EP1925033A1 - Elektronische schaltung und verfahren zur herstellung einer solchen - Google Patents

Elektronische schaltung und verfahren zur herstellung einer solchen

Info

Publication number
EP1925033A1
EP1925033A1 EP06792048A EP06792048A EP1925033A1 EP 1925033 A1 EP1925033 A1 EP 1925033A1 EP 06792048 A EP06792048 A EP 06792048A EP 06792048 A EP06792048 A EP 06792048A EP 1925033 A1 EP1925033 A1 EP 1925033A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
substrate
strip
shaped
electronic circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP06792048A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Andreas Ullmann
Alexander Knobloch
Merlin Welker
Walter Fix
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PolyIC GmbH and Co KG
Original Assignee
PolyIC GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=37433937&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=EP1925033(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by PolyIC GmbH and Co KG filed Critical PolyIC GmbH and Co KG
Publication of EP1925033A1 publication Critical patent/EP1925033A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Definitions

  • the invention relates to an electronic circuit comprising at least two electronic components on a common flexible substrate, wherein the at least two electronic components each have at least one electrical functional layer of identical functional layer material.
  • the invention further relates to a method for producing an electronic circuit comprising at least two electronic components on a common flexible substrate, wherein the at least two electronic components are each formed with at least one electrical functional layer of identical functional layer material.
  • WO 2004/032257 A2 discloses a method for producing a film, wherein the film comprises at least one component in organic semiconductor technology, in particular one or more field-effect transistors.
  • the structuring of one or more layers of the device takes place by thermal replication or UV replication.
  • a layer applied over a large area, to be replicated is partially completely severed by the replication and a pattern-shaped electrical functional layer is formed.
  • a large-area layer application of the layer to be replicated is not necessary for reasons of space always possible and continues to lead to increased material consumption.
  • a speed of the substrate in the printing direction during printing of at least 0.5 m / min, preferably in the range of 5 to 200 m / min, is selected.
  • the individual electrical functional layers from which the electronic component is constructed must be formed one after the other and positioned one above the other in the correct position and arrangement according to a predetermined layout.
  • Characteristics and short response times of a device required to minimize the layer thicknesses of electrical functional layers.
  • the use of increasingly low-viscosity printing media is required.
  • the object is achieved for the electronic circuit comprising at least two electronic components on a common flexible substrate, wherein the at least two electronic components each have at least one electrical functional layer of identical functional layer material, achieved in that the electrical functional layers of identical functional layer material are formed from layer regions of a strip-shaped layer formed on the substrate.
  • the object is for the method for producing an electronic circuit comprising at least two electronic components on a common flexible substrate, wherein the at least two electronic components are each formed with at least one electrical functional layer of identical functional layer material, achieved in that at least one strip-shaped layer on the Substrate is formed and that the electrical functional layers are formed of identical functional layer material of layer regions of a single strip-shaped layer.
  • a stripe-shaped application of functional layer material on a substrate enables a space-saving and uniformly thick layer application with clean contours.
  • Such a prepared substrate which is provided with at least one strip-shaped layer of functional layer material, is versatile and individually adaptable to the respective desired electronic circuit.
  • the layer formed in strip form on the substrate is formed in a predetermined application direction in a continuous process on the substrate.
  • the layer formed on the substrate in the form of a strip is preferably a printed layer or a layer formed by application of a liquid medium to the substrate.
  • a printing process is used as the continuous process, in particular a printing process from the group of gravure, high-pressure, screen printing or as another process of coating (for example, knife coating, spin coating, spraying or ink jet printing) which applies a liquid medium to the substrate to form the at least one strip-shaped layer.
  • a printing tool is used which is unrolled on the substrate at least in regions.
  • printing tools for example, pressure rollers or flexible rubber tools such as tampons are suitable.
  • a pressure medium or liquid medium having a dynamic viscosity of less than 200 mPas, in particular less than 50 mPas, considered at a temperature of 20 ° C. is preferred.
  • Such low-viscosity media allow the formation of extremely thin electrical functional layers while improving the performance of the electronic device produced therewith.
  • a first electronic component of the at least two electronic components has a first electrical functional layer and a second electronic component of the at least two electronic components has a second electrical functional layer, wherein the first and the second electrical functional layer are formed of identical functional layer material, wherein the first and the second electrical functional layer are arranged on the substrate such that they are arranged one after the other in the application direction or next to one another.
  • the layer formed in strip form on the substrate is a semiconductive or an electrically insulating layer, in particular an organic semiconductive or an organic electrically insulating layer. But also an electrically conductive, optionally organic electrically conductive, strip-shaped layer can be used.
  • organic semiconductor material for example, polythiophene is suitable.
  • organic insulating material among other things, polyvinylphenol has been proven.
  • Inorganic semiconductor or insulating material can be vapor-deposited, sputtered or pastes containing semiconducting or electrically insulating inorganic particles, in particular nanoparticles, can be used.
  • the substrate It is particularly advantageous to form the substrate with a plurality of strip-shaped layers arranged parallel next to one another and formed from different functional layer materials.
  • the components required for the formation of the electronic circuit can be built therefrom.
  • the layer formed on the substrate may be discontinuous and / or subdivided into mutually independent layer regions, at least one through opening being visible over the cross section of the strip formed in strip form on the substrate is formed strip-shaped layer formed on the substrate. It has proven useful if the strip-shaped layer formed on the substrate is subdivided in the application direction and / or perpendicular to the application direction.
  • suitable methods for structuring the at least one strip-shaped layer the use of laser beam, embossing, cutting, grinding or scratching have proven successful.
  • the at least one opening in the strip-shaped layer formed on the substrate is formed as a via, via which an electrical contact between electrical functional layers is formed, which is perpendicular to the substrate plane (xy plane) seen above and below the strip formed on the substrate layer are.
  • a connection in the third dimension (z-plane) between functional layers is made possible.
  • an opening has a width in the range of 1 ⁇ m to 10 mm, preferably of 50 ⁇ m to 2 mm.
  • Such dimensions can be realized, for example, in low or high pressure using the method according to the invention with high accuracy.
  • Such widths ensure sufficient electrical separation of layer areas of a strip-shaped layer and furthermore a sufficient material absorption capacity (for example for receiving printing paste) in the formation of plated-through holes via such an opening.
  • At least one electronic component is designed as a transistor, in particular as a field-effect transistor.
  • the at least two electronic Components are each formed as field effect transistors, wherein the field effect transistors each having a semiconducting electrical functional layer of identical functional layer material, which are formed from layer regions of a strip-shaped on the substrate formed semiconductive layer and wherein the field effect transistors each have an electrically insulating electrical functional layer of identical
  • Functional layer material which are formed from layer regions of a strip-shaped on the substrate formed electrically insulating layer.
  • At least one electronic component is designed as a diode.
  • the at least two electronic components are each formed as diodes, wherein the diodes each have a semiconductive electrical functional layer of identical functional layer material, which are formed from layer regions of a strip-shaped on the substrate formed semiconducting layer.
  • At least one electronic component is designed as an ohmic resistance.
  • the at least two electronic components are each designed as ohmic resistors, wherein the resistors each have a functional layer of identical functional layer material, which are formed from layer regions of a strip-shaped layer formed on the substrate.
  • At least one electronic component is designed as a capacitor.
  • the at least two electronic components are each formed as capacitors, the capacitors each having an electrically insulating functional layer of identical functional layer material, which are formed from layer regions of a strip-shaped formed on the substrate electrically insulating layer.
  • the flexible substrate is formed band-shaped. At least in the formation of the at least one strip-shaped layer, the substrate can be easily transported from roll to roll.
  • the uncoated flexible substrate is wound onto a roll, the substrate is removed from the roll and guided, for example, through a printing press, thereby printed and finally wound up as a printed substrate onto a further roll. This allows the processing of long substrate tapes, wherein the positioning opposite the printing machine must be done only once at the beginning of a new substrate roll.
  • the at least one strip-shaped layer formed on the substrate is arranged parallel to a longitudinal side of the band-shaped substrate, that is, the application direction is arranged parallel to a longitudinal side of the band-shaped substrate.
  • a strip-shaped layer can be continuously formed on the substrate from the beginning of the roll to the end of the roll, thereby increasing the uniformity of the layer (in terms of layer thickness, width and surface roughness).
  • the flexible substrate may be multi-layered. It is particularly preferred if an elongated plastic film, which is optionally multi-layered, is used as the flexible substrate. Suitable are here For example, plastic films made of polyester, polyethylene, polyethylene terephthalate or polyimide. It is useful if a thickness of the flexible substrate in the range of 6 .mu.m to 200 .mu.m, preferably in the range of 12 .mu.m to 50 .mu.m, is selected.
  • Strip-shaped layer preferably 50 microns to 2000 microns.
  • the preferred distance between two adjacent and mutually parallel strip-like layers is 2000 microns to 50,000 microns.
  • the layers formed on the substrate in the form of strips at least in the substrate cross-section are arranged on the substrate in one plane and / or in different planes. As a result, three-dimensional circuits can be generated in a simple manner.
  • each one of the at least two electrical functional layers of the at least two components is formed by a structuring of a, thus shared by the at least two electronic components, strip-shaped layer.
  • a first electronic component of the at least two electronic components has a first electrical functional layer and wherein a second electronic component of the at least two electronic components has a second electrical functional layer, wherein the first and the second electrical functional layer are formed of identical functional layer material in which the first and the second electrical functional layer are arranged on the substrate in such a way that they are arranged successively or next to one another as seen in the application direction.
