DE69925893T2 - Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte Download PDF

Info

Publication number
DE69925893T2
DE69925893T2 DE69925893T DE69925893T DE69925893T2 DE 69925893 T2 DE69925893 T2 DE 69925893T2 DE 69925893 T DE69925893 T DE 69925893T DE 69925893 T DE69925893 T DE 69925893T DE 69925893 T2 DE69925893 T2 DE 69925893T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
metal layer
double
polyimide
sided flexible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69925893T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69925893D1 (de
Inventor
Hideyuki Kanuma-shi Kurita
Masanao Kanuma-shi Watanabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Sony Chemicals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Chemicals Corp filed Critical Sony Chemicals Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69925893D1 publication Critical patent/DE69925893D1/de
Publication of DE69925893T2 publication Critical patent/DE69925893T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1105—Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Bereich der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte unter Verwendung einer isolierenden Polyimidschicht.
  • 2. Stand der Technik
  • Die folgenden Platinen werden allgemein als herkömmliche auf Polyimid beruhende doppelseitige flexible Leiterplatten verwendet: (i) Platinen, welche eine Kupferfolie, ein thermoplastisches Polyimidhaftmittel, einen nicht thermoplastischen Polyimidfilm und ein thermoplastisches Polyimidhaftmittel und Kupferfolie umfassen; (ii) Platinen, welche eine Kupferfolie, eine thermoplastische Polyimidhaftmittelschicht und eine andere Kupferfolie umfassen, wobei Platinen nach (i) und (ii) durch Hochtemperaturpressen, Wärmelamination oder dergleichen zu geschichteten Strukturen hergestellt werden, und Platinen nach (iii) durch Techniken hergestellt werden, in denen ein nicht thermoplastisches Polyimid auf eine Kupferfolie gegossen und dann eine Kupferschicht durch Sputtern gebildet wird, gefolgt von elektrolytischem Plattieren auf dem nicht thermoplastischen Polyimid, wodurch eine geschichtete Struktur erreicht wird, welche eine Kupferfolie, einen nicht thermoplastischen Polyimidfilm und eine Kupferschicht umfaßt, welche aus einem gesputterten Kupferdünnfilm und einem darauf gebildeten elektrolytisch plattierten Kupferfilm besteht.
  • Die doppelseitigen flexiblen Leiterplatten in (i) sind jedoch nachteilig, da sie eine unzureichende Wärmebeständigkeit aufgrund der thermoplastischen Natur des Haftmittels aufweisen. Die doppelseitigen flexiblen Leiterplatten in (ii) sind nachteilig, weil ihre Wärmebeständigkeit aufgrund der thermoplastischen Natur der Haftmittelschicht unzureichend ist, und weil ihre dimensionale Stabilität aufgrund von Schrumpfung unzureichend ist, die während des Aufheizens auftritt. Die doppelseitigen flexiblen Leiterplatten in (iii) sind nachteilig, weil die elektrolytisch plattierte Kupferschicht, welche einen gesputterten Kupferdünnfilm auf dem nicht thermoplastischen Polyimidfilm enthält, eine relativ niedrige Festigkeit gegenüber Ablösung, und nicht zufriedenstellende Zuverlässigkeit und unterlegene Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum unter Bedingungen von Aufheizen und Luftfeuchtigkeit aufweist.
  • Um diese Nachteile zu überwinden, wurde kürzlich vorgeschlagen, zum Beispiel in JP-A-01053591, doppelseitige flexible Leiterplatten zu verwenden (Metallfolie/Polyimid/Metallfolie), welche durch ein Verfahren hergestellt werden, in welchem eine hochgradig benetzbarer Polyamidsäurelack auf jede der zwei Metallfolien aufgetragen und getrocknet wird, so daß sich zwei Laminate ergeben (wovon jedes eine solche Polyamidsäureschicht enthält). In jeder Metallfolie wird ein Muster gebildet und die Polyamidsäureschichten werden imidiert, während sie unter Bedingungen von hoher Temperatur und Druck laminiert werden, so daß eine isolierende Polyimidschicht gebildet wird (japanisches Patent Nr. 2746643). Solche doppelseitigen flexiblen Leiterplatten weisen exzellente Wärmebeständigkeit und dimensionale Stabilität auf, entwickeln angemessene Haftung zwischen der Polyimidschicht und der Metallfolie auf beiden Seiten und besitzen über einen langen Zeitraum gute Alterungseigenschaften.
  • Wenn jedoch die Polyamidsäureschichten miteinander unter Bedingungen von hoher Temperatur und Druck, gefolgt vom Bilden eines Musters in der Metallfolie laminiert werden, besteht die Gefahr, daß die während der Imidierung erzeugte Feuchtigkeit die Metallfolie korrodieren wird, ohne aus der Polyimidschicht verdampft zu werden. Ein anderer Nachteil ist, daß solches doppelseitiges Bilden eines Musters die Handhabung beeinträchtigt und zu einer verringerten Herstellungseffizienz führt. Ein anderer Nachteil ist die Notwendigkeit, eine hohe positionelle Genauigkeit für die Lamination zur Verfügung zu stellen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung, welche abgeschlossen wurde, um die zuvor beschriebenen Nachteile des Standes der Technik zu überwinden, ist es, eine doppelseitige flexible Leiterplatte zur Verfügung zu stellen, die exzellente Wärmebeständigkeit und dimensionale Stabilität aufweist, angemessene Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum besitzt und Haftung zwischen der Polyimidschicht und den Metallschichten auf ihren beiden Seiten aufweist, ohne die Probleme, welche mit der Korrosion der Metallschichten durch die während der Imidierung erzeugte Feuchtigkeit zusammenhängen, das aufgrund seiner exzellenten Handhabung leicht herzustellen ist, und ohne die Probleme, welche mit der positionellen Genauigkeit zusammenhängen.
