DE69428684T2 - Thermisch-leitendes gehaeuse fuer integrierte schaltungen mit radiofrequenz-abschirmung - Google Patents

Thermisch-leitendes gehaeuse fuer integrierte schaltungen mit radiofrequenz-abschirmung

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Description

    Querbezug auf verwandte Anmeldungen
  • Diese Anmeldung bezieht sich auf das am 6. Oktober 1992 an Guzik u. a. erteilte US-Patent Nr. 5.153.379 mit dem Titel "Shielded Low-Profile Electronic Component Assembly" und auf das am 31. August 1993 an Mullen u. a. erteilte US-Patent Nr. 5.241.133 mit dem Titel "Leadless Pad Array Chip Carrier" sowie außerdem auf die US-Patentanmeldung Seriennummer 650.326, die am 31. Januar 1991 eingereicht wurde, die eine eingekapselte Halbleitervorrichtung, die mit einer im Vakuum aufgebrachten Metallschicht bedeckt ist, betrifft.
    • Technisches Gebiet
  • Diese Erfindung betrifft im Allgemeinen Gehäuse für Halbleitervorrichtungen und insbesondere thermisch leitfähige Gehäuse mit Hochfrequenzabschirmung für Halbleitervorrichtungen.
    • Hintergrund
  • Gehäuse für Halbleitervorrichtungen oder Chipträger für integrierte Schaltungen (IC) finden in einer Vielzahl von kompakten elektronischen Anwendungen Verwendung. Die integrierten Schaltungen oder Halbleitervorrichtungen werden typischerweise gegen die äußere Umgebung durch Preßspritzen eines warmaushärtenden oder eines thermoplastischen Harzes um die Vorrichtung herum geschützt. Dieses Gehäuse schafft einen Schutz gegen Staub, Feuchtigkeit und weitere Umweltfaktoren, die die empfindliche Schaltungsanordnung zerstören können.
  • Ein Hauptproblem, das mit diesen Typen von Gehäusen verbunden ist, besteht darin, dass sie keine Abschirmung gegen elektromagnetische Strahlung, wie etwa Hochfrequenzstörung (RFI) oder elektromagnetische Störung (EMI), schaffen. Diese Fähigkeit zum Abschirmen von Hochfrequenzschaltungen, besonders in elektronischen Ausrüstungen, wie etwa Zweiwege- Funkgeräten, ist entscheidend. Herkömmliche Abschirmsysteme sind im Allgemeinen durch eine metallische Umhüllung gekennzeichnet, die so aufgebaut ist, dass sie die abzuschirmende Vorrichtung umgibt. Diese Umhüllung wirkt entweder, um die elektrische Ausrüstung gegen äußere RFI- oder EMI-Signale zu schützen oder um das Entweichen von RFI- oder EMI- Signalen, die von der Vorrichtung erzeugt werden, zu verhindern. Diese abschirmenden Umhüllungen werden typischerweise aus einem leitfähigen Material hergestellt, das mit einem geeigneten Massepotential elektrisch verbunden ist. Im Stand der Technik werden abschirmende Umhüllungen hergestellt, indem ein gezogenes Metallgehäuse über dem preßgespritzten Gehäuse angebracht wird und das Metallgehäuse mit einem Substrat, das mit der Vorrichtung verbunden ist, verlötet wird. Leider ist dieses Verfahren der Abschirmung teuer und aufwändig wegen:
  • A) hohen Temperaturen, die während des Lötvorgangs zum Anbringen des metallischen Schildes an der Vorrichtung erzeugt werden. Wärme, die durch den Lötvorgang erzeugt wird, kann direkt zur IC geleitet werden und sie beschädigen. Es ist eine entsprechende Sorgfalt erforderlich, um den Lötvorgang zu steuern, damit eine Gefährdung der Güte der IC verhindert wird.
  • B) der zusätzlichen Dicke oder des zusätzlichen Volumens, das erforderlich ist, wenn eine metallische Umhüllung hinzugefügt wird. Das Anwachsen der Gesamtgröße des abgeschirmten Gehäuses wegen der zusätzlichen Dicke der Abschirmung ist wesentlich. Dies hat ein Gehäuse zur Folge, das größer als optimal ist.
  • C) den zusätzlichen Kosten, die mit der Lötoperation verbunden sind. Der Schritt des Lötens der Abschirmung erfordert zusätzliche Montagezeit und Arbeit, wodurch sich die Kosten des fertigen Gehäuses weiter erhöhen. Das Realisieren einer Abschirmung für integrierte Schaltungen auf diese Weise erfordert spezielle Montage- und Haltefixierungen für die Abschirmung und das IC-Gehäuse.