  • the layer formed on the substrate in the form of a strip is formed with a layer thickness in the range from ln to 300 ⁇ m, in particular in the range from lnm to 300 nm.
  • the at least two electronic components usually furthermore have electrically conductive, in particular organic or metallic, functional layers. These can be formed by means of printing, vapor deposition or sputtering (before or after the formation of strip-like layers) on the uncoated substrate or on an already coated substrate.
  • electrically conductive materials in particular conductive polymers or metals or metal alloys, for example, of vapor-deposited or sputtered gold or silicon, or conductive pastes with gold, silver or conductive inorganic nanoparticles in question.
  • conductive "organic” materials here all types of organic, organometallic and inorganic plastics are considered, which are referred to in English as "plastics".
  • a restriction in the dogmatic sense to organic Material as carbon-containing material is therefore not provided, but it is also intended to the use of, for example, silicones.
  • the term should not be subject to any restriction with regard to the molecular size, in particular to polymeric and / or oligomeric materials, but the use of "small molecules” is also possible.As the electrically conductive organic materials, polyaniline or polypyrrole have proven to be useful.
  • the electronic circuit is an organic circuit.
  • the electronic circuit has components which have only organic electrical functional layers and / or components which have organic and inorganic electrical functional layers.
  • FIGS. 1a to 7b are intended to illustrate the invention by way of example. So shows:
  • FIG. 1a shows a band-shaped substrate with four strip-shaped layers
  • FIG. 1 b shows a cross section through the substrate from FIG. 1 a
  • FIG. 2a shows a strip-shaped substrate with a strip-shaped layer
  • FIG. 2b shows the substrate from FIG. 2a after a laser treatment
  • FIG. 3 a shows a strip-shaped substrate with a strip-shaped layer
  • FIG. 3b shows the substrate from FIG. 3a after a laser treatment
  • 4a shows a belt-shaped substrate with a strip-shaped layer and other electrical
  • FIG. 4b shows a cross section through the substrate from FIG. 4a
  • FIG. 5a shows a band-shaped substrate with a subdivided, strip-shaped layer and further strip-shaped electrical functional layers
  • FIG. 5b shows a longitudinal section through the substrate from FIG. 5a.
  • FIG. 6a shows a band-shaped substrate with a subdivided, strip-shaped layer and a further strip-shaped layer
  • FIG. 6b shows a cross section through the substrate from FIG. 6a
  • Figure 7a shows a detail of an electronic circuit in plan view
  • Figure 7b shows a cross section through the circuit of Figure 7a.
  • FIG. 1a shows a flexible band-shaped substrate 1 made of PET with four strip-shaped layers 2a, 2b, 2c, 2d, which are arranged longitudinally on the band-shaped substrate 1 and parallel to one another.
  • the four strip-shaped layers 2a, 2b, 2c, 2d are printed on the substrate 1 in the gravure printing method, the arrow indicating the direction of printing on the left in FIG. 1a.
  • the four stripe-shaped layers 2a, 2b, 2c, 2d are applied parallel to the printing direction over the entire length of the substrate 1.
  • the strip-shaped layer 2a is organic and electrically conductive
  • the strip-shaped layer 2b is organic and semiconducting
  • the strip-shaped layer 2c is again organic and electrically conductive
  • the strip-shaped layer 2d is formed organic and electrically insulating.
  • the strip-shaped layers 2a, 2b, 2c, 2d are now used either in unchanged form or in a structured form as electrical functional layers for constructing electronic components.
  • the strip-shaped application of the functional layer material by means of a printing medium results in a particularly uniform layer thickness and contour of the later functional layers of the electronic components.
  • FIG. 1 b shows the cross-section A - A 'through the substrate 1 and the four strip-shaped layers 2 a, 2 b, 2 c, 2 d from FIG. 1 a.
  • FIG. 2 a shows a flexible band-shaped substrate 1 with a strip-shaped layer 2 b of organic semiconductive functional layer material, here polythiophene.
  • the strip-shaped layer 2 b is printed longitudinally on the substrate 1, wherein the arrow on the left in the image
  • Layer regions 3a of the strip-shaped layer 2b oriented in the longitudinal direction of the substrate 1 are characterized in which, after formation of the strip-shaped layer 2b, a cut is to take place by means of a laser in order to provide the strip-shaped layer 2b with openings 4a (see FIG. 2b).
  • FIG. 2b now shows the substrate 1 and the strip-shaped layer 2b from FIG. 2a after the laser treatment, wherein the strip-shaped layer 2b has been divided into three strips which are parallel and separated from one another in the longitudinal direction of the substrate 1.
  • the three strip-shaped layers 2b are now used, if appropriate after further structuring, as electrical functional layers for constructing electronic components.
  • the strip-shaped application of the functional layer material by means of a printing medium results in a particularly uniform layer thickness and contour of the later functional layers of the electronic components.
  • FIG. 3a likewise shows a flexible strip-shaped substrate 1 with a strip-shaped layer 2b made of organic semiconductive functional layer material, here polythiophene.
  • the strip-shaped layer 2 b is printed longitudinally on the substrate 1, wherein the arrow on the left in the image Order direction designated.
  • Layer regions 3b oriented in the transverse direction of the substrate 1 are marked in the strip-shaped layer 2b, in which, after formation of the strip-shaped layer 2b, a cut should be made by means of a laser in order to provide the strip-shaped layer 2b with openings 4b (see FIG. 3b).
  • FIG. 3b now shows the substrate 1 and the strip-shaped layer 2b from FIG. 3a after the laser treatment, the strip-shaped layer 2b being divided into three strips which are parallel and separated from one another in the transverse direction of the substrate 1.
  • the three strip-shaped layers 2b are now used, if appropriate after further structuring, as electrical functional layers for constructing electronic components.
  • the strip-shaped application of the functional layer material by means of a printing medium results in a particularly uniform layer thickness and contour of the later functional layers of the electronic components.
  • FIG. 4 a shows a flexible strip-shaped substrate 1 made of PET with a printed, organic semiconducting and strip-shaped layer 2 b, here of polythiophene, and further, electrically conductive functional layers 5 a, 5 b of sputtered gold.
  • the functional layer 5b of gold was formed directly on the substrate 1, the strip-shaped layer 2b printed longitudinally on the strip-shaped substrate 1 and finally the functional layer 5a formed from gold.
  • a unit of electrically conductive functional layers 5a, 5b and arranged therebetween Organic semiconducting layer 2b each forms a diode.
  • a strip-shaped electrically insulating layer could optionally be arranged between the organic semiconductive layer 2 b and the electrically conductive functional layer 5 a
  • Region between the organic semiconductive layer 2b and the electrically conductive functional layer 5b has a via or an opening. Direct contact between the organic semiconductive layer 2b and the electrically conductive functional layer 5a is possible via the via.
  • FIG. 4b shows the cross section B - B 'through the substrate 1 and the layers 5a, 2b, 5b arranged thereon from FIG. 4a in the region of a diode. It can be seen that the electrically conductive functional layers 5a, 5b of gold, which form electrodes here, overlap in the region of the strip-shaped layer 2b. Thus, through each unit consisting of a functional layer 5b, the stripe-shaped layer 2b is placed over the functional layer 5b and over it
  • FIG. 4a two diode units can be seen.
  • the electrodes 5a, 5b still have to be contacted in accordance with conductor tracks in order to realize an interconnection of the components with one another.
  • FIG. 5a shows a flexible strip-shaped substrate 1 with a strip-shaped layer 2d made of electrically insulating functional layer material, here polyvinylphenol.
  • a strip-shaped layer 2 a of electrically conductive functional layer material is formed in regions in the longitudinal direction, here by printing.
  • the strip-shaped layer 2 a of electrically conductive functional layer material is further overprinted with a strip-shaped layer 2 d of electrically insulating functional layer material, which is formed over the entire length of the substrate 1.
  • an opening 4 b is formed perpendicular to the longitudinal direction of the substrate 1.
  • the two strip-shaped layers 2c are simultaneously formed by printing, which are likewise formed from electrically conductive functional layer material.
  • an electrically conductive connection is formed between the strip-shaped layer 2a and the strip layer 2c arranged on the left (see also FIG. 5b). Accordingly, the opening 4b functions as a so-called via, which enables a three-dimensional interconnection of electrical functional layers.
  • FIG. 5b shows the longitudinal section C - C through the substrate 1 from FIG. 5a in order to illustrate the formation of the electrically conductive connection in the region of the via.
  • FIG. 6 a shows a flexible strip-shaped substrate 1 made of PET with a strip-shaped layer 5 a, which is subdivided several times by laser, made of electrically conductive functional layer material, here polyaniline or gold.
  • electrically conductive functional layer material here polyaniline or gold.
  • rectilinearly extending openings 4b and meandering openings 4c were formed and two further strip-shaped layers, once a non-illustrated semiconducting layer 2b and further a layer 2d of electrically insulating functional layer material, here polyvinylphenol, formed above.
  • the Layer regions of the strip-shaped layer 5a before and after a meander-shaped opening 4c, and the strip-shaped layers 2b, 2d arranged above the meander form a separate unit which forms a resistance.
  • the leakage current of the semiconductor causes the resistance.
  • two resistance units can be seen in FIG. 6a.
  • FIG. 6b shows the cross section D - D 'through the substrate 1 from FIG. 6a, the semiconducting layer 2b being visible between the strip-shaped layer 5a and the electrically insulating layer 2d.
  • FIG. 7a shows a detail of an electrical circuit, in this case a ring oscillator circuit, in plan view.
  • electrically conductive functional layers 2 a On a substrate 1 there are electrically conductive functional layers 2 a, which are covered by a thin, fully applied organic semiconductive functional layer 2 b.
  • organic, semiconductive functional layer 2b On the organic, semiconductive functional layer 2b there is an electrically insulating functional layer 2d applied over the entire area and in strips, which has an opening 4b in the region in which the section E-E 'is laid, which was subsequently formed with a laser.
  • electrically insulating layer 2d On the electrically insulating layer 2d is another electrically conductive layer 2c, which is strip-shaped.
  • the electrically conductive layer 2c In the region of the opening in the electrically insulating layer 2d is the electrically conductive layer 2c in each case in contact with the electrically conductive functional layer 2a, after the semiconductive layer 2b is made so thin that an electrical contact or a short circuit between the conductive layers 2a and 2c is formed in the region of this opening.
  • the electrically conductive layer 2 a, the semiconducting layer 2 b, the electrically insulating layer 2 d and the electrically conductive layer 2 c are arranged one above the other and also in the region of the comb structures within the electrically conductive layer 2 a, one is in each case organic Field effect transistor formed.
  • FIGS 1 a to 7 b are merely illustrative of the inventive concept. On this basis, the person skilled in the art will readily be able to find further electronic circuits and application examples for which layers applied in strips to a substrate can be used without departing from the invention. So should the figures Ia to 7b no

