NL8202470A - Hoogfrequentschakelinrichting en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting. - Google Patents

Hoogfrequentschakelinrichting en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting. Download PDF

Info

Publication number
NL8202470A
NL8202470A NL8202470A NL8202470A NL8202470A NL 8202470 A NL8202470 A NL 8202470A NL 8202470 A NL8202470 A NL 8202470A NL 8202470 A NL8202470 A NL 8202470A NL 8202470 A NL8202470 A NL 8202470A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor body
metal pattern
semiconductor device
zone
Prior art date
Application number
NL8202470A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8202470A priority Critical patent/NL8202470A/nl
Priority to DE19833320275 priority patent/DE3320275A1/de
Priority to CA000430318A priority patent/CA1213079A/en
Priority to GB8316270A priority patent/GB2123209B/en
Priority to IT2164183A priority patent/IT1170151B/it
Priority to AU15837/83A priority patent/AU557136B2/en
Priority to FR8310036A priority patent/FR2529013B1/fr
Priority to JP58107976A priority patent/JPS594064A/ja
Publication of NL8202470A publication Critical patent/NL8202470A/nl
Priority to US06/913,615 priority patent/US4739389A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/147—Semiconductor insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01031—Gallium [Ga]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01083—Bismuth [Bi]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13063—Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor [MESFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

* .. 'Λ Ρ χ ΡΗΝ 10.383 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
"Hoogfrequentschakelinrichting en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting".
De uitvinding betreft een hoogfrequentschakelinrichting, in het bijzonder ten behoeve van microgolf toepassingen, bevattende een isolerend substraat voorzien van een geleidend patroon ten behoeve van een referen-tiepotentiaal en een halfgeleiderinrichting.
5 Daarnaast betreft de uitvinding een halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke hoogf requentschakelinr ichting.
Dergelijke schakelinrichtingen worden'onder meer toegepast in schakelingen ten behoeve van ontvangers voor satelliettelevisie.
, Een dergelijke hoogfrequentschakelinrichting wordt beschreven in 10 het artikel "Ruisarme 12 GHz-ontvangers voor televisieomroep via satelliet" in Philips Technisch Tijdschrift, Jaargang 39, no.9 (zie met name pagina 247 en Figuur 11). In de hier getoonde voorversterker zijn een aantal transistor en (in dit geval MESFET's) rechtstreeks gemonteerd op een geleidend patroon dat is aangebracht op een isolerend substraat van alurainiumoxyde.
15 De source- of toevoerelektroden van de transistoren zijn elektrisch geleidend verbonden met het geleidend patroon dat via doorgemetalliseerde gaten in het substraat elektrisch geleidend verbonden is met de andere zijde van het substraat die op een referentiepotentiaal, in dit geval de aardpoten-tiaal, gebracht is. Een dergelijke constructie dient ervoor om parasitaire 20 eigenschappen (capaciteiten, zelfinducties) zo laag mogelijk te houden of althans binnen zekere toleranties te kunnen beheersen.
Bij het vervaardigen van een dergelijke hoogfrequentschakeling doen zich diverse problemen voor. Zo is de montage van de transistoren vaak kritisch en tijdrovend. Bovendien moeten soms geselecteerde transis-25 toren worden gebruikt, hetgeen naast de kosten van de extra meting ten behoeve van deze selectie ook kosten door uitval van transistoren betekent ten gevolge van meettoleranties, beschadiging, transport etcetera.
Het belangrijkste probleem echter, met name bij hogere frequenties zoals bijvoorbeeld in de genoemde toepassing voor satelliettelevisie waar-30 in frequenties van circa 12 GHz worden gebruikt, is het zodanig beheersen van de parasitaire capaciteiten en zelfinducties dat deze voor de transistor in zijn omgeving binnen aanvaardbare grenzen blijven.
De onderhavige uitvinding stelt zich ten doel deze problemen zo 8202470 ΕΗΝ 10.383 2
tf V
I I
• veel mogelijk te verminderen. —
De uitvinding berust qp het inzicht dat delen van de halfgeleider inrichting op eenvoudige wijze zodanig kunnen worden ingericht dat de referentiepotentiaal zich tot vlak bij de (hoogfrequent-) transistoren 5 uitstrekt.
Een hoogfrequentschakelinrichting volgens de· uitvinding heeft hiertoe het kenmerk dat de halfgeleiderinrichting een eerste halfgelei-derlichaam uit een eerste halfgeleidend materiaal bevat dat aan een hoofdoppervlak voorzien is. van ten minste één tweede halfgeleiderlichaam 10 waarin een actief schakelingselement is gerealiseerd en het eerste halfgeleiderlichaam voorzien is van een laagohmige halfgeleiderzone die zich althans plaatselijk tot het eerste hoofdoppervlak uitstrekt en elektrisch geleidend verbonden is met het geleidend patroon ten behoeve van de referentiepotentiaal.
15 De referentiepotentiaal kan zich hierbij door middel van de laagohmige halfgeleiderzone als het ware. door het eerste halfgeleiderli-• chaam heen tot vlak bij het tweede halfgeleiderlichaam uitstrekken.
