JP3565069B2 - 両面フレキシブルプリント基板の製造方法 - Google Patents

両面フレキシブルプリント基板の製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリイミド系絶縁層を使用した両面フレキシブルプリント基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のポリイミド系の両面フレキシブルプリント基板としては、高温プレス法や熱ラミネート法等で作製される(i)銅箔/熱可塑性ポリイミド接着剤/非熱可塑性ポリイミドフィルム/熱可塑性ポリイミド接着剤/銅箔という層構成の基板や(ii)銅箔/熱可塑性ポリイミド接着剤層/銅箔という層構成の基板や、銅箔上に非熱可塑性ポリイミドをキャスト成膜し、更に銅層をスパッタ法と電解メッキ法とを組み合わせて形成された(iii)銅箔/非熱可塑性ポリイミドフィルム/銅スパッタ薄膜・電解銅メッキ膜という層構成の基板が一般に用いられている。
【0003】
しかし、(i)の両面フレキシブルプリント基板の場合には、接着剤が熱可塑性であるため、耐熱性が十分でないという問題がある。(ii)の両面フレキシブルプリント基板の場合には、接着剤層が熱可塑性であるために耐熱性が十分でなく、しかも加熱収縮し易いために寸法安定性が十分でないという問題もある。(iii)の両面フレキシブルプリント基板の場合には、非熱可塑性ポリイミドフィルム上の銅スパッタ薄膜を含む電解銅メッキ層の剥離強度が相対的に低く、また、加熱加湿条件下での長期エージング特性が十分でなく、信頼性に問題がある。
【0004】
最近、これらの問題を解決するために、金属箔上にヌレ性の良好なポリアミック酸ワニスを塗布し乾燥してポリアミック酸層を形成した積層物を2枚用意し、金属箔をパターニングした後に、ポリアミック酸層同士を高圧高温条件下で貼り合わせつつイミド化してポリイミド絶縁層を形成することにより作製された両面フレキシブルプリント回路板(金属箔/ポリイミド/金属箔)が提案されている(特許第2746643号)。このような両面フレキシブルプリント回路板は、耐熱性及び寸法安定性に優れており、しかもポリイミド層とその両側の金属箔との間の密着性も十分であり、長期エージング特性も十分なものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、金属箔をパターニングした後にポリアミック酸層同士を高圧高温条件下で貼り合わせた場合には、イミド化時に生ずる水分がポリイミド層中から揮散せず、金属箔を腐食させることが懸念される。また、両面がパターニングされているために、取り扱い性が低下し、製造効率が低下するという問題もある。また、高い貼り合わせ位置精度が要求されるという問題もある。
【0006】
本発明は、以上の従来の技術の課題を解決しようとするものであり、耐熱性及び寸法安定性に優れ、しかもポリイミド層とその両側の金属層との間の密着性並びに長期エージング特性も十分であり、更にイミド化時に生ずる水分による金属層の腐食の問題がなく、取り扱い性に優れているために製造し易く、しかも位置精度の問題がない両面フルキシブルプリント基板を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ポリアミック酸層等のポリイミド前駆体層が一対の金属層で挟持された構造の積層体について、片面の金属層をパターニングした後にポリイミド前駆体層をイミド化した場合、(I)イミド化時に生ずる水分がパターニングされた金属層から外部に揮散するので、イミド化時に生ずる水分による金属層の腐食を防止することができること、(II)しかもイミド化により得られたポリイミド絶縁層は、耐熱性及び寸法安定性に優れており、また、その両側の金属層との間の密着性にも優れており、従って長期エージング特性も十分であること、(III)イミド化時に片面がパターニングされていないので、取り扱い性に優れており、従って製造し易く、また、過度に高い貼り合わせ位置精度が要求されないことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【0008】
即ち、本発明は、以下の工程:
(a)第1金属層上にポリイミド前駆体を形成する工程;
(b)ポリイミド前駆体層上に第2金属層を形成する工程;
(c)第2金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして第2回路層を形成する工程、
又は(c’)第1金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして第1回路層を形成する工程
d)ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程; 及び