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine elektronische Schaltung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung umfassend mindestens zwei elektronische Bauelemente auf einem gemeinsamen flexiblen Substrat, wobei die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils mindestens eine elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen. Die elektrischen Funktionsschichten sind aus identischem Funktionsschichtmaterial und aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat ausgebildeten Schicht gebildet .

Description

Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
Die Erfindung betrifft eine elektronische Schaltung umfassend mindestens zwei elektronische Bauelemente auf einem gemeinsamen flexiblen Substrat, wobei die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils mindestens eine elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung umfassend mindestens zwei elektronische Bauelemente auf einem gemeinsamen flexiblen Substrat, wobei die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils mit mindestens einer elektrischen Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial ausgebildet werden.
WO 2004/032257 A2 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer Folie, wobei die Folie mindestens ein Bauelement in organischer Halbleitertechnologie, insbesondere einen oder mehrere Feldeffekt-Transistoren, beinhaltet. Die Strukturierung einer oder mehrerer Schichten des Bauelements erfolgt dabei durch thermisches Replizieren oder UV- Replizieren. Eine großflächig aufgebrachte, zu replizierende Schicht wird dabei partiell durch die Replikation vollständig durchtrennt und eine musterfόrmig strukturierte elektrische Funktionsschicht gebildet. Ein großflächiger Schichtauftrag der zu replizierenden Schicht ist aber aus Platzgründen nicht immer möglich und führt weiterhin zu einem erhöhten Materialverbrauch .
Bereits in der endgültigen Form auf ein Substrat aufgebrachte elektrische Funktionsschichten werden beispielsweise durch Druckverfahren realisiert. Die Anwendung von Druckverfahren bei der Herstellung von elektronischen Bauelementen ermöglicht deren preisgünstige Massenproduktion mit hohen Prozessgeschwindigkeiten. Vorzugsweise wird eine Geschwindigkeit des Substrats in Druckrichtung beim Bedrucken von mindestens 0,5 m/min, vorzugsweise im Bereich von 5 bis 200 m/min, gewählt. Um möglichst gleichmäßige elektrische Werte und die Funktionsfähigkeit des elektronischen Bauelements sicherzustellen, müssen die einzelnen elektrischen Funktionsschichten, aus denen das elektronische Bauelement aufgebaut wird, nacheinander gebildet und dabei übereinander in richtiger Lage und Anordnung gemäß einem vorgegebenen Layout positioniert werden.
Weiterhin ist es im Hinblick auf die elektrischen
Eigenschaften und kurze Ansprechzeiten eines Bauelements erforderlich, die Schichtdicken von elektrischen Funktionsschichten zu minimieren. Um dies beispielsweise bei gedruckten elektrischen Funktionsschichten erreichen zu können, ist die Verwendung von immer dünnflüssigeren Druckmedien erforderlich.
Bei den geforderten hohen Prozessgeschwindigkeiten beim Bilden einer elektrischen Funktionsschicht unter Verwendung eines dünnflüssigen Mediums tritt nun einerseits das Problem auf, dass beim lediglich partiellen, also musterförmigen Auftrag einer elektrischen Funktionsschicht unsaubere Kanten für die elektrische Funktionsschicht ausgebildet werden. Die Kante beziehungsweise der Rand der elektrischen Funktionsschicht ist im Bereich der Trennlinie unscharf, da das Druckmedium entgegengesetzt zur Bewegungsrichtung des Substrats aufgrund der hohen Prozessgeschwindigkeit über die gewünschte, ideale Begrenzungslinie hinaus gedrückt, gezogen oder geschleudert wird. Das Verschmieren ist umso schlimmer, je niederviskoser das Medium ist . Der Effekt ist allerdings (mikroskopisch) immer vorhanden, d.h. auch bei hochviskosen Druckmedien. Je kritischer die Dimensionen sind, desto stärker schlägt dieser Effekt auch bei hochviskosen Medien durch. Funktionsschichten, die in Druckrichtung ausschmieren, lassen zudem keine genaue Justage von weiteren, darüber anzuordnenden Funktionsschichten zu.
Bei den geforderten hohen Prozessgeschwindigkeiten beim Bilden einer elektrischen Funktionsschicht unter Verwendung eines dünnflüssigen Mediums tritt weiterhin das Problem auf, dass bei einem Auftrag in bereits strukturierter Form, also in der Endform für die jeweilige Funktionsschicht, keine ausreichend gleichmäßige Schichtdicke über die Fläche der jeweiligen Funktionsschicht gebildet werden kann. Besonders tritt der Effekt in Kantennähe der Funktionsschicht auf.
Es ist nun Aufgabe der Erfindung, eine elektronische Schaltung und ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung bereitzustellen, die die Nachteile des Standes der Technik überwinden.
Die Aufgabe wird für die elektronische Schaltung umfassend mindestens zwei elektronische Bauelemente auf einem gemeinsamen flexiblen Substrat, wobei die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils mindestens eine elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, dadurch gelöst, dass die elektrischen Funktionsschichten aus identischem Funktionsschichtmaterial aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat ausgebildeten Schicht gebildet sind.
Die Aufgabe wird für das Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung umfassend mindestens zwei elektronische Bauelemente auf einem gemeinsamen flexiblen Substrat, wobei die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils mit mindestens einer elektrischen Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial ausgebildet werden, dadurch gelöst, dass mindestens eine streifenförmige Schicht auf dem Substrat gebildet wird und dass die elektrischen Funktionsschichten aus identischem Funktionsschichtmaterial aus Schichtbereichen einer einzelnen streifenförmigen Schicht gebildet werden.
Ein streifenförmiger Auftrag von Funktionsschichtmaterial auf einem Substrat ermöglicht einen platzsparenden und zugleich gleichmäßig dicken Schichtauftrag mit sauberen Konturen. Ein derartig vorbereitetes Substrat, welches mit mindestens einer streifenförmigen Schicht aus Funktionsschichtmaterial versehen ist, ist vielseitig nutzbar und individuell an die jeweilige gewünschte elektronische Schaltung anpassbar.
Besonders bewährt hat es sich, wenn die streifenförmig auf dem Substrat ausgebildete Schicht in einem kontinuierlichen Prozess auf dem Substrat in einer vorbestimmten Auftragsrichtung gebildet ist. Die streifenförmig auf dem Substrat gebildete Schicht ist vorzugsweise eine gedruckte Schicht oder eine durch Auftrag eines flüssigen Mediums auf dem Substrat gebildete Schicht ist.
Insbesondere wird dabei als kontinuierlicher Prozess ein Druckverfahren verwendet, insbesondere ein Druckverfahren aus der Gruppe Tiefdruck, Hochdruck, Siebdruck oder als kontinuierlicher Prozess ein anderes Beschichtungsverfahren (beispielsweise Rakeln, Schleudern, Sprühen oder Tintenstrahldruck) verwendet, das ein flüssiges Medium zur Bildung der mindestens einen streifenförmigen Schicht auf das Substrat aufbringt. Beim Drucken einer streifenförmigen Schicht entspricht die Auftragsrichtung somit der Druckrichtung. Insbesondere ist es für das erfindungsgemäße Verfahren bevorzugt, wenn zum Drucken der mindestens einen streifenförmigen Schicht ein Druckwerkzeug eingesetzt wird, welches zumindest bereichsweise auf dem Substrat abgerollt wird. Als Druckwerkzeuge sind hier beispielsweise Druckwalzen oder flexible Gummiwerkzeuge wie Tampons geeignet .
Zur Bildung der mindestens einen streifenförmigen Schicht ist dabei ein Druckmedium oder flüssiges Medium mit einer dynamischen Viskosität kleiner 200 mPas, insbesondere kleiner 50 mPas, betrachtet bei einer Temperatur von 200C, bevorzugt. Derart dünnflüssige Medien ermöglichen die Bildung extrem dünner elektrischer Funktionsschichten bei gleichzeitiger Verbesserung der Leistungsmerkmale des damit erzeugten elektronischen Bauelements.
Es hat sich bewährt, wenn ein erstes elektronisches Bauelement der mindestens zwei elektronischen Bauelemente eine erste elektrische Funktionsschicht aufweist und ein zweites elektronisches Bauelement der mindestens zwei elektronischen Bauelemente eine zweite elektrische Funktionsschicht aufweist, wobei die erste und die zweite elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial gebildet sind, wobei die erste und die zweite elektrische Funktionsschicht so auf dem Substrat angeordnet sind, dass diese in Auftragsrichtung nacheinander oder nebeneinander angeordnet sind. Besonders bevorzugt ist es, wenn die streifenförmig auf dem Substrat gebildete Schicht eine halbleitende oder eine elektrisch isolierende Schicht ist, insbesondere eine organische halbleitende oder eine organische elektrisch isolierende Schicht ist. Aber auch eine elektrisch leitende, gegebenenfalls organische elektrisch leitende, streifenförmige Schicht kann verwendet werden.
Als organisches Halbleitermaterial eignet sich beispielsweise Polythiophen. Als organisches Isolationsmaterial hat sich unter anderem Polyvinylphenol bewährt. Anorganisches Halbleiter- oder Isolationsmaterial kann aufgedampft, gesputtert oder über Pasten enthaltend halbleitende oder elektrisch isolierende anorganische Partikel, insbesondere Nanopartikel , eingesetzt werden.
Besonders vorteilhaft ist es, das Substrat mit mehreren, parallel nebeneinander angeordneten streifenförmigen Schichten auszubilden, die aus unterschiedlichen Funktionsschichtmaterialien gebildet werden. Durch eine nachfolgende Beschichtung einzelner Bereiche mit weiteren, gegebenenfalls wiederum streifenförmigen, Schichten, können daraus die zur Ausbildung der elektronischen Schaltung benötigten Bauelemente aufgebaut werden.
Zur Ausbildung der einzelnen Bauelemente der elektronischen Schaltung kann es erforderlich werden, dass die streifenförmig auf dem Substrat gebildete Schicht unterbrochen und/oder in voneinander unabhängige Schichtbereiche unterteilt wird, wobei über den Querschnitt der streifenförmig auf dem Substrat gebildeten Schicht gesehen mindestens eine durchgehende Öffnung in der streifenförmig auf dem Substrat gebildeten Schicht ausgebildet wird. Dabei hat es sich bewährt, wenn die streifenförmig auf dem Substrat gebildete Schicht in Auftragsrichtung und/oder senkrecht zur Auftragsrichtung unterteilt wird. Als geeignete Verfahren zur Strukturierung der mindestens einen streifenförmigen Schicht haben sich der Einsatz von Laserstrahl, Prägen, Schneiden, Schleifen oder Kratzen bewährt .