Indien de referentiepotentiaal de aardpotentiaal is worden de parasitaire capaciteiten en zelfinducties van aansluitdraden of contacten 20 van het tweede halfgeleiderlichaam dat bijvoorbeeld een gallium-arsenide veldeffecttransistor kan bevatten aanzienlijk verminderd. In dit geval fungeert de goedgeleidende halfgeleiderzone, die zich desgewenst door het gehele eerste halfgeleiderlichaam kan uitstrekken, als aardvlak.
Hierbij kunnen enerzijds delen van het tweede halfgeleiderlichaam 25 (bijvoorbeeld een aansluitcontact van een hierin gerealiseerde transistor) direct worden verbonden met de laagohmige halfgeleiderzone, anderzijds kunnen deze delen verbonden worden met een metaalpatroon dat is aangebracht op een elektrisch isolerende laag, die het eerste halfgeleiderlichaam bedekt. De isolerende laag kan hierbij zeer dun gekozen worden 30 waarbij deze laag als diëlectricum fungeert en met een deel van het metaalpatroon en een onderliggende goed geleidende halfgeleiderzone een capaciteit naar aarde vormt. Wordt voor de isolerende laag daarentegen een dikke laag gekozen, bijvoorbeeld een glaslaag dan is het onderliggende halfgeleiderlichaam praktisch volledig diëlectrisch geïsoleerd van het me-35 taalpatroon. Met behulp van het metaalpatroon kunnen dan op de isolerende laag zelfinducties worden gerealiseerd. Ook kunnen op deze wijze op de isolerende laag weerstanden worden vervaardigd.
Voor al deze elementen geldt, evenals voor in het tweede half ge- 8202470 PHN 10.383 3 r ( - leiderlichaam gerealiseerde actieve schakelingselementen dat door de maatregel volgens de uitvinding het aardvlak als het ware tot in -het eerste halfgeleiderlichaam wordt uitgebreid. Dit maakt het vervaardigen van hoogfrequentschakelingen en microgolfschakelingen aanzienlijk eenvou-5 diger omdat de doorgemetalliseerde gaten zoals beschreven in het hierboven beschreven artikel grotendeels of zelfs geheel kunnen vervallen.
Het tweede halfgeleiderlichaam dat het actieve schakelelement bevat kan met behulp van soldeer bollen ter plaatse van aansluitcontacten van dit schakelelement omgekeerd op het eerste halfgeleiderlichaam worden 10 gemonteerd (de zogenaamde flip-chip montage).
Bij voorkeur echter bevat het eerste halfgeleiderlichaam een verdieping waarin zich het tweede halfgeleiderlichaam bevindt. Dit heeft met name voordelen wanneer de gehele halfgeleiderinrichting weer door middel van flip-chip montage omgekeerd op het isolerend substraat wordt 15 gemonteerd. Hierbij zij opgemerkt dat het plaatsen van een halfgeleiderlichaam in een verdieping in een ander halfgeleiderlichaam op zichzelf bekend is uit het Amerikaanse Octrooischrift No. 4.199.777. De daar getoonde constructie dient echter on betrouwbare verbindingen te verkrijgen tussen een element gerealiseerd in of cp het eerste halfgeleiderlichaam 20 en een element dat in de verdieping is geplaatst. Van een laagohmige half-geleiderzone in het eerste halfgeleiderlichaam cm met name bij hoge frequenties parasitaire effecten tegen te gaan is in dit Octrooischrift geen sprake.
Een halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke 25 hoogfrequentschakelinrichting heeft volgens de uitvinding het kenmsrk dat de halfgeleiderinrichting een eerste halfgeleiderlichaam uit een eerste halfgeleidermateriaal bevat dat aan een eerste hoofdoppervlak voorzien is van ten minste één tweede halfgeleiderlichaam waarin een actief schakelingselement is gerealiseerd en dat verder voorzien is van een 30 laagohmige halfgeleiderzone die zich althans plaatselijk tot het eerste hoofdoppervlak en tot een tweede aan het eerste evenwijdig hoofdqppervlak uitstrekt.
Naast de hierboven reeds genoemde voordelen die de toepassing van een dergelijke halfgeleiderinrichting biedt in een hoogfrequent-35 schakelinrichting volgens de uitvinding heeft de halfgeleiderinrichting zelf nog een aantal andere voordelen. Zo kan bijvoorbeeld meting vooraf plaatsvinden van een--------------------------- 8202470 EHN 10.383 4 4' * * t aantal halfgeleider inrichtingen voordat zij tot een hoogfrequentschakeling warden samengevoegd, waarbij een dergelijke halfgeleiderinrichting reeds een aantal componenten bevat zodat het hoogfrequent gedrag van een samen-stel van componenten vooraf gemeten wordt. Een dergelijke halfgeleiderin-5 richting kan bijvoorbeeld als tweede halfgeleiderlichaam een metaal-half-geleider veldeffecttr ans is tor (MESFET) gerealiseerd in gallium-arsenide of geselecteerde in silicium gerealiseerde bipolaire trans is toren bevatten terwijl in het eerste halfgeleiderlichaam van. bijvoorbeeld silicium capaciteiten en zelfinducties zijn gerealiseerd. Door een dergelijke con-10 structie wordt tegelijkertijd de aanwezigheid van parasitaire capaciteiten en zelfinducties sterk verminderd.