  • Die Erfinder haben die vorliegende Erfindung vollendet, nachdem sie die folgende Entdeckung unter Bezug auf ein Laminat gemacht haben, das so konfiguriert war, daß eine Polyamidsäureschicht oder eine andere Polyimidvorläuferschicht zwischen zwei Metallschichten kernverbunden war, wenn die Polyimidvorläuferschicht imidiert wurde, nachdem in der Metallschicht auf einer Seite ein Muster gebildet wurde: (I) die während der Imidierung erzeugte Feuchtigkeit verdampft durch die mit einem Muster versehene Metallschicht, was es möglich macht, die Metallschicht vor dem Korrodieren durch die während der Imidierung erzeugte Feuchtigkeit zu bewahren, (II) angemessene Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum können erhalten werden, weil die isolierende Polyimidschicht, welche durch die Imidierung erhalten wurde, exzellente Wärmebeständigkeit und dimensionale Stabilität aufweist und gut auf beiden Seiten an den Metallschichten haftet, und (III) eine exzellente Handhabung wird erreicht, weil das Bilden eines Musters während der Imidierung nicht auf einer Seite der Metallschichten durchgeführt wird, so daß die Herstellung erleichtert wird und es keine Notwendigkeit gibt, eine übermäßig hohe Positionierungsgenauigkeit für die Lamination sicherzustellen.
  • Im speziellen stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte zur Verfügung, welches die folgenden Schritte umfaßt:
    • (a) Bilden einer Polyimidvorläuferschicht auf einer ersten Metallschicht;
    • (b) Bilden einer zweiten Metallschicht auf der Polyimidvorläuferschicht;
    • (c) Bilden eines Musters in der zweiten Metallschicht durch eine Subtraktiv-Technik, so daß eine zweite Schaltkreisschicht gebildet wird, oder
    • (c') Bilden eines Musters in der ersten Metallschicht durch eine Subtraktiv-Technik, so daß eine erste Schaltkreisschicht gebildet wird; und
    • (d) Imidieren der teilweise offenliegenden Polyimidvorläuferschicht, so daß eine isolierende Polyimidschicht gebildet wird.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ebenso ein Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte zur Verfügung, welche die folgenden Schritte umfaßt:
    • (A) Bilden einer Polyimidvorläuferschicht auf einer Metallschicht;
    • (B) Bilden einer oberen Schaltkreisschicht auf der Polyimidvorläuferschicht durch eine Semiadditiv-Technik; und
    • (C) Imidieren der teilweise offenliegenden Polyimidvorläuferschicht, so daß eine isolierende Polyimidschicht gebildet wird.
  • Andere Ziele und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden Offenbarung beschrieben oder werden daraus deutlich.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die 1A bis 1M' sind graphische Darstellungen, welche die Schritte darstellen, die in die Herstellung der doppelseitigen flexiblen Leiterplatte der vorliegenden Erfindung einbezogen sind.
  • Die 2A bis 2M sind graphische Darstellungen, welche die Schritte darstellen, die in die Herstellung der doppelseitigen flexiblen Leiterplatte der vorliegenden Erfindung einbezogen sind.
  • DETAILLIERTE ERKLÄRUNG DER ERFINDUNG
  • Eine detaillierte schrittweise Erklärung der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezug auf die Zeichnungen gegeben.
  • Die 1A bis 1M' stellen ein Beispiel dar, in welchem eine obere Schaltkreisschicht durch eine Subtraktiv-Technik vor der Imidierung gebildet wird. Die 2A bis 2M stellen ein Beispiel dar, in welchem die obere Schaltkreisschicht durch eine Semiadditiv-Technik vor der Imidierung gebildet wird. Die Ausführungsform in den 1A bis 1M' wird zuerst beschrieben.
  • Schritt (a)
  • Eine Polyimidvorläuferschicht 2 wird auf einer ersten Metallschicht 1 gebildet (1A).
  • Im speziellen wird ein Polyimidvorläuferlack, der durch Lösen einer Polyamidsäure oder eines anderen Polyimidvorläufers in N-Methyl-2-pyrrolidon oder dergleichen erhalten wurde, unter Zuhilfenahme eines Streichbeschichters, Rakelbeschichters, Rollbeschichters, Lippenbeschichters, Gießbeschichters oder dergleichen auf eine Seite einer Kupferfolie oder eines anderen Typs der ersten Metallschicht 1 aufgetragen. Die aufgetragene Schicht wird allgemein durch Erhitzen auf 150 bis 200°C in solch einer Art und Weise getrocknet, daß der Gehalt an verbleibenden flüchtigen Fraktionen (Gewichtsprozent von allen flüchtigen Komponenten (Lösungsmittel, durch Kondensation erzeugtes Wasser, und dergleichen) in der Polyimidvorläuferschicht) auf einen Bereich von 30 bis 50 Gewichtsprozent begrenzt wird, um eine Abnahme der Haftfestigkeit zwischen den Schichten zu verhindern oder ein Aufschäumen in den nachfolgenden Schichten zu unterbinden. Eine Polyimidvorläuferschicht 2 wird auf diese Weise hergestellt.
  • Ein Teil der Polyimidvorläuferschicht imidiert in dem Trocknungsschritt, aber die Bedingungen sollten so eingestellt sein, daß das Imidierungsverhältnis der getrockneten Polyimidvorläuferschicht 2 50% nicht übersteigt. Bei 50% oder weniger kann die Polyimidvorläuferschicht 2 durch Photolithographie in einer durchdachten, hochgradig genauen und kostengünstigen Art und Weise mit der Hilfe einer alkalischen Ätzlösung mit einem Muster versehen werden.
  • Wenn die Dicke der Polyimidvorläuferschicht 2 übermäßig dünn ist, zeigt sie niedrige mechanische Festigkeit und ist als Isolierschicht wenig zuverlässig. Wenn die Schicht übermäßig dick ist, ist es schwieriger, die Leitfähigkeit zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht sicherzustellen.
  • Um ein Verdrehen der doppelseitigen flexiblen Leiterplatte zu verhindern, sollte das Material, welches für die Polyimidvorläuferkomponente der Polyimidvorläuferschicht 2 verwendet wird, bevorzugt so beschaffen sein, daß der Koeffizient der linearen thermischen Ausdehnung des imidierten Polyimids im wesentlichen der gleiche ist, wie der Koeffizient der linearen thermischen Ausdehnung der ersten Metallschicht 1, welche unter den Bedingungen der Imidierung ausgelagert wurde.
  • Die folgenden Materialien können für den Polyimidvorläufer verwendet werden: Polyamidsäuren, welche von Säuredianhydriden und Diaminen erhalten wurden (siehe offengelegte japanische Patentanmeldungen Nr. SHO60-157286, SHO60-243120, SHO63-239998, HEI1-245586, HEI3-123093 und HEI5-139027) und teilweise imidierte Polyimidamidsäuren, welche aus Diisocyanatverbindungen und Polyamidsäure-Vorläuferpolymeren erhalten wurde, welche endständige Säuredianhydride aufweisen, und welche aus einem Überschuß an Säuredianhydriden und Diaminen synthetisiert wurden (siehe „Polyamidharz-Handbuch" „Polyamide Resin Handbook", veröffentlicht von Nikkan Kogyo Shinbunsha, S. 536, 1988; Kobunshi Toronshu, 47 (6), 1990). Von diesen können Polyamidsäuren, welche aus Säuredianhydriden und Diaminen erhalten wurden, vorteilhafterweise verwendet werden.