Vorzugsweise wird die mindestens eine Öffnung in der streifenförmig auf dem Substrat gebildeten Schicht als Via ausbildet, über welches ein elektrischer Kontakt zwischen elektrischen Funktionsschichten ausgebildet wird, die senkrecht zur Substratebene (x-y-Ebene) gesehen oberhalb und unterhalb der streifenförmig auf dem Substrat gebildeten Schicht angeordnet sind. Dadurch wird also eine Verbindung in der dritten Dimension (z-Ebene) zwischen Funktionsschichten ermöglicht.
Es hat sich als günstig erwiesen, wenn eine Öffnung eine Breite im Bereich von lμm bis 10 mm, vorzugsweise von 50μm bis 2mm, aufweist. Derartige Dimensionen lassen sich beispielsweise im Tief- oder Hochdruck bei Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit hoher Genauigkeit realisieren. Solche Breiten gewährleisten eine ausreichende elektrische Trennung von Schichtbereichen einer streifenförmigen Schicht und weiterhin eine ausreichende Materialaufnahmekapazität (beispielsweise zur Aufnahme von Druckpaste) bei der Bildung von Durchkontaktierungen über eine solche Öffnung.
Es hat sich bewährt, wenn mindestens ein elektronisches Bauelement als Transistor, insbesondere als Feldeffekttransistor, ausgebildet ist. Insbesondere hat es sich bewährt, wenn die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils als Feldeffekttransistoren ausgebildet sind, wobei die Feldeffekttransistoren jeweils eine halbleitende elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat ausgebildeten halbleitenden Schicht gebildet sind und wobei die Feldeffekttransistoren jeweils eine elektrisch isolierende elektrische Funktionsschicht aus identischem
Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat ausgebildeten elektrisch isolierenden Schicht gebildet sind.
Weiterhin hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn mindestens ein elektronisches Bauelement als Diode ausgebildet ist. Insbesondere ist es von Vorteil, wenn die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils als Dioden ausgebildet sind, wobei die Dioden jeweils eine halbleitende elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat ausgebildeten halbleitenden Schicht gebildet sind.
Bewährt hat sich weiterhin, wenn mindestens ein elektronisches Bauelement als ohmscher Widerstand ausgebildet ist. Insbesondere ist es von Vorteil, wenn die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils als ohmsche Widerstände ausgebildet sind, wobei die Widerstände jeweils eine Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat ausgebildeten Schicht gebildet sind.
Weiterhin hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn mindestens ein elektronisches Bauelement als Kondensator ausgebildet ist. Insbesondere ist es von Vorteil, wenn die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils als Kondensatoren ausgebildet sind, wobei die Kondensatoren jeweils eine elektrisch isolierende Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat ausgebildeten elektrisch isolierenden Schicht gebildet sind.
Insbesondere für kontinuierliche Prozesse hat es sich günstig erwiesen, wenn das flexible Substrat bandförmig ausgebildet ist. Zumindest bei der Ausbildung der mindestens einen streifenförmigen Schicht kann das Substrat dadurch bequem von Rolle zu Rolle transportiert werden. Dabei wird das unbeschichtete flexible Substrat auf eine Rolle aufgewickelt, das Substrat von der Rolle abgezogen und beispielsweise durch eine Druckmaschine geführt, dabei bedruckt und schließlich als bedrucktes Substrat auf eine weitere Rolle aufgewickelt. Dies ermöglicht die Verarbeitung langer Substratbänder, wobei die Positionierung gegenüber der Druckmaschine nur einmal zu Beginn einer neuen Substratrolle erfolgen muss.
Besonders bevorzugt ist es dabei, wenn die mindestens eine streifenförmig auf dem Substrat gebildete Schicht parallel zu einer Längsseite des bandförmigen Substrats angeordnet ist, also die Auftragsrichtung parallel zu einer Längsseite des bandförmigen Substrats angeordnet wird. Dadurch kann eine streifenförmige Schicht vom Anfang der Rolle bis zum Ende der Rolle durchgehend auf dem Substrat gebildet werden, wodurch die Gleichmäßigkeit der Schicht (bezüglich Schichtdicke, Breite und Oberflächenrauhigkeit) gesteigert wird.
Das flexible Substrat kann mehrlagig ausgebildet sein. Besonders bevorzugt ist es, wenn als flexibles Substrat eine langgestreckte Kunststoff-Folie, welche gegebenenfalls mehrschichtig ist, eingesetzt wird. Geeignet sind hierbei beispielsweise Kunststoff-Folien aus Polyester, Polyethylen, Polyethylenterephthalat oder Polyimid. Es sich bewährt, wenn eine Dicke des flexiblen Substrats im Bereich von 6μm bis 200μm, vorzugsweise im Bereich von 12μm bis 50μm, gewählt wird.
Es hat sich bewährt, wenn mindestens zwei, insbesondere zwei bis zwanzig, streifenförmig auf dem Substrat gebildete Schichten parallel zueinander auf dem Substrat angeordnet werden. Dabei beträgt die Breite einer solchen
Streifenförmigen Schicht vorzugsweise 50 μm bis 2000 μm. Der bevorzugte Abstand zwischen zwei benachbart und parallel zueinander angeordneten streifenförmigen Schichten beträgt dabei 2000 μm bis 50000 μm.
Besonders bevorzugt ist es, wenn die mindestens zwei streifenförmig auf dem Substrat gebildeten Schichten im Substratquerschnitt gesehen in einer Ebene und/oder in unterschiedlichen Ebenen auf dem Substrat angeordnet sind. Dadurch lassen sich dreidimensionale Schaltungen in einfacher Weise erzeugen.
Es ist von Vorteil, wenn die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils mindestens zwei elektrische Funktionsschichten aus unterschiedlichen
Funktionsschichtmaterialien aufweisen, wobei jeweils eine der mindestens zwei elektrischen Funktionsschichten der mindestens zwei Bauelemente durch eine Strukturierung einer, somit von den mindestens zwei elektronischen Bauelementen gemeinsam genutzten, streifenförmigen Schicht gebildet ist. Dadurch ist eine optimale Anordnung von Bauelementen und Ausnutzung von streifenförmigen Schichten gewährleistet. Es hat sich bewährt, dass ein erstes elektronisches Bauelement der mindestens zwei elektronischen Bauelemente eine erste elektrische Funktionsschicht aufweist und wobei ein zweites elektronisches Bauelement der mindestens zwei elektronischen Bauelemente eine zweite elektrische Funktionsschicht aufweist, wobei die erste und die zweite elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial gebildet werden, wobei die erste und die zweite elektrische Funktionsschicht so auf dem Substrat angeordnet werden, dass diese in Auftragsrichtung gesehen nacheinander oder nebeneinander angeordnet sind.
Bevorzugt ist die streifenförmig auf dem Substrat gebildete Schicht mit einer Schichtdicke im Bereich von lnm bis 300μm, insbesondere im Bereich von lnm bis 300nm, ausgebildet.
Die mindestens zwei elektronischen Bauelemente weisen üblicherweise weiterhin elektrisch leitende, insbesondere organische oder metallische, Funktionsschichten auf. Diese können mittels Drucken, Aufdampfen oder Sputtern (vor oder nach der Bildung von streifenförmigen Schichten) auf dem unbeschichteten Substrat bzw. einem bereits beschichteten Substrat gebildet werden.
Dabei kommen elektrisch leitfähige Materialien insbesondere leitfähige Polymere oder Metalle oder Metall -Legierungen, z.B, aus aufgedampftem oder gesputtertem Gold oder Silizium, oder leitfähige Pasten mit Gold-, Silber- oder leitfähigen anorganischen Nanopartikeln in Frage. Als leitfähige „organische" Materialien werden hier alle Arten von organischen, metallorganischen und anorganischen Kunststoffen angesehen, die im Englischen mit „plastics" bezeichnet werden. Eine Beschränkung im dogmatischen Sinn auf organisches Material als Kohlenstoff enthaltendes Material ist demnach nicht vorgesehen, sondern es ist vielmehr auch an den Einsatz von beispielsweise Silikonen gedacht. Weiterhin soll der Begriff keinerlei Beschränkung im Hinblick auf die Molekülgröße, insbesondere auf polymere und/oder oligomere Materialien unterliegen, sondern es ist durchaus auch der Einsatz von „small molecules" möglich. Als elektrisch leitfähige organische Materialien haben sich unter anderem Polyanilin oder Polypyrrol bewährt.
Vorzugsweise ist die elektronische Schaltung eine organische Schaltung. Es hat sich aber ebenso bewährt, wenn die elektronische Schaltung Bauelemente aufweist, welche lediglich organische elektrische Funktionsschichten aufweisen, und/oder Bauelemente aufweist, welche organische und anorganische elektrische Funktionsschichten aufweisen.
Die Figuren Ia bis 7b sollen die Erfindung beispielhaft erläutern. So zeigt:
Figur Ia ein bandförmiges Substrat mit vier streifenförmigen Schichten,
Figur Ib einen Querschnitt durch das Substrat aus Figur Ia,
Figur 2a ein bandförmiges Substrat mit einer streifenförmigen Schicht,
Figur 2b das Substrat aus Figur 2a nach einer Laserbehandlung,
Figur 3a ein bandförmiges Substrat mit einer streifenförmigen Schicht, Figur 3b das Substrat aus Figur 3a nach einer Laserbehandlung,
Figur 4a ein bandförmiges Substrat mit einer streifenförmigen Schicht und weiteren elektrischen
Funktionsschichten,
Figur 4b einen Querschnitt durch das Substrat aus Figur 4a,
Figur 5a ein bandförmiges Substrat mit einer unterteilten, streifenförmigen Schicht und weiteren streifenförmigen elektrischen Funktionsschichten,
Figur 5b einen Längsschnitt durch das Substrat aus Figur 5a.
Figur 6a ein bandförmiges Substrat mit einer unterteilten, streifenförmigen Schicht und einer weiteren streifenförmigen Schicht,
Figur 6b einen Querschnitt durch das Substrat aus Figur 6a,
Figur 7a einen Ausschnitt aus einer elektronischen Schaltung in Draufsicht, und
Figur 7b einen Querschnitt durch die Schaltung aus Figur 7a.
Figur Ia zeigt ein flexibles bandförmiges Substrat 1 aus PET mit vier streifenförmigen Schichten 2a, 2b, 2c, 2d, welche längs auf dem bandförmigen Substrat 1 und parallel zueinander angeordnet sind. Die vier streifenförmigen Schichten 2a, 2b, 2c, 2d sind auf das Substrat 1 im Tiefdruckverfahren aufgedruckt, wobei der Pfeil links in Figur Ia die Druckrichtung angibt. Die vier streifenförmigen Schichten 2a, 2b, 2c, 2d sind parallel zur Druckrichtung über die gesamte Länge des Substrats 1 aufgetragen. Die streifenförmige Schicht 2a ist organisch und elektrisch leitend, die streifenförmige Schicht 2b ist organisch und halbleitend, die streifenförmige Schicht 2c ist wiederum organische und elektrisch leitend und die streifenförmige Schicht 2d ist organisch und elektrisch isolierend ausgebildet. Die streifenförmigen Schichten 2a, 2b, 2c, 2d werden nun entweder in unveränderter Form oder auch in strukturierter Form als elektrische Funktionsschichten zum Aufbau elektronischer Bauelemente verwendet. Es erfolgt ein Auftrag weiterer, gegebenenfalls erneut streifenförmiger, elektrischer Funktionsschichten zum Aufbau von elektronischen Bauelementen auf dem Substrat 1, die zu der gewünschten elektronischen Schaltung verbunden werden. Durch den streifenförmigen Auftrag des Funktionsschichtmaterials mittels eines Druckmediums ergibt sich eine besonders gleichmäßige Schichtdicke und Kontur der späteren Funktionsschichten der elektronischen Bauelemente.