Een dergelijke halfgeleiderinrichting kan ook slechts één gallium-arsenide transistor als tweede halfgeleiderlichaam bevatten terwijl op het eerste halfgeleiderlichaam bijvoorbeeld vrijdragende geleiders (beam 15 leads) zijn aangebracht; dit maakt een betrouwbaarder hoogfrequentmeting van de transistoren mogelijk zodat met name bij meting van hoogfrequent-parameters een goede selectie mogelijk is. Bovendien is, doordat de gallium-arsenide transistor nu niet rechtstreeks bemeten wordt, de kans cp beschadiging kleiner.
20 Een ander voordeel, met name wanneer de oppervlakken van het eerste en tweede halfgeleiderlichaam in praktisch éénzelfde vlak liggen bestaat hierin dat bij het aanbrengen van verbindingen tussen aansluit-punten cp de beide halfgeleiderlichamen dit zich praktisch in één vlak afspeelt, zodat de instelling van de microscoop tijdens het aanbrengen 25 van de verbindingen niet aangepast hoeft te worden.
De uitvinding zal thans nader worden toegelicht aan de hard van enkele uitvoeringsvoorbeelden en de tekening, waarin
Figuur 1 schematisch een hoogfrequentschakelinrichting volgens de uitvinding toont; 30 Figuur 2 schematisch in bovenaanzicht een halfgeleiderinrichting weergeeft voor toepassing in een dergelijke hoogfrequentschakelinrichting;
Figuur 3 schematisch een dwarsdoorsnede toont langs de lijn III-III in Figuur 2;
Figuur 4 het electrisch equivalent toont van de in de halfgelei-35 derinrichting volgens de Figuren 2 en 3 gerealiseerde schakeling;
Figuur 5 schematisch een aanzicht toont van een andere halfgeleiderinrichting voor toepassing in een hoogfrequentschakelinrichting volgens de inrichting, terwijl 8202470 * w EHN 10.383 5 »
Figuur 6 schematisch een dwarsdoorsnede toont langs de lijn VI- VI in Figuur 5 en
Figuur 7 schematisch een dwarsdoorsnede toont langs de lijn VII- VII in Figuur 5 5 De figuren zijn schematisch en niet op schaal getekend, waarbij, ter wille van de duidelijkheid, in de dwarsdoorsnede in het bijzonder de afmetingen in de dikterichting sterk zijn overdreven.
Halfgeleiderzones van hetzelfde geleidingstype zijn in het algemeen in dezelfde richting gearceerd; in de verschillende uitvoeringsvor-10 men zijn overeenkomstige delen in de regel met dezelfde verwijzingscijfers aangeduid.
Figuur 1 toont een hoogfrequents chakeling 1 met op een isolerend substraat 2 dat bijvoorbeeld uit aluminiumoxyde bestaat een geleidend patroon 3,4 van goud of aluminium dat volgens algemeen bekende technieken 15 zoals sputteren of opdampen op het substraat 2 is aangebracht. Delen 3 van het geleidend patroon worden hierbij op een vaste referentiespanning gebracht; hiertoe worden in het onderhavige voorbeeld de delen 3 met de aardpotentiaal verbonden. Voor het signaaltransport tussen verschillende halfgeleiderinrichtingen 10 zijn delen 4 van het metaalpatroon.als trans-20 missielijnen op het substraat 2 aanwezig. Deze transmissielijnen zijn via draadverbindingen 5 elektrisch geleidend verbonden met op een halfgeleider inrichting 10 aangebrachte delen van het metallisatiepatroon 17. Deze delen van het metallisatiepatroon 17 kunnen zowel gevormd worden door enkelvoudige contactvlakken 28 die op hun beurt weer via draadverbindingen 25 21 verbonden zijn met het tweede halfgeleiderlichaam 30 of door een gecompliceerder patroon dat in dit voorbeeld onder andere een vrijdragende verbinding 22 bevat voor directe contactering tussen twee halfgeleiderin-richtingen 11. Alle verbindingen 5,21 kunnen op algemeen bekende wijze worden aangebracht zoals bijvoorbeeld door middel van ultrasoon bonden of 30 met behulp van warmtedrukverbindingen. Het isolerend substraat. .2 is aan de andere zijde op algemeen gebruikelijke wijze voorzien van een me taallaag 36.
Een mogelijke uitvoering van de halfgeleiderinrichting 10 is weergegeven in de Figuren 2 en 3. Deze bevat een eerste halfgeleiderli-35 chaam 11 met aan een hoofdoppervlak 12 in een verdieping 13 een tweede halfgeleiderlichaam 30 dat bijvoorbeeld met elektrisch isolerende lijm op de bodem van de verdieping 13 bevestigd is.
Het halfgeleiderlichaam 11 bevat in dit voorbeeld een n-type 8202470 9 PHN 10.383 6.
siliciumsubstraa^rïnst een soortelijke weerstand van circa 5 railli ohm centimeter en heeft een dikte van circa 250 micrometer. In dit voorbeeld bevat het halfgeleiderlichaam 11 een p-type laag 27 die door epitaxiale aangroeiing of door amdoteren is verkregen.
