JPH11337903A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH11337903A
JPH11337903A JP14677598A JP14677598A JPH11337903A JP H11337903 A JPH11337903 A JP H11337903A JP 14677598 A JP14677598 A JP 14677598A JP 14677598 A JP14677598 A JP 14677598A JP H11337903 A JPH11337903 A JP H11337903A
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貴 岩村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 垂直配向では、視野が改善されるものの十分
ではなく、全方位の視野を改善するにはラビングによる
配向分割や画素内の配向を制御する構造物の設置による
配向分割が必要であるとされていた。 【解決手段】 平行に配置された2枚の基体(上基板1
1と下基板21)の内側表面に少なくとも電極12,2
2と配向膜13,23とが形成され、前記基体間に液晶
33が封入され、画素2がマトリクス状に形成されてな
る液晶表示装置1において、マトリクス状に配置されて
いる画素2のうちの第1の画素の垂直方向および水平方
向に隣接する画素は前記第1の画素と反対の駆動極性で
駆動されるものからなり、液晶33は負の誘電異方性を
有するものからなり、配向膜13,23は垂直配向性を
呈するものからなる構成により、配向処理を必要とせ
ず、視野角依存性を少なくした液晶表示装置1である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、詳しくは視覚依存性を改善した液晶表示装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の液晶表示装置には視野角依存性の
問題があった。それを改善する液晶表示装置として、最
近では、広視野角のLCD(Liquid Crystal Device )
として、In plane方式〔ディスプレイ アンド
イメージング,5 (1996) p.11 参照〕、マルチドメイ
ン(配向分割、画素分割)法〔Proc.IDRC,
[68](1991) 参照、SID'94 Digest,(1994) p.919参
照、SID'93 Digest,(1993) p.622参照〕、光学補償
フィルム〔Proc.IDRC'91(Japan Display'89),
(1989) p316 参照〕、垂直配向(FLATPANEL
DISPLAY,(1997) P.174参照、FLATPAN
EL DISPLAY,(1998) P.146参照〕等が提唱さ
れている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記I
n plane方式は、駆動電圧が高い、開口率が低
い、応答速度が遅い等の問題がある。上記マルチドメイ
ン法は、一つの画素を複数に分割して配向処理を行うの
で、工程が増えコストが高くなる。上記光学補償フィル
ムでは、十分な視野角の改善が得られない。上記垂直配
向では、視野が改善されるものの十分ではなく、全方位
の視野を改善するにはラビングによる配向分割や画素内
の配向を制御する構造物の設置による配向分割が必要で
あるとされている。
【0004】一方、液晶表示装置の製造工程での配向膜
のラビング処理は、ダストの発生があり、特にアクティ
ブマトリクス素子では静電破壊も問題になっている。特
にこれらは表示装置を大型化する場合、および表示装置
を小型化し、さらに高精細化するときに問題となる。そ
こで最近は、ラビング処理を行わない配向処理として、
配向膜表面の形状で液晶を配向させる形状配向(特開平
5−188377号公報参照)や、偏向光を膜に照射し
て配向膜を作製する光配向(特開平8−328007号
公報、特開平9−80440号公報、特開平9−197
408号公報参照)等が注目されている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた液晶表示装置である。すなわち、
第1の液晶表示装置は、平行に配置された2枚の基体の
内側表面に少なくとも電極と配向膜とが形成され、それ
らの基体間に液晶組成物が封入され、画素がマトリクス
状に形成されてなる液晶表示装置において、マトリクス
状に配置されている画素のうちの第1の画素の垂直方向
