JP4062803B2 - 磁気ヘッド用サスペンションの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置の磁気ヘッドを支えるためのサスペンションに関する。より詳しくは、配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク装置に用いられている従来の磁気ヘッド用サスペンションは、バネ性金属片の一端に磁気ヘッド素子を設け、磁気ヘッド素子とハードディスク装置の信号処理素子の入出力端子との間は、バネ性金属片に一体化していないワイヤで配線されている。
【０００３】
ところで、近年、ハードディスク装置の小型高容量化の進展に対し、磁気ヘッド用サスペンション自体も小型軽量化する必要がある。しかし、バネ性金属片に比べワイヤ配線の小型軽量化は十分ではないために、磁気ヘッド用サスペンションの小型軽量化を推進すると、バネ性金属片に対するワイヤ配線の質量、剛性が相対的に大きくなり、意図した性能のサスペンションが製造できないという問題が生ずる。
【０００４】
このため、バネ性金属片に軽量な配線を一体化することにより、意図した性能を有し且つ配線一体型で小型軽量タイプの磁気ヘッド用サスペンションが提案されている（特開平９−３０６１１４号公報）。この配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの配線の形成は、図３に示すように行われている。
【０００５】
先ず、ステンレス箔（バネ材）３１／ポリイミドフィルム（絶縁ベース）３２／銅箔（配線）３３を、接着剤（図せず）で積層した積層材料を用意する（図３（ａ））。
【０００６】
この積層材料の銅箔３３をフォトリソグラフ法によりパターニングしてメタルマスク３４を形成する（図３（ｂ））。このメタルマスク３４は、ポリイミドフィルム３２をエッチングにより所期の形状の絶縁ベース３５（図３（ｃ）参照）とするためのエッチングマスクとして機能する。ここで、エッチングの手法としては、エキシマレーザー光の照射、プラズマエッチング、強アルカリウェットエッチング等が挙げられる。
【０００７】
次に、積層材料のメタルマスク３４側から、例えばエキシマレーザー光Ｌを照射し、露出している部分のポリイミドフィルム３２を、ステンレス箔３１が露出しない厚みを残してフォトエッチングにより除去し、絶縁ベース３５を形成する（図３（ｃ））。
【０００８】
次に、メタルマスク３４をフォトリソグラフ技術によりパターニングして配線３６を形成する（図３（ｄ））。
【０００９】
次に、絶縁ベース３５以外のステンレス箔３１上のポリイミドフィルム薄膜を、エキシマレーザー光Ｌの照射によりフォトエッチングして除去する（図３（ｅ））。
【００１０】
次に、形成された配線３６上に、常法によりカバーコート層３７を形成する（図３（ｆ））。これにより配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションが得られる。必要に応じ、サスペンションの機械的性質を改善するために、ステンレス箔３１に曲げ加工を施することが一般的である（図３（ｇ））。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図３に示した配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法においては、銅箔のパターニングを２回（メタルマスクパターニグ及び配線パターニング）行う必要があり、銅箔のパターニング工程の統一化が模索されている。また、絶縁ベースとなるポリイミドフィルムをパターニングする手法に関し、エキシマレーザー光照射の場合には、高い設備コスト、頻繁なメンテナンス、高いランニングコスト、レーザー照射部に導電性炭化物の付着等の問題がある。また、ウェットエッチングの場合には、人体に対し有害で高コストのエッチャントを使用する必要があり、作業安全上の点でも廃液処理の点でも問題が多い。
【００１２】
本発明は、以上の従来の技術を解決しようとするものであり、配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションを製造するに際し、配線となる銅箔のパターニングを１回でできるようにし、且つ絶縁ベースを低コストで簡便に形成できるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、ポリアミック酸層等のポリイミド前駆体層が、熱可塑性であるために接着性に優れ、非常に廉価なアルカリにより造塩して温水処理により簡単に除去でき、また、設備コストがかからず、処理操作も簡便なイミド化処理により接着性、耐熱性及び寸法安定性に優れたポリイミドに変換できること、しかもポリイミド前駆体層が銅箔のパターニング条件（酸性エッチャント等）に対して耐性を有するので、銅箔をメタルマスクとして機能させる必要がなく、銅箔のパターニングも１回で済むことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１４】
即ち、本発明は、以下の工程（ａ）〜（ｆ）
（ａ）バネ性材料層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂ）ポリイミド前駆体層上に配線用金属層を形成する工程；
（ｃ）配線用金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして配線を一回だけ形成する工程；
（ｄ）ポリイミド前駆体層を、ポリイミド絶縁ベース層に対応した形状に、該配線をマスクとして使用することなくフォトリソグラフ技術によりパターニングする工程；
（ｅ）パターニングされたポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁ベース層を形成する工程；及び
（ｆ）配線上にカバーコート層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする磁気ヘッド用サスペンションの製造方法を提供する。
【００１５】
この製造方法において、工程（ｆ）は、工程（ｅ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｆ）を、工程（ｃ）と工程（ｄ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｄ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｅ）においてポリイミド絶縁ベース層の形成の際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成してもよい。
【００１６】
また、本発明は、以下の工程（ａａ）〜（ｅｅ）
（ａａ）バネ性材料層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂｂ）ポリイミド前駆体層上にセミアディティブ法により配線を１回だけ形成する工程；
（ｃｃ）ポリイミド前駆体層を、ポリイミド絶縁ベース層に対応した形状に、該配線をマスクとして使用することなくフォトリソグラフ技術によりパターニングする工程；
（ｄｄ）パターンニングされたポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁ベース層を形成する工程； 及び
（ｅｅ）配線上にカバーコート層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする磁気ヘッド用サスペンションの製造方法を提供する。
【００１７】
