DE1591501A1 - Integrierter Halbleiterschaltkreis - Google Patents

Integrierter Halbleiterschaltkreis

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DE1591501A1
DE1591501A1 DE19671591501 DE1591501A DE1591501A1 DE 1591501 A1 DE1591501 A1 DE 1591501A1 DE 19671591501 DE19671591501 DE 19671591501 DE 1591501 A DE1591501 A DE 1591501A DE 1591501 A1 DE1591501 A1 DE 1591501A1
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semiconductor
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Dr Heinz-Herbert Arndt
Dr Juergen Schaedel
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Siemens AG
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Description

Integrierter Harbleiterschaltkreis
Bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen kann es wünschenswert sein, sie nicht in monolithischer Form auszuführen, sondern Teilkomplexe des Schaltkreises (Teilschaltkreise) oder auch Einzelbauelemente gesondert zu fertigen (siehe E.M.Davis et al., IBM Journal, April 1964, Vol.8, 102-114, 112). Die Teilintegration, die auoh als HMultichip»-Bauweise bezeichnet wird, kann der monolithischen Technik vorgezogen werden, (a) wenn letztere eine zu geringe Ausbeute bringt, (b) wenn eine große Zahl von voneinander unabhängigen Potentialen im Schaltkreis vorhanden sein soll, (c) wenn der Schalt-
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Unterlagen (Art. 711 At* 2 Nr. I Setz 3 de« Änderung·!!·. % *
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kreis für hohe Spannungen ausgelegt sein soll, für die die bekannten Isolationstechniken der monolithiechen Aueführung versagen, (d) wenn aus elektrischen Gründen unterschiedliche Dikken der Bauelemente notwendig sind, (e) wenn unterschiedliches Material und unterschiedliche Herstellungeweise für die Bauelemente (z.B. sehr unterschiedliche Diffusionen, Verwendung von Dünnschichtelementen) verwenden werden und/oder (f) wenn eine vertikale Stromführung (geringere Bahnwideratände) notwendig ist.
Beiintegrierten Schaltkreisen, die aus den genannten Gründen aus mehreren Teilen in der sog. "Mudtichip-Bauweiee" hergestellt werden, entstehen vor allem Kontaktierunge- und Kapselungsproblerae, Ee kann ferner eine groie Zahl interner Draht* verbindungen erforderlich sein, die zu Fehlern Anlaß geben können. Die Kapsel für derartige Multichip-Sohaltkreioe ist aufwendig, da sie zur (gegenseitigen) Isolierung der Teilkreise einen gut wärmeleitenden Keramikboden haben soll. Ss sind verschiedene Ausführungen von Gehäusen verwendet worden (siehe IBM Journal Vol.8, a.a.O., Seite 112), denen eine elektrisch Isolierende Keramikschicht als Träger der Teilschaltkreise gemeinsam ist. Als Keramiken kommen im wesentlichen nur AIpQ,-* und BeO in Frage. Beide Stoffe haben einen ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie Silizium. Die färmeleitf&f» higkeit von AIgOj entspricht derjenigen von Kovar und ähnlichen Legierungen, ist also sehr gering. Das BeO, das wegen der re-
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lativ großen Verlustleistung von Leistungsschaltkreisen bei diesen Kreisen praktisch allein in Frage kommt, hat zwar etwa die Wärmeleitfähigkeit von Aluminium-Metall, iat aber sehr teuer und wegen seiner Giftigkeit unangenehm zu bearbeiten. Die Multichip-Gehäuee cind daher entweder teuer oder so schlecht vrüraeleitend, daQ sich ihre Verwendung fUr alle preiswerten Schaltkreise mit Leistungsbauelementen verbietet· Gerade für Leiatungsschaltkreiae, bei denen der Leistungsteil oft einen sehr großen Flächenbedarf hat (mindestens die Hälfte der gesäeten Fläche) bietet sich aber die erfindungsgemäße Varianteider Multichip-Technik an, die im folgenden beschrieben wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe «u Grunde, einen integrierten Schaltkreis eu schaffen, der ohne den kostspieligen bzw. schlecht Isolierenden Keramikboden auskonmt und in dem die Zahl der Drahtverbindungen auf ein Böglichst geringes UaQ vermindert ist.