Figur Ib zeigt den Querschnitt A - A' durch das Substrat 1 und die vier streifenförmigen Schichten 2a, 2b, 2c, 2d aus Figur Ia.
Figur 2a zeigt ein flexibles bandförmiges Substrat 1 mit einer streifenförmigen Schicht 2b aus organischem halbleitendem Funktionsschichtmaterial, hier Polythiophen. Die streifenförmige Schicht 2b ist längs auf dem Substrat 1 aufgedruckt, wobei der Pfeil links im Bild die
Auftragsrichtung bezeichnet. Es sind in Längsrichtung des Substrats 1 orientierte Schichtbereiche 3a der streifenförmigen Schicht 2b gekennzeichnet, in welchen nach Bildung der streifenförmigen Schicht 2b ein Schnitt mittels Laser erfolgen soll, um die streifenförmige Schicht 2b mit Öffnungen 4a (siehe Figur 2b) zu versehen.
Figur 2b zeigt nun das Substrat 1 und die streifenförmige Schicht 2b aus Figur 2a nach der Laserbehandlung, wobei die streifenförmige Schicht 2b in drei in Längsrichtung des Substrats 1 parallele und voneinander getrennte Streifen aufgeteilt wurde. Die drei streifenförmigen Schichten 2b werden nun, gegebenenfalls nach einer weiteren Strukturierung, als elektrische Funktionsschichten zum Aufbau elektronischer Bauelemente verwendet. Es erfolgt ein Auftrag weiterer, gegebenenfalls erneut streifenförmiger, elektrischer Funktionsschichten zum Aufbau von elektronischen Bauelementen auf dem Substrat 1, die zu der gewünschten elektronischen Schaltung verbunden werden. Durch den streifenförmigen Auftrag des Funktionsschichtmaterials mittels eines Druckmediums ergibt sich eine besonders gleichmäßige Schichtdicke und Kontur der späteren Funktionsschichten der elektronischen Bauelemente .
Figur 3a zeigt ebenfalls ein flexibles bandförmiges Substrat 1 mit einer streifenförmigen Schicht 2b aus organischem halbleitendem Funktionsschichtmaterial, hier Polythiophen. Die streifenförmige Schicht 2b ist längs auf dem Substrat 1 aufgedruckt, wobei der Pfeil links im Bild die Auftragsrichtung bezeichnet. Es sind in Querrichtung des Substrats 1 orientierte Schichtbereiche 3b in der streifenförmigen Schicht 2b gekennzeichnet, in welchen nach Bildung der streifenförmigen Schicht 2b ein Schnitt mittels Laser erfolgen soll, um die streifenförmige Schicht 2b mit Öffnungen 4b (siehe Figur 3b) zu versehen.
Figur 3b zeigt nun das Substrat 1 und die streifenförmige Schicht 2b aus Figur 3a nach der Laserbehandlung, wobei die streifenförmige Schicht 2b in drei in Querrichtung des Substrats 1 parallele und voneinander getrennte Streifen aufgeteilt wurde. Die drei streifenförmigen Schichten 2b werden nun, gegebenenfalls nach einer weiteren Strukturierung, als elektrische Funktionsschichten zum Aufbau elektronischer Bauelemente verwendet. Es erfolgt ein Auftrag weiterer, gegebenenfalls erneut streifenförmiger, elektrischer Funktionsschichten zum Aufbau von elektronischen Bauelementen auf dem Substrat 1, die zu der gewünschten elektronischen Schaltung verbunden werden. Durch den streifenförmigen Auftrag des Funktionsschichtmaterials mittels eines Druckmediums ergibt sich eine besonders gleichmäßige Schichtdicke und Kontur der späteren Funktionsschichten der elektronischen Bauelemente .
Figur 4a zeigt ein flexibles bandförmiges Substrat 1 aus PET mit einer gedruckten, organischen halbleitenden und streifenförmigen Schicht 2b, hier aus Polythiophen, und weiteren, elektrisch leitenden Funktionsschichten 5a, 5b aus gesputtertem Gold. Dabei wurde die Funktionsschicht 5b aus Gold direkt auf dem Substrat 1 gebildet, die streifenförmige Schicht 2b längs auf dem bandförmigen Substrat 1 orientiert aufgedruckt und schließlich die Funktionsschicht 5a aus Gold gebildet . Eine Einheit aus elektrisch leitenden Funktionsschichten 5a, 5b und dazwischen angeordneter organischer halbleitender Schicht 2b bildet je eine Diode. Hier könnte optional zwischen der organischen halbleitenden Schicht 2b und der elektrisch leitenden Funktionsschicht 5a vollflächig eine - hier nicht gezeigte - streifenförmige elektrisch isolierende Schicht angeordnet sein, welche im
Bereich zwischen der organischen halbleitenden Schicht 2b und der elektrisch leitenden Funktionsschicht 5b ein Via beziehungsweise eine Öffnung aufweist. Über das Via ist ein direkter Kontakt zwischen der organischen halbleitenden Schicht 2b und der elektrisch leitenden Funktionsschicht 5a möglich.
Figur 4b zeigt den Querschnitt B - B' durch das Substrat 1 und die darauf angeordneten Schichten 5a, 2b, 5b aus Figur 4a im Bereich einer Diode. Es ist zu erkennen, dass die elektrisch leitenden Funktionsschichten 5a, 5b aus Gold, die hier Elektroden ausbilden, im Bereich der streifenförmigen Schicht 2b überlappen. Somit wird durch jede Einheit bestehend aus einer Funktionsschicht 5b, der streifenförmigen Schicht 2b über der Funktionsschicht 5b und der darüber angeordneten
Funktionsschicht 5a lokal jeweils eine Diode ausgebildet. In Figur 4a sind dabei zwei Diodeneinheiten zu erkennen. Auf eine Darstellung der Verschaltung der Dioden oder deren Einbindung in eine elektronische Schaltung wurde hier ist aus Gründen der Übersichtlichkeit verzichtet. So müssen die Elektroden 5a, 5b noch entsprechend mit Leiterbahnen kontaktiert werden, um eine Verschaltung der Bauelemente untereinander zu realisieren.
Figur 5a zeigt ein flexibles bandförmiges Substrat 1 mit einer streifenförmigen Schicht 2d aus elektrisch isolierendem Funktionsschichtmaterial, hier Polyvinylphenol . Auf dem Substrat 1 wird in Längsrichtung bereichsweise eine streifenförmige Schicht 2a aus elektrisch leitendendem Funktionsschichtmaterial ausgebildet, hier durch Drucken. Die streifenförmige Schicht 2a aus elektrisch leitendendem Funktionsschichtmaterial wird weiterhin mit einer streifenförmigen Schicht 2d aus elektrisch isolierendem Funktionsschichtmaterial überdruckt, die über die gesamte Länge des Substrats 1 ausgebildet wird. Nun erfolgt eine
Laserbehandlung der streifenförmigen Schicht 2d aus elektrisch isolierendem Funktionsschichtmaterial, wobei eine Öffnung 4b senkrecht zur Längsrichtung des Substrats 1 gebildet wird. Durch das Bilden der Öffnung 4b wird ein Bereich der streifenförmigen Schicht 2a freigelegt. In einem nächsten Schritt werden gleichzeitig die beiden streifenförmigen Schichten 2c durch Drucken ausgebildet, die ebenfalls aus elektrisch leitendem Funktionsschichtmaterial gebildet werden. Im Bereich der Öffnung 4b wird eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der streifenförmigen Schicht 2a und der links angeordneten streifenförmigen Schicht 2c ausgebildet (siehe auch Figur 5b) . Die Öffnung 4b fungiert demzufolge als sogenannte Via, die eine dreidimensionale Verschaltung von elektrischen Funktionsschichten ermöglicht.
Figur 5b zeigt den Längsschnitt C - C durch das Substrat 1 aus Figur 5a, um die Ausbildung der elektrisch leitenden Verbindung im Bereich der Via zu verdeutlichen.
Figur 6a zeigt ein flexibles bandförmiges Substrat 1 aus PET mit einer mehrmals mittels Laser unterteilten, streifenförmigen Schicht 5a aus elektrisch leitendem Funktionsschichtmaterial, hier Polyanilin oder Gold. So wurden geradlinig verlaufende Öffnungen 4b sowie mäanderförmig verlaufende Öffnungen 4c gebildet und zwei weitere streifenförmige Schichten, einmal eine nicht dargestellte halbleitende Schicht 2b und weiterhin eine Schicht 2d aus elektrisch isolierendem Funktionsschichtmaterial, hier Polyvinylphenol , darüber ausgebildet. Dabei bilden jeweils die Schichtbereiche der streifenförmigen Schicht 5a vor und nach einer mäanderförmigen Öffnung 4c sowie die über dem Mäander angeordneten streifenförmigen Schichten 2b, 2d eine separate Einheit, welche einen Widerstand ausbildet. Der Leckstrom des Halbleiters verursacht den Widerstand. In Figur 6a sind somit zwei Widerstandseinheiten zu erkennen. Auf eine Darstellung der Verschaltung der Widerstände oder deren Einbindung in eine elektronische Schaltung wurde hier ist aus Gründen der Übersichtlichkeit verzichtet. So müssen die Schichtbereiche 5a vor und nach einem Mäander, welche die Elektroden eines Widerstands ausbilden, noch entsprechend mit Leiterbahnen kontaktiert werden, um eine Verschaltung der Bauelemente zu realisieren.
Figur 6b zeigt den Querschnitt D - D' durch das Substrat 1 aus Figur 6a, wobei die halbleitende Schicht 2b zwischen der streifenförmigen Schicht 5a und der elektrisch isolierenden Schicht 2d zu sehen ist.
Figur 7a zeigt einen Ausschnitt aus einer elektrischen Schaltung, hier einer Ringoszillatorschaltung, in der Draufsicht. Auf einem Substrat 1 befinden sich elektrisch leitende Funktionsschichten 2a, welche von einer dünnen vollflächig aufgebrachten organischen, halbleitenden Funktionsschicht 2b bedeckt werden. Auf der organischen, halbleitenden Funktionsschicht 2b befindet sich eine vollflächig und streifenförmig aufgebrachte elektrisch isolierende Funktionsschicht 2d, welche in dem Bereich, in welchem der Schnitt E - E' gelegt ist, eine Öffnung 4b aufweist, die Nachträglich mit einem Laser gebildet wurde. Auf der elektrisch isolierenden Schicht 2d befindet sich eine weitere elektrisch leitende Schicht 2c, welche streifenförmig ausgebildet ist. Im Bereich der Öffnung in der elektrisch isolierenden Schicht 2d steht die elektrisch leitende Schicht 2c jeweils in Kontakt zur elektrisch leitenden Funktionsschicht 2a, nachdem die halbleitende Schicht 2b so dünn ausgebildet ist, dass im Bereich dieser Öffnung ein elektrischer Kontakt beziehungsweise ein Kurzschluss zwischen den leitenden Schichten 2a und 2c ausgebildet wird. In dem Bereich der Schaltung, in dem die elektrisch leitende Schicht 2a, die halbleitende Schicht 2b, die elektrisch isolierende Schicht 2d und die elektrisch leitende Schicht 2c übereinander und zudem im Bereich der Kammstrukturen innerhalb der elektrisch leitenden Schicht 2a angeordnet sind, ist jeweils ein organischer Feldeffekttransistor ausgebildet.
Der Schnitt durch das Substrat 1 und die darauf angeordneten Schichten im Bereich E - E' wird in Figur 7b dargestellt. Hier wird der Schichtaufbau für den Bereich, in welchem sich die Öffnung in der elektrisch isolierenden Schicht 2d befindet, verdeutlicht .
Die Figurendarstellengen Ia bis 7b dienen lediglich zur Veranschaulichung des Erfindungsgedankens. Der Fachmann ist auf dieser Basis ohne weiteres in der Lage weitere elektronische Schaltungen und Anwendungsbeispiele aufzufinden, für die streifenförmig auf einem Substrat aufgebrachte Schichten eingesetzt werden können, ohne dabei die Erfindung zu verlassen. So sollen die Figuren Ia bis 7b keinerlei
Limitierung auf eine bestimmte Anordnung von streifenförmigen Schichten, Bauelementen sowie deren Anzahl und Verschaltung zur Folge haben.