(e)パターニングされていない第1金属層又は第2金属層を、サブトラクティブ法によりパターニングして第1回路層又は第2回路層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする両面フレキシブルプリント基板の製造方法を提供する。
【0009】
また、本発明は、以下の工程:
(A)金属層上にポリイミド前駆体層を形成する工程;
(B)ポリイミド前駆体層上にセミアディティブ法により上層回路層を形成する工程
C)ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程; 及び
(D)該金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして下層回路層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする両面フレキシブルプリント基板の製造方法を提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面を参照しながら工程毎に詳細に説明する。
【0011】
なお、図1はイミド化前にサブトラクティブ法により上層回路層を形成する例であり、図2はイミド化前にセミアディティブ法により上層回路層を形成する例である。先ず、図1の態様から説明する。
【0012】
工程(a)
第1金属層1上にポリイミド前駆体層2を形成する(図1(a))。
【0013】
具体的には、銅箔等の第1金属層1の片面に、ポリアミック酸等のポリイミド前駆体をN−メチル−2−ピロリドン等に溶解したポリイミド前駆体ワニスを、コンマコーター、ナイフコーター、ロールコーター、リップコーター、ダイコーター等により塗工し、層間密着強度の低下や後工程での発泡の発生を防止するために残存揮発分(溶剤、縮合により生ずる水など)含有量(ポリイミド前駆体層中の全揮発成分の重量百分率(重量%))を30〜50重量%の範囲内に収まるように、通常150℃〜200℃で加熱乾燥してポリイミド前駆体層2を作製する。
【0014】
なお、この乾燥中に、ポリイミド前駆体の一部がイミド化するが、乾燥後のポリイミド前駆体層2のイミド化率が50%を超えないようにする。50%以下であれば、アルカリエッチング液を利用するフォトリソグラフ法でポリイミド前駆体層2を、微細、高精度且つ低コストでパターニングすることができる。
【0015】
ポリイミド前駆体層2の厚みは、薄すぎると機械的強度が弱くなり、絶縁層としての信頼性が低下する。厚すぎると第1金属層と第2金属層との導通化が難しくなる。
【0016】
また、ポリイミド前駆体層2を構成するポリイミド前駆体としては、両面フレキシブルプリント基板のカールを防止するために、イミド化後のポリイミドの熱線膨張係数が、イミド化条件下でアニールされる第1金属層1の熱線膨張係数と略同一となるようなものを使用することが好ましい。
【0017】
ここで、ポリイミド前駆体としては、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類(特開昭60−157286号公報、特開昭60−243120号公報、特開昭63−239998号公報、特開平1−245586号公報、特開平3−123093号公報、特開平5−139027号公報参照)、過剰な酸二無水物とジアミンとから合成した末端が酸二無水物であるポリアミック酸プレポリマーとジイソシアネート化合物とから得られる一部イミド化したポリアミック酸類(ポリアミド樹脂ハンドブック,日刊工業新聞社発行(536頁,1988年);高分子討論集,47(6),1990年参照)等を使用することができる。中でも、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類を好ましく使用することができる。
【0018】
ここで、酸二無水物の例としては、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,4,3′,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)が好ましく挙げられる。また、ジアミンの例としては、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル(DPE)、パラフェニレンジアミン(PDA)、4,4′−ジアミノベンズアニリド(DABA)、4,4′−ビス(p−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン(BAPS)が好ましく挙げられる。
【0019】
第1金属層1としては、従来のフレキシブルプリント基板で用いられているものと同様のものを使用することができる、例えば、電解銅箔、SUS304箔、SUS430箔、アルミニウム箔、ベリリウム箔、リン青銅箔等を挙げることができる。
