JPH04334087A - フレキシブル印刷回路用基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブル印刷回路用基板の製造方法Info
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- JPH04334087A JPH04334087A JP19894991A JP19894991A JPH04334087A JP H04334087 A JPH04334087 A JP H04334087A JP 19894991 A JP19894991 A JP 19894991A JP 19894991 A JP19894991 A JP 19894991A JP H04334087 A JPH04334087 A JP H04334087A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 6
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 8
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical group CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbenzidine Chemical compound C1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYYKXFEKMGYLZ-UHFFFAOYSA-N 4-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C=1C=C2C(=O)OC(=O)C2=CC=1C1=CC=CC2=C1C(=O)OC2=O FYYYKXFEKMGYLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001006 Constantan Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012691 depolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、接着剤層を持たない2
層フレキシブル印刷回路板において、孔加工された支持
フィルム層を有するフレキシブル印刷回路用基板を製造
する方法に関するものである。
層フレキシブル印刷回路板において、孔加工された支持
フィルム層を有するフレキシブル印刷回路用基板を製造
する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のフレキシブル印刷回路用基板は、
電子機器の小型・軽量化が進むにつれ、ますます用途が
拡大し、最近は従来の様な配線基板としてだけでなく、
TAB用キャリアテープの様な支持フィルムに孔のあい
た基板の利用も増大してきている。
電子機器の小型・軽量化が進むにつれ、ますます用途が
拡大し、最近は従来の様な配線基板としてだけでなく、
TAB用キャリアテープの様な支持フィルムに孔のあい
た基板の利用も増大してきている。
【0003】このような、支持フィルム層に孔加工がさ
れ、かつ導体配線を有するフレキシブル印刷回路用基板
の製造方法としては、予め支持フィルム層にパンチング
等で孔加工を行い、接着剤を用いて導体層を貼合わせた
後、配線回路を形成する方法や、導体層にポリアミック
酸溶液を直接塗布し、乾燥・イミド化を行うか、支持フ
ィルム層に蒸着法やスパッタリング法によって導体層を
形成した後、レーザーあるいは強アルカリ性溶液によっ
て支持フィルム層に孔加工を行い、その後配線回路を形
成する方法が用いられている。
れ、かつ導体配線を有するフレキシブル印刷回路用基板
の製造方法としては、予め支持フィルム層にパンチング
等で孔加工を行い、接着剤を用いて導体層を貼合わせた
後、配線回路を形成する方法や、導体層にポリアミック
酸溶液を直接塗布し、乾燥・イミド化を行うか、支持フ
ィルム層に蒸着法やスパッタリング法によって導体層を
形成した後、レーザーあるいは強アルカリ性溶液によっ
て支持フィルム層に孔加工を行い、その後配線回路を形
成する方法が用いられている。
【0004】しかし、従来用いられているこれらの方法
においては、それぞれに耐熱性、密着力、加工性、耐薬
品性に欠点を有している。先ず、接着剤層をもつ3層フ
レキシブル印刷回路用基板では、接着剤層の耐熱性が低
いため、支持フィルムにポリイミドを用いても、フレキ
シブル印刷回路用基板としての耐熱性は接着剤層の耐熱
性によって決定されるという欠点を有している。導体層
を蒸着やスパッタリング法で形成した場合、支持フィル
ム層と導体層の密着力が低いという欠点、あるいは導体
層を厚くしていった場合に厚さ及び密度が不均一になる