Claims

Patentansprüche
1. Elektronische Schaltung umfassend mindestens zwei elektronische Bauelemente auf einem gemeinsamen flexiblen Substrat (1) , wobei die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils mindestens eine elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die elektrischen Funktionsschichten aus identischem Funktionsschichtmaterial aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat (1) ausgebildeten Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) gebildet sind.
2. Elektronische Schaltung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die streifenförmig auf dem Substrat (1) ausgebildete Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) in einem kontinuierlichen Prozess auf dem Substrat (1) in einer bestimmten Auftragsrichtung gebildet ist .
3. Elektronische Schaltung nach Anspruch 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass ein erstes elektronisches Bauelement der mindestens zwei elektronischen Bauelemente eine erste elektrische Funktionsschicht aufweist und dass ein zweites elektronisches Bauelement der mindestens zwei elektronischen Bauelemente eine zweite elektrische Funktionsschicht aufweist, wobei die erste und die zweite elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial gebildet sind, wobei die erste und die zweite elektrische Funktionsschicht so auf dem Substrat (1) angeordnet sind, dass diese in Auftragsrichtung nacheinander oder nebeneinander angeordnet sind.
4. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die streifenförmig auf dem Substrat gebildete Schicht (2b, 2d) eine halbleitende oder eine elektrisch isolierende Schicht ist, insbesondere eine organische halbleitende oder eine organische elektrisch isolierende Schicht ist.
5. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildete
Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) eine gedruckte Schicht oder eine durch Auftrag eines flüssigen Mediums auf dem Substrat (1) gebildete Schicht ist.
6. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildete Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) unterbrochen und/oder in voneinander unabhängige Schichtbereiche unterteilt ist, wobei über den Querschnitt der streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildeten Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) gesehen mindestens eine durchgehende Öffnung (4a, 4b, 4c) in der streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildeten Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) ausgebildet ist.
7. Elektronische Schaltung nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildete
Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) in Auftragsrichtung und/oder senkrecht zur Auftragsrichtung unterteilt ist .
8. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 6 oder 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens eine Öffnung (4a, 4b, 4c) in der streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildeten Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) ein Via ausbildet, über welches ein elektrischer Kontakt zwischen elektrischen Funktionsschichten ausgebildet ist, die senkrecht zur Substratebene gesehen oberhalb und unterhalb der streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildeten Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) angeordnet sind.
9. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Öffnung (4a, 4b, 4c) eine Breite im Bereich von lμm bis 10mm, insbesondere von 50μm bis 2mm, aufweist.
10. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass mindestens ein elektronisches Bauelement als Transistor, insbesondere als Feldeffekttransistor, ausgebildet ist.
11. Elektronische Schaltung nach Anspruch 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils als Feldeffekttransistoren ausgebildet sind, wobei die Feldeffekttransistoren jeweils eine halbleitende elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat (1) ausgebildeten halbleitenden Schicht (2b) gebildet sind und wobei die Feldeffekttransistoren jeweils eine elektrisch isolierende elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat (1) ausgebildeten elektrisch isolierenden Schicht (2d) gebildet sind.
12. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass mindestens ein elektronisches Bauelement als Diode ausgebildet ist.
13. Elektronische Schaltung nach Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils als Dioden ausgebildet sind, wobei die Dioden jeweils eine halbleitende elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat (1) ausgebildeten halbleitenden Schicht (2b) gebildet sind.
14. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass mindestens ein elektronisches Bauelement als ohmscher Widerstand ausgebildet ist.
15. Elektronische Schaltung nach Anspruch 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils als ohmsche Widerstände ausgebildet sind, wobei die Widerstände jeweils eine Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat ausgebildeten Schicht (5a) gebildet sind.
16. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass mindestens ein elektronisches Bauelement als Kondensator ausgebildet ist.
17. Elektronische Schaltung nach Anspruch 16, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils als Kondensatoren ausgebildet sind, wobei die Kondensatoren jeweils eine elektrisch isolierende Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial aufweisen, die aus Schichtbereichen einer streifenförmig auf dem Substrat ausgebildeten elektrisch isolierenden Schicht (2d) gebildet sind.
18. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass das flexible Substrat (1) bandförmig ausgebildet ist.
19. Elektronische Schaltung nach Anspruch 18, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die streifenförmig auf dem Substrat gebildete Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) parallel zu einer Längsseite des bandförmigen Substrats (1) angeordnet ist.
20. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass das flexible Substrat (1) mehrlagig ist.
21. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 20, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass mindestens zwei, insbesondere zwei bis zwanzig, streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildete Schichten (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) auf dem Substrat (1) angeordnet sind.
22. Elektronische Schaltung nach Anspruch 21, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens zwei streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildeten Schichten (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) im Substratquerschnitt gesehen in einer Ebene oder in unterschiedlichen Ebenen auf dem Substrat (1) angeordnet sind.
23. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils mindestens zwei elektrische Funktionsschichten aus unterschiedlichen Funktionsschichtmaterialien aufweisen, wobei jeweils eine der mindestens zwei elektrischen Funktionsschichten der mindestens zwei Bauelemente durch eine Strukturierung einer, somit von den mindestens zwei elektronischen Bauelementen gemeinsam genutzten, streifenförmigen Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) gebildet ist.
24. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 23, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die streifenförmig auf dem Substrat (1) gebildete Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) mit einer Schichtdicke im Bereich von lnm bis 300μm, insbesondere im Bereich von lnm bis 300nm, ausgebildet ist.
25. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 24, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens zwei elektronischen Bauelemente weiterhin elektrisch leitende, insbesondere organische oder metallische, Funktionsschichten aufweisen.
26. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 25, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die elektronische Schaltung eine organische Schaltung ist.
27. Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 25, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die elektronische Schaltung Bauelemente aufweist, welche lediglich organische elektrische Funktionsschichten aufweisen und/oder Bauelemente aufweist, welche organische und anorganische elektrische Funktionsschichten aufweisen.
28. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung umfassend mindestens zwei elektronische Bauelemente auf einem gemeinsamen flexiblen Substrat (1) , wobei die mindestens zwei elektronischen Bauelemente jeweils mit mindestens einer elektrischen Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial ausgebildet werden, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass mindestens eine streifenförmige Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) auf dem Substrat (1) gebildet wird und dass die elektrischen Funktionsschichten aus identischem
Funktionsschichtmaterial aus Schichtbereichen einer einzelnen streifenförmigen Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) gebildet werden.
29. Verfahren nach Anspruch 28, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens eine streifenförmige Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) in einem kontinuierlichen Prozess auf dem Substrat (1) in einer vorbestimmten Auftragsrichtung gebildet wird.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 28 oder 29, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass ein erstes elektronisches Bauelement der mindestens zwei elektronischen Bauelemente eine erste elektrische Funktionsschicht aufweist und wobei ein zweites elektronisches Bauelement der mindestens zwei elektronischen Bauelemente eine zweite elektrische Funktionsschicht aufweist, wobei die erste und die zweite elektrische Funktionsschicht aus identischem Funktionsschichtmaterial gebildet werden, wobei die erste und die zweite elektrische Funktionsschicht so auf dem Substrat (1) angeordnet werden, dass diese in Auftragsrichtung gesehen nacheinander oder nebeneinander angeordnet sind.
31. Verfahren nach einem der Ansprüche 28 bis 30, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass das flexible Substrat (1) bandförmig ausgebildet ist und bei der Ausbildung der mindestens einen streifenförmigen Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) von Rolle zu Rolle transportiert wird.
32. Verfahren nach Anspruch 29, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Auftragsrichtung parallel zu einer Längsseite des bandförmigen Substrats (1) angeordnet wird.
33. Verfahren nach einem der Ansprüche 28 bis 30, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass als kontinuierlicher Prozess ein Druckverfahren verwendet wird, insbesondere ein Druckverfahren aus der Gruppe Tiefdruck, Hochdruck, Siebdruck oder dass als kontinuierlicher Prozess ein anderes
Beschichtungsverfahren verwendet wird, das ein flüssiges Medium zur Bildung der mindestens einen streifenförmigen Schicht auf das Substrat aufbringt.
34. Verfahren nach Anspruch 31, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass zur Bildung der mindestens einen streifenförmigen Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) ein Druckmedium oder flüssiges Medium mit einer dynamischen Viskosität kleiner 200 mPas, insbesondere kleiner 50 mPas, betrachtet bei einer Temperatur von 200C, verwendet wird.
35. Verfahren nach einem der Ansprüche 28 bis 32, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens eine streifenförmige Schicht (2a, 2b, 2c, 2d, 5a) mittels Laserstrahl, Prägen, Schneiden, Schleifen oder Kratzen strukturiert wird.
36. Verfahren nach einem der Ansprüche 28 bis 33, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die mindestens zwei elektronischen Bauelemente mit weiteren elektrischen Funktionsschichten ausgebildet werden, die mittels Drucken, Aufdampfen oder Sputtern gebildet werden.
EP06792048A 2005-09-16 2006-09-13 Elektronische schaltung und verfahren zur herstellung einer solchen Withdrawn EP1925033A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005044306A DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2005-09-16 Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
PCT/EP2006/008930 WO2007031303A1 (de) 2005-09-16 2006-09-13 Elektronische schaltung und verfahren zur herstellung einer solchen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP1925033A1 true EP1925033A1 (de) 2008-05-28

Family

ID=37433937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP06792048A Withdrawn EP1925033A1 (de) 2005-09-16 2006-09-13 Elektronische schaltung und verfahren zur herstellung einer solchen

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8315061B2 (de)
EP (1) EP1925033A1 (de)
KR (1) KR20080045247A (de)
CN (1) CN101263602B (de)
DE (1) DE102005044306A1 (de)
WO (1) WO2007031303A1 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11665830B2 (en) 2017-06-28 2023-05-30 Honda Motor Co., Ltd. Method of making smart functional leather
US10953793B2 (en) 2017-06-28 2021-03-23 Honda Motor Co., Ltd. Haptic function leather component and method of making the same
US10682952B2 (en) 2017-06-28 2020-06-16 Honda Motor Co., Ltd. Embossed smart functional premium natural leather
US11225191B2 (en) 2017-06-28 2022-01-18 Honda Motor Co., Ltd. Smart leather with wireless power
US10742061B2 (en) 2017-06-28 2020-08-11 Honda Motor Co., Ltd. Smart functional leather for recharging a portable electronic device
US10272836B2 (en) 2017-06-28 2019-04-30 Honda Motor Co., Ltd. Smart functional leather for steering wheel and dash board
US11751337B2 (en) 2019-04-26 2023-09-05 Honda Motor Co., Ltd. Wireless power of in-mold electronics and the application within a vehicle