この製造方法において、工程（ｅｅ）は、工程（ｄｄ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｅｅ）を、工程（ｂｂ）と工程（ｃｃ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｃｃ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｄｄ）においてポリイミド絶縁ベース層の形成の際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成してもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法を図面を参照しながら工程毎に詳細に説明する。
【００１９】
なお、図１は配線をサブトラクティブ法により形成する例であり、図２は配線をセミアディティブ法により形成する例である。先ず、図１の態様から説明する。
【００２０】
工程（ａ）
バネ性材料層１上にポリイミド前駆体層２を形成する（図１（ａ））。
【００２１】
具体的には、バネ性を有するステンレススチール箔等のバネ性材料層１の片面に、ポリアミック酸等のポリイミド前駆体をＮ−メチルピロリドン等に溶解したポリイミド前駆体ワニスを、コンマコーター、ナイフコーター、ロールコーター、リップコーター、ダイコーター等により塗工し、層間密着強度の低下や後工程での発泡の発生を防止するために残存揮発分（溶剤、縮合により生ずる水など）含有量（ポリイミド前駆体層中の全揮発成分の重量百分率（重量％））を３０〜５０重量％の範囲内に収まるように、通常１５０℃〜２００℃で加熱乾燥してポリイミド前駆体層２を形成する。
【００２２】
なお、この乾燥中に、ポリイミド前駆体の一部がイミド化するが、乾燥後のポリイミド前駆体層２のイミド化率が５０％を超えないようにする。５０％以下であれば、アルカリエッチング液を利用するフォトリソグラフ技術でポリイミド前駆体層２を、微細、高精度且つ低コストでパターニングすることができる。
【００２３】
ポリイミド前駆体層２の厚みは、薄すぎると機械的強度が弱くなり、厚すぎるとイミド化後のポリイミド絶縁層がバネ性材料層１の塑性変形に及ぼす影響が大きくなるので、好ましくは５〜２５μｍである。
【００２４】
また、ポリイミド前駆体層２を構成するポリイミド前駆体としては、バネ性材料層１の変形を防止するために、ポリイミド前駆体のイミド化後のポリイミドの熱線膨張係数が、イミド化条件下でアニールされるバネ性材料層１の熱線膨張係数と略同一となるようなものを使用することが好ましい。
【００２５】
ここで、ポリイミド前駆体としては、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類（特開昭６０−１５７２８６号公報、特開昭６０−２４３１２０号公報、特開昭６３−２３９９９８号公報、特開平１−２４５５８６号公報、特開平３−１２３０９３号公報、特開平５−１３９０２７号公報参照）、過剰な酸二無水物とジアミンとから合成した末端が酸二無水物であるポリアミック酸プレポリマーとジイソシアネート化合物とから得られる一部イミド化したポリアミック酸類（ポリアミド樹脂ハンドブック，日刊工業新聞社発行（５３６頁，１９８８年）；高分子討論集，４７（６），１９９０年参照）等を使用することができる。中でも、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類を好ましく使用することができる。
【００２６】
ここで、酸二無水物の例としては、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，４，３′，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）が好ましく挙げられる。また、ジアミンの例としては、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ）、パラフェニレンジアミン（ｐ−ＰＤＡ）、４，４′−ジアミノベンズアニリド（ＤＡＢＡ）、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ）が好ましく挙げられる。
【００２７】
バネ性材料層１としては、従来の磁気ヘッド用サスペンションで用いられているものと同様のものを使用することができる。例えば、ＳＵＳ３０４箔、ＳＵＳ４３０箔等のステンレススチールを挙げることができる。
【００２８】
なお、バネ性材料層１の厚みは、通常、２０〜２５μｍである。
【００２９】
工程（ｂ）
次に、ポリイミド前駆体層２上に配線用金属層３を形成する（図１（ｂ））。
【００３０】
具体的には、ポリイミド前駆体層２上に、配線用金属層３として電解銅箔などの金属箔を熱プレス法もしくはロールラミネーション法等により積層すればよい。あるいは、ポリイミド前駆体層２上にスパッタ法で銅等の金属の薄膜を積層させ、更にその上に電解銅等の金属メッキ層を積層して第２金属層を形成することもできる。
【００３１】
工程（ｃ）
次に、配線用金属層３を微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ技術を利用するサブトラクティブ法によりパターニングして配線４を形成する（図１（ｃ））。
【００３２】
具体的には、バネ性材料層１の表面を保護フィルム（好ましくは軽剥離性の弱粘着テープ）で被覆した後、配線用金属層３上に配線パターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッチング液で配線用金属層３をエッチングして配線４を形成し、その後、配線パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離すればよい。
【００３３】
工程（ｄ）
ポリイミド前駆体層２を、後述するポリイミド絶縁ベース層５（図１（ｅ）参照）に対応した形状にフォトリソグラフ技術によりパターニングする（図１（ｄ））。具体的には、ポリイミド前駆体層２上にパターニングレジスト層を形成し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液や水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液で処理し、更に温水でリンスすることによりパターニングすることができる。
【００３４】
工程（ｅ）
次に、ポリイミド前駆体層２をイミド化してポリイミド絶縁ベース層５を形成する（図１（ｅ））。
【００３５】
ここで、イミド化の条件は、ポリイミド前駆体の種類等に応じて実験的に適宜決定することができる。例えば、大気圧下、窒素ガス雰囲気中で１６０℃（３０分）／１８０℃（３０分）／２５０℃（３０分）／３００℃（３０分）というようにステップ加熱すればよい。
【００３６】
工程（ｆ）
次に、配線４上にカバーコート層６を形成する（図１（ｆ））。これにより、磁気ヘッド用サスペンションが得られる。
【００３７】
この工程（ｆ）は工程（ｅ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｆ）を、工程（ｃ）と工程（ｄ）との間で、先ず配線４上にカバーコート用ポリイミド前駆体層７を設ける前工程と、工程（ｄ）においてポリイミド前駆体層２のポリイミド絶縁ベース層５に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層７をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｅ）においてポリイミド絶縁ベース層５を形成する際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層７をイミド化してカバーコート層６を形成する後工程とから構成してもよい。