  • Herkömmliche abgeschirmte Systeme gewährleisten außerdem keine Dissipation der thermischen Energie, die durch die Vorrichtung erzeugt wird. Im Stand der Technik sind zahlreiche Verfahren zum Kühlen bekannt und beinhalten im allgemeinen das Anbringen eines Kühlkörpers am IC-Gehäuse. Diese Lösung ist nicht optimal, da sich die thermische Energie trotzdem noch durch die isolierende Kunststoff- Pressverbindung ausbreiten muss, bevor sie den Metallkühlkörper erreicht. Hochfrequenz- (radio frequency, RF) Leistungslos, wie etwa Verstärker, weisen spezielle Probleme der Abschirmung und der thermischen Dissipation auf, die nicht durch die herkömmliche Technik behandelt werden.
  • Im Ergebnis besteht ein Bedarf an einem Verfahren, um eine RFI-Abschirmung und eine verbesserte thermische Leitfähigkeit bei einem kompakten Gehäuse einer integrierten Schaltung zu schaffen, das wirtschaftlich ist, keine übermäßigen Temperatur erzeugt und ein kompaktes Flachformgehäuse schafft.
  • US-A-5.166.772 betrifft ein abgeschirmtes Halbleitergehäuse, das ein Substrat mit einer aufgedampften Metallstruktur umfasst, mit der eine Halbleitervorrichtung elektrisch verbunden ist. Über der Halbleitervorrichtung ist ein perforiertes Metallschild angeordnet und elektrisch und mechanisch mit der aufgedampften Metallstruktur des Massepotentials der Schaltung verbunden, und ein Harzmaterial ist über der Halbleitervorrichtung, den elektrischen Verbindungen und dem Metallschirm durch Pressspritzen aufgebracht, um das vollständige Gehäuse zu bilden.
  • JP-A-03 214 691 betrifft eine Anbringungsstruktur für integrierte Schaltungen einer flexiblen gedruckten Leiterplatte, die eine verbesserte Abschirmung gegen elektromagnetische Störungen gewährleistet. Eine integrierte Schaltung ist auf einer flexiblen gedruckten Leiterplatte, die eine elektromagnetische Abschirmung aufweist, angebracht und ist mit einer isolierenden Harzschicht bedeckt. Diese ist mit einer leitfähigen Harzschicht überzogen.
  • JP-A-061 276 240 betrifft eine integrierte Hybridschaltung, bei der Leiterschichten mit isolierendem Harz beschichtet sind, damit sie nicht mit Massepotential in Kontakt kommen, und Leiterschichten mit einem leitfähigen Harz beschichtet sind, damit sie mit Massepotential in Kontakt kommen, damit elektromagnetische Störungen zwischen Schaltungselementen vermieden werden.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Gemäß der Erfindung wird ein Gehäuse einer Halbleitervorrichtung geschaffen, umfassend:
  • ein Substrat mit gedruckter Schaltung, das zwei gegenüberliegende Seiten aufweist, wobei eine erste Seite mit einer aufgedampften Metallstruktur versehen ist und ein Abschnitt der aufgedampften Metallstruktur ein Massepotential der Schaltung darstellt und eine zweite Seite eine im Wesentlichen koplanare Anordnung von an der Oberfläche angeordneten Lötanschlussflächen, wobei die aufgedampfte Metallstruktur mit den an der Oberfläche angebrachten Lötanschlussflächen mittels wenigstens einer Leiterverbindung durch das Substrat der gedruckten Schaltung elektrisch verbunden ist;
  • ein Flip-Chip der integrierten Schaltung, das auf der aufgedampften Metallstruktur und der ersten Seite des Substrats der gedruckten Schaltung angebracht ist;
  • eine Klebstoffunterfüllung zwischen dem Chip der integrierten Schaltung und der ersten Seite des Substrats der gedruckten Schaltung; und
  • ein durch Pressspritzen gebildetes thermisch und elektrisch leitfähiges Kunststoffmaterial, um eine Überdeckung und eine Einkapselung des Chips der integrierten Schaltung zu bilden, wobei das leitfähige Kunststoffmaterial mit dem Massepotential der Schaltung elektrisch verbunden ist und eine Abschirmung der Hochfrequenzenergie um den Chip der integrierten Schaltung herum bildet, und mit dem Chip der integrierten Schaltung mechanisch verbunden ist, indem es einen Kühlkörper bildet, um Wärme vom Chip abzuleiten.