Family Cites Families (261)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB723598A (en) 1951-09-07 1955-02-09 Philips Nv Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics
US3512052A (en) * 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
DE2102735B2 (de) 1971-01-21 1979-05-10 Transformatoren Union Ag, 7000 Stuttgart Einrichtung zur Regelung des Mengendurchsatzes von Mühlen und Brechern
US3769096A (en) 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
AU488652B2 (en) 1973-09-26 1976-04-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Improvements in or relating to security tokens
JPS543594B2 (de) * 1973-10-12 1979-02-24
DE2407110C3 (de) 1974-02-14 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz
JPS54101176A (en) 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) * 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4246298A (en) * 1979-03-14 1981-01-20 American Can Company Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application
JPS5641938U (de) 1979-09-10 1981-04-17
US4340057A (en) * 1980-12-24 1982-07-20 S. C. Johnson & Son, Inc. Radiation induced graft polymerization
US4472627A (en) 1982-09-30 1984-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury Authenticating and anti-counterfeiting device for currency
JPS59145576A (ja) 1982-11-09 1984-08-21 ザイトレツクス・コ−ポレ−シヨン プログラム可能なｍｏｓトランジスタ
DE3321071A1 (de) 1983-06-10 1984-12-13 Basf Ag Druckschalter
US4587719A (en) * 1983-08-01 1986-05-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of fabrication of long arrays using a short substrate
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
US4554229A (en) 1984-04-06 1985-11-19 At&T Technologies, Inc. Multilayer hybrid integrated circuit
JPS6265472A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Toshiba Corp Ｍｉｓ型半導体素子
US4726659A (en) 1986-02-24 1988-02-23 Rca Corporation Display device having different alignment layers
US4926052A (en) * 1986-03-03 1990-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation detecting device
EP0268370B1 (de) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Schaltungselement
GB2215307B (en) 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
DE68912426T2 (de) 1988-06-21 1994-05-11 Gec Avery Ltd Herstellung von tragbaren elektronischen Karten.
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) * 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
FR2644920B1 (fr) 1989-03-21 1993-09-24 France Etat Dispositif d'affichage polychrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
DE69018348T2 (de) 1989-07-25 1995-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren.
FI84862C (fi) 1989-08-11 1992-01-27 Vaisala Oy Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
DE3942663A1 (de) 1989-12-22 1991-06-27 Gao Ges Automation Org Datentraeger mit einem fluessigkristall-sicherheitselement
US5206525A (en) * 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FI91573C (sv) 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
JP2969184B2 (ja) 1990-04-09 1999-11-02 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタメモリ
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
US5202677A (en) * 1991-01-31 1993-04-13 Crystal Images, Inc. Display apparatus using thermochromic material
DE4103675C2 (de) 1991-02-07 1993-10-21 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung von Wechselspannungs-Eingangssignalen
FR2673041A1 (fr) 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
EP0501456A3 (de) 1991-02-26 1992-09-09 Sony Corporation Mit eine optischen Plattenantrieb ausgerüsteter Videospielcomputer
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
EP0511807A1 (de) 1991-04-27 1992-11-04 Gec Avery Limited Apparat und Sensoreinheit zur Anzeige von zeitabhängigen Änderungen in einer physikalischen Grösse
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
JPH0770470B2 (ja) * 1991-10-30 1995-07-31 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照射装置
JP2709223B2 (ja) * 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
FR2696043B1 (fr) 1992-09-18 1994-10-14 Commissariat Energie Atomique Support à réseau d'éléments résistifs en polymère conducteur et son procédé de fabrication.
EP0603939B1 (de) 1992-12-21 1999-06-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Leitfähiges N-Typ-Polymer und Methode zur Herstellung desselben
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) * 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) * 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
EP0615256B1 (de) 1993-03-09 1998-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Herstellungsverfahren eines Musters von einem elektrisch leitfähigen Polymer auf einer Substratoberfläche und Metallisierung eines solchen Musters
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
DE4312766C2 (de) 1993-04-20 1997-02-27 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung
JPH0722669A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
CA2170402C (en) 1993-08-24 2000-07-18 Michael P. Allen Novel disposable electronic assay device
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) * 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
IL111151A (en) 1994-10-03 1998-09-24 News Datacom Ltd Secure access systems
US6028649A (en) * 1994-04-21 2000-02-22 Reveo, Inc. Image display systems having direct and projection viewing modes
KR100350817B1 (ko) * 1994-05-16 2003-01-24 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기반도체물질로형성된반도체장치
IL110318A (en) 1994-05-23 1998-12-27 Al Coat Ltd Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices
US5684884A (en) 1994-05-31 1997-11-04 Hitachi Metals, Ltd. Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5528222A (en) * 1994-09-09 1996-06-18 International Business Machines Corporation Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) * 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
DE19506907A1 (de) 1995-02-28 1996-09-05 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom
JP3068430B2 (ja) * 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH08328031A (ja) * 1995-06-02 1996-12-13 Sharp Corp フルカラー液晶表示装置およびその製造方法
US5622652A (en) * 1995-06-07 1997-04-22 Img Group Limited Electrically-conductive liquid for directly printing an electrical circuit component onto a substrate, and a method for making such a liquid
JPH0933645A (ja) 1995-07-21 1997-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd トランスポンダの電源回路
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5707894A (en) * 1995-10-27 1998-01-13 United Microelectronics Corporation Bonding pad structure and method thereof
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
US6469683B1 (en) 1996-01-17 2002-10-22 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Liquid crystal optical device
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
GB2310493B (en) * 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19610284A1 (de) 1996-03-15 1997-08-07 Siemens Ag Antennenspule
JP2000512428A (ja) * 1996-06-12 2000-09-19 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ 有機多色表示器製造のための薄膜パターン化
DE19629656A1 (de) * 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
EP0824301A3 (de) * 1996-08-09 1999-08-11 Hitachi, Ltd. Gedruckte Schaltungsplatte, Chipkarte, und Verfahren zu deren Herstellung
DE19648937A1 (de) 1996-11-26 1997-05-15 Meonic Sys Eng Gmbh Elektronisches Etikett
US6259506B1 (en) * 1997-02-18 2001-07-10 Spectra Science Corporation Field activated security articles including polymer dispersed liquid crystals, and including micro-encapsulated field affected materials
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US5841325A (en) 1997-05-12 1998-11-24 Hewlett-Packard Company Fully-integrated high-speed interleaved voltage-controlled ring oscillator
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
WO1999010939A2 (en) 1997-08-22 1999-03-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
DE02079791T1 (de) 1997-09-11 2004-04-15 Precision Dynamics Corp., San Fernando RF-ID Etikett mit einem integriertem Schaltkreis aus organischen Materialen
EP1296280A1 (de) 1997-09-11 2003-03-26 Precision Dynamics Corporation RF-ID Etikett mit einem integriertem Schaltkreis aus organischen Materialen
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
WO1999030432A1 (en) 1997-12-05 1999-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
US5997817A (en) 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) * 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
JP4272353B2 (ja) * 1998-01-28 2009-06-03 シン フィルム エレクトロニクス エイエスエイ ３次元の導電構造体および／または半導電構造体を生成する方法、同構造体を消去する方法および生成する同方法と共に用いられる電界発生器／変調器
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) * 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
JPH11249494A (ja) 1998-03-03 1999-09-17 Canon Inc ドラムフランジ、円筒部材、プロセスカートリッジ、電子写真画像形成装置
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
US6369793B1 (en) * 1998-03-30 2002-04-09 David C. Zimman Printed display and battery
WO1999053371A1 (en) * 1998-04-10 1999-10-21 E-Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
NL1008929C2 (nl) * 1998-04-20 1999-10-21 Vhp Ugchelen Bv Uit papier vervaardigd substraat voorzien van een geïntegreerde schakeling.
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6107920A (en) 1998-06-09 2000-08-22 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having an article integrated antenna
US5967048A (en) 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
KR100282393B1 (ko) 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
CA2334862C (en) * 1998-06-19 2006-06-13 Thomas Jackson An integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
DE19836174C2 (de) 1998-08-10 2000-10-12 Illig Maschinenbau Adolf Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung
US6215130B1 (en) 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
PT1108207E (pt) 1998-08-26 2008-08-06 Sensors For Med & Science Inc Dispositivos de sensores ópticos
JP4493741B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE69831243T2 (de) 1998-10-13 2006-08-10 Sony Deutschland Gmbh Herstellungsverfahren einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix
US6566153B1 (en) * 1998-10-14 2003-05-20 The Regents Of The University Of California Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same
DE19851703A1 (de) 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6021050A (en) * 1998-12-02 2000-02-01 Bourns, Inc. Printed circuit boards with integrated passive components and method for making same
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
EP1144197B1 (de) 1999-01-15 2003-06-11 3M Innovative Properties Company Thermisches Übertragungsverfahren.
GB2347013A (en) * 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
AU744962B2 (en) * 1999-02-22 2002-03-07 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof
AU5646800A (en) 1999-03-02 2000-09-21 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) * 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
EP1083775B1 (de) 1999-03-29 2010-10-13 Seiko Epson Corporation Zusammensetzung mit einem organischen elektrolumineszierenden Material
US6514801B1 (en) 1999-03-30 2003-02-04 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing thin-film transistor
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) * 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6387736B1 (en) * 1999-04-26 2002-05-14 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for bonding layers in a semiconductor device
FR2793089B3 (fr) 1999-04-28 2001-06-08 Rene Liger Transpondeur a antenne integree
DE19920593B4 (de) * 1999-05-05 2006-07-13 Assa Abloy Identification Technology Group Ab Chipträger für ein Chipmodul und Verfahren zur Herstellung des Chipmoduls
US6736985B1 (en) * 1999-05-05 2004-05-18 Agere Systems Inc. High-resolution method for patterning a substrate with micro-printing
DE19921024C2 (de) 1999-05-06 2001-03-08 Wolfgang Eichelmann Videospielanlage
US6383664B2 (en) * 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
JP4136185B2 (ja) * 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
EP1052594A1 (de) 1999-05-14 2000-11-15 Sokymat S.A. Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69913745T2 (de) 1999-05-17 2004-10-07 Goodyear Tire & Rubber Rf transponder und verfahren zur steuerung der rf signalmodulation in einem passiven transponder
TW556357B (en) * 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
DE50013674D1 (de) 1999-07-06 2006-12-14 Elmos Semiconductor Ag CMOS kompatibler SOI-Prozess
US6366017B1 (en) * 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
JP2001085272A (ja) 1999-07-14 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変容量コンデンサ
DE19933757A1 (de) 1999-07-19 2001-01-25 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit integrierter Batterie