【００３８】
工程（ｆ）を工程（ｅ）の後で実施する場合、具体的には、配線４上に感光性樹脂を塗布しパターニングした後に光硬化させることによりカバーコート層６を形成してもよい。また、配線４上に工程（ａ）と同様にカバーコート用ポリイミド前駆体層７を形成してパターニングし、工程（ｄ）と同様にイミド化することによりしてカバーコート層６を形成してもよい。
【００３９】
工程（ｅ）を、前述したように前工程と中工程と後工程をから構成する場合、具体的には、先ず工程（ｃ）の後で配線４上にカバーコート用ポリイミド前駆体層７を設け（図１（ｆ１））、次いでそのカバーコート用ポリイミド前駆体層７を、工程（ｄ）において同時にパターニング（図１（ｆ２））し、工程（ｅ）において同時にイミド化してカバーコート層６を形成すればよい（図１（ｆ３））。
【００４０】
工程（ｇ）
上記のように得られた磁気ヘッド用サスペンションに対し、必要に応じてそのバネ性材料層１に曲げ加工を施してもよい（図１（ｇ））。これにより、バネ性材料層１に形状安定性を付与することができる。あるいは、サブトラクティブ法によりバネ性材料層１を所定の形状にエッチングしてもよい（図示せず）。
【００４１】
次に、図２の態様について説明する。
【００４２】
工程（ａａ）
図１の態様の工程（ａ）と同様に、バネ性材料層２１上にポリイミド前駆体層２２を形成する（図２（ａ））。
【００４３】
工程（ｂｂ）
ポリイミド前駆体層２２上にセミアディティブ法により配線２３を形成する（図２（ｂ））。具体的には、バネ性材料層２１上に保護フィルムを貼った後に、ポリイミド前駆体層２２上にスパッタ法で銅等の薄膜を積層し、その薄膜上に導体回路パターンレジスト層を形成した後に、電解メッキ法により銅等の金属メッキ層を積層し、次いで配線パターンレジスト層を常法により剥離した後に、ソフトエッチングすることにより配線２３を形成し、その後、保護フィルムを剥離すればよい。
【００４４】
工程（ｃｃ）
ポリイミド前駆体層２２を、図１の態様の工程（ｄ）と同様に、ポリイミド絶縁ベース層２２（図２（ｄ）参照）に対応した形状にフォトリソグラフ技術によりパターニングする（図２（ｃ））。
【００４５】
工程（ｄｄ）
パターンニングされたポリイミド前駆体層２２を、図１の態様の工程（ｅ）と同様にイミド化してポリイミド絶縁ベース層２４を形成する（図２（ｄ））。
【００４６】
工程（ｅｅ）
次に、配線２３上にカバーコート層２５を形成する（図２（ｅ））。これにより、磁気ヘッド用サスペンションが得られる。
【００４７】
この工程（ｅｅ）は、工程（ｄｄ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｅｅ）を、工程（ｂｂ）と工程（ｃｃ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｃｃ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｄｄ）においてポリイミド絶縁ベース層を形成する際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成してもよい。
【００４８】
工程（ｅｅ）を工程（ｄｄ）の後で実施する場合、具体的には、配線２３上に感光性樹脂を塗布しパターニングした後に光硬化させることによりカバーコート層２５を形成してもよい。また、配線２３上に工程（ａａ）と同様にカバーコート用ポリアミック酸層を形成してパターニングし、工程（ｄ）と同様にイミド化することによりしてカバーコート層２５を形成してもよい。
【００４９】
工程（ｅｅ）を、前述したように前工程と中工程と後工程をから構成する場合、具体的には、先ず工程（ｂｂ）の後で配線２３上にカバーコート用ポリイミド前駆体層２６を設け（図２（ｅ１））、次いでそのカバーコート用ポリイミド前駆体層２６を、工程（ｃｃ）において同時にパターニング（図２（ｅ２））し、工程（ｄｄ）において同時にイミド化してカバーコート層２５を形成すればよい（図２（ｅ３））。
【００５０】
工程（ｆｆ）
上記のように得られた磁気ヘッド用サスペンションに対し、必要に応じてそのバネ性材料層２１に曲げ加工を施してもよい（図２（ｆ））。これにより、バネ性材料層２１に形状安定性を付与することができる。あるいは、サブトラクティブ法によりバネ性材料層２１を所定の形状にエッチングしてもよい（図示せず）。
【００５１】
図１の態様においては、先ずバネ性材料層１上にポリイミド前駆体層２を設け、更にポリイミド前駆体層２上に配線用金属層３を設けているが、先に配線用金属層３上にポリイミド前駆体層２を設け、更にポリイミド前駆体層２上にバネ性材料層１を設けてもよい。即ち、工程（ａ）及び工程（ｂ）に代えて、以下の工程（ａ′）及び（ｂ′）を実施し、それ以外の工程（ｃ）〜工程（ｆ）は上述した通りの工程である製造方法も本発明の範囲である。
【００５２】
即ち、以下の工程
（ａ´）配線用金属層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂ´）ポリイミド前駆体層上にバネ性材料層を形成する工程；
（ｃ）配線用金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして配線を１回だけ形成する工程；
（ｄ）ポリイミド前駆体層を、ポリイミド絶縁ベース層に対応した形状に、該配線をマスクとして使用することなくフォトリソグラフ技術によりパターニングする工程；
（ｅ）パターニングされたポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁ベース層を形成する工程； 及び
（ｆ）配線上にカバーコート層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする磁気ヘッド用サスペンションの製造方法も本発明の範囲である。
【００５３】
この製造方法においても、工程（ｆ）は、工程（ｅ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｆ）を、工程（ｃ）と工程（ｄ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｄ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｅ）においてポリイミド絶縁ベース層の形成の際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成してもよい。
【００５４】
以上のようにして得られる磁気ヘッド用サスペンションは、配線がバネ性金属片に一体的に作り込まれているので非常に小型軽量化したものであり、従って記録容量の増大したハードディスク装置に好ましく適用できるものとなる。しかも、ワイヤレスであるので磁気ヘッド素子のバネ性金属片への組み込み生産性も非常に向上し、更にデータの転送速度の高速化にも対応できるものとなる。
【００５５】
【実施例】
以下、本発明を具体的に説明する。
【００５６】
参考例
温度コントローラーとジャケット付きの６０リットルの反応釜に、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社製）１．０５ｋｇ（１１．２モル）と、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社製）０．８６ｋｇ（４．８モル）とを、窒素ガス雰囲気下で溶剤Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社製）約４５ｋｇに溶解した。その後、５０℃において、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、三菱瓦斯化学社製）３．５２３ｋｇ（１６．１４モル）を徐々に加えながら、３時間反応させた。これにより、固形分約１２％、粘度２５Ｐａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを調製した。
