DE2739494B2

DE2739494B2 - Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiterplatten

Info

Publication number: DE2739494B2
Application number: DE2739494A
Authority: DE
Inventors: Theodor 3211 Burgstemmen Passlick
Original assignee: Fuba Hans Kolbe & Co 3202 Bad Salzuflen
Current assignee: Fuba Hans Kolbe & Co 3202 Bad Salzuflen
Priority date: 1977-08-30
Filing date: 1977-08-30
Publication date: 1980-10-16
Also published as: JPS5456173A; GB2007152A; DE2739494A1; US4336100A; ATA579978A; SE7808954L; GB2007152B; CH631587A5; NL7808763A; AT377884B

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiterplatten nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und auf die Verwendung von Basismaterial in diesem Verfahren.

Ein vergleichbares bekanntes Verfahren (DE-OS 24 53 788) geht im wesentlichen von zwei Verfahrensschritten aus, nämlich

1. Herstellen der Lochungen in einer hierfür vorgesehenen Metallplatte, vorzugsweise aus Aluminium; und

2. Ausfüllen der Locher mit sogenanntem »losen Material«, beispielsweise einem thermoplastischen, speziell einem wärmehärtenden Kunststoffmaterial. Hierfür wird die Platte auf eine lösbare Basis gesetzt, die Löcher werden mit thermoplastischem Material gefüllt und eine Zweitplatte wird in geeigneter Weise auf die Löcher aufgesetzt, wenn die Löcher ausgefüllt werden.

Daran anschließend folgt dann eine Verfestigungsbehandlung bei einer Temperatur von 177° C, nach deren Beendigung sich in den Löchern Bolzen befinden, die dauerhaft fest sind. Erst anschließend wird nunmehr auf die Oberfläche der Metallplatte eine Isolierstoffschicht aufgebracht und auf dieser nachfolgend nach bekannten Verfahren die Schaltung aufgebracht Dieses bekannte Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten mit Metallkern ist jedoch durch die genannten Verfahrensschritte nicht gerade besonders einfach oder kostensparend und zumindest bei hohen und für gleichbleibende Qualitätsansprüche nicht absolut zuverlässig.

Leiterplatten mit einem Träger aus Metall, deren Leiterzüge nach Art gedruckter Schaltungen in bekannter Weise durch subtraktive oder additive Verfahren oder Kombinationsverfahren ausgebildet werden, und bei denen die Lochwandungen im Wirbelsinterverfahren mit einer Isolierschicht beaufschlagt werden, weisen gleichfalls beträchtliche Nachteile auf. Zunächst bedarf es zum Aufbringen der Wirbelsinterschicht einer aufwendigen Einrichtung und einer komplizierten Verfahrensweise, die sich grundsätzlich von den üblichen Leiterplatten-Herstellverfahren unterscheidet. Weiterhin führt das Aufbringen der Isolierschicht im Wirbelsinterverfahren zu einer sogenannten sanduhrartigen Form der Lochwandungen. Dieser Effekt tritt übrigens auch bei einem für das hier vorliegende Verfahren weniger interessierenden bekannten Verfahren zur Herstellung elektriscner Leiteranordnungen auf emaillierten Platten auf (DE-OS 22 34 408).

Um brauchbare Isolierschichtdicken an den Lochkanten zu erreichen, ist es erforderlich, relativ sehr dicke Isolierschichten auf der Oberfläche und in der Lochmitte in Kauf zu nehmen. Weiterhin ergibt sich aus der Eigenart des Isolierschichtaufbaues die Notwendigkeit, von relativ großen Lochdurchmessern im Metall· träger auszugehen. Die dadurch bedingte geringe Flächenausnutzung steht dem Aufbau von Leiterplatten

mit hoher Leiterzugdichte entgegen. Die Verwendung moderner elektronischer Bestückungsbauteile fuhrt jedoch zur Notwendigkeit, Leiterplatten mit hoher Leiterzugdichte zu verwenden.