という欠点を有している。そして導体層にポリアミック
酸溶液を直接塗布・乾燥・イミド化した後、孔加工する
場合、レーザーによる加工は時間を要し生産性が低下す
る、あるいはイミド化後にケミカルエッチング可能な分
子構造をもつポリイミドは、耐溶剤性が若干落ち、かつ
エッチング液として強アルカリ性溶液を用いるために危
険性が高く、また安易に廃液処理ができないという欠点
を有している。
においては、それぞれに耐熱性、密着力、加工性、耐薬
品性に欠点を有している。先ず、接着剤層をもつ3層フ
レキシブル印刷回路用基板では、接着剤層の耐熱性が低
いため、支持フィルムにポリイミドを用いても、フレキ
シブル印刷回路用基板としての耐熱性は接着剤層の耐熱
性によって決定されるという欠点を有している。導体層
を蒸着やスパッタリング法で形成した場合、支持フィル
ム層と導体層の密着力が低いという欠点、あるいは導体
層を厚くしていった場合に厚さ及び密度が不均一になる
という欠点を有している。そして導体層にポリアミック
酸溶液を直接塗布・乾燥・イミド化した後、孔加工する
場合、レーザーによる加工は時間を要し生産性が低下す
る、あるいはイミド化後にケミカルエッチング可能な分
子構造をもつポリイミドは、耐溶剤性が若干落ち、かつ
エッチング液として強アルカリ性溶液を用いるために危
険性が高く、また安易に廃液処理ができないという欠点
を有している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、特定のポリアミック酸ワニスを用いることによ
り、接着剤層のない2層フレキシブル印刷回路板の本来
持っている耐アルカリ性、耐溶剤性、耐熱性、電気特性
を低下させることなく、孔加工された支持フィルムを有
するフレキシブル印刷回路用基板の製造法を提供するも
のである。
ころは、特定のポリアミック酸ワニスを用いることによ
り、接着剤層のない2層フレキシブル印刷回路板の本来
持っている耐アルカリ性、耐溶剤性、耐熱性、電気特性
を低下させることなく、孔加工された支持フィルムを有
するフレキシブル印刷回路用基板の製造法を提供するも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、3,3’,4
,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフ
ェニレンジアミンとを反応させて得られたポリアミック
酸溶液(A)と、ピロメリット酸二無水物と4,4’−
ジアミノジフェニルエーテルを反応させて得られたポリ
アミック酸溶液(B)とを、固形分のモル比がA/B=
55/45〜75/25の割合で混合して得られたポリ
アミック酸のワニスを用いて、導体箔上に半硬化させた
ポリアミック酸フィルムを形成させ、次いで該フィルム
にケミカルエッチング等により所定の開孔部を設けた後
、イミド化を完結させることを特徴とするフレキシブル
印刷回路用基板の製造方法である。
,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフ
ェニレンジアミンとを反応させて得られたポリアミック
酸溶液(A)と、ピロメリット酸二無水物と4,4’−
ジアミノジフェニルエーテルを反応させて得られたポリ
アミック酸溶液(B)とを、固形分のモル比がA/B=
55/45〜75/25の割合で混合して得られたポリ
アミック酸のワニスを用いて、導体箔上に半硬化させた
ポリアミック酸フィルムを形成させ、次いで該フィルム
にケミカルエッチング等により所定の開孔部を設けた後
、イミド化を完結させることを特徴とするフレキシブル
印刷回路用基板の製造方法である。
【0007】即ち、導体箔にポリアミック酸溶液を直接
塗布し、タックフリー状態になるまで乾燥し、ポリアミ
ック酸フィルムを形成する。次に、ポリアミック酸フィ
ルムを通常の方法、例えば、ケミカルエッチング、レー
ザー等によってポリアミック酸フィルムのみを開孔させ
て孔加工を行う。孔加工が終了した後、充分にイミド化
を行う。
塗布し、タックフリー状態になるまで乾燥し、ポリアミ
ック酸フィルムを形成する。次に、ポリアミック酸フィ
ルムを通常の方法、例えば、ケミカルエッチング、レー
ザー等によってポリアミック酸フィルムのみを開孔させ
て孔加工を行う。孔加工が終了した後、充分にイミド化
を行う。
【0008】本発明でポリアミック酸フィルムを得るた
めに用いるポリアミック酸溶液は、フィルム形成能があ
り、金属箔との密着性があり、上述したようなポリアミ
ック酸が最も目的にかなっている。すなわち、ポリアミ
ック酸溶液(A)とポリアミック酸溶液(B)とを、固
形分のモル比がA/B=55/45〜75/25の割合
で混合撹拌して得られるポリアミック酸混合溶液である
。(A)の比率が上述の割合よりも少ないときにはカー
ルが発生し、逆に多いときには剛直になりすぎ、柔軟性