【００５７】
実施例１
２５μｍ厚のステンレススチール箔（ＳＵＳ箔）上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、１００℃（５分）、１４０℃（５分）、１７０℃（１０分）の連続炉で溶剤を揮散させ、ポリイミド前駆体層として１０μｍ厚のポリアミック酸層を形成した。
【００５８】
次に、ポリアミック酸層上に９μｍ厚の銅箔を重ね、１７０℃のプレス装置（５０ｋｇ／ｃｍ2）で１０分間熱圧着した。
【００５９】
次に、ＳＵＳ箔の表面を保護フィルムで被覆した後、銅箔上に配線パターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッチング液で銅箔をエッチングして７０μｍピッチの配線を形成した。その後、配線パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離した。
【００６０】
配線上にポリアミック酸層のエッチングレジストパターン層を形成し、６０℃に加温したＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液で処理した後、６０℃の温水でリンスすることによりポリアミック酸層をパターニングし、常法によりエッチングレジストパターン層を除去した。
【００６１】
次に、得られたＳＵＳ箔／パターン化ポリアミック酸層／配線からなる積層体を、加熱処理装置に投入し、１６０℃（３０分）、１８０℃（３０分）、２５０℃（３０分）及び３００℃（３０分）のステップ加熱を施すことによりイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁ベース層とした。
【００６２】
次に、配線上に、カバーコート用のポリアミック酸層を形成し、イミド化することによりカバーコート層を形成した。これにより、磁気ヘッド用サスペンションが得られた。
【００６３】
実施例２
２５μｍ厚のステンレススチール箔（ＳＵＳ箔）上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、１００℃（５分）、１４０℃（５分）、１７０℃（１０分）の連続炉で溶剤を揮散させ、ポリイミド前駆体層として１０μｍ厚のポリアミック酸層を形成した。
【００６４】
ポリイミド前駆体層上に、スパッタ法でＮｉ層を約２００Å厚で堆積し、その上にＣｕ層を約１０００Å厚で堆積し、その薄膜上に配線パターンレジスト層を形成した。電解メッキ法により電解銅メッキ層を１８μｍ厚みで堆積し、次いで配線パターンレジスト層を剥離した。更に、全面を過酸化水素及び硫酸の混合液でソフトエッチングして配線を形成した。
【００６５】
次に、配線上にポリアミック酸層のエッチングレジストパターン層を形成し、６０℃に加温したＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液で処理した後、６０℃の温水でリンスすることによりポリアミック酸層をパターニングし、常法によりエッチングレジストパターン層を除去した。
【００６６】
次に、得られたＳＵＳ箔／パターン化ポリアミック酸層／配線からなる積層体を、加熱処理装置に投入し、１６０℃（３０分）、１８０℃（３０分）、２５０℃（３０分）及び３００℃（３０分）のステップ加熱を施すことによりイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁ベース層とした。
【００６７】
次に、配線上に、カバーコート用のポリアミック酸層を形成し、イミド化することによりカバーコート層を形成した。これにより、磁気ヘッド用サスペンションが得られた。
【００６８】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、配線となる銅箔のパターニングが１回でよく、しかも絶縁ベースを低コストで簡便に形成できる配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造工程図である。
【図２】本発明の配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造工程図である。
【図３】従来の配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造工程図である。
【符号の説明】
１，２１ バネ性材料層、２，２２ ポリイミド前駆体層、３ 配線用金属層、４，２３ 配線、５，２４ ポリイミド絶縁ベース層、６，２５ カバーコート層、７，２６ カバーコート用ポリイミド前駆体層
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置の磁気ヘッドを支えるためのサスペンションに関する。より詳しくは、配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク装置に用いられている従来の磁気ヘッド用サスペンションは、バネ性金属片の一端に磁気ヘッド素子を設け、磁気ヘッド素子とハードディスク装置の信号処理素子の入出力端子との間は、バネ性金属片に一体化していないワイヤで配線されている。
【０００３】
ところで、近年、ハードディスク装置の小型高容量化の進展に対し、磁気ヘッド用サスペンション自体も小型軽量化する必要がある。しかし、バネ性金属片に比べワイヤ配線の小型軽量化は十分ではないために、磁気ヘッド用サスペンションの小型軽量化を推進すると、バネ性金属片に対するワイヤ配線の質量、剛性が相対的に大きくなり、意図した性能のサスペンションが製造できないという問題が生ずる。
【０００４】
このため、バネ性金属片に軽量な配線を一体化することにより、意図した性能を有し且つ配線一体型で小型軽量タイプの磁気ヘッド用サスペンションが提案されている（特開平９−３０６１１４号公報）。この配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの配線の形成は、図３に示すように行われている。
【０００５】
先ず、ステンレス箔（バネ材）３１／ポリイミドフィルム（絶縁ベース）３２／銅箔（配線）３３を、接着剤（図せず）で積層した積層材料を用意する（図３（ａ））。
【０００６】
この積層材料の銅箔３３をフォトリソグラフ法によりパターニングしてメタルマスク３４を形成する（図３（ｂ））。このメタルマスク３４は、ポリイミドフィルム３２をエッチングにより所期の形状の絶縁ベース３５（図３（ｃ）参照）とするためのエッチングマスクとして機能する。ここで、エッチングの手法としては、エキシマレーザー光の照射、プラズマエッチング、強アルカリウェットエッチング等が挙げられる。
【０００７】
次に、積層材料のメタルマスク３４側から、例えばエキシマレーザー光Ｌを照射し、露出している部分のポリイミドフィルム３２を、ステンレス箔３１が露出しない厚みを残してフォトエッチングにより除去し、絶縁ベース３５を形成する（図３（ｃ））。
【０００８】
次に、メタルマスク３４をフォトリソグラフ技術によりパターニングして配線３６を形成する（図３（ｄ））。
【０００９】
次に、絶縁ベース３５以外のステンレス箔３１上のポリイミドフィルム薄膜を、エキシマレーザー光Ｌの照射によりフォトエッチングして除去する（図３（ｅ））。