および水平方向に隣接する画素は前記第1の画素と反対
の駆動極性で駆動されるものからなり、液晶は負の誘電
異方性を有するものからなり、配向膜は垂直配向性を呈
するものからなる。
【0006】上記第1の液晶表示装置では、第1の画素
の垂直方向および水平方向に隣接する画素は前記第1の
画素と反対の駆動極性で駆動されるものからなることか
ら、各画素のエッジ近傍で、等電位面は湾曲する。例え
ば、電圧印加直後、第1の画素のエッジ近傍において液
晶分子のダイレクタには第1の画素の中心に向かって倒
れる方向に力が働き、そのダイレクタは等電位面内で固
定される。すなわち、ラビング等の配向技術を適用する
までもなく液晶分子は配向することになる。そしてエッ
ジ部分が電圧印加時の配向状態を引き起こす役目を果た
しているので、画素が小さくなるほど、すなわちディス
プレイとして高精細になるほど、配向状態は安定とな
り、応答が高速化する。さらにこの液晶表示装置におけ
る配向状態は画素の中心に対してダイレクタが常に対称
に配向している。したがって、直視用ディスプレイとし
て用いた場合には、視覚特性の優れたディスプレイが得
られる。プロジェクタ用デバイスとして用いた場合、透
過率の入射光角度に対する依存性が小さいので、プロジ
ェクタの小型化等に有利である。また液晶は負の誘電異
方性を有するものからなり、配向膜は垂直配向性を呈す
るものからなることから、ラビング等の配向処理が必要
ないので、工程数が少なく歩留りが高い等、生産性に優
れている液晶表示装置となっている。
【0007】第2の液晶表示装置は、平行に配置された
2枚の基体の内側表面に少なくとも電極と配向膜とが形
成され、それらの基体間に液晶組成物が封入され、画素
がマトリクス状に形成されてなる液晶表示装置におい
て、液晶は負の誘電異方性を有するものからなり、配向
膜は垂直配向性を呈するものからなり、画素は極性が時
間とともに変化するもので、この画素電極の中央部に該
画素が点対称になる位置に窪みが設けられているものか
らなる。
【0008】上記第2の液晶表示装置では、上記第1の
液晶表示装置の特徴を有するとともに、画素は極性が時
間とともに変化するもので、この画素電極の中央部に該
画素が点対称になる位置に窪みが設けられていることか
ら、その窪みは、前記第1の液晶表示装置において説明
した画素のエッジ部の横電界による作用と協調する。す
なわち、電圧印加によって液晶分子のダイレクタが画素
の中央に向かって倒れるという動きが助長され、高速応
答化が可能となる。また、画素の中心部における配向方
向の衝突個所を固定し、配向を安定化することが可能と
なる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の第1の液晶表示装置に係
わる実施形態の一例を、第1の実施の形態として、図1
の模式図によって説明する。図1の(1)では液晶表示
装置全体の正面図を示し、(2)では液晶表示装置全体
の断面図を示し、(3)では1画素の拡大断面図を示
す。なお、単純化のため、図1においては2枚の基板が
光を透過する透過型パネルを示す。電極はマトリクス状
に形成されている。TFT(ThinFilm Toransistor
)、配線等は基板下側の電極と基板との間に形成され
るが、図1では図示を省略してある。
【0010】図1に示すように、液晶表示装置1は画素
2がマトリクス状に配置されているものである。この液
晶表示装置1では、上基板11と下基板12とからなる
2枚の基体が平行に配置され、上基板11および下基板
21の基板間側に電極12,22が形成されている。上
記上基板11および下基板21は、基板間隔を規定のも
のとするためのスペーサ31を含んだ接着材(シール
材)32により固定されている。上記各電極12,22
のさらに内側には、液晶を配向させるための配向膜1
3,23が設けられている。上記配向膜13,23には
垂直配向性を呈するものを用いる。上記配向膜13,2
3間には液晶33が封入されている。
【0011】液晶表示装置1として高いコントラスト
(例えば100以上のコントラスト)を得るためには、
上記液晶33における液晶分子34のダイレクタのプレ
チルト角xが83度以上であることが必要である。さら
に上記配向膜13,23には垂直配向性を呈するよう
に、プレチルト角xが87度以上となるものを用いるこ
とが望ましい。例えば上記プレチルト角xが87度の場
合にコントラストが200以上になる。ラビング処理等
の配向方向制御のための処理は必要ない。このような特
徴を有する液晶33として、セルの内部には負の誘電分