【0020】
なお、第1金属層1の厚みは、通常、8〜35μmである。
【0021】
工程(b)
次に、ポリイミド前駆体層2上に、第1金属層1と同様な第2金属層3を設ける(図1(b))。
【0022】
具体的には、ポリイミド前駆体層2上に、第2金属層3として電解銅箔等の金属箔を熱プレス法もしくはロールラミネーション法等により積層すればよい。あるいは、ポリイミド前駆体層2上にスパッタ法で銅等の金属の薄膜を積層させ、更にその上に電解銅等の金属メッキ層を積層して第2金属層3を形成することもできる。
【0023】
工程(c)
次に、第2金属層3を、微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ技術を利用するサブトラクティブ法によりパターニングして第2回路層3aを形成する(図1(c))。具体的には、第1金属層1の表面を保護フィルム(好ましくは軽剥離性の弱粘着テープ)で被覆した後、第2金属層3上に導体回路パターンレジスト層を形成し、塩化第2銅水溶液等のエッチング液で第2金属層3をエッチングして第2回路層3aを形成し、その後、導体回路パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離すればよい。
【0024】
工程(c′)
工程(c)においては、第2金属層3をパターニングしたが、第1金属層1をパターニングしてもよい。即ち、第1金属層1を、フォトリソグラフ技術を利用するサブトラクティブ法によりパターニングして第1回路層1aを形成する(図1(c′))。具体的には、第2金属層3の表面を保護フィルム(好ましくは軽剥離性の弱粘着テープ)で被覆した後、第1金属層1上に導体回路パターンレジスト層を形成し、塩化第2銅水溶液等のエッチング液で第1金属層1をエッチングして第1回路層1aを形成し、その後、導体回路パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離すればよい。
【0025】
工程(d)
次に、ポリイミド前駆体層2をイミド化してポリイミド絶縁層2aを形成する。これにより図1(d)に示す両面フレキシブルプリント基板が得られる。ここで、イミド化の条件は、ポリイミド前駆体の種類等に応じて実験的に適宜決定することができる。例えば、大気圧下、窒素ガス雰囲気中で160℃−30min/180℃−30min/250℃−30min/300℃−30minというようにステップ加熱すればよい。
【0026】
この工程(d)のイミド化の際、ポリイミド絶縁層2aには脱水反応により水分が生じるが、工程(c)(又は工程(c′))においてポリイミド絶縁層2aを挟持する一対の金属層の片側がすでにパターニングされ、ポリイミド絶縁層2aが一部露出しているので、生じた水分を外部へ揮散させることができる。
【0027】
以上のようにして得られた図1(d)に示す両面フレキシブルプリント基板に対しては、更に以下に示すような工程を施すことが好ましい。
【0028】
工程(e)
パターニングされていない第1金属層1又は第2金属層3を、サブトラクティブ法によりパターニングして第1回路層1a又は第2回路層3aを形成する(図1(e))。これにより、両面の金属層がパターニングされた両面フレキシブルプリント配線板が得られる。
【0029】
工程(f)
第1回路層1a及び第2回路層aを保護するために、それらの上に常法に従ってカバーコート層4を形成する(図1(f))。
【0030】
なお、工程(b)と工程(c)又は工程(c′)との間において以下の工程(m)、もしくは工程(d)の後において以下の工程(m′)を実施することによりポリイミド絶縁層2aの表裏の回路同士を接続することができる。
【0031】
工程(m)
工程(b)と工程(c)又は工程(c′)との間において、第1金属層1と第2金属層3との間の導通を確保するためのスルーホールThを常法に従って形成する(図1(m))。
【0032】
工程(m′)
工程(d)の後において、第1金属層1と第2回路層3aとの間、又は第2金属層3と第1回路層1aとの間の導通を確保するためのスルーホールThを常法に従って形成する(図1(m′))。
【0033】
次に、図2の態様について説明する。
【0034】
工程(A)
図1の態様の工程(a)と同様に、金属層21上にポリイミド前駆体層22を形成する(図2(A))。
【0035】
工程(B)
ポリイミド前駆体層22上にセミアディティブ法により上層回路層23を形成する(図2(B))。具体的には、金属層21の表面に保護フィルムを貼った後に、ポリイミド前駆体層22上にスパッタ法で銅等の薄膜を積層し、その薄膜上に導体回路パターンレジスト層を形成した後に、電解メッキ法により銅等の金属メッキ層を積層し、次いで導体回路パターンレジスト層を常法により剥離した後に、ソフトエッチングすることにより上層回路層23を形成し、その後、保護フィルムを剥離すればよい。