5 Het geheel is bedekt met een laag 15,16 uit isolerend materiaal zoals bijvoorbeeld siliciumoxyde behalve ter plaatse van de verdieping 13 met een diepte van circa 100 micrometer en ter plaatse van de glaslaag 23 met een dikte van circa 40 micrometer. De oxydelaag 16 heeft een dikte van circa 1,5 micrometer behalve ter plaatse van capacitieve elementen 19 10 (zie Figuur 3) waar een dm oxyde 15 met een dikte van circa 0,3 micrometer als diëlectricum fungeert. De capaciteiten worden hierbij gevormd door delen 19 van het me taalpa troon 17 als eerste plaat, het dm oxyde 15 als diëlectricum an een laagohmige halfgeleiderzone 14 als tweede plaat.
De tweede plaat is in dit voorbeeld met aarde verbonden.
15 Voorts zijn op het oxyde 16 weerstanden 20 gerealiseerd uit weerstandsmateriaal, zoals bijvoorbeeld nikkel-chrocm. Deze weerstanden zijn in dit voorbeeld aan één uiteinde via een contactgat 24 met een laagohmige halfgeleiderzone 14 en aan hm andere uiteinde via het métaalpatroon 17 met de genoemde capaciteiten verbonden.
20 Op de glaslaag 23 zijn behalve een weerstand 20 zelf inducties 18 (zie ook Figuur 3) gerealiseerd door het métaalpatroon 17 een meandervorm te geven.
Delen van het métaalpatroon 17 zijn op een aantal plaatsen onderling verbonden met behulp van draadverbindingen 21. Soortgelijke draad-25 verbindingen 21 verbinden ook delen van het métaalpatroon 17 met contact-vlakken 31,32 en 33 die een actief element in het tweede half geleider lichaam 30 contacteren. Dit bestaat in het onderhavige voorbeeld uit een galliumrarsenide metaal-veldeffecttransistor (MESFET) en bevat een actieve laag 34, aangegroeid op een half isolerend suhstraat 35. Het halfgeleider-30 lichaam 30 is met electrisch isolerende lijm op de bodem van de verdieping 13 bevestigd. De contactmetalliseringen 31,32 en 33 fungeren respectievelijk als toevoer-, poort- en af voercontact.
Het eerste halfgeleiderlichaam 11 is bovendien voor een goede contactering met het aardvlak, voorzien van een metallisatie 25.
35 Het electrisch analogen van de halfgeleiderinrichting volgens de
Figuren 2 en 3 is schematisch weergegeven in Figuur 4. De MESFET 30 bezit een toevoeraansluiting 31 die via een parallelschakeling van een capaciteit 19 en een weerstand 20 met aarde verbonden is. De poortelektrode 32 8202470
* I
1 ^ » PHN 10.383 7 wordt aangestuurd via een weerstand 20 en een zelf inductie 18. Zoals uit het bovenaanzicht van Figuur 2 blijkt vindt deze aansturing plaats via een verbindingsdraad 5 die een deel van het metaalpatroon 17 contacteert ter plaatse van een contactmetallisering. Andere verbindingen tussen de 5 elementen van de schakeling worden gevormd door verbindingen 21 of het metaalpatroon 17.
Door de aanwezigheid van de laagohmige halfgeleiderzones 14,-26 die via de metallisatie 25 verbonden is met het geleidend patroon 3 op aardpotentiaal strekt het aardvlak zich als het ware uit tot in het half-10 geleiderlichaam 10, hetgeen voor hoogfrequenttoepassingen bijzonder voordelig is. Doordat bovendien de verbindingen 21 zeer kort en praktisch identiek kunnen zijn, zijn deze nu praktisch vrij van. variaties in parasitaire eigenschappen.
De halfgeleiderinrichting 10 van de Figuren 5,6 en 7 toont een 15 half geleider lichaam 11 van silicium ter grootte van 1x1 millimeter met een dikte van ca. 250 miereneter. Het half geleiderlichaam 11 bevat een laagohmig n-type substraat 26 met een soortelijke weerstand van circa 5 milli-obmeentimeter waarop een hoogohmige. (p of n-type) epitaxiale laag 27 is aangegroeid. In het siliciumlichaam 11 is een verdieping 13 geëtst 20 ter grootte van circa 500 x 400 micraneter met een diepte van circa 100 micraneter. In deze verdieping is een metaal-veldeffecttransistor (MESFET) uit gallium-arsenide bevestigd met een dikte die eveneens circa 100 micraneter bedraagt. De veldeffecttransistor 30 is voorzien van con-tactvlakken 31,32,33 ten behoeve van respectievelijk een toevoer- een 25 poort- en een af voercontact. Het toevoercontactvlak 31 is hierbij (zie Figuur 6) via verbindingen 21 electrisch geleidend verbonden met een deel van het metaalpatroon 17 dat in dit voorbeeld direct op het hoofdoppervlak 12 van het eerste halfgeleiderlichaam 11 is aangebracht en de laagohmige halfgeleiderzone 14 contacteert, die zich ter plaatse van het 30 metallisatiepatroon 17 tot aan het oppervlak 12 uitstrekt. Het toevoercontactvlak is daardoor via een laagohmige stroomweg bestaande uit de verbinding 21, het patroon 17, de halfgeleiderzone 14 en het substraat 26 direct verbonden met de contactmetallisatie 25 aan de onderzijde van het halfgeleiderlichaam 11. Een dergelijke configuratie is dan ook zeer ge-35 schikt voor toepassing in schakeling met geaarde toevoerzone, waarbij de onderzijde van het halfgeleiderlichaam 11 op een aardvlak wordt gemonteerd bijvoorbeeld door middel van solderen. Voor het overige hebben de verwijzingscijfers weer dezelfde betekenis als in het vorige voorbeeld.