極(誘電異方性)を有する液晶組成物(以下ネガ型液晶
という)が封止されている。
【0012】上基板11,下基板21の各外側には光入
射側と射出側とで偏光状態がクロスニコルになる光学系
として、例えばクロスニコルに配置した偏向板14,2
4が設置されている。
【0013】上記図1に示した透過型の液晶表示装置1
では、電極12,22ともに透明な電極を有することが
必要であったが、上記電極12,22は、少なくとも一
方がITO(Indium Tin Oxide)等の透明なもので形成
されているものであってもよい。
【0014】上記電極12,22の構造は、複数の線状
電極を平行に設けた2枚の基板(上基板11,下基板2
1)を互いに電極12,22が垂直になるように配置し
た単純マトリクスであってもよいが、片側の基板(上基
板11および下基板21のうちのどちらか一方))にT
FT等の素子を格子状に設けたアクティブマトリクス構
造であることが望ましい。ここでは単純化のためにTF
Tを用いたアクティブマトリクスを透過型で用いた液晶
表示装置を説明している。
【0015】次に、上記液晶表示装置1の画素2の部分
を、図2の模式図によって説明する。図2に示す画素2
は駆動状態であり、電極に電圧が印加されたときの画素
毎の電気的極性を示している。画素2の座標を(カラ
ム、ロウ)で示してある。本発明の液晶表示装置1で
は、マトリクス状に配置されている画素2のうちの、座
標(X,Y)の画素の極性が正のとき、座標(X+2
n,Y+2m)の画素が正の極性、座標(X+2n+
1,Y+2m+1)の画素が負の極性となる。ここで、
n,mは整数を表す。
【0016】図2に示すように、第1の画素2(2−
1)の垂直方向および水平方向に隣接する画素2(2−
2)〜画素2(2−5)は第1の画素2−1と反対の駆
動極性で駆動されるものからなる。すなわち、正(+)
の極性の画素2−1に隣接する画素2−2、画素2−
3、画素2−4、画素2−5は負(−)の極性になる。
ただし、全ての画素2−1〜画素2−5に電圧が印加さ
れているとは限らない。
【0017】また、画素2の極性はある単位時間毎に正
負(+−)が入れ替わり、図2の(1)に示すような状
態と、図2の(2)に示すような状態を行き来する。そ
の単位時間とは、例えばNTSC信号であれば0.5フ
レーム毎、1フレーム毎、2フレーム毎等があげられ
る。これは、液晶にかかる電圧を時間平均で0Vにする
ためであり、焼き付け防止、液晶の電気分解防止等の効
果がある。
【0018】上記構成を有する液晶表示装置1の作用、
効果を以下に説明する。
【0019】図3は、図2のA−A’線断面における等
電位面を示す。なお、図3では、セル構成は簡略化して
示してあり、上基板11、電極12、下基板21、電極
22を示した。図3に示すように、この液晶表示装置1
では隣り合う画素2(2−3)、画素2(2−1)、画
素2(2−5)毎に電気極性が反転するので、各画素2
のエッジ近傍で、等電位面Esは湾曲する。
【0020】一方、通常のネガ型液晶は等電位面に平行
に配列し、ラビング等の配向規制力がない場合は、ダイ
レクタが等電位面内で自由に動くことができる。しかし
ながら、本発明の液晶表示装置1では、図4に示すよう
に、電圧印加直後、画素2のエッジ近傍において、液晶
分子34のダイレクタには、電極22に対して垂直方向
に配向規制力が働き、さらに誘電分極−電界相互作用に
より画素2の中心に向かって倒れる方向に力が働いて、
ダイレクタは等電位面内で固定される。この図4では、
(1)に断面図を示し、(2)に平面図を示した。
【0021】そして電圧の印加開始により画素全体の配
向状態は、図5から図6に示したものに変化する。図5
および図6では1画素を示す。図5および図6ともに、
(1)に断面図を示し、(2)に平面図を示す。
【0022】図5に示す電圧を印加していないときの液
晶分子のダイレクタの分布は、電極12,22に対して
垂直方向になっている。
【0023】電圧を印加したときの液晶分子のダイレク
タの分布は、図6に示すような配向状態が得られる。こ
の配向状態では、前記図3によって説明した配向状態と
同様に、画素2のエッジ近傍で、電極12,22間にお
ける等電位面Esは湾曲する。この配向状態は液晶配向
の連続性に基づいている。すなわち、ラビング等の配向
技術を適用するまでもなく液晶分子は配向する。エッジ
部分が電圧印加時の配向状態を引き起こす役目を果たし
ているので、画素が小さくなるほど、すなわちディスプ
レイとして高精細になるほど、図6に示した配向状態は
安定となり、応答が高速化する。画素が大きく配向状態
