JPH0724270B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH0724270B2
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浩二 荒木
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哲永 新美
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置に係わり、特にリードフレームのベ
ッド上に、半導体ペレットの他に絶縁基板が搭載されて
いるものに関する。
（従来の技術） 半導体装置において、以前はリードフレームのベッド上
に半導体ペレット１個のみが搭載されている場合が殆ど
であった。ところが最近の市場要求により、一つの半導
体装置の内部に複数個のペレットを搭載する場合が増え
てきた。
このような装置の構造を第２図に示す。リードフレーム
１のベッド1a上に、二つの半導体ペレット11及び12が導
電性接着剤により固定されている。このペレット11及び
12は、それぞれのパッドとインナリード1bとの間に、ワ
イヤボンディングによりワイヤ13で接続されるが、この
場合にはそれだけでなくペレット11及び12同志を接続す
る必要が生じる。
しかし、ペレット11と12とを直接ワイヤボンディングし
たのでは、ペレットのパッドに損傷を与える虞れがある
上に、ベッド1a上における各々の配置も制約することに
なる。そこでこの第２図に示されたように、配線パター
ンが形成された絶縁基板２をベッド上に固定し、この絶
縁基板２を中継するようにペレット11及び12との間にワ
イヤボンディングを行ってワイヤ14で接続している。
ここで絶縁基板２をベッド1a上に固定する場合に、従来
は第２図のＡ−Ａ断面を示した第３図のように、絶縁性
接着剤21を用いていた。ここでＡ部の部分拡大図を第４
図に示す。絶縁性接着剤21は、充填剤としての酸化ケイ
素（SiO2）を約20％含むエポキシ樹脂５で主に構成され
ており、他に添加剤が含まれている。そしてこの充填剤
の含有率は、酸化ケイ素のエポキシ樹脂への溶解度の関
係から最大で40％とされており、一般には20％〜40％の
ものが用いられていた。
（発明が解決しようとする課題） しかし、充填率が20％〜40％と低いと、一般的な銀（A
g）ペーストと比較して硬化後の硬度が不足するという
問題があった。
またエポキシ樹脂５は熱による影響を受け易く、高温に
なると硬度が低下するという特性を有している。このた
め、ワイヤボンディングは本来約270℃という高温で行
う必要があるが、このような絶縁性接着剤21を用いた場
合には150℃以下で行わざるを得ず、ワイヤ14と絶縁基
板２との間に十分な接合強度が得られないという問題が
あった。
さらに充填率が約60％未満の接着剤は、硬化していく過
程で絶縁基板２の表面に回り込むブリード現象が起きや
すいことが確認されている。ブリード現象が起きると、
接着剤21が絶縁基板２上のパッドに付着する場合があ
り、やはりワイヤボンディング性を著しく悪化させるこ
とになる。
このように従来は、充填剤の低い絶縁性接着剤を溶解度
の制約から用いていたが、接着剤の硬度不足や、ワイヤ
ボンディング性の低下といった問題があり、高い信頼性
が得られなかった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、硬化後にお
いて高温でも十分な硬度が得られ、ワイヤボンディング
性にも優れ信頼性の高い半導体装置を提供することを目
的とする。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段） 本発明の半導体装置は、リードフレームのベッド上に搭
載された少なくとも二つの半導体ペレットと、ベッド上
に搭載され、表面に配線パターンが形成された絶縁基板
とを備え、半導体ペレット間の接続は絶縁基板上の配線
パターンを介して行われており、絶縁基板は絶縁性接着
剤によってベッド上に固着されており、絶縁性接着剤
は、酸化ケイ素以外に、表面に酸化膜の付いた金属を含
んでいることを特徴としている。
このような装置は、リードフレームのベッド上に、少な
くとも二つの半導体ペレットを搭載する工程と、ベッド
上に、表面に配線パターンが形成された絶縁基板を、酸
化ケイ素と表面に酸化膜の付いた金属とを含んだ絶縁性
接着剤を用いて搭載する工程と、半導体ペレット間の接
続を絶縁基板上の配線パターンを介して行う工程とを備
える本発明の製造方法を用いて製造することができる。
ここで金属として、ニッケル−クロム鋼を用いることが
できる。また金属の粒子は、酸化ケイ素よりも小さい方
が好ましい。
（作用） 半導体ペレット間を絶縁性基板上の配線パターンを介し
て接続することで半導体ペレット上の接続箇所に損傷を
与えることが防止されると共に、ベッド上の配置にも制
約を与えず、さらに絶縁性接着剤に、酸化ケイ素の他に
金属が含まれていることにより、充填剤の含有率が高く
なり硬化後の硬度が向上する。酸化ケイ素のみを充填剤
として含む場合には、充填率を上げ過ぎると溶解度が低
下するため、40％以下に押さえなければならず硬度不足
を招くが、金属をさらに含ませることによって溶解度を
低下させることなく硬度を向上させることができる。