DE19935527A1 (de) 1999-07-28 2001-02-08 Giesecke & Devrient Gmbh Aktive Folie für Chipkarten mit Display
DE19937262A1 (de) 1999-08-06 2001-03-01 Siemens Ag Anordnung mit Transistor-Funktion
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
JP4595143B2 (ja) * 1999-09-06 2010-12-08 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌデバイスとその製造方法
EP1085320A1 (de) * 1999-09-13 2001-03-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Vorrichtung auf Basis von organischem Material zur Erfassung eines Probenanalyts
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
CN1376100A (zh) 1999-09-28 2002-10-23 住友重机械工业株式会社 激光钻孔的加工方法及其加工装置
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
WO2001027998A1 (en) * 1999-10-11 2001-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
GB9926670D0 (en) * 1999-11-12 2000-01-12 Univ Liverpool Field effect transistor (FET) and FET circuitry
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
JP2001147659A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
EP1103916A1 (de) 1999-11-24 2001-05-30 Infineon Technologies AG Chipkarte
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6136702A (en) 1999-11-29 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
KR100940110B1 (ko) * 1999-12-21 2010-02-02 플라스틱 로직 리미티드 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법
JP5073141B2 (ja) * 1999-12-21 2012-11-14 プラスティック ロジック リミテッド 内部接続の形成方法
US7002451B2 (en) 2000-01-11 2006-02-21 Freeman Jeffrey R Package location system
JP2002162652A (ja) 2000-01-31 2002-06-07 Fujitsu Ltd シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
TW497120B (en) * 2000-03-06 2002-08-01 Toshiba Corp Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2005-01-26 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 昇圧回路、それを搭載したｉｃカード及びそれを搭載した電子機器
DE10012204A1 (de) 2000-03-13 2001-09-20 Siemens Ag Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut
EP1134694A1 (de) 2000-03-16 2001-09-19 Infineon Technologies AG Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
DK1311702T3 (da) 2000-03-28 2006-03-27 Diabetes Diagnostics Inc Kontinuerlig fremgangsmåde til fremstilling af et engangs elektrokemisk föleelement
AU2001264879A1 (en) 2000-05-24 2001-12-03 Schott Donnelly Llc Electrochromic devices
US6535057B2 (en) 2000-05-29 2003-03-18 Stmicroelectronics Ltd. Programmable glitch filter
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
EP1210643A2 (de) * 2000-06-06 2002-06-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flüssigkristallanzeige und verfahren zu deren herstellung
DE10032260B4 (de) 2000-07-03 2004-04-29 Texas Instruments Deutschland Gmbh Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US6483473B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Marconi Communications Inc. Wireless communication device and method
DE10120687A1 (de) 2001-04-27 2002-10-31 Siemens Ag Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
JP2004506985A (ja) * 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用
JP2004507096A (ja) * 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 有機電界効果トランジスタ（ｏｆｅｔ），該有機電界効果トランジスタの製造方法、前記有機電界効果トランジスタから形成される集積回路、及び該集積回路の使用
JP2002068324A (ja) 2000-08-30 2002-03-08 Nippon Sanso Corp 断熱容器
DE10043204A1 (de) 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
US6699728B2 (en) * 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
DE10044842A1 (de) 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10045192A1 (de) * 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
TW514557B (en) * 2000-09-15 2002-12-21 Shipley Co Llc Continuous feed coater
DE10047171A1 (de) 2000-09-22 2002-04-18 Siemens Ag Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu
GB0024294D0 (en) * 2000-10-04 2000-11-15 Univ Cambridge Tech Solid state embossing of polymer devices
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
DE10058559A1 (de) 2000-11-24 2002-05-29 Interactiva Biotechnologie Gmb System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter
US6859093B1 (en) * 2000-11-28 2005-02-22 Precision Dynamics Corporation Rectifying charge storage device with bi-stable states
KR100390522B1 (ko) * 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
DE10162037A1 (de) * 2000-12-18 2002-09-12 Cubit Electronics Gmbh Anordnung zur Aufnahme elektrischer Bausteine und kontaktloser Transponder
GB2371910A (en) * 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
DE10105914C1 (de) * 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
ATE540437T1 (de) 2001-03-02 2012-01-15 Fujifilm Corp Herstellungsverfahren einer organischen dünnschicht-vorrichtung
JP2002289355A (ja) 2001-03-26 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置
DE10117663B4 (de) 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
DE10120686A1 (de) 2001-04-27 2002-11-07 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung
WO2002091495A2 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Coatue Corporation Molecular memory device
US20020170897A1 (en) 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
CN1292496C (zh) * 2001-05-23 2006-12-27 造型逻辑有限公司 器件的图案形成
DE10126860C2 (de) 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
DE10126859A1 (de) 2001-06-01 2002-12-12 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen
US6870180B2 (en) 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003017248A (ja) * 2001-06-27 2003-01-17 Sony Corp 電界発光素子
DE20111825U1 (de) 2001-07-20 2002-01-17 Lammering, Thomas, Dipl.-Ing., 33335 Gütersloh Printmedium
DE10141440A1 (de) 2001-08-23 2003-03-13 Daimler Chrysler Ag Tripodegelenk
JP2003089259A (ja) 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6679036B2 (en) * 2001-10-15 2004-01-20 Shunchi Crankshaft Co., Ltd. Drive gear shaft structure of a self-moving type mower
DE10151036A1 (de) 2001-10-16 2003-05-08 Siemens Ag Isolator für ein organisches Elektronikbauteil
DE10151440C1 (de) 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE10153656A1 (de) 2001-10-31 2003-05-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren durch Aufbringen einer reaktiven, die organische Halbleiterschicht im Kontaktbereich regio-selektiv dotierenden Zwischenschicht
DE10160732A1 (de) * 2001-12-11 2003-06-26 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
DE10163267A1 (de) 2001-12-21 2003-07-03 Giesecke & Devrient Gmbh Blattgut mit einem elektrischen Schaltkreis sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung des Blattguts
DE10209400A1 (de) 2002-03-04 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung
US6596569B1 (en) * 2002-03-15 2003-07-22 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US7204425B2 (en) 2002-03-18 2007-04-17 Precision Dynamics Corporation Enhanced identification appliance
DE10212640B4 (de) * 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
DE10219905B4 (de) 2002-05-03 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements
US6812509B2 (en) * 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
DE10229168A1 (de) 2002-06-28 2004-01-29 Infineon Technologies Ag Laminat mit einer als Antennenstruktur ausgebildeten elektrisch leitfähigen Schicht
EP1383179A2 (de) 2002-07-17 2004-01-21 Pioneer Corporation Organische Halbleiteranordnung
JP2004146400A (ja) * 2002-10-21 2004-05-20 Hosiden Corp プリント基板とフレキシブル基板との接続構造
US6870183B2 (en) 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
WO2004047144A2 (de) * 2002-11-19 2004-06-03 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches elektronisches bauelement mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
US7088145B2 (en) * 2002-12-23 2006-08-08 3M Innovative Properties Company AC powered logic circuitry
EP1434281A3 (de) * 2002-12-26 2007-10-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Herstellungsmethode eines Dünnfilmtransistors, Substrat und elektrische Schaltung
US6905908B2 (en) * 2002-12-26 2005-06-14 Motorola, Inc. Method of fabricating organic field effect transistors
TW556452B (en) * 2003-01-30 2003-10-01 Phoenix Prec Technology Corp Integrated storage plate with embedded passive components and method for fabricating electronic device with the plate
US8665247B2 (en) 2003-05-30 2014-03-04 Global Oled Technology Llc Flexible display
US6950157B2 (en) 2003-06-05 2005-09-27 Eastman Kodak Company Reflective cholesteric liquid crystal display with complementary light-absorbing layer
DE10330063A1 (de) * 2003-07-03 2005-02-03 Siemens Ag Verfahren zur Strukturierung und Integration organischer Schichten unter Schutz
DE10330064B3 (de) 2003-07-03 2004-12-09 Siemens Ag Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen
DE10335336B4 (de) 2003-08-01 2011-06-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene
DE10338277A1 (de) 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
DE10340641A1 (de) * 2003-09-03 2005-04-07 Siemens Ag Strukturierung von Gate-Dielektrika in organischen Feldeffekt-Transistoren
JP4400327B2 (ja) * 2003-09-11 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 タイル状素子用配線形成方法
GB0321383D0 (en) * 2003-09-12 2003-10-15 Plastic Logic Ltd Polymer circuits
US7122828B2 (en) * 2003-09-24 2006-10-17 Lucent Technologies, Inc. Semiconductor devices having regions of induced high and low conductivity, and methods of making the same
US7358530B2 (en) * 2003-12-12 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Thin-film transistor array with ring geometry
US7321496B2 (en) * 2004-03-19 2008-01-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flexible substrate, multilayer flexible substrate and process for producing the same
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
US6964884B1 (en) * 2004-11-19 2005-11-15 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrates utilizing three smooth-sided conductive layers as part thereof, method of making same, and electrical assemblies and information handling systems utilizing same
KR101137862B1 (ko) * 2005-06-17 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법
DE102005035590A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauelement
DE102005035589A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102006047388A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-17 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2007031303A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101263602A (zh) 2008-09-10
WO2007031303A1 (de) 2007-03-22
KR20080045247A (ko) 2008-05-22
US20100214748A1 (en) 2010-08-26
CN101263602B (zh) 2011-06-22
DE102005044306A1 (de) 2007-03-22
US20120057311A9 (en) 2012-03-08
US8315061B2 (en) 2012-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2087519B1 (de) Feldeffekttransistor sowie elektrische schaltung
WO2007031303A1 (de) Elektronische schaltung und verfahren zur herstellung einer solchen
EP1825516A2 (de) Gatter aus organischen feldeffekttransistoren
EP2261979A1 (de) Folie mit organischen Halbleitern
WO2012019713A1 (de) Folienelement
EP1911108B1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements
WO2007009639A1 (de) Verfahren zur herstellung einer dreidimensionalen schaltung
EP1911089B1 (de) Elektronisches bauelement
DE102006033887B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers mit leitfähiger Polymerschicht
EP1704606B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines organischen Transistors mit selbstjustierender Gate-Elektrode
DE102005022000B4 (de) Verfahren zur Herstellung von elektronischen Einheiten aus zwei mehrlagigen Ausgangsstrukturen und deren Verwendung
DE102005013125B4 (de) Verfahren zur Herstellung von elektronischen Einheiten in einer mehrlagigen Ausgangsstruktur sowie Verwendung dieser Ausgangstruktur im Verfahren
DE102007062944B4 (de) Elektronische Schaltung
EP1658648B1 (de) Herstellungsverfahren für ein organisches elektronisches bauteil mit hochaufgelöster strukturierung
DE102019201792A1 (de) Halbleiter-Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
WO2005006462A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur strukturierung von organischen schichten
EP2027615A1 (de) Bauelement mit einer strukturierten schicht auf einem trägersubstrat
DE102005033756A1 (de) Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauteilen aus zwei mehrlagigen Ausgangsstrukturen
DE10356675A1 (de) Elektrodenanordnung
EP3170210A2 (de) Verfahren zur herstellung eines organischen halbleiterbauteils und organisches halbleiterbauteil

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20080313

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: KNOBLOCH, ALEXANDER

Inventor name: ULLMANN, ANDREAS

Inventor name: WELKER, MERLIN

Inventor name: FIX, WALTER

17Q First examination report despatched

Effective date: 20080717

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20150313