がなくなり銅箔との密着性が損なわれる。(A)と(B
)とを混合する際の撹拌温度は0〜100℃であること
が望ましい。0℃以下だと反応の速度が遅く、100℃
以上であると生成したポリアミック酸の閉環反応および
解重合反応が開始するためである。通常、攪拌は20℃
前後で行われる。
めに用いるポリアミック酸溶液は、フィルム形成能があ
り、金属箔との密着性があり、上述したようなポリアミ
ック酸が最も目的にかなっている。すなわち、ポリアミ
ック酸溶液(A)とポリアミック酸溶液(B)とを、固
形分のモル比がA/B=55/45〜75/25の割合
で混合撹拌して得られるポリアミック酸混合溶液である
。(A)の比率が上述の割合よりも少ないときにはカー
ルが発生し、逆に多いときには剛直になりすぎ、柔軟性
がなくなり銅箔との密着性が損なわれる。(A)と(B
)とを混合する際の撹拌温度は0〜100℃であること
が望ましい。0℃以下だと反応の速度が遅く、100℃
以上であると生成したポリアミック酸の閉環反応および
解重合反応が開始するためである。通常、攪拌は20℃
前後で行われる。
【0009】本発明においては、ポリアミック酸溶液(
A)或はポリアミック酸溶液(B)を製造するに際にテ
トラカルボン酸二無水物成分またはジアミン成分に対し
て、少量のその他のテトラカルボン酸二無水物またはジ
アミンを添加しても良い。
A)或はポリアミック酸溶液(B)を製造するに際にテ
トラカルボン酸二無水物成分またはジアミン成分に対し
て、少量のその他のテトラカルボン酸二無水物またはジ
アミンを添加しても良い。
【0010】テトラカルボン酸二無水物成分としては、
例えば2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−P−テル
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−ヘキ
サフルオロイソプロピリデンビス(フタル酸無水物)等
を併用することが出来る。
例えば2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−P−テル
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−ヘキ
サフルオロイソプロピリデンビス(フタル酸無水物)等
を併用することが出来る。
【0011】ジアミン成分としては、例えば4,4’−
ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジメチルベンジ
ジン、4,4’−ジアミノ−P−テルフェニル、4,4
’−ジアミノ−P−クォーターフェニル、2,8−ジア
ミノジフェニレンオキサイドなども併用することができ
る。
ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジメチルベンジ
ジン、4,4’−ジアミノ−P−テルフェニル、4,4
’−ジアミノ−P−クォーターフェニル、2,8−ジア
ミノジフェニレンオキサイドなども併用することができ
る。
【0012】テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン
成分との反応は酸成分/アミン成分(モル比)0.90
〜1.00で行うのが好ましく、0.90より低いと重
合度が上がらず硬化後の皮膜特性が悪い。1.00より
大きいと、硬化時にガスを発生し、平滑な皮膜を得るこ
とが出来ない。
成分との反応は酸成分/アミン成分(モル比)0.90
〜1.00で行うのが好ましく、0.90より低いと重
合度が上がらず硬化後の皮膜特性が悪い。1.00より
大きいと、硬化時にガスを発生し、平滑な皮膜を得るこ
とが出来ない。
【0013】反応は通常、テトラカルボン酸二無水物ま
たはジアミン類と反応しない有機極性溶媒中で行われる
。この有機極性溶媒は、反応系に対して不活性であり、
かつ生成物に対して溶媒であること以外に、反応成分の
少なくとも一方、好ましくは両者に対して良溶媒でなけ
ればならない。この種の溶媒として代表的なものは、N
,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、N
−メチル−2−ピロリドン等があり、これらの溶媒は単
独または組み合わせて使用される。この他にも溶媒とし
て組み合わせて用いられるものとしてベンゼン、ジオキ
サン、キシレン、トルエン、シクロヘキサン等の非極性
溶媒が、原料の分散媒、反応調節剤あるいは生成物から
の揮散調節剤、皮膜平滑剤等として使用される。
たはジアミン類と反応しない有機極性溶媒中で行われる
。この有機極性溶媒は、反応系に対して不活性であり、
かつ生成物に対して溶媒であること以外に、反応成分の
少なくとも一方、好ましくは両者に対して良溶媒でなけ
ればならない。この種の溶媒として代表的なものは、N