Für bekannte Leiterplatten, bei welchen das Leiterzugmaterial aus vorgeformtem, mit einer Isolierschicht versehenem, drahtförmigem Material besteht, wird zunächst das drahtförmige Leiterzugmaterial aufgebracht, um anschließend die entsprechenden Leiterzüge durchgreifende Bohrungen anzubringen, die in bzw. durch das Trägermaterial geführt werden.

Vorgelochte, mit einer Wirbelsinterisolierschicht oder in anderer Weise mit Löchern, deren Loch wandungen mit einer isolierschicht ausgestattet sind, versehene Trägerplatte eignen sich daher grundsätzlich nicht für das Herstellen derartiger Leiterplatten. Andererseits besteht ein technisches Bedürfnis nach derartigen Leiterplatten, zum einen wegen der damit erreichbaren hohen Festigkeit, zum anderen aber hrben die neueren Halbleiterbauelemente eine außerordentliche Verkleinerung elektronischer Geräte ermöglicht, deren Grenze nur noch durch ausreichende Wärmeabfuhr gesetzt wird. Leiterplatten auf Preßstoffbasis und dergleichen zeichnen sich durch relativ schlechte Wärmeleitfähigkeit und damit Wärmeableitung aus im Gegensatz zu der Verwendung von Metallträgern.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten mit Metallträger zu schaffen, das frei von den aufgeführten Unzulänglichkeiten sich auch für Leiterplatten eignet, deren Leiterzüge aus vorgeformten, drahtförmigem Material bestehen.

Die Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale erreicht

Vorteilhafte Ausgestaltungen dieses Verfahrens sowie Merkmale bezüglich der Verwendung von Basismaterial in einer solchen Verfahrensweise ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Es hat sich als zweckmäßig erwiesen, die Isolierschicht aus einer bzw. mehreren Lagen von »Prepregs« aufzubauen, beispielsweise solchen mit hohem Fließgrad. Grundsätzlich eignen sich jedoch auch nicht oder nur schwach fließfähige »Prepregs«, wobei jedoch die Verpreßbedingungen entsprechend angepaßt werden müssen. Werden Prepregs benutzt, deren Harzgehalt 60% beträgt und die ein Fließvermögen von 40% besitzen, und wird beispielsweise der Lochdurchmesser im Metallträger um 0,2 bis 1 mm, und vorzugsweise um 0,4 bis 0,8 mm Dicke größer gewählt als jener in der fertigen Leiterplatte, und wird der Preßvorgang bei einer Temperatur von beispielsweise 150—200⁰C und einem Druck von 10 bis 25 bar für eine Zeitspanne von 15 bis 140 Minuten ausgeführt, dann ergibt sich die besonders feste Verbindung zwischen Isolierschicht und Metallträger, wobei die vorstehend erwähnten Lochungen mit Isolierstoffe vollständig oder fast vollständig ausgefüllt sind, die Lochwandungen also mit einer vollkommen adäquaten Isolierstoffaulfalge bedeckt werden.

Es ist besonders vorteilhaft, daß erst in einem nachfolgenden Verfahrensschritt in den mit Isolierstoff gefüllten Lochungen ein Bohr- bzw. Stanzloch hergestellt wird, das in seiner Form allen Ansprüchen von Lochwandungen in Leiterplatten mit Metallbeschichtung voll entspricht. Damit liegt ein Verfahren vor, welches es in überraschender Weise, auf einfache und wirtschaftliche Art ermöglicht, Leiterplatten mit Metallträgern herzustellen, deren Lochwandungen mit einem Metallbelag versehen sind, der allen hochqualitativen Anforderungen unter Vermeidung der Nachteile der bisher bekannten Leiterplatten dieser Gattung gerecht v.ird.