【００１０】
次に、形成された配線３６上に、常法によりカバーコート層３７を形成する（図３（ｆ））。これにより配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションが得られる。必要に応じ、サスペンションの機械的性質を改善するために、ステンレス箔３１に曲げ加工を施することが一般的である（図３（ｇ））。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図３に示した配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法においては、銅箔のパターニングを２回（メタルマスクパターニグ及び配線パターニング）行う必要があり、銅箔のパターニング工程の統一化が模索されている。また、絶縁ベースとなるポリイミドフィルムをパターニングする手法に関し、エキシマレーザー光照射の場合には、高い設備コスト、頻繁なメンテナンス、高いランニングコスト、レーザー照射部に導電性炭化物の付着等の問題がある。また、ウェットエッチングの場合には、人体に対し有害で高コストのエッチャントを使用する必要があり、作業安全上の点でも廃液処理の点でも問題が多い。
【００１２】
本発明は、以上の従来の技術を解決しようとするものであり、配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションを製造するに際し、配線となる銅箔のパターニングを１回でできるようにし、且つ絶縁ベースを低コストで簡便に形成できるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、ポリアミック酸層等のポリイミド前駆体層が、熱可塑性であるために接着性に優れ、非常に廉価なアルカリにより造塩して温水処理により簡単に除去でき、また、設備コストがかからず、処理操作も簡便なイミド化処理により接着性、耐熱性及び寸法安定性に優れたポリイミドに変換できること、しかもポリイミド前駆体層が銅箔のパターニング条件（酸性エッチャント等）に対して耐性を有するので、銅箔をメタルマスクとして機能させる必要がなく、銅箔のパターニングも１回で済むことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１４】
即ち、本発明は、以下の工程（ａ）〜（ｆ）
（ａ）バネ性材料層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂ）ポリイミド前駆体層上に配線用金属層を形成する工程；
（ｃ）配線用金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして配線を一回だけ形成する工程；
（ｄ）ポリイミド前駆体層を、ポリイミド絶縁ベース層に対応した形状に、該配線をマスクとして使用することなくフォトリソグラフ技術によりパターニングする工程；
（ｅ）パターニングされたポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁ベース層を形成する工程；及び
（ｆ）配線上にカバーコート層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする磁気ヘッド用サスペンションの製造方法を提供する。
【００１５】
この製造方法において、工程（ｆ）は、工程（ｅ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｆ）を、工程（ｃ）と工程（ｄ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｄ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｅ）においてポリイミド絶縁ベース層の形成の際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成してもよい。
【００１６】
また、本発明は、以下の工程（ａａ）〜（ｅｅ）
（ａａ）バネ性材料層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂｂ）ポリイミド前駆体層上にセミアディティブ法により配線を１回だけ形成する工程；
（ｃｃ）ポリイミド前駆体層を、ポリイミド絶縁ベース層に対応した形状に、該配線をマスクとして使用することなくフォトリソグラフ技術によりパターニングする工程；
（ｄｄ）パターンニングされたポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁ベース層を形成する工程； 及び
（ｅｅ）配線上にカバーコート層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする磁気ヘッド用サスペンションの製造方法を提供する。
【００１７】
この製造方法において、工程（ｅｅ）は、工程（ｄｄ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｅｅ）を、工程（ｂｂ）と工程（ｃｃ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｃｃ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｄｄ）においてポリイミド絶縁ベース層の形成の際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成してもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法を図面を参照しながら工程毎に詳細に説明する。
【００１９】
なお、図１は配線をサブトラクティブ法により形成する例であり、図２は配線をセミアディティブ法により形成する例である。先ず、図１の態様から説明する。
【００２０】
工程（ａ）
バネ性材料層１上にポリイミド前駆体層２を形成する（図１（ａ））。
【００２１】
具体的には、バネ性を有するステンレススチール箔等のバネ性材料層１の片面に、ポリアミック酸等のポリイミド前駆体をＮ−メチルピロリドン等に溶解したポリイミド前駆体ワニスを、コンマコーター、ナイフコーター、ロールコーター、リップコーター、ダイコーター等により塗工し、層間密着強度の低下や後工程での発泡の発生を防止するために残存揮発分（溶剤、縮合により生ずる水など）含有量（ポリイミド前駆体層中の全揮発成分の重量百分率（重量％））を３０〜５０重量％の範囲内に収まるように、通常１５０℃〜２００℃で加熱乾燥してポリイミド前駆体層２を形成する。
【００２２】
なお、この乾燥中に、ポリイミド前駆体の一部がイミド化するが、乾燥後のポリイミド前駆体層２のイミド化率が５０％を超えないようにする。５０％以下であれば、アルカリエッチング液を利用するフォトリソグラフ技術でポリイミド前駆体層２を、微細、高精度且つ低コストでパターニングすることができる。
【００２３】
ポリイミド前駆体層２の厚みは、薄すぎると機械的強度が弱くなり、厚すぎるとイミド化後のポリイミド絶縁層がバネ性材料層１の塑性変形に及ぼす影響が大きくなるので、好ましくは５〜２５μｍである。
【００２４】
また、ポリイミド前駆体層２を構成するポリイミド前駆体としては、バネ性材料層１の変形を防止するために、ポリイミド前駆体のイミド化後のポリイミドの熱線膨張係数が、イミド化条件下でアニールされるバネ性材料層１の熱線膨張係数と略同一となるようなものを使用することが好ましい。
【００２５】