,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、N
−メチル−2−ピロリドン等があり、これらの溶媒は単
独または組み合わせて使用される。この他にも溶媒とし
て組み合わせて用いられるものとしてベンゼン、ジオキ
サン、キシレン、トルエン、シクロヘキサン等の非極性
溶媒が、原料の分散媒、反応調節剤あるいは生成物から
の揮散調節剤、皮膜平滑剤等として使用される。
【0014】反応は一般的に無水の条件下で行うことが
好ましい。これはテトラカルボン酸二無水物が水により
開環し、不活性化し、反応を停止させる恐れがあるため
である。このため仕込原料中の水分も溶媒中の水分も除
去する必要がある。しかし一方、反応の進行を調節し、
樹脂重合度をコントロールするためにあえて水を添加す
ることも行われる。また反応は不活性ガス雰囲気中で行
われることが好ましい。これはジアミン類の酸化を防止
するためである。不活性ガスとしては一般的に乾燥窒素
ガスが使用される。
好ましい。これはテトラカルボン酸二無水物が水により
開環し、不活性化し、反応を停止させる恐れがあるため
である。このため仕込原料中の水分も溶媒中の水分も除
去する必要がある。しかし一方、反応の進行を調節し、
樹脂重合度をコントロールするためにあえて水を添加す
ることも行われる。また反応は不活性ガス雰囲気中で行
われることが好ましい。これはジアミン類の酸化を防止
するためである。不活性ガスとしては一般的に乾燥窒素
ガスが使用される。
【0015】本発明において、導体箔上に半硬化状態の
ポリアミック酸フィルムを形成する方法は、導体箔上に
ロータリーコーター、ナイフコーター、ドクターブレー
ド、フローコーター等の公知の塗布手段で導体箔上端か
ら1〜100μmの均一な厚さに流延塗布した後、加熱
乾燥することにより得ることが出来る。また、導体箔上
に半硬化させたポリアミック酸フィルムを形成させ、さ
らに同一組成または異なる組成の他の離型フィルム上に
形成されたポリアミック酸フィルムをアミック酸フィル
ム面を合わせて、必要によりこの間にアミック酸フィル
ムを所定の枚数挿入し、2枚以上同時に加熱・圧着し、
厚みの厚いポリアミック酸フィルムを得ることも出来る
。
ポリアミック酸フィルムを形成する方法は、導体箔上に
ロータリーコーター、ナイフコーター、ドクターブレー
ド、フローコーター等の公知の塗布手段で導体箔上端か
ら1〜100μmの均一な厚さに流延塗布した後、加熱
乾燥することにより得ることが出来る。また、導体箔上
に半硬化させたポリアミック酸フィルムを形成させ、さ
らに同一組成または異なる組成の他の離型フィルム上に
形成されたポリアミック酸フィルムをアミック酸フィル
ム面を合わせて、必要によりこの間にアミック酸フィル
ムを所定の枚数挿入し、2枚以上同時に加熱・圧着し、
厚みの厚いポリアミック酸フィルムを得ることも出来る
。
【0016】一方、離型フィルム上にポリアミック酸溶
液を塗布し、タックフリー状態になるまで乾燥し、ポリ
アミック酸フィルムを形成する。その後、ポリアミック
酸フィルム面を重ね合わせ、ポリアミック酸フィルム同
士を加熱・圧着し、最初に塗布・乾燥した厚みの整数倍
のポリアミック酸フィルムを作製する。このとき、必要
に応じてポリアミック酸の面同士を重ねられるように、
離型フィルムを剥離したポリアミック酸フィルムを所定
の枚数間に挿入してより厚いポリアミック酸フィルムを
得ることも出来る。また圧着後片側の離型フィルムを剥
し、同様のことを繰り返して更に厚いものを得ることも
出来る。このようにして得られたポリアミック酸フィル
ムを導体箔と圧着してもよい。
液を塗布し、タックフリー状態になるまで乾燥し、ポリ
アミック酸フィルムを形成する。その後、ポリアミック
酸フィルム面を重ね合わせ、ポリアミック酸フィルム同
士を加熱・圧着し、最初に塗布・乾燥した厚みの整数倍
のポリアミック酸フィルムを作製する。このとき、必要
に応じてポリアミック酸の面同士を重ねられるように、
離型フィルムを剥離したポリアミック酸フィルムを所定
の枚数間に挿入してより厚いポリアミック酸フィルムを
得ることも出来る。また圧着後片側の離型フィルムを剥
し、同様のことを繰り返して更に厚いものを得ることも
出来る。このようにして得られたポリアミック酸フィル
ムを導体箔と圧着してもよい。
【0017】本発明において、ポリアミック酸溶液を乾
燥させ、半硬化状態のポリアミック酸フィルムを形成さ
せる条件としては、80〜200℃、5〜30分が適当
である。これより温度が低く時間が短い場合、乾燥が不
充分で多量の残留溶剤を含むため、ケミカルエッチング
にて孔加工する場合、エッチングされた境界部において
シャープな線は得られず、エッチングレジスト下部への
オーバーエッチングが発生する、一方レーザーにて孔加
工する場合、レーザーによる分解に多量のエネルギーが
必要になり多大な加工時間がかかってしまう。またこれ