  • In einer alternativen Ausführung der Erfindung sind thermisch leitfähige Kühlrippen in das thermisch und elektrisch leitfähige Kunststoffmaterial eingegossen, um einen verbesserten Wärmeübergang zu schaffen.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 ist eine ausgeschnittene isometrische Ansicht eines Gehäuses einer integrierten Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 2 ist eine teilweise Schnittansicht von Fig. 1 durch die Sektion 2-2 gemäß der Erfindung;
  • Fig. 3 ist eine Schnittansicht einer alternativen Ausführung der Erfindung;
  • Fig. 4 ist eine Schnittansicht einer weiteren Ausführung der Erfindung;
  • Fig. 5 ist eine Schnittansicht einer alternativen Ausführung der Erfindung;
  • Fig. 6 ist ein Blockschaltbild eines Funkgeräts gemäß der Erfindung.
    • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungen
  • Während die Beschreibung mit Ansprüchen abschließt, die die Merkmale der als neuartig betrachteten Erfindung definieren, wird angenommen, dass die Erfindung aus einer Betrachtung der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den Zeichnungsfiguren besser verstanden wird, in denen gleiche Bezugszeichen übernommen werden.
  • In Fig. 1 ist ein Substrat 10 als Schaltungsträger vorgesehen. Das Substrat kann aus einem von mehreren Materialien, die gewöhnlich in der Industrie verwendet werden, hergestellt sein, wie etwa Epoxydharz, Polyester, Polyimid, Polyetherimid, Polytetrafluroethylen, glasfaserverstärktes Material für gedruckte Leiterkarten, Metall, Keramik usw., und kann starr oder flexibel sein. Die Substratdicke variiert von ungefähr 0,02 mm bis 7 mm, wobei eine Dicke im Bereich von 0,1 mm bis 2 mm vorzuziehen ist. Das Substrat 10 besitzt eine aufgedampfte Metallstruktur 13 auf einer oberen oder ersten Seite 15. Die aufgedampfte Metallstruktur 13 enthält Kontaktierungsflächen, die Kontaktflächen an einer integrierten Schaltung (IC) 16 entsprechen. Ein Abschnitt der aufgedampften Metallstruktur 13 ist ein Masseanschluß 17, der ein Massepotential der Schaltung aufweist.
  • In Fig. 2 befindet sich auf einer zweiten Seite des Substrats 10 eine koplanare Anordnung von Lötstellen 24 zur Oberflächenmontage. Die Kontaktierungsflächen 12 sind mit den Lötstellen 24 zur Oberflächenmontage durch leitfähige Durchgangslöcher 26 elektrisch verbunden. Die Lötstellen 24 stellen ein Anbringungsmittel für die Oberflächenmontage des Gehäuses 5 der Halbleitervorrichtung an einem größeren Substrat, wie etwa eine Träger-Leiterplatte, dar. Die Technologie der Oberflächenmontage, die Lötstellen zur Oberflächenmontage verwendet, ist Fachmännern wohlbekannt und wird auch als Flachtechnologie bezeichnet. Deswegen kann das Gehäuse 5 der Halbleitervorrichtung ebenfalls als Flachgehäuse bezeichnet werden. Wahlweise können Lötperlen 23 an den Lötstellen 24 angebracht sein, um ein leichtes Anlöten des Gehäuses an einem größeren Substrat oder an einer Leiterplatte zu gewährleisten. In einer weiteren Ausführung der Erfindung können Pins 18 an den Lötstellen 24 angebracht werden, um ein mit Anschlüssen versehenes Gehäuse zu bilden, oder die Lötstellen könnten durch Pins ersetzt werden, die in Löcher im Substrat eingepasst werden und mit der aufgedampften Metallstruktur elektrisch verbunden sind. Solche Gehäuse würden dann eine Matrix aus Pins 18 aufweisen, die unter der Oberfläche des Substrats 10 vorstehen, und ein Gehäuse mit Pinmatrixanordnung darstellen.