Für den FaIL daß als Oberflächenabschluß eine Kupferfolie dient, ist es noch vorteilhaft, die mit der Harzschicht zu verbindende Seite de*- Kupferfolie etwa durch Oxydieren vorzubehandeln. ίο Die vorliegende Erfindung soll nachfolgend an einigen Beispielen, die nur einige vorteilhafte Ausführungsformen wiedergeben, weiter erläutert werden:

Beispiel I

a) Ein plattenförmiger Materialkern als Aluminium von 0,4 mm Dicke wird zugeschnitten und anschließend mit Löchern versehen, deren Durchmesser um 0,7 mm größer gewählt ist als der für die fertiggestellte Leiterplatte erwünschte Durchmes ser.

b) Die Oberfläche wird entgratet, gebürstet und anschließend für drei Minuten in Methylenchlorid gereinigt

c) Nunmehr wird ein Schichtaufbau hergestellt, der sich wie folgt zusammensetzt:

1. einer Kupferfolie von 35 μπι Dicke, die einseitig durch Oxydation haftverbessert wurde;

2. einer Lage eines 0,078 mm dicken Prepregs, vorzugsweise mit einem Harzgehalt von 60% und einem Fließwert von 40%;

3. dem Aluminiumkern;

4. einer weiteren Lage Prepreg wie zuvor; und

5. einer zweiten Kupferfolie wie zuvor.

d) Der so gebildeten Schichtkörper wird für 40 Minuten bei 172° C bei einem Druck zwischen 12 und 18 bar, vorzugsweise zwischen 14 und 16 bar, verpreßt

e) Anschließend wird das positive Leiterzugmuster für die erste Leiterzugebene mittels entfernbarer Siebdruckfarbe aufgebracht und nachfolgend das freiliegende Kupfer mit Kupferchlorid weggeätzt, und die Maskenschicht bei 45° C mit 5%iger Natronlauge entfernt.

f) Nach dem Spülen und Neutralisieren in verdünnter Schwefelsäure mit nachfolgend nochmaligem Spülen wird getrocknet.

g) Nach dem Trocknen wird eine Haftvermittlerschicht aus vorgeformtem Material bei 150° C fünf Minuten lang bei einem Druck von 12 bis 16 bar, vorzugsweise 14 bar, mit der Oberfläche verpreßt, h) Hierauf wird das Leiterzugmuster aus vorgeformtem, mit einer Isolierschicht versehenem Draht aufgebracht und der Vorgang gegebenenfalls auf der zweiten Seite wiederholt

i) Jetzt wird ein Schichtaufbau gebildet der ausgehend von der mit dem Drahtleiterzug versehenen Oberfläche aus einer Lage eines Prepregs mit niedrigem Fließvermögen, vorzugsweise mit einem solchen mit einem Harzgehalt von 60% und einem Fließgrad von 10%, und aus zwei Lagen von Prepregs mit hohem Fließvermögen, sowie aus einer einseitig für die Haftvermittlung vorbereiteten, 35 μπι starken Kupferfolie besteht, j) Der gebildete Schichtaufbau wird über 45 Minuten bei 172° C und Druckbeaufschlagung 12 bis 16 bar,

vorzugsweise 14 bis 15 bar, verpreßt, k) Anschließend wird in den Gebieten der mit Isolierstoff ausgefüllten Lochungen das Leiterzug-

lochmuster hergestellt, und zwar mit einem Durchmesser, der um etwa 0,15 mm größer als der Enddurchmesser ist.

Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, diese Locher durch Bohren mit hoher Bohrerumdrehungszahl von beispielsweise 32 000 U/Min, und einer Vorschubgeschwindigkeit von 50μπι/Μίη. anzufertigen.