8202470 « f EHN 10.383 8
De vrijdragende geleiders 22,17 zijn via draadverbindingen 21 electrisch geleidend verbonden met het poortcontactvlak 32 en het afvoercontactvlak 33 van de veldeffecttransistor 30.
Met behulp van. een dergelijke constructie kan, doordat de aan-5 sluitingen 22,25 betrekkelijk grote afmetingen hebben, meting (en selectie) vooraf op betrouwbaarder wijze warden uitgevoerd dan wanneer direct op de contacten 31,32,33 van de gallium-arsenide veldeffecttransistor wordt geneten. Ook de kans op beschadiging is hierdoor aanzienlijk afgenomen.
10 Voor toepassingen, waarbij de toevoerzone niet met aarde verbon den is kan het toevoercontact op soortgelijke wijze als de poort- en af-voercontacten via een verbinding 21 met een vrijdragende geleider worden verbonden. In een dergelijke inrichting kan het aardvlak weer als het ware tot bij het hoofdoppervlak 12 gebracht worden door bijvoorbeeld het 15 gehele eerste, halfgeleiderlichaam 11 uit één laagohmig substraat 26 te laten bestaan. Hiermee wordt bereikt dat de geleiders 22 die in het algemeen deel uitmaken van signaallijnen zeer dicht langs het aardniveau liggen zodat de halfgeleiderinrichtiiig een zeer goed hoogfrequentgedrag (met name voor microgolf toepassingen) vertoont. Soortgelijke voordelen 20 gelden uiteraard ook voor de inrichting van de Figuren 2 t/m 4 en variaties daarop.
Het spreekt vanzelf dat de uitvinding niet beperkt is tot de bovenstaande voorbeelden, maar dat binnen het kader van de uitvindingen diverse variaties mogelijk zijn. Zo hoeft de contactering niet noodzakelijk 25 via de vrijdragende geleiders 22 en draadverbindingen 5 plaats te vinden, maar kan het eerste halfgeleiderlichaam voorzien zijn van soldeerbollen die een omgekeerde montage (flip-chip) mogelijk maken. In dat geval kan de metallisatie 25 desgewenst vervallen. Behalve voor het realiseren van de genoemde passieve elementen kan het siliciumlichaam 11 uiteraard ook 30 gebruikt worden voor het realiseren van actieve elementen zoals bijvoorbeeld een Schottkydiode t.b.v. beveiliging etc.» .Ook kan een inrichting volgens de uitvinding zelf weer ingepast worden in een groter geheel zoals een microgolfschakeling volgens bekende technieken met doorgemetalliseerde gaten die een aardvlak aan de andere zijde van een drager electrisch 35 geleidend verbinden met een contactvlak waarop de inrichting volgens de uitvinding is gesoldeerd. Ten aanzien van de uitvoering met losse schake-lingselementen wordt hierbij het aantal doorgemetalliseerde gaten drastisch beperkt.
8202470 > b PHN 10.383 9
Ook in de schakeling van de Figuren 2 t/m 4' kunnen diverse variaties aangebracht worden, zoals bijvoorbeeld het toevoegen van een in !
Figuur 2 schematisch aangegeven extra weerstandselement 20 . Daarnaast kunnen uiteraard andere halfgeleidermaterialen en verbindingsmethoden 5 worden gebruikt. Ook kunnen meerdere transistoren in éénzelfde verdieping dan wel in verschillende verdiepingen worden aangebracht.
10 15 20 25 30 35 8202470

Claims (26)

1. Hocgfrequentschakelinrichting, in het bijzonder ten behoeve van microgolf toepassingen, bevattende een isolerend substraat voorzien van een geleidend patroon ten behoeve van een referentiepotentiaal en een halfgeleiderinrichting met het kenmerk dat de halfgeleiderinrichting een 5 eerste halfgeleiderlichaam uit een eerste halfgeleidend materiaal bevat dat aan een hoofdoppervlak voorzien is van tenminste één tweede halfgeleiderlichaam waarin een actief schakelingselement is gerealiseerd en het eerste halfgeleiderlichaam voorzien is van een laahohmige halfgeleider-zone die zich althans plaatselijk tot het hoofdoppervlak uitstrekt en 10 electrisch geleidend verbonden is met het geleidend patroon ten behoeve van de referentiepotentiaal.
2. Hoogfrequentschakelinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk dat het eerste halfgeleiderlichaam een verdieping bevat waarin zich het tweede halfgeleiderlichaam bevindt.
3. Hoogfrequentschakelinrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk dat het tweede halfgeleiderlichaam uit een tweede, van het eerste verschillend halfgeleidermateriaal bestaat.
4. Inrichting volgens conclusie 1,2 of 3 met het kenmerk dat de laagohmige halfgeleiderzone praktisch het . gehele eerste halfgeleider-20 lichaam cmvat.
, 5. Inrichting volgens één der conclusies 1 t/m 4 met het kenmerk dat de laagohmige halfgeleiderzone een soortgelijke weerstand van ten hoogste 0,05 ohmcentimeter bezit.