【0036】
工程(C)
図1の態様の工程(d)と同様に、ポリイミド前駆体層22をイミド化してポリイミド絶縁層22aを形成する。これにより図2(C)に示す両面フレキシブルプリント基板が得られる。
【0037】
この工程(C)のイミド化の際、ポリイミド絶縁層22aには脱水反応により水分が生じるが、工程(B)においてポリイミド絶縁層22a上にパターニングされた上層回路層23が形成され、ポリイミド絶縁層22aが一部露出しているので、生じた水分を外部へ揮散させることができる。
【0038】
以上のようにして得られた図2(C)に示す両面フレキシブルプリント基板に対しては、更に以下に示すような工程を施すことが好ましい。
【0039】
工程(D)
図1の態様の工程(e)と同様に、金属層21をサブトラクティブ法によりパターニングして下層回路層21aを形成する。これにより、図2(D)に示す両面フレキシブルプリント配線板が得られる。
【0040】
工程(E)
図1の態様の工程(f)と同様に、上層回路層23及び下層回路層21aのそれぞれの上にカバーコート層24を形成する(図2(E))。
【0041】
なお、工程(B)と工程(C)との間、又は工程(C)の後に、以下の工程(M)を実施することによりポリイミド絶縁層22aの表裏の回路同士を接続することができる。
【0042】
工程(M)
工程(B)と工程(C)との間、又は工程(C)の後に、金属層21と上層回路層23との間の導通を確保するためのスルーホールThを形成する(図2(M))。
【0043】
このようにして得られた両面フレキシブルプリント基板は、腐食し難く、耐熱性及び寸法安定性に優れており、層間の密着性に優れ、長期エージング特性も十分なものであるので、種々の電子機器用の両面フレキシブルプリント基板として有用なものである。
【0044】
【実施例】
以下、本発明を具体的に説明する。
【0045】
参考例
温度コントローラーとジャケット付きの60リットルの反応釜に、パラフェニレンジアミン(PDA、三井化学社製)1.05kg(11.2モル)と、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル(DPE、和歌山精化社製)0.86kg(4.8モル)とを、窒素ガス雰囲気下で溶剤N−メチル−ピロリドン(NMP、三菱化学社製)約45kgに溶解した。その後、50℃において、ピロメリット酸二無水物(PMDA、三菱瓦斯化学社製)3.523kg(16.14モル)を徐々に加えながら、3時間反応させた。これにより、固形分約12%、粘度25Pa・S(25℃)のポリアミック酸ワニスを調製した。
【0046】
実施例1
12μm厚の下層銅箔上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、80〜170℃の連続炉で溶剤を揮散させてポリイミド前駆体層としてポリアミック酸層を形成した。
【0047】
次に、ポリアミック酸層上に12μm厚の上層銅箔を重ね、140℃の真空熱プレス機(面圧70kg/cm)で熱圧着した。
【0048】
次に、下層銅箔の表面を保護フィルムで被覆した後、上層銅箔上に導体回路パターンレジスト層を形成し、塩化第2銅水溶液等のエッチング液で上層銅箔をエッチングして上層回路層を形成した。その後、導体回路パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離した。
【0049】
次に、下層銅箔/ポリアミック酸層/上層回路層からなる積層体を、加熱処理装置に投入し、その内部の雰囲気温度を230〜350℃まで昇温し、350℃で30分間処理してイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁層とした。これにより、両面フレキシブルプリント基板が得られた。
【0050】
得られた両面フレキシブルプリント基板の下層銅箔を、上層銅箔のパターニングと同様にパターニングして下層回路層を形成した。続いて、上層回路層と下層回路層上にポリイミドカバーコート層(UR−5480、東レ(株)製)を形成することにより両面フレキシブルプリント配線板が得られた。
【0051】
得られた両面フレキシブルプリント配線板について、以下に説明するように耐熱性、寸法安定性、密着性、長期エージング特性を試験評価した。
【0052】
耐熱性
実施例1の両面フレキシブルプリント配線板を所定の形状にカットし、320℃のはんだ浴に60秒浸し、配線板への影響を観察した。実施例1の配線板は、膨れ、パターンの剥がれがなかった。この結果により、ポリイミド絶縁層中に存在する水分量が低減していることが伺える。
【0053】
寸法安定性
実施例1の両面フレキシブルプリント配線板を10cm角にカットして、水平な台の上に載置し、配線板の浮き具合を測定した。浮きは5mm以下であり、小さいものであった。