I) Nach dem Entgraten und Säubern der Oberfläche, beispielsweise mit feinem Schmirgelpapier, werden alle Reste lurch Spülen mit einem Wasserstrahl von 20 bar Überdruck entfernt.

m) Anschließend wird das Zwischenprodukt für 30 Minuten bei 60°C mit einer Kaliumpermanganat-Lösung behandelt und nach dem Neutralisieren und Spülen in heißem Wasser für fünf Minuten bei 20° C in eine Hydrazinhydrat-Lösung gegeben.

n) Nach dem Spülen in fließendem Wasser wird mit Wasser von 20 bar Druck gereinigt und die Oberfläche mit Natriumpersulfat chemisch behandelt und nochmals gespült.

o) Es folgt eine Behandlung in verdünnter Salzsäure für fünf Minuten und mit einer Palladium(ll)Zinn(ll)Chlorid-Lösung wird katalysiert und durch stromlose Metallabscheidung der Metallbelag aufgebaut.

p) Nach erneutem Spülen und Trocknen wird die Leiterplatte auf einwandfreie Beschaffenheit kontrolliert.

Anschließend wird gegebenenfalls das Negativ des gewünschten Leiterbildes auf der Oberfläche aufgedruckt oder die Oberfläche insgesamt, gegebcnenfall«· unter Aussparung von Lötaugen, abgedeckt.

Nach dem stromlosen und/oder galvanischen Aufbringen einer Kupferschicht von beispielsweise 25 μίτι Dicke und gegebenenfalls einer ätzresistenten Metallschicht, die beispielsweise aus Zinn/Blei besteht und eine Dicke von 15μΐη aufweist, wird die Abdeckschicht entfernt und das nunmehr freiliegende Kupfer in üblicher Weis« abgeätzt.
Die Übergröße des Lochdurchmessers kann in weiten Grenzen frei gewählt werden und liegt im Beispiel zwischen 0,05 und 0,1 mm.

Beispiel Il

Zum Herstellen einer Leiterplatte mit Metallträger wird hier wie folgt verfahren:

a) Zuschneiden des plattenförmigen Metallträgers, beispielsweise eines Aluminiumbleches von 0,8 mm Dicke;

b) Bohren des Lochmusters mit einem gegenüber dem gewünschten Enddurchmesser um 0,6 mm vergrößerten Lochdurchmessers;

c) Entgraten;

d) Anätzen der Oberfläche in 10%iger Salzsäure für zwei Minuten;

e) fünf Minuten Spülen in fließendem Wasser;

f) 30 Minuten Trocknen bei 80⁰C;

g) beidseitig Verpressen mit je einer Lage 0,078 mm dicken Prepregs mit einem Harzgehalt von 60%

Γι

und einem Fließgrad von 40% und einer Lage 0,2 mm dicken kupferkaschierten Epoxydharzglasgewebes bei 122°C und einem Druck von 12 bar für 45 Minuten;

h) Bohren des Lochmusters mit einem um 0,15 mm gegenüber dem gewünschten Enddurchmesser vergrößerten Durchmesser, vorzugsweise mit einer Bohrerdrehzahl von 32 000 U/Min und einem Bohrervorschub von 50 μηι/Μίη;

i) Entgraten und Reinigen;

j) Aufbringen einer stromlos hergestellten Kupferschicht unter vorherigem Ansätzen in Chromschwefelsäure bei 50°C für 10 Minuten;

k) Aufdrucken einer Negativmaske vermittels Sieboder Photodruck;

1) galvanische oder stromlose Metallisierung der freiliegenden Gebiete;

m) Entfernen der Maskenschicht und Abätzen des nunmehr freiliegenden Kupferbelages;

n) mechanische Endbearbeitung;

ο) Tempern bei 150⁰C für 60 Minuten; und

p) Endkontrolle.

Beispiel III

Hier wird in Abwandlung zu Beispiel II anstelle eines Metailträgers aus Aluminiumblech ein solcher aus Stahlblech von beispielsweise 0,4 mm Dicke benutzt und statt des kupferkaschierten Epoxydglasgewebes eine Schicht aus einem Haftvermittlereigenschaften aufweisenden Harzgemisch. Nach Herstellung des Lochmusters werden sodann die Leiterzüge in bekannter Weise additiv aufgebaut und die fertiggestellte Leiterplatte bei 150⁰C für 60 Minuten getempert.