が不安定な場合は、画素を複数の副画素に分割して表示
することも可能である。このときは隣り合った副画素同
士が反対の極性で駆動されるように構成される。
【0024】上記液晶表示装置1における配向状態は画
素または副画素(以下、単に画素という)の中心に対し
てダイレクタが常に対称に配向している。したがって、
直視用ディスプレイとして用いた場合には、視覚特性の
優れたディスプレイが得られる。プロジェクタ用デバイ
スとして用いた場合、透過率の入射光角度に対する依存
性が小さいので、プロジェクタの小型化等に有利であ
る。また、ラビング等の配向処理が必要ないので、工程
数が少なく歩留りが高い等、生産性に優れている。
【0025】次に本発明の第2の液晶表示装置に係わる
実施の形態の一例を、第2の実施の形態として、図7の
液晶表示装置の要部模式図によって説明する。図7の
(1)では液晶表示装置の画素を示し、(2)では画素
のB−B’線拡大断面図を示す。なお、ここで説明する
液晶表示装置の基本構成は、前記図1によって説明した
液晶表示装置1と同様なる構成である。そこで、前記図
1によって説明した構成部品と同様のものには同一符号
を付与して説明する。
【0026】図7に示すように、石英基板(例えば上基
板11)の内側(液晶33の封入側)には電極12が形
成され、石英ガラスからなるTFT基板(例えば下基板
21)の内側(液晶33の封入側)には、TFTや配線
が形成された層25上に平坦化膜26が形成され、その
表面に電極22が形成されている。さらに石英基板、T
FT基板間には液晶33が封入されている。さらに、図
示はしないが、この液晶表示装置3は、通常のマトリク
スタイプの液晶表示装置と同様の構成ではあるが、配向
膜には垂直配向性のものを用い、液晶33にはネガ型液
晶を用いていることが特徴となっている。
【0027】画素2の表面形状は、液晶パネルの視野角
依存性を均一にするため、点対称となるように形成され
ている。この液晶表示装置3は、液晶分子(図示省略)
の配向に電界面の形状を用いているので、TFT基板の
画素中央部でかつ液晶(図示省略)と接する面に窪み2
7が設けられている。窪み27は、例えば平坦化膜26
のエッチングにより形成したものであり、これはコンタ
クトホールを兼ねている。窪み27の形状は、例えば、
開口部が約2μm角、底部が約1μm角に形成されてい
て、各コーナー部分が丸くなっているものとなってい
る。
【0028】上記液晶表示装置3では、極性が時間とと
もに変化する電極側の画素中央部の窪み27は、先に説
明した画素2のエッジ部の横電界による作用と協調す
る。すなわち、図8に示すように、窪み27を形成した
ことによって、電圧を印加した際に液晶分子34のダイ
レクタが画素2の中央に向かって倒れるという動きが助
長され、高速応答化が可能となる。また、画素2の中心
部における配向方向の衝突個所を固定し、配向を安定化
することが可能となる。なお、図面中の矢印は、電圧印
加の瞬間に液晶分子34mに加わるモーメントを示す。
モーメントを記していない液晶分子についてもモーメン
トは加わるが、3次元的に一意にモーメントの方向が定
まるのは、矢印を記した液晶分子34mのみである。
【0029】次に、一例として、図7によって説明した
液晶表示装置3の作製方法を簡単に説明する。以下、前
記説明した構成部品と同様のものには同一符号を付与し
て説明する。この液晶表示装置3の作製方法は、通常の
マトリクスタイプの液晶表示装置に準じる。ただし、垂
直配向性の配向膜を用いること、および液晶33にネガ
型液晶を用いることが特徴である。またTFTは定法に
より作製して。
【0030】以上の工程は、液晶パネルの視野角依存性
を均一にするため、画素2の表面形状を、前記図7に示
したように点対称になるように形成した。本発明の液晶
表示装置3は、液晶分子34の配向に電界面の形状を用
いているので、TFT基板(下基板21)の画素中央
部、液晶33と接する面に窪み27を設けた。窪み27
は平坦化膜26のエッチングにより作製し、これはコン
タクトホールを兼ねている。窪み27の形状は、例え
ば、開口部が約2μm角、底部が約1μm角に形成し、
各コーナー部分を丸くした。
【0031】液晶パネルは以下のように作製する。ダイ
シングにより、石英基板(例えば上基板11)およびT
FT基板(例えば下基板21)を所定のサイズのチップ
に分割した。サイズはここでは対角1.3インチとし
た。
【0032】配向膜の塗布は、TFT基板と石英基板の
表面に垂直配向性の配向膜を回転塗布により塗布した。
垂直配向性の配向膜としてプレチルト角87度を呈する