【0054】
密着性
実施例1の両面フレキシブルプリント配線板のポリイミド絶縁層と銅箔との接着強度を90°剥離強度試験により測定した。結果として、剥離強度は1.2kg/cmと高いものであった。
【0055】
長期エージング特性
(1)150℃のオーブンに240時間放置して、取り出した後、両面フレキシブルプリント配線板のポリイミド絶縁層と銅箔との接着強度を90°剥離強度試験により測定した。結果として剥離強度は1.0kg/cmと低下していないことがわかった。
【0056】
(2)40℃、湿度90%の恒温槽に放置し、取り出した後、絶縁抵抗(JIS C6471に準ずる方法)を測定した。その結果、絶縁抵抗は1.0×10E+12であり、配線板として十分な絶縁性を示した。
【0057】
実施例2
12μm厚の下層銅箔上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、80〜170℃の連続炉で溶剤を揮散させてポリイミド前駆体層としてポリアミック酸層を形成した。
【0058】
次に、ポリアミック酸層上にセミアディティブ法により上層回路層を形成した。即ち、下層銅箔の表面に保護フィルムを貼った後に、ポリアミック酸層上にスパッタ法でNi層を200Åの厚みほど堆積し、その上にCu層を1000Åの厚みほど堆積し、その薄膜上に導体回路パターンレジスト層を形成した。電解メッキ法により電解銅メッキ層を18μm厚で堆積し、次いで導体回路パターンレジスト層を剥離した。更に、全面を過酸化水素及び硫酸の混合液でソフトエッチングすることにより上層回路層23を形成し、その後、保護フィルムを剥離した。
【0059】
次に、下層銅箔/ポリアミック酸層/上層回路層からなる積層体を、加熱処理装置に投入し、その内部の雰囲気温度を230〜350℃まで昇温し、350℃で30分間処理してイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁層とした。これにより、両面フレキシブルプリント基板が得られた。
【0060】
得られた両面フレキシブルプリント基板の下層銅箔を、上層銅箔のパターニングと同様にパターニングして下層回路層を形成した。続いて、上層回路層と下層回路層上にポリイミドカバーコート層(UR−5480、東レ(株)製)を形成することにより両面フレキシブルプリント配線板が得られた。
【0061】
得られた両面フレキシブルプリント配線板について、実施例1の場合と同様に耐熱性、寸法安定性、密着性、長期エージング特性を試験評価した。
【0062】
耐熱性
はんだ浴の温度を300℃とする以外は、実施例1の場合と同様の方法で、配線板への影響を観察した。実施例2の配線板は、膨れ、パターンの剥がれがなかった。この結果により、ポリイミド絶縁層中に存在する水分量が低減していることが伺える。
【0063】
寸法安定性
実施例1と同様の方法により、浮きは5mm以下と測定され、小さいものであった。
【0064】
密着性
実施例1と同様の方法により、剥離強度は0.8kg/cmと測定され、実用上十分なものであった。
【0065】
長期エージング特性
実施例1と同様に測定したところ、同様の結果が得られた。
【0066】
実施例3
12μm厚の下層銅箔上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、80〜170℃の連続炉で溶剤を揮散させてポリイミド前駆体層としてポリアミック酸層を形成した。
【0067】
次に、ポリアミック酸層上に12μm厚の上層銅箔を重ね、200℃のプレスローラ(面圧60kg/cm)で熱圧着した。
【0068】
得られた下層銅箔/ポリアミック酸層/上層銅箔からなる積層体に対し、NCドリルによりスルーホール用の貫通孔を設け、常法により貫通孔の内壁に銅層を形成してスルーホールとし、上層銅箔と下層銅箔との間の導通を確保した。
【0069】
次に、下層銅箔の表面を保護フィルムで被覆した後、上層銅箔上に導体回路パターンレジスト層を形成し、塩化第2銅水溶液等のエッチング液で上層銅箔をエッチングして上層回路層を形成した。その後、導体回路パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離した。
【0070】
次に、下層銅箔/ポリアミック酸層/上層回路層からなり、下層銅箔と上層回路層とがスルーホールで導通している積層体を、加熱処理装置に投入し、その内部の雰囲気温度を230〜350℃まで昇温し、350℃で30分間処理してイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁層とした。これにより、両面フレキシブルプリント基板が得られた。
【0071】