  • Bevorzugte Beispiele von Säuredianhydriden schließen Pyromellitsäuredianhydrid (PMDA), 3,4,3',4'-Biphenyltetracarbonylsäuredianhydrid (BPDA), 3,4,3',4'-Benzophenontetracarbonylsäuredianhydrid (BTDA), und 3,4,3',4'-Diphenylsulfontetracarbonylsäuredianhydrid (DSDA) ein. Bevorzugte Beispiele der Diamine schließen 4,4'-Diaminodiphenylether (DPE), Paraphenylendiamin (PDA), 4,4'-Diaminobenzanilid (DABA) und 4,4'-Bis(p-aminophenoxy)diphenylsulfon (BAPS) ein.
  • Die gleichen Materialien wie diese, die in herkömmlichen flexiblen Leiterplatten verwendet werden, können für die erste Metallschicht 1 verwendet werden. Beispiele davon schließen elektrolytische Kupferfolie, SUS 304 Folie, SUS 430 Folie, Aluminiumfolie, Berylliumfolie und Phosphorbronzefolie ein.
  • Die Dicke der ersten Metallschicht ist allgemein 8 bis 35 μm.
  • Schritt (b)
  • Eine zweite Metallschicht 3, welche identisch mit der ersten Metallschicht 1 ist, wird nachfolgend auf der Polyimidvorläuferschicht 2 gebildet (1B).
  • Im speziellen sollte die elektrolytische Kupferfolie oder ein anderer Typ von Metallfolie als zweite Metallschicht 3 auf die Polyimidvorläuferschicht 2 mit Hilfe von Heißpressen, Rollamination oder dergleichen laminiert sein. Alternativ kann ein Dünnfilm aus Kupfer oder einem anderen Metall durch Sputtern auf die Polyimidvorläuferschicht 2 laminiert werden. Eine plattierte Metallschicht von elektrolytischem Kupfer oder dergleichen kann obenauf laminiert werden, so daß eine zweite Metallschicht 3 gebildet wird.
  • Schritt (c)
  • In der zweiten Metallschicht 3 wird nachfolgend durch eine Subtraktiv-Technik ein Muster gebildet, welche die Verwendung eines photolithographischen Verfahrens einbezieht, das die Durchführung der Musterbildung mit feiner und präziser Ausrichtung ermöglicht, was zu einer zweiten Schaltkreisschicht 3a führt (1C). Im speziellen kann das folgende Vorgehen angewendet werden. Die Oberfläche der ersten Metallschicht 1 wird mit einem Schutzfilm bedeckt (bevorzugt ein leicht ablösbares, leicht haftendes Klebeband). Eine Widerstandsschicht für ein Leiterschaltkreismuster wird dann auf der zweiten Metallschicht 3 gebildet. Die zweite Metallschicht 3 wird mit einer wässrigen Kupferchlorid-Lösung oder einer anderen Ätzlösung geätzt, so daß eine zweite Schaltkreisschicht 3a gebildet wird. Die Widerstandsschicht für das Leiter-/Schaltkreismuster und der Schutzfilm werden dann abgezogen.
  • Schritt (c')
  • Obwohl in der zweiten Metallschicht 3 in Schritt (c) ein Muster gebildet wurde, kann in der ersten Metallschicht 1 ebenso ein Muster gebildet werden. Spezifischer ausgedrückt wird in der ersten Metallschicht 1 durch eine Subtraktiv-Technik ein Muster gebildet, welche auf der Verwendung von Photolithographie beruht, was zu einer ersten Schaltkreisschicht 1a führt (1C'). Im speziellen kann das folgende Vorgehen angewendet werden. Die Oberfläche der zweiten Metallschicht 3 wird mit einem Schutzfilm bedeckt (bevorzugt ein leicht ablösbares, leicht haftendes Klebeband). Eine Widerstandsschicht für ein Leiter-/Schaltkreismuster wird dann auf der ersten Metallschicht 1 gebildet. Die erste Metallschicht 1 wird mit einer wässrigen Kupferchlorid-Lösung oder einer anderen Ätzlösung geätzt, so daß eine erste Schaltkreisschicht 1a gebildet wird. Die Widerstandsschicht für das Leiter-/Schaltkreismuster und der Schutzfilm werden dann abgezogen.
  • Schritt (d)
  • Die Polyimidvorläuferschicht 2 wird nachfolgend imidiert, was zu einer isolierenden Polyimidschicht 2a führt. Die doppelseitige flexible Leiterplatte, welche in 1D gezeigt wird, wird auf diese Weise erhalten. Die Bedingungen der Imidierung können experimentell in einer angemessenen Art und Weise in Übereinstimmung mit dem Typ des Polyimidvorläufers oder dergleichen eingestellt werden. Das folgende schrittweise Erhitzen kann zum Beispiel in einer Stickstoffgas-Atmosphäre bei Atmosphärendruck durchgeführt werden: 30 Minuten bei 160°C, 30 Minuten bei 180°C, 30 Minuten bei 250°C und 30 Minuten bei 300°C.
  • Feuchtigkeit wird durch die Dehydrierungsreaktion in der isolierenden Polyimidschicht 2a während der Imidierung in Schritt (d) erzeugt. Die Feuchtigkeit kann abdampfen, weil in einer der zwei Metallschichten zum Kernverbinden der isolierenden Polyimidschicht 2a in Schritt (c) (oder Schritt (c')) schon ein Muster gebildet wurde, was die isolierende Polyimidschicht teilweise freilegt.
  • Schritte wie jener, der nachstehend beschrieben wird, können bevorzugt weiter für die auf diese Weise erhaltene doppelseitige flexible Leiterplatte durchgeführt werden (die Leiterplatte wird in 1D gezeigt).
  • Schritt (e)
  • In der nicht mit einem Muster versehenen ersten Metallschicht 1 oder zweiten Metallschicht 3 wird mit einer Subtraktiv-Technik ein Muster gebildet, so daß eine erste Schaltkreisschicht 1a oder eine zweite Schaltkreisschicht 3a gebildet werden (1E). Eine doppelseitige flexible Verdrahtungs-Leiterplatte mit auf beiden Seiten mit einem Muster versehenen Metallschichten wird auf diese Weise erhalten.
  • Schritt (f)
  • Überzugsschichten 4 werden durch ein herkömmliches Verfahren zum Schutz auf der ersten Schaltkreisschicht 1a und der zweiten Schaltkreisschicht 3a gebildet (1F).
  • Die Schaltkreise auf der Vorderseite und auf der Rückseite der isolierenden Polyimidschicht 2a können miteinander durch Ausführung des nachstehend beschriebenen Schrittes (m) zwischen Schritt (b) und Schritt (c) oder (c') gebildet werden. Oder sie können durch Durchführen des nachstehend beschriebenen Schrittes (m') nachfolgend zu Schritt (d) durchgeführt werden.
  • Schritt (m)
  • Ein durchgehendes Loch Th zum Sicherstellen der Leitfähigkeit zwischen der ersten Metallschicht 1 und der zweiten Metallschicht 3 wird zwischen Schritt (b) und Schritt (c) oder (c') in Übereinstimmung mit einer herkömmlichen Technik gebildet (1M).
  • Schritt (m')