6. Inrichting volgens één der voorgaande conclusies met het kenmerk 25 dat de laagohmige halfgeleiderzone ter plaatse van het hoofdoppervlak van het eerste halfgeleiderlichaam electrisch geleidend verbonden is met een aansluiting van een in het tweede halfgeleiderlichaam gerealiseerd scha-kelingselement.
7. Inrichting volgens één der voorgaande conclusies met het kenmerk 30 dat een in het tweede halfgeleiderlichaam gerealiseerd schakelingselement electrisch geleidend verbonden is met althans een deel van een metaalpa-troon, aangebracht op een het eerste halfgeleiderlichaam bedekkende laag van isolerend materiaal.
8. Inrichting volgens conclusie 7 met het kenmerk dat het metaal- 35 patroon met de onderliggende laag van isolerend materiaal als diëlectricum en het daaronder gelegen deel van het eerste halfgeleiderlichaam een capaciteit vormt.
9. Inrichting volgens conclusie 7 met het kenmerk dat het metaal- 8202470 ΪΉΝ 10.383 11 « o patroon een meandervorm of spiraalvorm bevat.
10. Inrichting volgens conclusie 7 met het kenmerk dat het metaal-patroon twee aansluitvlakken bevat waartussen zich een weerstandslaag bevindt.
11. inrichting volgens conclusie 7 met het kenmerk dat een deel van het metaalpatroon zich als vrijdragende geleider tot buiten de ontrek van het eerste halfgeleider lichaam uitstrekt.
12. Inrichting volgens eên der conclusies 9 t/m 11 net het kenmerk dat het metaalpatroon plaatselijk van het eerste halfgeleiderlichaam ge- 10 isoleerd is door een glaslaag met een dikte van ten hoogste 100 micrometer.
13. Half geleider inrichting voor toepassing in een inrichting volgens één der conclusies 1 t/m 12 met het kenmerk dat de halfgeleiderinrichting een eerste halfgeleiderlichaam uit een eerste half geleidend materiaal be- 15 vat dat aan een hoofdoppervlak voorzien is van tenminste één tweede halfgeleiderlichaam waarin een actief schakelingselement is gerealiseerd en dat verder voorzien is van een laagohmige halfgeleiderzone die zich althans plaatselijk tot het eerste hoofdoppervlak en tot een tweede aan het eerste evenwijdig hoofdoppervlak uitstrekt.
14. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 13 met het kenmerk dat het eerste halfgeleiderlichaam aan het tweede hoofdoppervlak van een con-tactmetallisatie is voorzien.
15. Halfgeleiderinrichting volgens één der conclusies 13 of 14 met het kenmerk dat het eerste halfgeleiderlichaam een verdieping bevat waar- 25 in zich het tweede halfgeleiderlichaam bevindt.
16. Halfgeleiderinrichting volgens één der conclusies 13 t/m 15 met het kenmerk dat het tweede halfgeleiderlichaam uit een tweede van het eerste verschillend halfgeleidermateriaal bestaat.
17. Halfgeleiderinrichting volgens één der conclusies 13 t/m 16 net 30 het kenmerk dat de laagohmige halfgeleiderzone praktisch het gehele eerste halfgeleiderlichaam omvat.
18. Halfgeleiderinrichting volgens één der conclusies 13 t/m 17 met het kenmerk dat de laagohmige halfgeleiderzone een soortgelijke weerstand van ten hoogste 0,05 ohmcentimeter bezit.
19. Halfgeleiderinrichting volgens één der conclusies 13 t/m 18 met het kenmerk dat de laagohmige halfgeleiderzone ter plaatse van het eerste hoofdoppervlak van het eerste halfgeleiderlichaam electrisch geleidend verbonden is met een aansluiting van een in heÏYFIal^geleiderlichaam ge- 8202470 PHN 10.383 12 t» realiseerd schakelingselement.
20. Halfgeleiderinrichting volgens één der conclusies 13 t/m 19 net het kenmerk dat een in het tweede halfgeleiderlichaam gerealiseerd schakelingselement electrisch geleidend verbonden is met althans een deel van 5 een metaalpatroon, aangebracht op een het eerste halfgeleiderlichaam bedekkende laag van isolerend materiaal.
21-. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 20 met het kenmerk dat het metaalpatroon met de onderliggende laag van isolerend materiaal als diëlectricum en het daaronder gelegen deel van het eerste halfgeleider-10 lichaam een capaciteit vormt.
22. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 20 met het kenmerk dat het metaalpatroon een meandervorm of spiraalvorm bevat.
23. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 20 met het kenmerk dat het metaalpatroon twee aansluitvlakken bevat waartussen zich een weer- 15 standslaag bevindt.
24. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 20 met het kenmerk dat een deel van het metaalpatroon zich als vrijdragende geleider tot buiten de cmtrëk van het eerste halfgeleiderlichaam uitstrekt.
25. Halfgeleiderinrichting volgens één der conclusies 22 t/m 24 net 20 het kenmerk dat het metaalpatroon plaatselijk van het eerste halfgeleiderlichaam geïsoleerd is door een glaslaag met een dikte van ten hoogste 100 micrometer.
26. Halfgeleiderinrichting volgens één der conclusies 13 t/m 25 met het kenmerk dat het eerste halfgeleiderlichaam uit silicium en het tweede ‘ 25 halfgeleiderlichaam uit een III-V-verbinding bestaat. 30 35 8202470
NL8202470A 1982-06-18 1982-06-18 Hoogfrequentschakelinrichting en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting. NL8202470A (nl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8202470A NL8202470A (nl) 1982-06-18 1982-06-18 Hoogfrequentschakelinrichting en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting.