ポリアクミ酸を使用した。180度で1時間の焼成を行
い、配向膜を完成した。
【0033】基板重ね合わせは、石英基板にシール用接
着剤を所定のパターンに塗布し、TFT基板にコモン材
を所定のパターンに塗布し、石英基板とTFT基板とを
重ね合わせ、基板間のギャップを4.8μmとして接着
硬化させた。
【0034】液晶の注入は、基板間に液晶33を注入し
た。液晶33は負の誘電分極を有するものとして、例え
ばMLC−2012(メルク・ジャパン株式会社製)を
用いた。液晶33の注入口は接着剤により封止し、熱処
理により液晶の配向乱れを取り除いた。
【0035】実装は、パネルの表面にクロスニコルに偏
向板を張り付けた。さらにTFT基板に設けられた電極
取り出し口にフレキシブル基板を接着により取り付け、
基板を保護枠に組み込み、液晶パネルを完成した。
【0036】次に本発明における液晶パネルの駆動方法
の一例を、図9のタイムチャートによって説明する。図
9のタイムチャートでは、縦軸に電圧を示し、横軸に時
間を示し、データの波形例を示す。
【0037】図9に示すように、カラムxとカラムx+
1とに印加される電圧は互いに正負の極性が反転してい
る。また、それぞれロウyとロウy+1に対応する電圧
は互いに正負の極性が反転している。同様にそれぞれロ
ウy+1とロウy+2に対応する電圧は互いに正負の極
性が反転している。ロウyの選択パルスが印加されると
TFTのゲートが開き、カラムに印加されているデータ
電圧がロウy上に存在する画素に印加される。このよう
にして、前記図2に示した液晶分子の配向状態を得るこ
とができる。その結果、液晶パネルを正面から見た際の
コントラストが200、パネル法線から80度の角度よ
り見てコントラストの反転が生じない液晶表示装置を得
ることができた。
【0038】次に第3の実施の形態を以下に説明する。
この第3の実施の形態に係わる液晶表示装置は、前記第
2の実施の形態で説明したのと同様にして作製した。た
だし、TFT基板の作製において表面電極としてITO
の代わりにアルミニウム膜を用いた。このアルミニウム
膜は、例えばスパッタリングにより成膜した。この場
合、例えば基板間のギャップは2.4μmとした。ま
た、実装において偏光板は石英基板にのみ設置した。偏
光板と石英基板との間には1/4波長板を設け、ノーマ
リーブラック表示になるようにした。その結果、パネル
法線から80度の角度より見てコントラストの反転を生
じない液晶表示装置を得ることができた。
【0039】次に第4の実施の形態を以下に説明する。
この第4の実施の形態に係わる液晶表示装置は、前記第
2の実施の形態で説明したのと同様にして作製した。た
だし、TFTの代わりに線状のITO電極を2枚の基板
で直交させた単純マトリクスを用いた。本実施の形態で
は、配向膜のプレチルト角が87度未満では選択パルス
を加えなくとも画素内の液晶が動いてしまい、その結
果、マトリクス表示が不可能となるため、87度以上の
プレチルト角を呈する配向膜を用いた。それによって、
選択パルスとデータ電圧の和で液晶が働き、マトリクス
表示を可能とした。その結果、パネル法線から80度の
角度より見てコントラストの反転を生じない液晶表示装
置を得ることができた。
【0040】次に第5の実施の形態を以下に説明する。
この第5の実施の形態に係わる液晶表示装置は、前記第
2の実施の形態で説明したのと同様にして作製した。た
だし、ただし、TFT基板表面に設けた窪みを省略し
た。平坦化膜はTFT基板上の表面電極が平らになるよ
うに設定した。この構成では前記第2の実施の形態で説
明した液晶表示装置より応答速度が遅くなりコントラス
トが150程度になるもののラビングを必要としない広
視野角の液晶表示装置を得ることができた。
【0041】次に第6の実施の形態を以下に説明する。
この第6の実施の形態に係わる液晶表示装置は、前記第
2の実施の形態で説明したのと同様にして作製した。た
だし、ただし、駆動をライン反転方式とした。この構成
では、第5の実施の形態で説明した液晶表示装置よりさ
らに応答速度が遅くなりコントラストが100程度にな
るもののラビングを必要としない左右方向の視野角特性
が良好な液晶表示装置を得ることができた。
【0042】次に比較例を以下に説明する。この第6の
実施の形態に係わる液晶表示装置は、前記第2の実施の
形態で説明したのと同様にして作製した。ただし、TF
T基板表面の窪みは設けていない。また、隣り合った画
素は同じ極性で駆動され、すべてロウが駆動された1周
期(1画素=1フィールド)毎に極性を反転させるフィ
ールド反転とした。このように駆動した場合、液晶は配