  • Ein durchgehendes Loch Th zum Sicherstellen der Leitfähigkeit zwischen der ersten Metallschicht 1 und der zweiten Schaltkreisschicht 3a oder zwischen der zweiten Metallschicht 3 und der ersten Schaltkreisschicht 1a wird nachfolgend zu Schritt (d) in Übereinstimmung mit einer herkömmlichen Technik gebildet (1M').
  • Die Ausführungsform in den 2A bis 2M wird nun beschrieben.
  • Schritt (A)
  • Eine Polyimidvorläuferschicht 22 wird auf einer Metallschicht 21 (2A) in der gleichen Art und Weise wie in Schritt (a) der Ausführungsform in den 1A bis 1M' gebildet.
  • Schritt (B)
  • Eine obere Schaltkreisschicht 23 wird durch eine Semiadditiv-Technik auf der Polyimidvorläuferschicht 22 gebildet (2B). Im speziellen kann die folgende Vorgehensweise angewendet werden. Ein Schutzfilm wird über die Oberfläche der Metallschicht 21 geklebt. Ein dünner Film aus Kupfer oder dergleichen wird durch Sputtern auf die Polyimidvorläuferschicht 22 laminiert. Eine Widerstandsschicht für ein Leiter-/Schaltkreismuster wird auf dem dünnen Film gebildet. Eine plattierte Metallschicht von Kupfer oder dergleichen wird dann durch Elektroplattieren laminiert. Die Widerstandsschicht für das Leiter-/Schaltkreismuster wird nachfolgend durch eine herkömmliche Technik abgezogen. Eine obere Schaltkreisschicht 23 wird durch leichtes Ätzen gebildet. Der Schutzfilm wird dann abgezogen.
  • Schritt (C)
  • Die Polyimidvorläuferschicht 22 wird in der gleichen Art und Weise wie in Schritt (d) der Ausführungsform in den 1A bis 1M' imidiert, was zu einer isolierenden Polyimidschicht 22a führt. Die doppelseitige flexible Leiterplatte, wie sie in 2C gezeigt wird, wird auf diese Weise erhalten.
  • Feuchtigkeit wird durch die Dehydrierungsreaktion während der Imidierung in Schritt (C) in der isolierenden Polyimidschicht 22a erzeugt. Diese Feuchtigkeit kann abdampfen, weil in Schritt (B) eine mit einem Muster versehene obere Schaltkreisschicht 23 auf der isolierenden Polyimidschicht 22a gebildet wurde, welche die isolierende Polyimidschicht 22a teilweise freilegt.
  • Schritte wie jene, die nachstehend beschrieben werden, sollten bevorzugt weiter auf der auf diese Weise erhaltenen doppelseitigen flexiblen Leiterplatte durchgeführt werden (die Leiterplatte wird in 2C gezeigt).
  • Schritt (D)
  • In der Metallschicht 21 wird durch eine Subtraktiv-Technik in der gleichen Art und Weise wie in Schritt (e) der Ausführungsform in den 1A bis 1M' ein Muster gebildet, was zu einer unteren Schaltkreisschicht 21a führt. Die doppelseitige flexible Verdrahtungs- Leiterplatte, wie es in 2D gezeigt wird, wird auf diese Weise erhalten.
  • Schritt (E)
  • Überzugsschichten 24 werden auf der oberen Schaltkreisschicht 23 und der unteren Schaltkreisschicht 21a (2E) in der gleichen Art und Weise wie in Schritt (f) der Ausführungsform in den 1A bis 1M' gebildet.
  • Die Schaltkreise auf der Vorderseite und auf der Rückseite der isolierenden Polyimidschicht 22a können miteinander durch Ausführung des nachstehend beschriebenen Schritts (M) zwischen dem Schritt (B) und dem Schritt (C) oder nachfolgend zu Schritt (C) verbunden werden.
  • Schritt (M)
  • Ein durchgehendes Loch Th zum Sicherstellen der Leitfähigkeit zwischen der Metallschicht 21 und der oberen Schaltkreisschicht 23 wird zwischen Schritt (B) und Schritt (C) oder nachfolgend zu Schritt (C) gebildet (2M).
  • Die doppelseitige flexible Leiterplatte, die auf diese Art und Weise erhalten wurde, zeigt Widerstand gegenüber Korrosion, weist exzellente Wärmebeständigkeit und dimensionale Stabilität auf, besitzt exzellente Haftung zwischen den Schichten, zeigt angemessene Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum und kann daher als doppelseitige flexible Leiterplatte für verschiedene Typen von elektronischen Einrichtungen verwendet werden.
  • BEISPIELE
  • Die vorliegende Erfindung wird nun im Detail beschrieben.
  • Bezugsbeispiel
  • Paraphenylendiamin (PDA, hergestellt von Mitsui Chemical) und 4,4'-Diaminodiphenylether (DPE, hergestellt von Wakayama Seika) wurden jeweils in Mengen von 1,05 kg (11,2 Mol) und 0,86 kg (4,8 Mol) in etwa 45 kg des Lösungsmittels N-Methylpyrrolidon (NMP, hergestellt von Mitsubishi Chemical) unter Stickstoffgas-Atmosphäre in einem 60-Liter Reaktionskessel gelöst, welcher mit einem Kontrollgerät für die Temperatur und einem Mantel versehen war. Pyromellitsäuredianhydrid (PMDA, hergestellt von Mitsubishi Gas Chemical) wurde dann graduell in einer Menge von 3,523 kg (16,14 Mol) bei 50°C zugegeben. Eine Reaktion wurde für 3 Stunden ermöglicht. Ein Polyamidsäurelack mit einem Feststoffgehalt von etwa 12% und einer Viskosität von 25 Pa·s (25°C) wurde auf diese Art und Weise erhalten.
  • Arbeitsbeispiel 1
  • Eine Kupferfolie für die untere Schicht mit einer Dicke von 12 μm wurde mit dem Polyamidsäurelack beschichtet, welcher in dem Bezugsbeispiel erhalten wurde. Das Lösungsmittel wurde in einen kontinuierlichen Ofen bei 80 bis 170°C verdampft, was zu einer Polyamidsäureschicht als Polyimidvorläuferschicht führte.
  • Eine Kupferfolie für die obere Schicht mit einer Dicke von 12 μm wurde nachfolgend über die Polyamidsäureschicht gelegt und darauf mit Thermokompression unter Verwendung einer Vakuum-Heißpresse bei 140°C (Oberflächendruck: 70 kg/cm2) gebunden.
  • Die Oberfläche der Kupferfolie für die untere Schicht wurde nachfolgend mit einem Schutzfilm beschichtet. Eine Widerstandsschicht für ein Leiter-/Schaltkreismuster wurde dann auf der Kupferfolie für die obere Schicht gebildet. Die Kupferfolie für die obere Schicht wurde mit einer wässrigen Kupferchlorid-Lösung oder einer anderen Ätzlösung geätzt, was zu einer oberen Schaltkreisschicht führte. Die Widerstandsschicht für die Leiter-/Schaltkreismuster und der Schutzfilm wurden dann abgezogen.
  • Das Laminat, welches eine Kupferfolie für die untere Schicht, eine Polyamidsäureschicht und eine obere Schaltkreisschicht aufweist, wurde nachfolgend in ein Gerät zur Wärmebehandlung eingeführt. Die Temperatur der Atmosphäre im Inneren des Geräts wurde auf 230 bis 350°C angehoben und das Laminat für 30 Minuten bei 350°C imidiert, so daß die Polyamidsäureschicht in eine isolierende Polyimidschicht umgewandelt wurde. Eine doppelseitige flexible Leiterplatte wurde auf diese Art und Weise erhalten.