得られた両面フレキシブルプリント基板の下層銅箔を、上層銅箔のパターニングと同様にパターニングして下層回路層を形成した。続いて、上層回路層と下層回路層上にポリイミドカバーコート層(UR−5480、東レ(株)製)を形成することにより両面フレキシブルプリント配線板が得られた。以上の操作はすべてroll−to−rollで行うことができた。
【0072】
得られた両面フレキシブルプリント配線板について、実施例1の場合と同様に耐熱性、寸法安定性、密着性、長期エージング特性を試験評価した。
【0073】
耐熱性
実施例1と同様の方法により配線板への影響を観察した。膨れ、パターンの剥がれがなく、この結果により、ポリイミド絶縁層中に存在する水分量が低減していることが伺える。
【0074】
寸法安定性
実施例1と同様の方法により、浮きは5mm以下と測定され、小さいものであった。
【0075】
密着性
実施例1と同様に行い、1.2kg/cmと高い剥離強度を得た。
【0076】
長期エージング性
(1)実施例1と同様の方法により、剥離強度は1.0kg/cmと低下していないことがわかった。
【0077】
(2)実施例1と同様の方法により、1.0×10E+12と配線板として十分な絶縁性を示した。
【0078】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、片面の金属層をパターニングした後にポリイミド前駆体層をイミド化するので、イミド化時に生ずる水分がパターニングされた金属層から外部に揮散する。従って、イミド化時に生ずる水分による金属層の腐食を防止することができる。しかもイミド化により得られたポリイミド絶縁層は、耐熱性及び寸法安定性に優れており、また、その両側の金属層との間の密着性にも優れているので、両面フレキシブルプリント基板の長期エージング特性も十分なものとなる。更に、イミド化時に片面の金属層がパターニングされていないので、取り扱い性に優れている。また、特許第2746643号の場合に比べ、高い貼り合わせ位置精度が要求されない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の両面フレキシブルプリント基板の製造工程図である。
【図2】本発明の両面フレキシブルプリント基板の製造工程図である。
【符号の説明】
1 第1金属層、1a 第1回路層、2,22 ポリイミド前駆体層、2a,22a ポリイミド絶縁層、3 第2金属層、3a 第2回路層、4,24 カバーコート層、Th スルーホール、21 金属層、21a 下層回路層、23 上層回路層

Claims (5)

  1. 以下の工程:
    (a)第1金属層上にポリイミド前駆体層を形成する工程;
    (b)ポリイミド前駆体層上に第2金属層を形成する工程;
    (c)第2金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして第2回路層を形成する工程、又は(c’)第1金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして第1回路層を形成する工程
    d)ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程; 及び
    (e)パターニングされていない第1金属層又は第2金属層を、サブトラクティブ法によりパターニングして第1回路層又は第2回路層を形成する工程
    を含んでなることを特徴とする両面フレキシブルプリント基板の製造方法。
  2. 工程(b)と工程(c)又は工程(c′)との間に、
    (m)第1金属層と第2金属層との間の導通を確保するためのスルーホールを形成する工程
    を含む請求項1記載の製造方法。
  3. 工程(d)の後に、
    (m′)第1金属層と第2回路層との間、又は第2金属層と第1回路層との間の導通を確保するためのスルーホールを形成する工程
    を含む請求項1記載の製造方法。
  4. 以下の工程:
    (A)金属層上にポリイミド前駆体層を形成する工程;
    (B)ポリイミド前駆体層上にセミアディティブ法により上層回路層を形成する工程
    C)ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程; 及び
    (D)該金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして下層回路層を形成する工程
    を含んでなることを特徴とする両面フレキシブルプリント基板の製造方法。
  5. 工程(B)と工程(C)との間、又は工程(C)の後に、
    (M)金属層と上層回路層との間の導通を確保するためのスルーホールを形成する工程
    を含む請求項4記載の製造方法。
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