ここで、ポリイミド前駆体としては、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類（特開昭６０−１５７２８６号公報、特開昭６０−２４３１２０号公報、特開昭６３−２３９９９８号公報、特開平１−２４５５８６号公報、特開平３−１２３０９３号公報、特開平５−１３９０２７号公報参照）、過剰な酸二無水物とジアミンとから合成した末端が酸二無水物であるポリアミック酸プレポリマーとジイソシアネート化合物とから得られる一部イミド化したポリアミック酸類（ポリアミド樹脂ハンドブック，日刊工業新聞社発行（５３６頁，１９８８年）；高分子討論集，４７（６），１９９０年参照）等を使用することができる。中でも、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類を好ましく使用することができる。
【００２６】
ここで、酸二無水物の例としては、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，４，３′，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）が好ましく挙げられる。また、ジアミンの例としては、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ）、パラフェニレンジアミン（ｐ−ＰＤＡ）、４，４′−ジアミノベンズアニリド（ＤＡＢＡ）、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ）が好ましく挙げられる。
【００２７】
バネ性材料層１としては、従来の磁気ヘッド用サスペンションで用いられているものと同様のものを使用することができる。例えば、ＳＵＳ３０４箔、ＳＵＳ４３０箔等のステンレススチールを挙げることができる。
【００２８】
なお、バネ性材料層１の厚みは、通常、２０〜２５μｍである。
【００２９】
工程（ｂ）
次に、ポリイミド前駆体層２上に配線用金属層３を形成する（図１（ｂ））。
【００３０】
具体的には、ポリイミド前駆体層２上に、配線用金属層３として電解銅箔などの金属箔を熱プレス法もしくはロールラミネーション法等により積層すればよい。あるいは、ポリイミド前駆体層２上にスパッタ法で銅等の金属の薄膜を積層させ、更にその上に電解銅等の金属メッキ層を積層して第２金属層を形成することもできる。
【００３１】
工程（ｃ）
次に、配線用金属層３を微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ技術を利用するサブトラクティブ法によりパターニングして配線４を形成する（図１（ｃ））。
【００３２】
具体的には、バネ性材料層１の表面を保護フィルム（好ましくは軽剥離性の弱粘着テープ）で被覆した後、配線用金属層３上に配線パターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッチング液で配線用金属層３をエッチングして配線４を形成し、その後、配線パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離すればよい。
【００３３】
工程（ｄ）
ポリイミド前駆体層２を、後述するポリイミド絶縁ベース層５（図１（ｅ）参照）に対応した形状にフォトリソグラフ技術によりパターニングする（図１（ｄ））。具体的には、ポリイミド前駆体層２上にパターニングレジスト層を形成し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液や水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液で処理し、更に温水でリンスすることによりパターニングすることができる。
【００３４】
工程（ｅ）
次に、ポリイミド前駆体層２をイミド化してポリイミド絶縁ベース層５を形成する（図１（ｅ））。
【００３５】
ここで、イミド化の条件は、ポリイミド前駆体の種類等に応じて実験的に適宜決定することができる。例えば、大気圧下、窒素ガス雰囲気中で１６０℃（３０分）／１８０℃（３０分）／２５０℃（３０分）／３００℃（３０分）というようにステップ加熱すればよい。
【００３６】
工程（ｆ）
次に、配線４上にカバーコート層６を形成する（図１（ｆ））。これにより、磁気ヘッド用サスペンションが得られる。
【００３７】
この工程（ｆ）は工程（ｅ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｆ）を、工程（ｃ）と工程（ｄ）との間で、先ず配線４上にカバーコート用ポリイミド前駆体層７を設ける前工程と、工程（ｄ）においてポリイミド前駆体層２のポリイミド絶縁ベース層５に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層７をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｅ）においてポリイミド絶縁ベース層５を形成する際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層７をイミド化してカバーコート層６を形成する後工程とから構成してもよい。
【００３８】
工程（ｆ）を工程（ｅ）の後で実施する場合、具体的には、配線４上に感光性樹脂を塗布しパターニングした後に光硬化させることによりカバーコート層６を形成してもよい。また、配線４上に工程（ａ）と同様にカバーコート用ポリイミド前駆体層７を形成してパターニングし、工程（ｄ）と同様にイミド化することによりしてカバーコート層６を形成してもよい。
【００３９】
工程（ｅ）を、前述したように前工程と中工程と後工程をから構成する場合、具体的には、先ず工程（ｃ）の後で配線４上にカバーコート用ポリイミド前駆体層７を設け（図１（ｆ１））、次いでそのカバーコート用ポリイミド前駆体層７を、工程（ｄ）において同時にパターニング（図１（ｆ２））し、工程（ｅ）において同時にイミド化してカバーコート層６を形成すればよい（図１（ｆ３））。
【００４０】
工程（ｇ）
上記のように得られた磁気ヘッド用サスペンションに対し、必要に応じてそのバネ性材料層１に曲げ加工を施してもよい（図１（ｇ））。これにより、バネ性材料層１に形状安定性を付与することができる。あるいは、サブトラクティブ法によりバネ性材料層１を所定の形状にエッチングしてもよい（図示せず）。
【００４１】
次に、図２の態様について説明する。
【００４２】
工程（ａａ）
図１の態様の工程（ａ）と同様に、バネ性材料層２１上にポリイミド前駆体層２２を形成する（図２（ａ））。
【００４３】
工程（ｂｂ）
ポリイミド前駆体層２２上にセミアディティブ法により配線２３を形成する（図２（ｂ））。具体的には、バネ性材料層２１上に保護フィルムを貼った後に、ポリイミド前駆体層２２上にスパッタ法で銅等の薄膜を積層し、その薄膜上に導体回路パターンレジスト層を形成した後に、電解メッキ法により銅等の金属メッキ層を積層し、次いで配線パターンレジスト層を常法により剥離した後に、ソフトエッチングすることにより配線２３を形成し、その後、保護フィルムを剥離すればよい。
【００４４】
工程（ｃｃ）
ポリイミド前駆体層２２を、図１の態様の工程（ｄ）と同様に、ポリイミド絶縁ベース層２２（図２（ｄ）参照）に対応した形状にフォトリソグラフ技術によりパターニングする（図２（ｃ））。
【００４５】
工程（ｄｄ）
パターンニングされたポリイミド前駆体層２２を、図１の態様の工程（ｅ）と同様にイミド化してポリイミド絶縁ベース層２４を形成する（図２（ｄ））。
【００４６】
工程（ｅｅ）
次に、配線２３上にカバーコート層２５を形成する（図２（ｅ））。これにより、磁気ヘッド用サスペンションが得られる。
【００４７】