Beispiel IV

In Abänderung zu Beispiel I bis III wird als Basismaterial ein durchweg für die stromlose Metallabscheidung katalysiertes benutzt und eine Haftvermittlerschicht verwendet, die gleichfalls durchgehend für die stromlose Metallisierung katalysiert ist.

In einer Weiterbildung wird das Trägermaterial aus Metall mit einer die Zahl der späterhin in der fertiggestellten Leiterplatte übersteigenden Anzahl von Lochungen, etwa als Rasteranordnung, versehen, die vollständig mit Isolierstoff ausgefüllt werden. Im Zuge der Herstellung der Leiterplatte werden sodann lediglich jene Lochfüllungen aus Isolierstoff durch Stanzen, Bohren oder dergleichen mit Löchern, deren Wandung aus Isolierstoff besteht, versehen, die dem Lochmuster der fertigen Leiterplatte entsprechen, während die Isolierstoff-Füllung in anderen vorhandenen, aber nicht benötigter Lochungen im Trägermaterial belassen wird.

Bei der Herstellung von Leiterplatten, deren Lochmuster im Raster angeordnet ist, wird es beispielsweise für Leiterplatten im Anwendungsbereich der Digitalelektronik mit einer Mehrzahl von integrierten Schaltkreisen möglich, von einem einheitlich in Serienfertigung hergestellten Basismaterial auszugehen, was zu einer besonders wirtschaftlichen Fertigung führt