  • Eine IC 16, wie etwa ein Halbleiterchip oder ein Chip, wird mittels Flip-Chip an den Kontaktierungsflächen 12 und am Substrat 10 kontaktiert. Diese mechanische und elektrische Anbringung an der aufgedampften Metallstruktur 13 wird typischerweise mit Hilfe von Metallperlen 22 ausgeführt. Die Metallperlen 22 sind typischerweise Lötperlen und die IC 16 wird unter Verwendung der Technologie der Chipverbindung durch gesteuertes Aufpressen (C4) angebracht. Die Metallperlen können Lot enthalten oder können aus anderen Werkstoffen sein wie Gold, Indium, Zinn, Blei oder Legierungen dieser Werkstoffe. Wenn die IC 16 mittels Flip-Chip am Substrat 10 kontaktiert ist, zeigt die aktive Oberfläche der IC zum Substrat. Nun ist ein kleiner Spalt oder ein kleiner Zwischenraum zwischen der IC 16 und der oberen Fläche 15 des Substrats 10 vorhanden. Dieser Spalt wird mit einem Unterfüllmaterial 25 gefüllt, um eine robustere Verbindung zwischen der IC und dem Substrat zu schaffen und um einen Umgebungsschutz und eine elektrische Isolation der aktiven Fläche der IC zu gewährleisten. Das Unterfüllmaterial 25 ist typischerweise ein Klebstoff, wie etwa ein Epoxydharz oder ein Acrylharz, und besitzt einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der ungefähr dem des Chips und/oder des Substrats entspricht. Beispiele von Unterfüllmaterialien sind in der Literatur angegeben.
  • Die Baueinheit wird nun eingekapselt, indem sie in eine Vertiefung zum Pressspritzen gegeben wird und eine thermoplastische oder warmaushärtende Spritzmasse 20 durch Pressspritzen aufgebracht wird. Während dieser Operation fließt die Spritzmasse 20 um die IC 16 herum und kapselt sie ein. Die Spritzmasse 20 kapselt außerdem das Unterfüllmaterial 25 ein und überdeckt die obere Fläche 15 des Substrats 10 teilweise oder vollständig. Die Spritzmasse 20 enthält einen thermisch und elektrisch leitfähigen Werkstoff, wie etwa ein Epoxydharz, der wenigstens einen Füllwerkstoff, wie etwa ein metallisches Element oder eine Legierung, enthält, der die thermischen und elektrischen Eigenschaften der Spritzmasse wesentlich bestimmt. Die Spritzmasse 20 enthält typischerweise ungefähr 70 bis 75% Kupfer, Aluminium, Nickel, Gold, Silber oder Werkstoffe ähnlichen Typs, um eine thermische und elektrische Leitfähigkeit zu gewährleisten. Geeignete Werkstoffe zur Einkapselung werden durch Nitto, Sumitomo (1033-B), Nippon Steel, Shinetsu, Ciba-Geigy, Hitachi (EN 4274 oder EN 4072), Dexter-Hysol, Dow Chemical oder Shell Chemical vertrieben.
  • Die Spritzmasse 20 ist auf der oberen Fläche 15 des Substrats 10 so angeordnet, dass sie einen elektrischen und mechanischen Kontakt zum Masseanschluss 17 und zur Rückseite der IC 16, die oft mit dem Massepotential verbunden ist, gewährleistet. Wie in den Fig. 2 und 3 gezeigt ist, ist der Masseanschluß 17 außerdem mittels eines leitfähigen Durchgangslochs oder einer leitfähigen Durchführung 21 mit einem Lötpunkt 24 zur Oberflächenmontage auf der Unterseite des Substrats 10 verbunden. Auf diese Weise bildet die elektrisch leitfähige Spritzmasse 20 nunmehr nicht nur eine Abdeckung für die IC 16 sondern außerdem eine EMI/RFI-Abschirmung um die IC herum, um ein abgeschirmtes Gehäuse zu bilden. Durch die derartige Abschirmung des Gehäuses sind metallische Abschirmungen, die im Stand der Technik gelehrt werden, nicht mehr erforderlich. Dies löst die Probleme des Standes der Technik wie etwa hohe Temperaturen, die während des Anbringungsvorgangs der Abschirmung zur IC übertragen werden, und die zusätzliche Dicke oder das zusätzliche Volumen, die mit der Abschirmung verbunden sind.
  • Da die Spritzmasse 20 einen hohen Anteil metallischer Füllstoffe enthält, ist sie ebenfalls thermisch leitfähig. Der unmittelbare Kontakt zwischen der Spritzmasse 20 und der IC 16 schafft einen guten thermischen Weg, um Wärme von der IC abzuleiten. Gehäuse des Standes der Technik kapselten die IC 16 mit Spritzmassen ein, die keinen Füllstoff sondern einen thermischen Isolator enthielten. Das Gehäuse der vorliegenden Erfindung gewährleistet einen verbesserten Wärmehaushalt der IC 16.