DE19833320275 DE3320275A1 (de) 1982-06-18 1983-06-04 Hf-schaltungsanordnung und halbleiteranordnung zum gebrauch in einer derartigen anordnung
CA000430318A CA1213079A (en) 1982-06-18 1983-06-14 Microwave semiconductor device working together with another semiconductor device for reference potential
GB8316270A GB2123209B (en) 1982-06-18 1983-06-15 High-frequency circuit
IT2164183A IT1170151B (it) 1982-06-18 1983-06-15 Complesso circuitale ad alta frequenza e dispositivo semiconduttore per l'impiego in tale complesso
AU15837/83A AU557136B2 (en) 1982-06-18 1983-06-16 Hf circuit construction
FR8310036A FR2529013B1 (fr) 1982-06-18 1983-06-17 Circuit a haute frequence et dispositif semi-conducteur pour equiper un tel circuit
JP58107976A JPS594064A (ja) 1982-06-18 1983-06-17 高周波回路装置
US06/913,615 US4739389A (en) 1982-06-18 1986-09-26 High-frequency circuit arrangement and semiconductor device for use in such an arrangement

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8202470A NL8202470A (nl) 1982-06-18 1982-06-18 Hoogfrequentschakelinrichting en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting.
NL8202470 1982-06-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8202470A true NL8202470A (nl) 1984-01-16

Family

ID=19839906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8202470A NL8202470A (nl) 1982-06-18 1982-06-18 Hoogfrequentschakelinrichting en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4739389A (nl)
JP (1) JPS594064A (nl)
AU (1) AU557136B2 (nl)
CA (1) CA1213079A (nl)
DE (1) DE3320275A1 (nl)
FR (1) FR2529013B1 (nl)
GB (1) GB2123209B (nl)
IT (1) IT1170151B (nl)
NL (1) NL8202470A (nl)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3382183D1 (de) * 1982-12-23 1991-04-04 Sumitomo Electric Industries Monolithische integrierte mikrowellenschaltung und verfahren zum auswaehlen derselben.
US4577213A (en) * 1984-03-05 1986-03-18 Honeywell Inc. Internally matched Schottky barrier beam lead diode
US4675717A (en) * 1984-10-09 1987-06-23 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Water-scale-integrated assembly
JPS61292383A (ja) * 1985-06-20 1986-12-23 Sony Corp 集積回路装置
CH668667A5 (de) * 1985-11-15 1989-01-13 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul.
US5060048A (en) * 1986-10-22 1991-10-22 Siemens Aktiengesellschaft & Semikron GmbH Semiconductor component having at least one power mosfet
FR2608318B1 (fr) * 1986-12-16 1989-06-16 Thomson Semiconducteurs Dispositif semi-conducteur a faible bruit en hyperfrequence, monte dans un boitier
JPS6414949A (en) * 1987-07-08 1989-01-19 Nec Corp Semiconductor device and manufacture of the same
US4901136A (en) * 1987-07-14 1990-02-13 General Electric Company Multi-chip interconnection package
JPH02184054A (ja) * 1989-01-11 1990-07-18 Toshiba Corp ハイブリッド型樹脂封止半導体装置
US4967258A (en) * 1989-03-02 1990-10-30 Ball Corporation Structure for use in self-biasing and source bypassing a packaged, field-effect transistor and method for making same
EP0393220B1 (en) * 1989-04-20 1994-07-13 International Business Machines Corporation Integrated circuit package
JPH0777261B2 (ja) * 1989-07-10 1995-08-16 三菱電機株式会社 固体撮像装置及びその組立方法
EP0411165B1 (en) * 1989-07-26 1997-04-02 International Business Machines Corporation Method of forming of an integrated circuit chip packaging structure
US5244833A (en) * 1989-07-26 1993-09-14 International Business Machines Corporation Method for manufacturing an integrated circuit chip bump electrode using a polymer layer and a photoresist layer
JPH0724270B2 (ja) * 1989-12-14 1995-03-15 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
EP0460554A1 (en) * 1990-05-30 1991-12-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US5049978A (en) * 1990-09-10 1991-09-17 General Electric Company Conductively enclosed hybrid integrated circuit assembly using a silicon substrate
US5153408A (en) * 1990-10-31 1992-10-06 International Business Machines Corporation Method and structure for repairing electrical lines
DE4108154A1 (de) * 1991-03-14 1992-09-17 Telefunken Electronic Gmbh Elektronische baugruppe und verfahren zur herstellung von elektronischen baugruppen
EP0506122A3 (en) * 1991-03-29 1994-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power module
US5151769A (en) * 1991-04-04 1992-09-29 General Electric Company Optically patterned RF shield for an integrated circuit chip for analog and/or digital operation at microwave frequencies
JPH0583017A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波集積回路装置
US5596171A (en) * 1993-05-21 1997-01-21 Harris; James M. Package for a high frequency semiconductor device and methods for fabricating and connecting the same to an external circuit
