなす角θと、相対透過
率Ｉとの関係を示す図。

【図４】この発明の第２の実施例の液晶表示素子の模式
断面図。

【図５】従来例における櫛歯形電極を示す図。

【符号の説明】

１上基板２共通電極３下基板５，６櫛歯形電極８液晶滴１０，１１偏光板３０上基板３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ櫛歯形電極３２下基板３４，３５偏光板３６液晶滴

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高分子マトリクス中に液晶を分散させた
高分子分散型液晶層を電極を内側にして対向配置した一
対の基板間に挟持し、前記一対の基板の両外側に一対の
偏光板をそれぞれの偏光軸が直交するように配置し、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の電極を前
記基板と水平方向の電界を印加可能な対をなす櫛歯形電
極とし、前記一対の偏光板のうち一方の偏光軸が前記対
をなす櫛歯形電極の櫛歯の突出方向と３０度ないし４５
度で交差した液晶表示素子。
【請求項２】一対の基板のうち一方の基板の電極は対
をなす櫛歯形電極とし、他方の基板の電極は表示領域全
体を被う電極とし、前記対をなす櫛歯形電極を同電位と
し前記対をなす櫛歯形電極と前記他方の基板の電極との
間に電圧を印加したときに液晶分子が垂直配向するよう
にした請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】電界が印加されないときの高分子マトリ
クス中の液晶分子が前記高分子マトリクス表面に垂直配
向している請求項２記載の液晶表示素子。
【請求項４】高分子分散型液晶層の厚みを、対をなす
櫛歯形電極の櫛歯部分の間隙より大きくした請求項２記
載の液晶表示素子。
【請求項５】高分子マトリクス中に液晶を分散させた
高分子分散型液晶層を電極を内側にして対向配置した一
対の基板間に挟持し、前記一対の基板の両外側に一対の
偏光板をそれぞれの偏光軸が直交するように配置し、前記一対の基板の電極を前記基板と水平方向の電界を印
加可能な対をなす櫛歯形電極とし、前記一対の偏光板の
うち一方の偏光板の偏光軸は前記対をなす櫛歯形電極の
櫛歯の突出方向と平行とし、電界が印加されないときの
高分子マトリクス中の液晶分子が前記基板面に水平でか
つ前記対をなす櫛歯形電極の櫛歯の突出方向と３０度な
いし４５度の角度をもって配向し、前記対をなす櫛歯形
電極間に電圧を印加することにより前記液晶分子が前記
櫛歯形電極の櫛歯の突出方向と直交する方向に配向する
ようにした液晶表示素子。