  • In der Kupferfolie für die untere Schicht der sich ergebenden doppelseitigen flexiblen Leiterplatte wurde in der gleichen Art und Weise wie die Kupferfolie für die obere Schicht ein Muster gebildet, was zu einer unteren Schaltkreisschicht führte. Eine doppelseitige flexible Verdrahtungs-Leiterplatte wurde nachfolgend durch Bilden einer Polyimid-Überzugsschicht (UR-5480, hergestellt von Toray) auf der oberen Schaltkreisschicht und der unteren Schaltkreisschicht erhalten.
  • Die sich ergebende doppelseitige flexible Verdrahtungs-Leiterplatte wurde im Hinblick auf ihre Wärmebeständigkeit, dimensionale Stabilität, Haftung und Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum in der Art und Weise geprüft und ausgewertet, wie nachstehend beschrieben wird.
  • Wärmebeständigkeit
  • Die doppelseitige flexible Verdrahtungs-Leiterplatte des Arbeitsbeispiels 1 wurde in eine vorbestimmte Form geschnitten und für 60 Sekunden in ein Lötbad mit 230°C eingetaucht. Die Art und Weise, in welcher die Verdrahtungs-Leiterplatte beeinflußt wurde, wurde analysiert. Die Verdrahtungs-Leiterplatte des Arbeitsbeispiels 1 schwoll nicht an und es wurde kein Abschälen des Musters beobachtet. Diese Ergebnisse wiesen darauf hin, daß der Feuchtigkeitsgehalt der isolierenden Polyimidschicht verringert worden war.
  • Dimensionale Stabilität
  • Ein Quadrat mit einer Seitenlänge von 10 cm wurde aus der doppelseitigen flexiblen Verdrahtungs-Leiterplatte des Arbeitsbeispiels 1 herausgeschnitten und auf einem horizontalen Träger plaziert. Der Grad der Deformation der Verdrahtungs-Leiterplatte wurde gemessen. Die Deformation war niedrig (5 mm oder weniger).
  • Haftung
  • Die Haftfestigkeit zwischen der isolierenden Polyimidschicht und der Kupferfolie der doppelseitigen flexiblen Verdrahtungs-Leiterplatte in Arbeitsbeispiel 1 wurde mit der Abziehfestigkeits-Prüfung bei 90° gemessen. Die Abziehfestigkeit wurde als hoch festgestellt (1,2 kg/cm).
  • Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum
    • (1) Die doppelseitige flexible Verdrahtungs-Leiterplatte wurde nach 240 Stunden in einem Ofen mit 150°C herausgenommen und die Abziehfestigkeit zwischen der isolierenden Polyimidschicht und der Kupferfolie der Leiterplatte durch die Abziehfestigkeits-Prüfung bei 90° gemessen. Als Ergebnis wurde gefunden, daß die Abziehfestigkeit nicht verringert wurde (1,0 kg/cm).
    • (2) Die Leiterplatte wurde aus einem Thermostat, in dem eine Temperatur von 40°C und eine Feuchtigkeit von 90% herrschte, herausgenommen und dann der Isolationswiderstand gemessen (durch das Verfahren, welches in JIS C 6471 beschrieben wird). Der Isolationswiderstand wurde mit 1,0 × 1012 festgestellt, was anzeigt, daß die Isolationseigenschaften für eine Verdrahtungs-Leiterplatte angemessen waren.
  • Arbeitsbeispiel 2
  • Eine Kupferfolie für eine untere Schicht mit einer Dicke von 12 μm wurde mit dem Polyamidsäurelack beschichtet, welcher in dem Bezugsbeispiel erhalten wurde. Das Lösungsmittel wurde in einem kontinuierlichen Ofen bei 80 bis 170°C verdampft, was zu einer Polyamidsäureschicht als Polyimidvorläuferschicht führte.
  • Eine obere Schaltkreisschicht wurde nachfolgend durch eine Semiadditiv-Technik auf die Polyamidsäureschicht gebildet. Im speziellen wurde ein Schutzfilm über der Oberfläche der Kupferfolie für die untere Schicht aufgetragen. Eine Nickelschicht wurde durch Sputtern in einer Dicke von etwa 20 nm (200 Å) auf der Polyamidsäureschicht abgeschieden. Eine Kupferschicht wurde darauf in einer Dicke von etwa 100 nm (1000 Å) abgeschieden. Eine Widerstandsschicht für ein Leiter-/Schaltkreismuster wurde auf dem dünnen Film gebildet. Eine elektrolytische plattierte Kupferschicht wurde in einer Dicke von 18 μm durch Elektroplattieren abgeschieden und die Widerstandsschicht für das Leiter-/Schaltkreismuster wurde nachfolgend abgezogen. Eine obere Schaltkreisschicht 23 wurde dann durch Aussetzen der gesamten Oberfläche gegenüber einem sanften Ätzen mit einer gemischten Lösung von Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure gebildet. Der Schutzfilm wurde dann abgezogen.
  • Das Laminat, welches eine Kupferfolie für die untere Schicht, eine Polyamidsäureschicht, und eine obere Schaltkreisschicht aufwies, wurde nachfolgend in ein Gerät zur Wärmebehandlung eingeführt. Die Temperatur der Atmosphäre im Inneren des Gerätes wurde auf 230 bis 350°C angehoben und das Laminat für 30 Minuten bei 350°C imidiert, um die Polyamidsäureschicht in eine isolierende Polyimidschicht umzuwandeln. Eine doppelseitige flexible Leiterplatte wurde auf diese Art und Weise erhalten.
  • In der Kupferfolie für die untere Schicht der sich ergebenden doppelseitigen flexiblen Leiterplatte wurde in der selben Art und Weise wie für die Kupferfolie für die obere Schicht ein Muster gebildet, was zu einer unteren Schaltkreisschicht führte. Eine doppelseitige flexible Verdrahtungs-Leiterplatte wurde nachfolgend durch Bilden von Polyimid-Überzugsschichten (UR-5480, hergestellt von Toray) auf der oberen Schaltkreisschicht und der unteren Schaltkreisschicht erhalten.
  • Die sich ergebende doppelseitige flexible Verdrahtungs-Leiterplatte wurde im Hinblick auf ihre Wärmebeständigkeit, dimensionale Stabilität, Haftung und Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum in der selben Art und Weise wie in Arbeitsbeispiel 1 geprüft und ausgewertet.
  • Wärmebeständigkeit
  • Die Art und Weise, in welcher die Verdrahtungs-Leiterplatte beeinflußt wurde, wurde mit dem selben Verfahren wie in Arbeitsbeispiel 1 mit der Ausnahme analysiert, daß die Temperatur des Lötbades auf 300°C festgesetzt wurde. Die Verdrahtungs-Leiterplatte des Arbeitsbeispiels 3 schwoll nicht an und es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Diese Ergebnisse wiesen darauf hin, daß der Feuchtigkeitsgehalt der isolierenden Polyimidschicht verringert worden war.
  • Dimensionale Stabilität
  • Bei der Messung mit dem gleichen Verfahren wie in Arbeitsbeispiel 1 wurde die Deformation als niedrig festgestellt (5 mm oder weniger).
  • Haftung
  • Beim Messen mit dem gleichen Verfahren wie in Arbeitsbeispiel 1 wurde die Ablösefestigkeit mit 0,8 kg/cm festgestellt, was unter praktischen Gesichtspunkten angemessen ist.
  • Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum
  • Messungen wurden in der gleichen Art und Weise wie in Arbeitsbeispiel 1 durchgeführt und die gleichen Ergebnisse wurden erhalten.
  • Arbeitsbeispiel 3
  • Eine Kupferfolie für die untere Schicht mit einer Dicke von 12 μm wurde mit dem Polyamidsäurelack beschichtet, welcher in dem Bezugsbeispiel erhalten wurde. Das Lösungsmittel wurde in einem kontinuierlichen Ofen bei 80 bis 170°C verdampft, was zu einer Polyamidsäureschicht als Polyimidvorläuferschicht führte.
  • Eine Kupferfolie für die obere Schicht mit einer Dicke von 12 μm wurde nachfolgend über die Polyamidsäureschicht gelegt und mit Thermokompression unter Verwendung von Preßwalzen mit 200°C (Oberflächendruck: 60 kg/cm2) darauf gebunden.
  • Durchgehende Löcher, welche als Via's dienen, wurden mit Hilfe eines NC Bohrers in dem sich ergebenden Laminat gebildet, welches eine Kupferfolie für die obere Schicht, eine Polyamidsäureschicht und eine Kupferfolie für die untere Schicht umfaßt. Eine Kupferschicht wurde auf den Innenwänden der durchgehenden Löcher durch ein herkömmliches Verfahren gebildet, so daß Leitfähigkeit zwischen der Kupferfolie für die obere Schicht und der Kupferfolie für die untere Schicht hergestellt wurde.
  • Die Oberfläche der Kupferfolie für die untere Schicht wurde nachfolgend mit einem Schutzfilm beschichtet. Eine Widerstandsschicht für ein Leiter-/Schaltkreismuster wurde dann auf der Kupferfolie für die obere Schicht gebildet. Die Kupferfolie für die obere Schicht wurde mit einer wässrigen Kupferchlorid-Lösung oder einer anderen Ätzlösung geätzt, was zu einer oberen Schaltkreisschicht führte. Die Widerstandsschicht für das Leiter-/Schaltkreismuster und der Schutzfilm wurden dann abgezogen.
  • Das sich ergebende Laminat, welches eine Kupferfolie für die untere Schicht, eine Polyamidsäureschicht und eine obere Schaltkreisschicht aufwies, und in welcher Leitfähigkeit zwischen der Kupferfolie für die untere Schicht und der Kupferfolie für die obere Schicht mit Hilfe von durchgehenden Löchern hergestellt worden war, wurde nachfolgend in ein Gerät zur Wärmebehandlung eingeführt. Die Temperatur der Atmosphäre im Inneren des Geräts wurde auf 230 bis 350°C angehoben und das Laminat für 30 Minuten bei 350°C imidiert, um die Polyamidsäureschicht in eine isolierende Polyimidschicht umzuwandeln. Eine doppelseitige flexible Leiterplatte wurde auf diese Art und Weise erhalten.
  • In der Kupferfolie für die untere Schicht der sich ergebenden doppelseitigen flexiblen Leiterplatte wurde in der gleichen Art und Weise wie die Kupferfolie für die obere Schicht ein Muster gebildet, was zu einer unteren Schaltkreisschicht führte. Eine doppelseitige flexible Verdrahtungs-Leiterplatte wurde nachfolgend durch Bilden von Polyimid-Überzugsschichten (UR-5480, hergestellt von Toray) auf der oberen Schaltkreisschicht und der unteren Schaltkreisschicht erhalten. Alle diese Vorgänge wurden als Walze-zu-Walze Arbeitsschritte durchgeführt.
  • Die sich ergebende doppelseitige flexible Verdrahtungs-Leiterplatte wurde im Hinblick auf ihre Wärmebeständigkeit, dimensionale Stabilität, Haftung und Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum in der selben Art und Weise wie in Arbeitsbeispiel 1 geprüft und ausgewertet.
  • Wärmebeständigkeit
  • Die Art und Weise, in welcher die Verdrahtungs-Leiterplatte beeinflußt wurde, wurde in dem gleichen Verfahren wie in Arbeitsbeispiel 1 analysiert. Es wurde kein Anschwellen oder Ablösen des Musters beobachtet. Diese Ergebnisse ergaben einen Hinweis, daß der Feuchtigkeitsgehalt der isolierenden Polyimidschicht verringert worden war.
  • Dimensionale Stabilität
  • Beim Messen mit dem gleichen Verfahren wie in Arbeitsbeispiel 1 wurde die Deformation als niedrig befunden (5 mm oder weniger).
  • Haftung
  • Beim Messen mit dem gleichen Verfahren wie in Arbeitsbeispiel 1 wurde die Ablösefestigkeit als hoch befunden (1,2 kg/cm).
  • Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum
    • (1) Messungen wurden mit dem gleichen Verfahren wie in Arbeitsbeispiel 1 durchgeführt und es wurde gefunden, daß die Ablösefestigkeit nicht verringert wurde (1,0 kg/cm).
    • (2) Messungen wurden mit dem gleichen Verfahren wie in Arbeitsbeispiel 1 durchgeführt und der Wert wurde mit 1,0 × 1012 gefunden, was anzeigt, daß die Isoliereigenschaften für eine Verdrahtungs-Leiterplatte angemessen sind.
  • Gemäß des Herstellungsverfahrens der vorliegenden Erfindung wird die Polyimidvorläuferschicht imidiert, nachdem in der Metallschicht auf einer Seite ein Muster gebildet wurde, so daß die Feuchtigkeit, die während der Imidierung erzeugt wird, durch die mit dem Muster versehene Metallschicht abdampft, was es möglich macht, die Metallschicht vor der Korrosion durch die während der Imidierung erzeugte Feuchtigkeit zu schützen. Zusätzlich weist die doppelseitige flexible Leiterplatte angemessene Alterungseigenschaften über einen langen Zeitraum auf, weil die durch Imidierung erhaltene isolierende Polyimidschicht exzellente Wärmebeständigkeit und dimensionale Stabilität aufweist und gut an den Metallschichten auf beiden Seiten anhaftet. Darüber hinaus wird eine exzellente Handhabung erreicht, weil die Bildung eines Musters auf einer Seite der Metallschichten während der Imidierung nicht durchgeführt wird. Ein anderes Merkmal ist, daß die Positionierungsgenauigkeit zur Lamination nicht so hoch sein muß wie in dem japanischen Patent Nr. 2 746 643.
  • Eine doppelseitige flexible Leiterplatte wird durch die folgenden Schritte hergestellt:
    • (a) Bilden einer Polyimidvorläuferschicht 2 auf einer ersten Metallschicht 1;
    • (b) Bilden einer zweiten Metallschicht 3 auf der Polyimidvorläuferschicht 2;
    • (c) Bilden eines Musters in der zweiten Metallschicht 3, so daß eine zweite Schaltkreisschicht 3a gebildet wird, oder
    • (c') Bilden eines Musters in der ersten Metallschicht 1, so daß eine erste Schaltkreisschicht 1a gebildet wird; und
    • (d) Imidieren der Polyimidvorläuferschicht 2, so daß eine isolierende Polyimidschicht 2a gebildet wird.