また、接着剤の樹脂成分としてエポキシ樹脂を用いた場
合に、充填率が低いと高温で硬度が低下するため、ワイ
ヤボンディングを最適な温度よりも低い温度で行わざる
を得ず、ワイヤボンディング性が低下するが、充填率を
上げることで向上させることができる。
さらに、充填率が低いと硬化していく過程でブリード現
象が起き易くなり、絶縁基板のパッドに接着剤が付着し
ワイヤボンディング性が悪化するが、金属をさらに含ま
せて充填率を高めることで、このような現象の発生を防
止することができる。
また金属の表面には酸化膜が形成されているため絶縁性
は維持され、リークの虞れはない。
金属としてニッケル‐クロム鋼を用いることが可能であ
り、このような金属は、酸化ケイ素よりも比重が大きい
ので、攪拌することで容易に充填率が向上する。
さらに金属の粒子が酸化ケイ素よりも小さい場合には、
酸化ケイ素の粒子の間に入り込むため充填率をより高め
ることができる。
（実施例） 以下、本発明の一実施例による製造方法及びこれによっ
て得られる半導体装置について、図面を参照し説明す
る。第１図は、リードフレームのベッド1a上に、絶縁性
接着剤３を用いて絶縁基板２を固着した状態を示した縦
断面図である。ここで絶縁性接着剤３の充填剤として、
酸化ケイ素４の他にニッケル−クロム（Ni−Cr）鋼６を
用いており、この充填剤のまわりをエポキシ樹脂５が取
り囲む構成となっている。そして酸化ケイ素４の粒子の
大きさは平均10μｍであり、ニッケル−クロム鋼６はそ
れよりも小さい平均２μｍであるため、酸化ケイ素の粒
子の間に入りこんだ状態となっている。またニッケル−
クロム鋼６は、酸化ケイ素４よりも比重が大きいので、
攪拌することで比較的容易に充填率を向上させることが
可能である。
このような絶縁接着剤３を用いて製造した半導体装置に
よれば、ニッケル−クロム鋼６をさらに加えたことで充
填率が高まっているため、硬化後の硬度が向上し、特に
高温でも硬度が低下せず最適な温度でワイヤボンディン
グを行うことができる。このため、ワイヤボンディング
性が向上し、ワイヤとパッドとの間の接合力が高まる。
またブリード現象の発生が防止されるため、やはりワイ
ヤボンディング性が向上する。
そしてこのような本実施例による半導体装置を、従来の
装置と比較した結果について説明する。充填剤として、
従来の装置では酸化ケイ素のみを30％含ませ、第１の実
施例として酸化ケイ素の他に粒子が球の形状をしたニッ
ケル−クロム鋼を含ませて全体として充填率を60％と
し、さらに第２の実施例としてフレーク状のニッケル−
クロム鋼を含ませて充填率を72％とした。そしてワイヤ
ボンディングは、いずれも直径25μｍのワイヤを使用
し、従来の装置では150℃、第１及び第２の実施例では2
50℃でそれぞれ行った。
このようにして得られた各々の装置について、以下のよ
うな試験を行った。
（１）常温及び高温（250℃）における接着剤の硬度
を、ショアーＤ試験器を用いて測定した。
（２）ワイヤボンディング（各1600本）を行った後に、
半導体ペレット側のパッドにおいて、ワイヤが付いてい
ないものの数を調べた。
（３）半導体ペレット側におけるワイヤのボールに剪断
力を加え、剥離するに至ったときの強度を測定し、平均
剥離強度を求めた。
（４）絶縁基板側のパッドにおいて、ワイヤが付いてい
ないものの数を調べた。
（５）ワイヤに引張力を加えて、絶縁基板側におけるワ
イヤの接合強度を測定し、平均引張強度を求めた。
（６）接着剤が硬化していく最中に、ブリード現象が発
生したか否かを検査した。
以上の試験によって得られた結果を、以下の表に示す。
以上の試験結果から明らかなように、本実施例による半
導体装置は充填剤の含有率が高いため、特に高温での硬
度が大幅に向上している。第２の実施例はフレーク状の
ニッケル−クロム鋼を含んでいるため、球状のニッケル
−クロム鋼を含んだ第１の実施例よりも酸化ケイ素の粒
子間に入り込み易く、充填率が向上して硬度もより向上
している。
また高温での硬度が大きく向上しているため、第１及び
第２の実施例では250℃というワイヤボンディングに適
した温度で行うことができ、この結果全てのパッドにワ
イヤが確実に接合された。さらに接合力も向上し、平均
剥離強度及び平均引張強度は共に従来の約1.8倍の強度
が得られた。さらにブリード現象の発生も、防止するこ
とができ、このこともワイヤボンディング性の向上に寄
与している。
上述の実施例はいずれも一例であり、本発明を限定する
ものではない。実施例ではいずれもニッケル−クロム鋼
を充填させているが、酸化膜が表面に形成され絶縁性を
維持することのできる金属であれば他のものであっても
よい。例えばクロム（Cr）、マンガン（Mn）、モリブデ
ン（Mo）、スズ（Sn）等を用いることができる。また樹
脂成分はエポキシ樹脂が代表的なものではあるが、他の
ものを用いてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の半導体装置は、半導体ペレ
ット間を絶縁性基板上の配線パターンを介して接続する
ことで半導体ペレットの接続箇所に損傷を与えることが
防止され、またベッド上の半導体ペレットの配置にも制
約を与えず、さらに酸化ケイ素の他に金属を充填させた
絶縁性接着剤を用いて絶縁基板をリードフレームのベッ
ド上に固定するという方法で製造するため、溶解度を低