  • In Fig. 3 ist ersichtlich, dass die Spritzmasse 20 außerdem so gebildet sein kann, dass sie einen vergrößerten Oberflächenbereich auf der Oberseite des Gehäuses schafft. Charakteristische Merkmale wie Kühlrippen oder Überstände 28 können während der Operation des Pressspritzens direkt in die Spritzmasse 20 eingegossen werden. Die Kühlrippen 28 schaffen einen vergrößerten Oberflächenbereich an der Oberseite des Gehäuses, was dazu dient, die Kühlkapazität des Gehäuses 20 weiter zu verbessern. Fig. 3 zeigt lediglich eine von vielen Konfigurationen, die die Kühlrippen 28 annehmen können. Andere Konfigurationstypen, die den Oberflächenbereich an der Oberseite des Gehäuses 5 verbessern, könnten eine gleichwertige thermische Leistungsfähigkeit gewährleisten.
  • In Fig. 4 ist ersichtlich, dass ein herkömmlicher Kühlkörper 29, wie etwa eine gegossene, gestanzte oder tiefgezogene Metallstruktur, an der Oberseite des Gehäuses 5 angebracht sein kann. Der Kühlkörper 29 ist typischerweise mit Hilfe eines thermisch leitfähigen Werkstoffs 27, wie etwa ein thermisches Schmiermittel oder ein Thermolot, angebracht. Da die darüber gespritzte Masse 20 einen hohen Anteil metallischer Füllstoffe besitzt, kann der metallische Kühlkörper 29 direkt an der Spritzmasse 20 angelötet oder angeschweißt sein.
  • In einer weiteren Ausführung der Erfindung kann das hier beschriebene Elektronikgehäuse eine spezielle Verwendung in tragbaren Kommunikationsanwendungen finden. In Fig. 6 wird das gegen HF abgeschirmte thermisch leitfähige Gehäuse 5 einer integrierten Schaltung in einem Funkgerät 30 verwendet, das irgendein wohlbekanntes Funkgerät, wie etwa tragbare Zweiwege-Funkgeräte, die von Motorola Inc. hergestellt werden, enthält, das entweder im Empfangsmodus oder im Sendemodus arbeiten kann. Das Funkgerät 30 enthält einen Empfängerabschnitt 31 und einen Senderabschnitt 32, die Mittel zum Kommunizieren enthalten, d. h. zum Senden und zum Empfangen von Kommunikationssignalen für das Funkgerät.
  • Im Empfangsmodus empfängt das tragbare Funkgerät 30 ein Kommunikationssignal über eine Antenne 33. Ein Sende/- Empfangs- (T/R) Schalter koppelt die empfangenen Kommunikationssignale zum Empfänger 31. Der Empfänger 31 empfängt und demoduliert die empfangenen Kommunikationssignale und liefert deren Tonsignalkomponente an einen Lautsprecher 36. Es ist für einen Durchschnittsfachmann selbstverständlich, dass weitere hier nicht beschriebene Funktionen durch geeignete Mittel, einschließlich (nicht gezeigte) Steuermittel, die den gesamten Betrieb des Funkgeräts 30 steuern, gewährleistet werden können.
  • Im Sendemodus werden von einem Mikrofon 37 Tonsignalnachrichten eingekoppelt, wobei diese verwendet werden, um ein Trägersignal zu modulieren, wie dies in der Technik wohlbekannt ist. Das modulierte Trägersignal wird dann zur Übertragung des Kommunikationssignals über den T/R-Schalter 34 an die Antenne 33 angelegt. Es ist selbstverständlich, dass das gegen HF abgeschirmte thermisch leitfähige Gehäuse 5 der integrierten Schaltung gemäß den Prinzipien der vorliegenden Erfindung in geeigneten Sektionen der Sender- bzw. Empfängerabschnitte verwendet werden kann.