Claims (5)

  1. Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte, welches folgende Schritte aufweist: (a) Bilden einer Polyimidvorläuferschicht (2) auf einer ersten Metallschicht (1); (b) Bilden einer zweiten Metallschicht (3) auf der Polyimidvorläuferschicht; (c) Bilden eines Musters in der zweiten Metallschicht durch eine Subtraktiv-Technik, so daß eine zweite Schaltkreisschicht gebildet wird, oder (c') Bilden eines Musters in der ersten Metallschicht durch eine Subtraktiv-Technik, so daß eine erste Schaltkreisschicht gebildet wird; und (d) Imidieren der teilweise offenliegenden Polyimidvorläuferschicht, so daß eine isolierende Polyimidschicht (2a) gebildet wird.
  2. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei Schritt (m), in welchem die Bildung eines durchgehenden Loches zum Sicherstellen der Leitfähigkeit zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht durchgeführt wird, zwischen Schritt (b) und Schritt (c) oder Schritt (c') ausgeführt wird.
  3. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei Schritt (m'), in welchem die Bildung eines durchgehenden Loches zum Sicherstellen der Leitfähigkeit zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Schaltkreisschicht oder zwischen der zweiten Metallschicht und der ersten Schaltkreisschicht durchgeführt wird, nachfolgend zu Schritt (d) ausgeführt wird.
  4. Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte, welches die folgenden Schritte umfaßt: (A) Bilden einer Polyimidvorläuferschicht (22) auf einer Metallschicht (21); (B) Bilden einer oberen Schaltkreisschicht (23) auf der Polyimidvorläuferschicht durch eine Semiadditiv-Technik; und (C) Imidieren der teilweise offenliegenden Polyimidvorläuferschicht, so daß eine isolierende Polyimidschicht (22a) gebildet wird.
  5. Das Verfahren nach Anspruch 4, wobei Schritt (M), in welchem die Bildung eines durchgehenden Loches zum Sicherstellen der Leitfähigkeit zwischen der Metallschicht und der oberen Schaltkreisschicht durchgeführt wird, zwischen Schritt (B) und Schritt (C) oder nachfolgend zu Schritt (C) ausgeführt wird.
DE69925893T 1998-12-28 1999-12-27 Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte Expired - Lifetime DE69925893T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37309298 1998-12-28
JP37309298A JP3565069B2 (ja) 1998-12-28 1998-12-28 両面フレキシブルプリント基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69925893D1 DE69925893D1 (de) 2005-07-28
DE69925893T2 true DE69925893T2 (de) 2006-05-11