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiterplatten, bei denen las Trägermaterial für die Leiterzüge aus Metall besteht oder einen Metallkern aufweist, und das Leiterzugmaterial aus vorgeformtem Drahlt oder drahtförmigem Material beliebigen Querschnitts bzw. aus einer Metallfolie bzw. einem Metallfihn besteht, der vermittels Metallabbau- oder -aufbaumethoden oder einer Kombination beider Verfahren ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallträger bzw. das mit einem Metallkern versehene Trägermaterial zunächst mit Lochungen versehen wird, deren Durchmesser um 0,25 bis 1 mm größer gewählt wird als der für die fertige Leiterplatte gewünschte Lochdurchmesser, daß nach dem Säubern und Entgraten des Trägers ein Schichtaufbau hergestellt wird, der aus einer oder mehreren Schichten oder Lagen aus wärmefließfähigem Material besteht und dessen außenliegende Oberfläche entweder mit einem Kupferbelag versehen oder aus kupferkaschiertem Isolierstoff, etwa einem kupferkaschierten Epoxydharzglasgewebe besteht, und daß der gebildete Schichtaufbau unter Wärme- und Druckeinwirkung verpreßt wird, wobei gleichzeitig mit dem Verpressen des Schichtaufbaus die im Träger angebrachten Lochungen vollständig oder weitgehend mit dem Isoliermaterial ausgefüllt werden, so Jo daß in diesen bei einem nachfolgenden Bohrvorgang einwandfrei isolierende zylindrische Löcher entstehen, die vermittels nachfolgender Lochwandmetallisierung die Verbinder zwischen den Schaltungen in verschiedenen Ebenen bilden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in einem späteren Verfahrensschritt der Leiterplatten-Herstellung die mit Isolierstoff vollständig oder weitgehend ausgefüllten Lochungen mit Löchern gewünschten Durchmessers verse- hen werden.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher gebohrt werden.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallträger nach *5 dem Lochen und Entgraten in Methylenchlorid gereinigt wird, und daß der Schichtaufbau jeweils aus einem Prepreg mit einem Harzgehalt von 60% und einem Fließvermögen von 40% und einem kupferkaschierten Epoxydglasgewebe bzw. einer so einseitig zur Verbindung mit dem Harzgemisch in bekannter Weise vorbehandelten Kupferfolie besteht, und daß der gebildete Schichtaufbau durch Wärme und Druck unter Ausfüllen der Lochungen in einen Schichtpreßstoff verwandelt wird und daß anschließend in an sich bekannter Weise durch Aufbringen einer Maske und Abätzen des nicht maskierten Kupfers ein erstes Leiterzugmuster geschaffen wird, und daß nach dem Entfernen der Abdeckmaske die Oberfläche gereinigt und mit einer μ Träger- und Haftvermittlerschicht verbunden wird und daß auf dieser ein zweites Leiterzugmuster nach einem der bekannten Verfahren hergestellt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der gelochte und « gereinigte Metallträger mit einem Prepreg von 0,05 bis 0,1 mm Dicke und dessen Oberfläche mit einer KuDferschicht von 10 bis 70 um Dicke versehen wird, und daß der Schichtaufbau bei 150 bis 200° C und einem Druck von 10 bis 25 bar für eine Zeitspanne von 15 bis 140 Minuten verpreßt wird, und daß sodann die Kupferoberfläche mit einer Maskenschicht versehen wird, die die den Leiterzügen des ersten Leiterzugmusters entsprechenden Oberflächenbezirke bedeckt, und daß anschließend die freiliegende Kupferfläche in bekannter Weise durch Ätzen in Kupferchloridlösung, entfernt und die Maskenschicht abgelöst wird, und daß sodann die Oberfläche sorgfältig gespült und neutralisiert wird, und daß nach dem Trocknen eine Schicht aus Isolierstoff, die gleichzeitig Haftvermittlereigenschaften für das darauf aufzubringende Leiterzugmuster aus vorgeformtem, drahtförmigem Material aufweist, aufgebracht wird, und daß sodann das Muster aus vorgeformten Leiterzügen aus drahtförmigem Material in an sich bekannter Weise aufgebracht wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der gelochte und gereinigte Metallträger mit einem Prepreg von 0,078 mm Dicke und dessen Oberfläche mit einer Kupferschicht von 10 bis 70μπι Dicke versehen wird, und daß der Schichtaufbau bei 172° C und einem Druck von 15 bis 18 bar für eine Zeitspanne von 40 Minuten verpreßt wird, und daß sodann die Kupferoberfläche mit einer Maskenschicht aus durch Alkali-Einwirkung entfernbarer Farbe versehen wird, die die den Leiterzügen des ersten Leiterzugmusters entsprechenden Oberflächenbezirke bedeckt, und daß anschließend die freiliegende Kupferfläche in bekannter Weise durch Ätzen in Kupferchloridlösung entfernt und die Maskenschicht abgelöst wird, und daß sodann die Oberfläche sorgfältig gespült und neutralisiert wird, und daß nach dem Trocknen eine Schicht aus Isolierstoff, die gleichzeitig Haftvermittlereigenschaften für das darauf aufzubringende Leiterzugmuster aus vorgeformtem, drahtförmigem Material aufweist, bei 15 bar und 150°C während 5 Minuten auflamiert wird und daß sodann das Muster aus vorgeformten Leiterzügen aus drahtförmigem Material in an sich bekannter Weise aufgebracht wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen 4er drahtförmigen Leiterzüge die Oberfläche auf einer oder beiden Seiten mit einem Schichtaufbau versehen wird, der beginnend mit einer Lage aus einem Prepreg niederen Fließgrades sowie einer oder mehreren Lagen aus Prepreg hohen Fließgrades und aus kupferkaschiertem Epoxyharzträgermaterial bzw. einer einseitig zum Erzielen einer haftfesten Verbindung vorbehandelten Kupferfolie besteht, und daß der Schichtaufbau unter Druck- und Hitzeeinwirkung verpreßt wird, und daß hierauf die Löcher, deren Wandungen zu metallisieren sind, hergestellt werden, und daß nach dem Reinigen der Oberfläche diese und die Löcher einer Behandlung mit KMnO« mit nachfolgender Neutralisation ausgesetzt und nach sorgfältigem Spülen in bekannter Weise für die stromlose Metallabscheidung katalytisch sensibilisiert werden, und daß sodann die Lochwandverkupferung einschließlich von Leiterzügen eines dritten Leiterzugmusters auf der Oberfläche vermittels stromloser Metallabscheidung aufgebaut wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6,

dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen der drahtförmigen Leiterzüge die Oberfläche auf einer oder beiden Seiten mit einem Schichtaufbau versehen wird, der beginnend mit einer Lage aus einem Prepreg mit 60% Harzgehalt und einem Fließgrad von 10% sowie zwei Lagen eines Prepregs hohen Fließgrades und aus kupferkaschiertem Epoxydharzträgermaterial bzw. einer einseitig zum Erzielen einer haftfesten Verbindung vorbehandelten Kupferfolie besteht, und daß der Schichtauf- bau unter Druck- und Hitzeeinwirkung für etwa 45 Minuten bei einem Druck von etwa 15 bar und einer Temperatur von etwa 172° C verpreßt wird, und daß hierauf die Löcher, deren Wandungen zu metallisieren sind, hergestellt werden, und zwar mit einem '5 gegen dem Enddurchmesser um etwa 0,15 mm vergrößerten Durchmesser und bei einer Bohrer-Umdrehungszahl von ca. 32 000 U/Min, und einem Bohrvorschub von ca. 50 μΐη/U, und daß nach dem Reinigen der Oberfläche diese und die Löcher einer Behandlung mit KMnO« mit nachfolgender Neutralisation in Hydrazinhydrat ausgesetzt und nach sorgfältigem Spülen in bekannter Weise für die stromlose Metallabscheidung katalytisch sensibilisiert werden, und daß sodann die Lochwandverkup- ferung einschließlich von Leiterzügen eines dritten Leiterzugmusters auf der Oberfläche vermittels stromloser Metallabscheidung, gefolgt von galvanischer Metallabscheidung und einem Ätzvorgang, aufgebaut wird. ->o

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigung vor dem Katalysieren eine Behandlung mit Chromschwefelsäure einschließt

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Schichtstoffes aus einer Haftvermittlerschicht besteht, und daß diese vorzugsweise nach dem Herstellen der Lochungen in bekannter Weise für die stromlose Metallabscheidung katalysiert und sodann im ganzen oder in den dem Leiterzugmuster entsprechenden Bezirken vermittels stromloser Metallabscheidung allein oder im Verein mit galvanischer Abscheidung mit einem Metallbelag versehen wird.

11. Verwendung von Basismaterial in einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10 zum Herstellen von elektrischen Leiterplatten, bei denen das Trägermaterial aus Metall besteht oder einen Metallkern aufweist und mit einer Schicht aus Isolierstoff versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial aus Metall zunächst mit einem einer vorgegebenen Anordnung entsprechenden Lochmuster versehen wird und anschließend die Oberfläche mit einer Schicht aus Isoliermaterial überzogen und die Lochungen mit Isoliermaterial ausgefüllt werden.

12. Verwendung von Basismaterial nach Anspruch

11, dadurch gekennzeichnet, daß die Lochungen in einem Rasterfeld angeordnet sind.

13. Verwendung von Basismaterial nach Anspruch

12, dadurch gekennzeichnet, daß alle Rasterschnittpunkte mit Lochungen versehen sind.

14. Verwendung von Basismaterial nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial aus Metall mit einer die Zahl der späterhin in der fer iggestellten Leiterplatte übersteigenden Zahl an Lochungen versehen ist, die sämtlich mit Isolierstoff ausgefüllt sind, und daß lediglich die dem Lochmuster der fertiggestellten Leiterplatte entsprechenden Lochungen mit einer öffnung versehen sind, die im Isolierstoffmaterial angeordnet ist und einen Isolierstoffwandbelag gewünschter Dicke aufweist