  • Zusammenfassend ist ein Gehäuse für monolithische Schaltkreise gebildet worden, das ein thermisch und elektrisch leitfähiges Epoxydharz enthält und das wenigstens eine Halbleitervorrichtung oder eine integrierte Schaltung einkapselt, um den Übergang unerwünschter HF-Energie in das Gehäuse der integrierten Schaltung oder aus dieser heraus zu reduzieren. Außerdem schafft der thermische leitfähige Werkstoff eine verbesserte Fähigkeit zur Wärmeleitung, um ein verbessertes Gehäuse für die Flip-Chip-Montage von HF- Leistungschips zu schaffen. Die elektrisch leitfähige Spritzmasse ist mit einem Punkt auf dem Schaltungssubstrat elektrisch gekoppelt, der einer Masseebene entspricht, und bildet eine HF-Abschirmung, ohne dass die IC übermäßiger Wärme ausgesetzt wird. Kühlrippen oder andere Überstände können in einfacher Weise in die thermisch und elektrisch leitfähige Spritzmasse eingegossen sein, um eine verbesserte Kühlung zu schaffen.
  • Während die bevorzugten Ausführungen der Erfindung veranschaulicht und beschrieben wurden, ist klar, dass die Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Zahlreiche Modifikationen, Änderungen, Ersetzungen und Entsprechungen werden Fachmännern erscheinen, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung, der in den beigefügten Ansprüchen definiert ist, abzuweichen.

Claims (9)

1. Gehäuse einer Halbleitervorrichtung, umfassend:
- ein Substrat (10) einer gedruckten Schaltung, das zwei gegenüberliegende Seiten besitzt, wobei eine erste Seite eine aufgedampfte Metallstruktur (13) aufweist, ein Abschnitt der aufgedampften Metallstruktur (13) ein Massepotential (17) der Schaltung darstellt, und eine zweite Seite eine im Wesentlichen koplanare Anordnung von Lötstellen (24) zur Oberflächenmontage aufweist, wobei die aufgedampfte Metallstruktur (13) mit Hilfe wenigstens eines leitenden Durchgangs (21) durch das Substrat (10) der gedruckten Leiterplatte mit den Lötstellen (24) zur Oberflächenmontage elektrisch verbunden ist;
- einen Chip (16) der integrierten Schaltung, der mittels Flip-Chip auf der aufgedampften Metallstruktur (13) und auf der einen Seite des Substrats (10) der gedruckten Schaltung angebracht ist;
- einen Unterfüllklebstoff (25) zwischen der integrierten Schaltung (16) und der ersten Seite des Substrats (10) der gedruckten Schaltung; und
- ein thermisch und elektrisch leitfähiges Kunststoffmaterial (20), das durch Pressspritzen aufgebracht ist, um eine Überdeckung zu bilden und um den Chip (16) der integrierten Schaltung und einen Abschnitt der ersten Seite des Substrats (10) der integrierten Schaltung einzukapseln, wobei das leitfähige Kunststoffmaterial (20) mit dem Massepotential (17) der Schaltung elektrisch verbunden ist und eine Abschirmung gegen Hochfrequenzenergie um den Chip (16) der integrierten Schaltung herum bildet, und mit dem Chip (16) der integrierten Schaltung mechanisch verbunden ist, wobei es einen Kühlkörper bildet, um Wärme vom Chip (16) abzuleiten.
2. Gehäuse für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei dem die Überdeckung kleiner ist als das Substrat (10) der integrierten Schaltung, wodurch am Umfang der Überdeckung ein Abschnitt der ersten Seite des Substrats (10) der gedruckten Schaltung freigelassen wird.
3. Gehäuse einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das thermisch und elektrisch leitfähige Kunststoffmaterial (20) ein warmaushärtendes Kunstharz enthält, das mit Metall angereichert ist.
4. Gehäuse einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Substrat (10) der gedruckten Schaltung ein flexibler Film ist, der aus der Gruppe gewählt ist, die Polyimid, Polyester und Polyetherimid enthält.
5. Gehäuse für eine Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, bei der Lötstellen (24) zur Oberflächenmontage mit Lot aufgewölbt sind.
6. Gehäuse für eine Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, ferner Metallpins (18) umfassend, die an den Lötstellen zur Oberflächenmontage angebracht sind.
7. Gehäuse für eine Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, bei der der Chip (16) der integrierten Schaltung mittels Flip-Chip mit Hilfe der Metallaufwölbungen (22) angebracht ist.
8. Gehäuse für eine Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, bei der die Überdeckung Kühlrippen (28) aufweist, die in eine oben liegende Oberfläche eingegossen sind.
9. Gehäuse für eine Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, bei der das Substrat (10) der gedruckten Schaltung ein Substrat ist, das eine durch Oberflächenmontage angebrachte Schaltung trägt.
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