この工程（ｅｅ）は、工程（ｄｄ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｅｅ）を、工程（ｂｂ）と工程（ｃｃ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｃｃ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｄｄ）においてポリイミド絶縁ベース層を形成する際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成してもよい。
【００４８】
工程（ｅｅ）を工程（ｄｄ）の後で実施する場合、具体的には、配線２３上に感光性樹脂を塗布しパターニングした後に光硬化させることによりカバーコート層２５を形成してもよい。また、配線２３上に工程（ａａ）と同様にカバーコート用ポリアミック酸層を形成してパターニングし、工程（ｄ）と同様にイミド化することによりしてカバーコート層２５を形成してもよい。
【００４９】
工程（ｅｅ）を、前述したように前工程と中工程と後工程をから構成する場合、具体的には、先ず工程（ｂｂ）の後で配線２３上にカバーコート用ポリイミド前駆体層２６を設け（図２（ｅ１））、次いでそのカバーコート用ポリイミド前駆体層２６を、工程（ｃｃ）において同時にパターニング（図２（ｅ２））し、工程（ｄｄ）において同時にイミド化してカバーコート層２５を形成すればよい（図２（ｅ３））。
【００５０】
工程（ｆｆ）
上記のように得られた磁気ヘッド用サスペンションに対し、必要に応じてそのバネ性材料層２１に曲げ加工を施してもよい（図２（ｆ））。これにより、バネ性材料層２１に形状安定性を付与することができる。あるいは、サブトラクティブ法によりバネ性材料層２１を所定の形状にエッチングしてもよい（図示せず）。
【００５１】
図１の態様においては、先ずバネ性材料層１上にポリイミド前駆体層２を設け、更にポリイミド前駆体層２上に配線用金属層３を設けているが、先に配線用金属層３上にポリイミド前駆体層２を設け、更にポリイミド前駆体層２上にバネ性材料層１を設けてもよい。即ち、工程（ａ）及び工程（ｂ）に代えて、以下の工程（ａ′）及び（ｂ′）を実施し、それ以外の工程（ｃ）〜工程（ｆ）は上述した通りの工程である製造方法も本発明の範囲である。
【００５２】
即ち、以下の工程
（ａ´）配線用金属層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂ´）ポリイミド前駆体層上にバネ性材料層を形成する工程；
（ｃ）配線用金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして配線を１回だけ形成する工程；
（ｄ）ポリイミド前駆体層を、ポリイミド絶縁ベース層に対応した形状に、該配線をマスクとして使用することなくフォトリソグラフ技術によりパターニングする工程；
（ｅ）パターニングされたポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁ベース層を形成する工程； 及び
（ｆ）配線上にカバーコート層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする磁気ヘッド用サスペンションの製造方法も本発明の範囲である。
【００５３】
この製造方法においても、工程（ｆ）は、工程（ｅ）の後で実施してもよく、あるいは工程（ｆ）を、工程（ｃ）と工程（ｄ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｄ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｅ）においてポリイミド絶縁ベース層の形成の際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成してもよい。
【００５４】
以上のようにして得られる磁気ヘッド用サスペンションは、配線がバネ性金属片に一体的に作り込まれているので非常に小型軽量化したものであり、従って記録容量の増大したハードディスク装置に好ましく適用できるものとなる。しかも、ワイヤレスであるので磁気ヘッド素子のバネ性金属片への組み込み生産性も非常に向上し、更にデータの転送速度の高速化にも対応できるものとなる。
【００５５】
【実施例】
以下、本発明を具体的に説明する。
【００５６】
参考例
温度コントローラーとジャケット付きの６０リットルの反応釜に、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社製）１．０５ｋｇ（１１．２モル）と、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社製）０．８６ｋｇ（４．８モル）とを、窒素ガス雰囲気下で溶剤Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社製）約４５ｋｇに溶解した。その後、５０℃において、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、三菱瓦斯化学社製）３．５２３ｋｇ（１６．１４モル）を徐々に加えながら、３時間反応させた。これにより、固形分約１２％、粘度２５Ｐａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを調製した。
【００５７】
実施例１
２５μｍ厚のステンレススチール箔（ＳＵＳ箔）上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、１００℃（５分）、１４０℃（５分）、１７０℃（１０分）の連続炉で溶剤を揮散させ、ポリイミド前駆体層として１０μｍ厚のポリアミック酸層を形成した。
【００５８】
次に、ポリアミック酸層上に９μｍ厚の銅箔を重ね、１７０℃のプレス装置（５０ｋｇ／ｃｍ2）で１０分間熱圧着した。
【００５９】
次に、ＳＵＳ箔の表面を保護フィルムで被覆した後、銅箔上に配線パターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッチング液で銅箔をエッチングして７０μｍピッチの配線を形成した。その後、配線パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離した。
【００６０】
配線上にポリアミック酸層のエッチングレジストパターン層を形成し、６０℃に加温したＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液で処理した後、６０℃の温水でリンスすることによりポリアミック酸層をパターニングし、常法によりエッチングレジストパターン層を除去した。
【００６１】
次に、得られたＳＵＳ箔／パターン化ポリアミック酸層／配線からなる積層体を、加熱処理装置に投入し、１６０℃（３０分）、１８０℃（３０分）、２５０℃（３０分）及び３００℃（３０分）のステップ加熱を施すことによりイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁ベース層とした。
【００６２】
次に、配線上に、カバーコート用のポリアミック酸層を形成し、イミド化することによりカバーコート層を形成した。これにより、磁気ヘッド用サスペンションが得られた。
【００６３】
実施例２
２５μｍ厚のステンレススチール箔（ＳＵＳ箔）上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、１００℃（５分）、１４０℃（５分）、１７０℃（１０分）の連続炉で溶剤を揮散させ、ポリイミド前駆体層として１０μｍ厚のポリアミック酸層を形成した。