より温度が高く時間が長い場合、エッチング速度及びレ
ーザーによる分解速度が遅くなりイミド化を完結させた
場合と加工時間が殆ど変わりがなくなる。
燥させ、半硬化状態のポリアミック酸フィルムを形成さ
せる条件としては、80〜200℃、5〜30分が適当
である。これより温度が低く時間が短い場合、乾燥が不
充分で多量の残留溶剤を含むため、ケミカルエッチング
にて孔加工する場合、エッチングされた境界部において
シャープな線は得られず、エッチングレジスト下部への
オーバーエッチングが発生する、一方レーザーにて孔加
工する場合、レーザーによる分解に多量のエネルギーが
必要になり多大な加工時間がかかってしまう。またこれ
より温度が高く時間が長い場合、エッチング速度及びレ
ーザーによる分解速度が遅くなりイミド化を完結させた
場合と加工時間が殆ど変わりがなくなる。
【0018】ポリアミック酸フィルムの状態におけるイ
ミド化率は10〜50%、望むべくは20〜40%が望
ましい。
ミド化率は10〜50%、望むべくは20〜40%が望
ましい。
【0019】ケミカルエッチングには、ヒドラジン、K
OH、NaOH等のアルカリ溶液及びジメチルスルホキ
シド、N−メチル−2−ピロリドン等の有機極性溶剤な
どを使用することが出来る。レーザーを使用する場合、
レーザーの種類としては、エキシマレーザー、炭酸ガス
レーザー、YAGレーザー等が挙げられるが、導体箔に
与えるダメージが少ないという点でエキシマレーザーが
特に望ましい。さらに乾燥の温度・時間、レーザーの出
力との調整・組み台わせにより、加工速度・加工状態を
自由に調整することが可能となる。
OH、NaOH等のアルカリ溶液及びジメチルスルホキ
シド、N−メチル−2−ピロリドン等の有機極性溶剤な
どを使用することが出来る。レーザーを使用する場合、
レーザーの種類としては、エキシマレーザー、炭酸ガス
レーザー、YAGレーザー等が挙げられるが、導体箔に
与えるダメージが少ないという点でエキシマレーザーが
特に望ましい。さらに乾燥の温度・時間、レーザーの出
力との調整・組み台わせにより、加工速度・加工状態を
自由に調整することが可能となる。
【0020】導体層として用いることのできる材料とし
ては、銅、アルミニウム、コンスタンタン、ニッケル等
の金属箔が挙げられる。
ては、銅、アルミニウム、コンスタンタン、ニッケル等
の金属箔が挙げられる。
【0021】
【作用】本発明は、導体箔上に特定のポリアミック酸溶
液を直接塗布・乾燥し、ポリアミック酸の半硬化状態の
フィルムにおいて孔加工を行い、その後イミド化を完結
させ、導体配線を形成する工程をとることにより、容易
にかつ安価に生産性・収率よく支持フィルム層に孔のあ
る2層フレキシブル印刷回路用基板を得ることができる
。
液を直接塗布・乾燥し、ポリアミック酸の半硬化状態の
フィルムにおいて孔加工を行い、その後イミド化を完結
させ、導体配線を形成する工程をとることにより、容易
にかつ安価に生産性・収率よく支持フィルム層に孔のあ
る2層フレキシブル印刷回路用基板を得ることができる
。
【0022】
(実施例1)温度計、撹拌装置、環流コンデンサーおよ
び乾燥窒素ガス吹き込み口を備えた4つ口セパラブルフ
ラスコに精製した無水のパラフェニレンジアミン108
gをと、これに無水のN−メチル−2−ピロリドン90
重量%とトルエン10重量%の混合溶剤を、全仕込原料
中の固形分割合が20重量%になるだけの量を加えて溶
解した。乾燥窒素ガスは反応の準備段階より生成物取り
出しまでの全工程にわたり流しておいた。次いで、精製
した無水の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物294gを攪拌しながら少量ずつ添加す
るが発熱反応であるため、外部水槽に約15℃の冷水を
循環させてこれを冷却した。添加後、内部温度を20℃
に設定し、5時間攪拌し、反応を終了してポリアミック
酸溶液(Aとする)を得た。次に上記と同様の装置及び
方法で、無水の4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
200gと精製した無水のピロメリット酸二無水物21
8gを反応させてポリアミック酸(Bとする)を得た。 次にAおよびBを、固形分のモル比がA/B=60/4
0になるように混合攪拌し、ポリアミック酸溶液を得た
。
び乾燥窒素ガス吹き込み口を備えた4つ口セパラブルフ
ラスコに精製した無水のパラフェニレンジアミン108
gをと、これに無水のN−メチル−2−ピロリドン90
重量%とトルエン10重量%の混合溶剤を、全仕込原料
中の固形分割合が20重量%になるだけの量を加えて溶
解した。乾燥窒素ガスは反応の準備段階より生成物取り
出しまでの全工程にわたり流しておいた。次いで、精製
した無水の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物294gを攪拌しながら少量ずつ添加す