下させることなく充填剤の含有率を高めることができ、
これにより硬化後における高温での硬度が大幅に向上す
る。従って最適な温度でワイヤボンディングを行うこと
ができ、さらにブリード現象の発生も防止されるためワ
イヤボンディング性が向上し、信頼性の高い装置を得る
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による半導体装置における接
着剤の組成を示した縦断面図、第２図は本発明を適用す
ることが可能な半導体装置の外観を示した斜視図、第３
図は同装置の外観を示した縦断面図、第４図は従来の半
導体装置における接着剤の組成を示した縦断面図であ
る。 １……リードフレーム、1a……ベッド、1b……インナリ
ード、２……絶縁基板、３……接着剤、４……酸化ケイ
素、５……エポキシ樹脂、11,12……半導体ペレット、1
3,14……ワイヤ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥野山 輝 神奈川県川崎市川崎区千鳥町９番２号 東 芝ケミカル株式会社内 (72)発明者 新美 哲永 神奈川県川崎市川崎区千鳥町９番２号 東 芝ケミカル株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−42703（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−34932（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−159422（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−80838（ＪＰ，Ｕ)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】リードフレームのベッド上に搭載された少
    なくとも二つの半導体ペレットと、 前記ベッド上に搭載され、表面に配線パターンが形成さ
    れた絶縁基板とを備え、 前記半導体ペレット間の接続は前記絶縁基板上の配線パ
    ターンを介して行われており、 前記絶縁基板は絶縁性接着剤によって前記ベッド上に固
    着されており、 前記絶縁性接着剤は、酸化ケイ素以外に、表面に酸化膜
    の付いた金属を含んでいることを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項２】前記金属は、ニッケル−クロム鋼であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】前記金属は、前記酸化ケイ素よりも粒子が
    小さいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】リードフレームのベッド上に、少なくとも
    二つの半導体ペレットを搭載する工程と、 前記ベッド上に、表面に配線パターンが形成された絶縁
    基板を、酸化ケイ素と表面に酸化膜の付いた金属とを含
    んだ絶縁性接着剤を用いて搭載する工程と、 前記半導体ペレット間の接続を前記絶縁基板上の配線パ
    ターンを介して行う工程とを備えることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】前記金属は、ニッケル−クロム鋼であるこ
    とを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】前記金属は、前記酸化ケイ素よりも粒子が
    小さいことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製
    造方法。
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US07/627,573 US5113241A (en) 1989-12-14 1990-12-14 Semiconductor device mounted upon an insulating adhesive with silicon dioxide and nickel chromium steel filling particles
DE69030171T DE69030171T2 (de) 1989-12-14 1990-12-14 Eine Halbleiteranordnung mit mehreren Chips befestigt auf einem Leitergitter und Verfahren
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
JP3445641B2 (ja) * 1993-07-30 2003-09-08 株式会社デンソー 半導体装置
JPH0774290A (ja) * 1993-09-03 1995-03-17 Rohm Co Ltd 電子部品のパッケージング用材料
KR100218996B1 (ko) * 1995-03-24 1999-09-01 모기 쥰이찌 반도체장치
US5644168A (en) * 1995-05-03 1997-07-01 Texas Instruments Incorporated Mechanical interlocking of fillers and epoxy/resin