US5665649A (en) * 1993-05-21 1997-09-09 Gardiner Communications Corporation Process for forming a semiconductor device base array and mounting semiconductor devices thereon
JP2638514B2 (ja) * 1994-11-11 1997-08-06 日本電気株式会社 半導体パッケージ
DE19720300B4 (de) * 1996-06-03 2006-05-04 CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH Elektronisches Hybrid-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO1998020553A1 (en) * 1996-11-05 1998-05-14 Philips Electronics N.V. Semiconductor device with a high-frequency bipolar transistor on an insulating substrate
JP3859340B2 (ja) * 1998-01-06 2006-12-20 三菱電機株式会社 半導体装置
EP1487019A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic device and method of manufacturing thereof
US9214909B2 (en) * 2005-07-29 2015-12-15 Mks Instruments, Inc. High reliability RF generator architecture

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3022472A (en) * 1958-01-22 1962-02-20 Bell Telephone Labor Inc Variable equalizer employing semiconductive element
NL251302A (nl) * 1959-05-06
DE1591501A1 (de) * 1967-06-06 1970-02-26 Siemens Ag Integrierter Halbleiterschaltkreis
US3577037A (en) * 1968-07-05 1971-05-04 Ibm Diffused electrical connector apparatus and method of making same
JPS4947713B1 (nl) * 1970-04-27 1974-12-17
JPS50147292A (nl) * 1974-05-15 1975-11-26
US4023198A (en) * 1974-08-16 1977-05-10 Motorola, Inc. High frequency, high power semiconductor package
US3996603A (en) * 1974-10-18 1976-12-07 Motorola, Inc. RF power semiconductor package and method of manufacture
US4122479A (en) * 1975-01-31 1978-10-24 Hitachi, Ltd. Optoelectronic device having control circuit for light emitting element and circuit for light receiving element integrated in a semiconductor body
JPS5293285A (en) * 1976-02-02 1977-08-05 Hitachi Ltd Structure for semiconductor device
US4092664A (en) * 1976-02-17 1978-05-30 Hughes Aircraft Company Carrier for mounting a semiconductor chip
JPS5337383A (en) * 1976-09-20 1978-04-06 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit
JPS5411666A (en) * 1977-06-28 1979-01-27 Nec Corp Microwave high output transistor
US4190854A (en) * 1978-02-15 1980-02-26 National Semiconductor Corporation Trim structure for integrated capacitors
JPS5591165A (en) * 1978-12-28 1980-07-10 Fujitsu Ltd Microwave ic
DE3067917D1 (en) * 1979-03-10 1984-06-28 Fujitsu Ltd Constructional arrangement for semiconductor devices
JPS57166068A (en) * 1981-04-07 1982-10-13 Toshiba Corp Semiconductor device
EP0062725B1 (de) * 1981-04-14 1984-09-12 Deutsche ITT Industries GmbH Verfahren zum Herstellen eines integrierten Planartransistors
US4463322A (en) * 1981-08-14 1984-07-31 Texas Instruments Incorporated Self-biasing for FET-driven microwave VCOs

Also Published As

Publication number Publication date
FR2529013A1 (fr) 1983-12-23
JPS594064A (ja) 1984-01-10
GB2123209B (en) 1986-01-02
IT8321641A1 (it) 1984-12-15
AU557136B2 (en) 1986-12-04
GB2123209A (en) 1984-01-25
IT8321641A0 (it) 1983-06-15
CA1213079A (en) 1986-10-21
IT1170151B (it) 1987-06-03
GB8316270D0 (en) 1983-07-20
FR2529013B1 (fr) 1987-04-17
AU1583783A (en) 1983-12-22
US4739389A (en) 1988-04-19
DE3320275A1 (de) 1983-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8202470A (nl) Hoogfrequentschakelinrichting en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting.
US3986196A (en) Through-substrate source contact for microwave FET
US4982311A (en) Package for very large scale integrated circuit
KR100197187B1 (ko) 고주파전력 증폭회로장치
US4788584A (en) RF transistor package with capacitor
US20200136611A1 (en) High Speed Switching Circuit Configuration
WO2012062274A2 (de) Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung eines gesinterten leistungshalbleitermoduls mit temperaturfühler
JPS6093817A (ja) 可変遅延ライン装置
EP0015709B1 (en) Constructional arrangement for semiconductor devices
JPH02241056A (ja) 高速パワー半導体回路
US4845723A (en) Laser transmitter arrangement
US5160907A (en) Multiple layer semiconductor circuit module
US5399906A (en) High-frequency hybrid semiconductor integrated circuit structure including multiple coupling substrate and thermal dissipator
JPH09172221A (ja) 光半導体素子の実装構造
CN105977241A (zh) 一种用于光电子集成芯片的封装结构
US4321485A (en) High-frequency transistor switch
US5309006A (en) FET crossbar switch device particularly useful for microwave applications
US4490694A (en) Microwave switch wherein PIN diode is mounted orthogonal to microstrip substrate
US3710202A (en) High frequency power transistor support
JP2513835B2 (ja) 半導体装置
RU2449419C1 (ru) Гибридная интегральная схема свч-диапазона
JPH0936617A (ja) 高周波モジュール
JPS6035247Y2 (ja) 半導体装置
US11049837B2 (en) Bond wire array for packaged semiconductor device
JP3468851B2 (ja) モノリシックマイクロ波ｉｃ

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
A85 Still pending on 85-01-01
BI The patent application has been withdrawn