るが発熱反応であるため、外部水槽に約15℃の冷水を
循環させてこれを冷却した。添加後、内部温度を20℃
に設定し、5時間攪拌し、反応を終了してポリアミック
酸溶液(Aとする)を得た。次に上記と同様の装置及び
方法で、無水の4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
200gと精製した無水のピロメリット酸二無水物21
8gを反応させてポリアミック酸(Bとする)を得た。 次にAおよびBを、固形分のモル比がA/B=60/4
0になるように混合攪拌し、ポリアミック酸溶液を得た
。
【0023】市販の電解銅箔上に、ポリアミック酸溶液
をスピンナーで塗布し、110℃、15分乾燥を行い、
ポリアミック酸フィルムを得た。次にKrFエキシマレ
ーザーを用いて、出力50w、周波数200Hz,エネ
ルギー密度0.8J/cm2の条件で孔加工を行た。そ
の後、380℃で1時間加熱を行い、イミド化を完結し
た。
をスピンナーで塗布し、110℃、15分乾燥を行い、
ポリアミック酸フィルムを得た。次にKrFエキシマレ
ーザーを用いて、出力50w、周波数200Hz,エネ
ルギー密度0.8J/cm2の条件で孔加工を行た。そ
の後、380℃で1時間加熱を行い、イミド化を完結し
た。
【0024】得られた2層フレキシブル印刷回路用基板
の特性を表1に示す。なお比較のために、銅箔上に直接
塗布、乾燥、イミド化を行い作製した場合の特性も併記
した。
の特性を表1に示す。なお比較のために、銅箔上に直接
塗布、乾燥、イミド化を行い作製した場合の特性も併記
した。
【0025】
【表1】
【0026】(実施例2)実施例1と同様の方法で、2
層フレキシブル印刷回路用基板を作製し、この上に市販
のエッチングレジストを全面に塗布、乾燥を行った後、
エッチング除去したい部分を露光現像し、露出したポリ
アミック酸フィルムを、40℃に加熱した25%のKO
H溶液中に浸漬したところ、約2分で露出部分のフィル
ムは溶解し、銅箔面が露出した。その後、エッチングレ
ジストを剥離し、380℃で1時間加熱を行い、イミド
化を完結した。得られた2層フレキシブル印刷回路用基
板の特性は、実施例1で作製したものと同等の特性を有
していた。
層フレキシブル印刷回路用基板を作製し、この上に市販
のエッチングレジストを全面に塗布、乾燥を行った後、
エッチング除去したい部分を露光現像し、露出したポリ
アミック酸フィルムを、40℃に加熱した25%のKO
H溶液中に浸漬したところ、約2分で露出部分のフィル
ムは溶解し、銅箔面が露出した。その後、エッチングレ
ジストを剥離し、380℃で1時間加熱を行い、イミド
化を完結した。得られた2層フレキシブル印刷回路用基
板の特性は、実施例1で作製したものと同等の特性を有
していた。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、ポリイミドフィルム状
態より短時間でレーザーによる孔加工を精度よく行え、
かつ従来と同様の工程で支持フィルムに孔を有する2層
フレキシブル印刷回路用基板を得ることができ、さらに
イミド化完結後も他の特性を損なうことなく、寸法変化
率の低下及びカール発生の軽減等の効果も得ることがで
きた。本発明は、連続シートを用いたフレキシブル印刷
回路基板の連続生産工程にも容易に適用できるなど、工
業的な孔加工されたフレキシブル印刷回路用基板の製造
方法として好適なものである。
態より短時間でレーザーによる孔加工を精度よく行え、
かつ従来と同様の工程で支持フィルムに孔を有する2層
フレキシブル印刷回路用基板を得ることができ、さらに
イミド化完結後も他の特性を損なうことなく、寸法変化
率の低下及びカール発生の軽減等の効果も得ることがで
きた。本発明は、連続シートを用いたフレキシブル印刷
回路基板の連続生産工程にも容易に適用できるなど、工
業的な孔加工されたフレキシブル印刷回路用基板の製造
方法として好適なものである。
Claims (1)
- 【請求項1】 3,3’,4,4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを反
応させて得られたポリアミック酸溶液(A)と、ピロメ
リット酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエー
テルを反応させて得られたポリアミック酸溶液(B)と
を、固形分のモル比がA/B=55/45〜75/25
の割合で混合して得られたポリアミック酸のワニスを用
いて、導体箔上に半硬化させたポリアミック酸フィルム
を形成させ、次いで該フィルムに所定の開孔部を設けた
後、イミド化を完結させることを特徴とするフレキシブ
ル印刷回路用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19894991A JPH04334087A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | フレキシブル印刷回路用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19894991A JPH04334087A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | フレキシブル印刷回路用基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04334087A true JPH04334087A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=16399632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19894991A Pending JPH04334087A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | フレキシブル印刷回路用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04334087A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6797404B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-09-28 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Anti-spatter coating for laser machining |
US6811888B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-11-02 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Anti-spatter coating for laser machining |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63293996A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Sharp Corp | 多層配線基板の製造方法 |
JPH02247232A (ja) * | 1989-03-18 | 1990-10-03 | Hitachi Ltd | ポリイミド膜のパターン形成方法および該膜を用いた電子装置 |
JPH0391290A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フレキシブルプリント回路板の製造方法 |
JPH0390348A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フレキシブルプリント回路板の製造方法 |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP19894991A patent/JPH04334087A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63293996A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Sharp Corp | 多層配線基板の製造方法 |
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JPH0390348A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フレキシブルプリント回路板の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6797404B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-09-28 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Anti-spatter coating for laser machining |
US6811888B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-11-02 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Anti-spatter coating for laser machining |
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