Family

ID=18501566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69925893T Expired - Lifetime DE69925893T2 (de) 1998-12-28 1999-12-27 Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6705007B1 (de)
EP (1) EP1017258B1 (de)
JP (1) JP3565069B2 (de)
CN (1) CN1183812C (de)
DE (1) DE69925893T2 (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4696368B2 (ja) * 2001-02-09 2011-06-08 日立化成工業株式会社 半導体パッケージ用基板とその製造方法および半導体パッケージとその製造方法
TW595283B (en) * 2001-04-25 2004-06-21 Benq Corp Flexible circuit board and its manufacturing method
WO2002094558A1 (fr) * 2001-05-24 2002-11-28 Toray Industries, Inc. Film en en resine thermoresistant a couche metallique, et panneau de cablage, et procede de fabrication du film et du panneau
US6838184B2 (en) * 2002-03-22 2005-01-04 Ube Industries, Ltd. Aromatic polyimide film for electro-conductive sealing element of packaged semi-conductor device
KR20060126930A (ko) * 2003-09-10 2006-12-11 유니티카 가부시끼가이샤 플렉시블 프린트 배선판용 기판 및 그 제조방법
JP4584006B2 (ja) * 2005-04-12 2010-11-17 日本メクトロン株式会社 可撓性回路基板
JP2008041960A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Nissan Chem Ind Ltd 電子回路部品の製造方法
EP1961686B1 (de) 2007-02-20 2016-09-14 Iro Ab System zur Überwachung und Einstellung einer Garnspannung
CN101374383B (zh) * 2007-08-24 2010-06-09 富葵精密组件(深圳)有限公司 绝缘基膜、电路板基板及电路板
CN102009515B (zh) * 2010-07-21 2013-01-02 广东生益科技股份有限公司 二层法双面挠性覆铜板的制作方法及该二层法双面挠性覆铜板
CN102627856B (zh) * 2012-04-01 2015-01-07 云南云天化股份有限公司 高剥离强度柔性电路板的聚酰亚胺薄膜、制备方法及其电路板
DE102014217295A1 (de) * 2014-08-29 2016-03-03 Robert Bosch Gmbh Imagermodul für eine Fahrzeug-Kamera und Verfahren zu dessen Herstellung
CN113490344A (zh) * 2021-07-08 2021-10-08 江西柔顺科技有限公司 一种柔性线路板及其制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1765926A1 (de) 1968-08-09 1971-11-18 Ibm Deutschland Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltung
US4088545A (en) 1977-01-31 1978-05-09 Supnet Fred L Method of fabricating mask-over-copper printed circuit boards
DE2739494B2 (de) * 1977-08-30 1980-10-16 Fuba, Hans Kolbe & Co, 3202 Bad Salzuflen Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiterplatten
DE3121131C2 (de) 1981-05-27 1984-02-16 ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Verfahren zur Herstellung von mit Leiterbahnen versehenen Schaltungsplatten mit metallischen Durchkontaktierungen
JPS60157286A (ja) 1984-01-27 1985-08-17 株式会社日立製作所 フレキシブルプリント基板の製造方法
JPS60220163A (ja) 1984-04-13 1985-11-02 Taikisha Ltd 塗装用ブ−ス
JPS60243120A (ja) 1984-05-18 1985-12-03 Hitachi Ltd フレキシブルプリント基板の製造方法
JPS63239998A (ja) 1987-03-27 1988-10-05 新日鐵化学株式会社 配線材料の製造方法
JPS6453591A (en) 1987-08-25 1989-03-01 Sumitomo Electric Industries Manufacture of flexible circuit board
JPH01245586A (ja) 1988-03-28 1989-09-29 Nippon Steel Chem Co Ltd フレキシブルプリント基板
JP2746643B2 (ja) 1989-04-17 1998-05-06 住友ベークライト株式会社 フレキシブルプリント回路板およびその製造方法
JPH0362988A (ja) 1989-07-31 1991-03-19 Chisso Corp フレキシブルプリント回路用基板およびその製造法
JP2738453B2 (ja) 1989-10-03 1998-04-08 新日鐵化学株式会社 銅張積層板の製造方法
JPH04262593A (ja) * 1991-02-18 1992-09-17 Hitachi Ltd 多層配線構造体およびその製造方法とその用途
JP2612118B2 (ja) 1991-10-15 1997-05-21 住友ベークライト株式会社 両面フレキシブル印刷回路用基板の製造方法
JPH05139027A (ja) 1991-11-18 1993-06-08 Oji Paper Co Ltd 感熱記録体
JPH05291727A (ja) 1992-04-14 1993-11-05 Hitachi Chem Co Ltd 配線板の製造法
JP3153017B2 (ja) 1992-09-25 2001-04-03 日東電工株式会社 フレキシブルプリント基板
JP3318035B2 (ja) 1993-04-07 2002-08-26 三井化学株式会社 フレキシブル両面金属積層板の製造法
JP2652325B2 (ja) 1993-06-15 1997-09-10 チッソ株式会社 フレキシブルプリント基板の製造法
US6016598A (en) * 1995-02-13 2000-01-25 Akzo Nobel N.V. Method of manufacturing a multilayer printed wire board
US6180261B1 (en) * 1997-10-21 2001-01-30 Nitto Denko Corporation Low thermal expansion circuit board and multilayer wiring circuit board
JP3481117B2 (ja) * 1998-02-25 2003-12-22 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6705007B1 (en) 2004-03-16
US20040131765A1 (en) 2004-07-08
EP1017258A2 (de) 2000-07-05
JP2000196206A (ja) 2000-07-14
CN1183812C (zh) 2005-01-05
US7213334B2 (en) 2007-05-08
CN1264271A (zh) 2000-08-23
EP1017258A3 (de) 2002-06-12
EP1017258B1 (de) 2005-06-22
JP3565069B2 (ja) 2004-09-15
DE69925893D1 (de) 2005-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69920629T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer biegsamen Schaltungsplatte
DE68909853T2 (de) Verfahren und Film zur Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten.
DE69925893T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen flexiblen Leiterplatte
US4683653A (en) Method for producing a multilayer printed-circuit board
DE69519919T2 (de) Mehrschichtfilm aus aromatischen Polyimid ohne Klebstoff
DE69935571T2 (de) Flexible Platte
DE69934379T2 (de) Verbundmaterial zur Verwendung in der Herstellung von gedruckten Leiterplatten
DE60301213T2 (de) Polyimid-Metallfolie Leiterplatte für Hochfrequenzanwendungen
DE4007558A1 (de) Mehrschicht-schaltungsplatte, methode zur herstellung derselben und ihre anwendungsmoeglichkeit
CH520738A (de) Verfahren zur Herstellung von Verbundkörpern aus Metall und Polyimidharzen
US20080000679A1 (en) Wired circuit board and producing method thereof
DE69414444T2 (de) Warmehärtbare Harzzusammensetzungen und ihre Verwendung zur Herstellung von Kunstharzgegenständen und Dünnschicht Leiterplatten
JP2002337268A (ja) 金属箔積層板及びその製造方法
GB2030781A (en) Multilayer printed circuit
DE69120183T2 (de) Mehrschichtiges, Leiter enthaltendes Substrat und Herstellungsverfahren dafür
DE3538937A1 (de) Verfahren zum herstellen von metallkaschiertem thermoplastischem traegermaterial und daraus hergestellte gedruckte schaltungen
JPH0573359B2 (de)
JPH02146793A (ja) 印刷回路基板の製造方法
JPH0666552B2 (ja) 銅ポリイミド多層基板の製造方法
JPS5943108B2 (ja) 電気抵抗層付き回路基板
JPH02238696A (ja) 銅箔と樹脂との密着性向上方法
CA1198524A (en) Process of manufacturing printed wiring boards and printed wiring boards manufactured by the same
JPH0462196B2 (de)
DE3532834A1 (de) Verfahren zur integration von widerstaenden in chemisch abgeschiedene leiternetzwerke
DE69635723T2 (de) Neues flexibles kupferbeschichtetes Laminat und flexible gedruckte Schaltungsplatte

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Ref document number: 1017258

Country of ref document: EP

Representative=s name: TBK, DE

R081 Change of applicant/patentee

Ref document number: 1017258

Country of ref document: EP

Owner name: SONY CHEMICAL & INFORMATION DEVICE CORP., JP

Free format text: FORMER OWNER: SONY CHEMICALS CORP., TOKIO/TOKYO, JP

Effective date: 20121116

R082 Change of representative

Ref document number: 1017258

Country of ref document: EP

Representative=s name: TBK, DE

Effective date: 20121116