US5682066A (en) * 1996-08-12 1997-10-28 Motorola, Inc. Microelectronic assembly including a transparent encapsulant
US5891753A (en) 1997-01-24 1999-04-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for packaging flip chip bare die on printed circuit boards
JP2990113B2 (ja) * 1997-06-26 1999-12-13 山形日本電気株式会社 半導体基板の不良解析装置及び不良解析方法
DE19756887A1 (de) * 1997-12-19 1999-07-01 Siemens Ag Kunststoffverbundkörper
US6157085A (en) * 1998-04-07 2000-12-05 Citizen Watch Co., Ltd. Semiconductor device for preventing exfoliation from occurring between a semiconductor chip and a resin substrate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3753056A (en) * 1971-03-22 1973-08-14 Texas Instruments Inc Microwave semiconductor device
FR2480488A1 (fr) * 1980-04-15 1981-10-16 Eaton Manford Liant thermiquement conducteur et isolant electriquement pour composants electriques et electroniques, et son procede de fabrication
JPS5780838U (ja) * 1980-11-05 1982-05-19
JPS57111034A (en) * 1980-12-10 1982-07-10 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS5834932A (ja) * 1981-08-26 1983-03-01 Toshiba Corp 半導体装置
NL8202470A (nl) * 1982-06-18 1984-01-16 Philips Nv Hoogfrequentschakelinrichting en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting.
JPS5942703A (ja) * 1982-09-02 1984-03-09 ティーディーケイ株式会社 絶縁性良熱伝導体及びその製造方法
CA1238119A (en) * 1985-04-18 1988-06-14 Douglas W. Phelps, Jr. Packaged semiconductor chip
JPS61296749A (ja) * 1985-06-25 1986-12-27 Toray Silicone Co Ltd 半導体装置用リードフレームの製造方法
JPH0676474B2 (ja) * 1986-12-23 1994-09-28 住友ベークライト株式会社 半導体用絶縁樹脂ペ−スト
US4907068A (en) * 1987-01-21 1990-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor arrangement having at least one semiconductor body
CA1290676C (en) * 1987-03-30 1991-10-15 William Frank Graham Method for bonding integrated circuit chips
DE3817400A1 (de) * 1988-05-21 1989-11-30 Bosch Gmbh Robert Waermeleitender, elektrisch isolierender kleber
JPH02184054A (ja) * 1989-01-11 1990-07-18 Toshiba Corp ハイブリッド型樹脂封止半導体装置

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DE69030171D1 (de) 1997-04-17
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KR940010536B1 (ko) 1994-10-24
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DE69030171T2 (de) 1997-07-31
US5113241A (en) 1992-05-12

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