【００６４】
ポリイミド前駆体層上に、スパッタ法でＮｉ層を約２００Å厚で堆積し、その上にＣｕ層を約１０００Å厚で堆積し、その薄膜上に配線パターンレジスト層を形成した。電解メッキ法により電解銅メッキ層を１８μｍ厚みで堆積し、次いで配線パターンレジスト層を剥離した。更に、全面を過酸化水素及び硫酸の混合液でソフトエッチングして配線を形成した。
【００６５】
次に、配線上にポリアミック酸層のエッチングレジストパターン層を形成し、６０℃に加温したＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液で処理した後、６０℃の温水でリンスすることによりポリアミック酸層をパターニングし、常法によりエッチングレジストパターン層を除去した。
【００６６】
次に、得られたＳＵＳ箔／パターン化ポリアミック酸層／配線からなる積層体を、加熱処理装置に投入し、１６０℃（３０分）、１８０℃（３０分）、２５０℃（３０分）及び３００℃（３０分）のステップ加熱を施すことによりイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁ベース層とした。
【００６７】
次に、配線上に、カバーコート用のポリアミック酸層を形成し、イミド化することによりカバーコート層を形成した。これにより、磁気ヘッド用サスペンションが得られた。
【００６８】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、配線となる銅箔のパターニングが１回でよく、しかも絶縁ベースを低コストで簡便に形成できる配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造工程図である。
【図２】本発明の配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造工程図である。
【図３】従来の配線一体型の磁気ヘッド用サスペンションの製造工程図である。
【符号の説明】
１，２１ バネ性材料層、２，２２ ポリイミド前駆体層、３ 配線用金属層、４，２３ 配線、５，２４ ポリイミド絶縁ベース層、６，２５ カバーコート層、７，２６ カバーコート用ポリイミド前駆体層
Claims (9)
- 以下の工程（ａ）〜（ｆ）
（ａ）バネ性材料層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂ）ポリイミド前駆体層上に配線用金属層を形成する工程；
（ｃ）配線用金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして配線を一回だけ形成する工程；
（ｄ）ポリイミド前駆体層を、ポリイミド絶縁ベース層に対応した形状に、該配線をマスクとして使用することなくフォトリソグラフ技術によりパターニングする工程；
（ｅ）パターニングされたポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁ベース層を形成する工程； 及び
（ｆ）配線上にカバーコート層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする磁気ヘッド用サスペンションの製造方法。 - 工程（ｆ）が、工程（ｅ）の後で行われる請求項１記載の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法。
- 工程（ｆ）が、工程（ｃ）と工程（ｄ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｄ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｅ）においてポリイミド絶縁ベース層を形成する際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成されている請求項１記載の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法。
- 以下の工程（ａａ）〜（ｅｅ）
（ａａ）バネ性材料層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂｂ）ポリイミド前駆体層上にセミアディティブ法により配線を１回だけ形成する工程；
（ｃｃ）ポリイミド前駆体層を、ポリイミド絶縁ベース層に対応した形状に、該配線をマスクとして使用することなくフォトリソグラフ技術によりパターニングする工程；
（ｄｄ）パターンニングされたポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁ベース層を形成する工程； 及び
（ｅｅ）配線上にカバーコート層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする磁気ヘッド用サスペンションの製造方法。 - 工程（ｅｅ）が、工程（ｄｄ）の後で行われる請求項４記載の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法。
- 工程（ｅｅ）が、工程（ｂｂ）と工程（ｃｃ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｃｃ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｄｄ）においてポリイミド絶縁ベース層を形成する際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成されている請求項４記載の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法。
- 以下の工程
（ａ´）配線用金属層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂ´）ポリイミド前駆体層上にバネ性材料層を形成する工程；
（ｃ）配線用金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして配線を１回だけ形成する工程；
（ｄ）ポリイミド前駆体層を、ポリイミド絶縁ベース層に対応した形状に、該配線をマスクとして使用することなくフォトリソグラフ技術によりパターニングする工程；
（ｅ）パターニングされたポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁ベース層を形成する工程； 及び
（ｆ）配線上にカバーコート層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする磁気ヘッド用サスペンションの製造方法。 - 工程（ｆ）が、工程（ｅ）の後で行われる請求項７記載の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法。
- 工程（ｆ）が、工程（ｃ）と工程（ｄ）との間で、先ず配線上にカバーコート用ポリイミド前駆体層を設ける前工程と、工程（ｄ）においてポリイミド前駆体層のポリイミド絶縁ベース層に対応した形状へのパターニングの際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をカバーコート層形状にパターニングする中工程と、工程（ｅ）においてポリイミド絶縁ベース層を形成する際に、同時にカバーコート用ポリイミド前駆体層をイミド化してカバーコート層を形成する後工程とから構成されている請求項７記載の磁気ヘッド用サスペンションの製造方法。
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