向せず、表示装置として機能するものが得られなかっ
た。
【0043】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の第1の液
晶表示装置によれば、第1の画素の垂直方向および水平
方向に隣接する画素は前記第1の画素と反対の駆動極性
で駆動されるものからなるので、各画素のエッジ近傍で
等電位面は湾曲する。すなわち、そのエッジ部分が電圧
印加時の配向状態を引き起こす役目を果たしているの
で、画素が小さくなるほど配向状態は安定となり応答が
高速化する。さらに配向状態は画素の中心に対してダイ
レクタが常に対称に配向しているので、直視用ディスプ
レイとして用いた場合には、視覚特性の優れたディスプ
レイが得られる。プロジェクタ用デバイスとして用いた
場合、透過率の入射光角度に対する依存性が小さいの
で、プロジェクタの小型化等に有利となる。また液晶は
負の誘電異方性を有するものからなり、配向膜は垂直配
向性を呈するものからなることから、ラビング等の配向
処理が必要ないので、工程数が少なく歩留りが高い等、
生産性に優れている(歩留りの向上、工程数の削減が図
られている)液晶表示装置となっている。このように、
極めて単純な構成のため、液晶表示装置の視角依存性が
低コストに改善でき、かつラビングを不要とするため、
TFT等が破壊されないので、信頼性の高い液晶表示装
置となっている。
【0044】本発明の第2の液晶表示装置によれば、上
記第1の液晶表示装置の効果を有するとともに、画素は
極性が時間とともに変化するもので、この画素電極の中
央部に該画素が点対称になる位置に窪みが設けられてい
るので、その窪みによって、電圧印加により液晶分子の
ダイレクタが画素の中央に向かって倒れるという動きが
助長され、さらなる高速応答化が可能となる。また、画
素の中心部における配向方向の衝突個所を固定し、配向
を安定化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の液晶表示装置に係わる第1の実施の形
態を説明する模式図である。
【図2】液晶表示装置の画素部分を説明する模式図であ
る。
【図3】図2のA−A’線断面における等電位面図であ
る。
【図4】電圧印加直後の画素エッジ近傍における液晶分
子に働く力の説明図である。
【図5】電圧非印加時における液晶分子のダイレクタの
分布図である。
【図6】電圧印加時における液晶分子のダイレクタの分
布図である。
【図7】本発明の液晶表示装置に係わる第2の実施形態
を説明する模式図である。
【図8】窪みによる液晶の配向状態(電圧非印加時)の
説明図である。
【図9】液晶パネルの駆動方法の一例を説明するタイム
チャートである。
【符号の説明】
1…液晶表示装置、2…画素、11…上基板、12,2
2…電極、13,23…配向膜、21…下基板、33…
液晶

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平行に配置された2枚の基体の内側表面
    に少なくとも電極と配向膜とが形成され、前記基体間に
    液晶組成物が封入され、画素がマトリクス状に形成され
    てなる液晶表示装置において、 前記マトリクス状に配置されている画素のうちの第1の
    画素の垂直方向および水平方向に隣接する画素は前記第
    1の画素と反対の駆動極性で駆動されるものからなり、 前記液晶は負の誘電異方性を有するものからなり、 前記配向膜は垂直配向性を呈するものからなることを特
    徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 平行に配置された2枚の基体の内側表面
    に少なくとも電極と配向膜とが形成され、前記基体間に
    液晶組成物が封入され、画素がマトリクス状に形成され
    てなる液晶表示装置において、 前記液晶は負の誘電異方性を有するものからなり、 前記配向膜は垂直配向性を呈するものからなり、 画素は極性が時間とともに変化するもので、該画素電極
    の中央部における該画素が点対称になる位置に窪みが設
    けられていることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の液晶表示装置において、 画素は極性が時間とともに変化するもので、該画素電極
    の中央部における該画素が点対称になる位置に窪みが設
    けられていることを特徴とする液晶表示装置。
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