Die Erfindung bezieht sich auf einen integrierten Halbleiterschaltkreis mit mindestens zwei gesondert hergestellten Halbleiterbauteilen (Multichip-Technik). Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe besteht darin, daß ein erstes Halbleiterbauteil als Träger mindestens eines zweiten Bauelementes vorgesehen ist.
Das untere erste Bauteil ist dabei gemäß weiterer Erfindung vor-
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■zugsweise rait der Rückseite in elektrischem und thermischen Kontakt auf eine Metallplatte gesetzt. Das erste Bauteil ist deshalb insbesondere das Leistungsbauteil des Schaltungskreises. Έθ kann aus einem oder mehreren Körpern und z.B. aus Silizium oder Germanium bestehen. Es kann sich beispielsweise um einen Leiotungstransistor oder Thyristor handeln. Das erste Bauteil kann ebenso wie das zweite Bauteil, das vorzugsweise als Steuerbauteil des ersten Bauteils ausgebildet ist, monolithisch integriert sein oder als Einzelbauelement vorliegen. Das zweite Bauteil kann aus beliebigem Material hergestellt sein. Es kann auch z.B. ein keramisches Dünnschicht-Bauelement sein.
Vorzugsweise bedeckt das zweite Bauteil die Vorderseite des unteren ersten Bauteils mindestens teilweise. Durch diese teilweise oder vollständige Überdeckung wird der Raumbedarf des Schaltkreises gegenüber früheren Anordnungen beträchtlich, z.B. auf die Hälfte, vermindert.
In einem Ausführungsbeispiel ist das zweite Bauteil unter Zwi-
schenlage einer Isolierschicht direkt auf dem ersten Bauteil befestigt. Die Isolierschicht kann z.B. aus Glas bestehen, dessen Schmelzpunkt unterhalb einer für die Bauelemente schädlichen Temperatur liegt. Das zweite Bauteil besitzt in dem Beispiel nur an der dem ersten Bauteil abgewandten Fläche Kontaktflächen.
Der erfindungegemäße Halbleiterachaltkreis kann aber ait beson-
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derem Vorteil auch bo ausgebildet Bein, daß das zweite Bauteil derart auf das erste Bauteil aufgesetzt ist, daß die Kontaktflächen beider Bauteile einander zugewandt sind. Bb hat sich dabei als günstig erwiesen, wenn das erste Bauteil auf der Oberfläche (Vorderseite) mit Kontaktflächen versehen ist, die den Kontaktflächen des zweiten Bauteils bzw. der zweiten Bauteile gegenüber stehen. Dabei ist es zweckmäßig, wenn die elek- · trische Verbindung der entsprechenden Kontaktflächen der Bauteile durch erhabene Stellen auf den Kontaktflächen oder durch zwischengelegte Formkörper bewirkt ist. Die erhabenen Stellen auf den Kontaktflächen können b.B. galvanisch erzeugt sein. Vorzugsweise werden die Kontaktflächen der beiden aufeinanderliegenden Bauteile durch Druck und/oder Wärmebehandlung mit den erhabenen Stellen oder mit den Formkörpern verschweißt bzw. verlötet. Inobeaondere wenn als Formkörper Hetallkugeln verwendet sind, ist es günstig, aur Justierung der Formkörper entsprechende Vertiefungen in den Kontaktflächen vorzugehen.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel sind die beiden Bauteile ebenfalls sandwich-artig Über Kopf montiert. In dieeem Falle wird der Kontakt zwischen den Bauteilen jedoch durch·Kontaktfahnen, die über den Rand des oberen zweiten Bauteils hinausragen, bewirkt. Die Kontaktfahnen können a.B. bei der Herstellung des zweiten Bauteils erzeugt werden. Beim gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl solcher Bauelemente aus einer Halbleiterscheibe lassen sich die Kontaktfahnen durch Aufdampfen Mindestens eines durchgehenden Streifens auf den Bauelement und
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auf einer Schutzschicht des Nachbarbaueiementea und nachträg- · liehe (z.B. galvanische) Verstärkung bilden. Die Kontaktfahnen können dann nach dem Zertrennen der Einzelteile der Halbleiterscheibe vom Nachbarbaueleraent durch chemische und/oder^thermische Lösung der Schutzschicht freigelegt werden*
Da die Kontaktfahnen des zweiten Bauteils über deeeen Rand hinausragen, kann der Zv/ischenfaum zwischen den Bauteilen massiv mit einer Isolierschicht, z.B. Glas, ausgefüllt werden, so daß die Bauteile ohne Hohlraum aufeinanderliegen. 3s ist döshalb in diesem Falle besonders leicht möglich, die Rückseite des zweiten Bauteils ebenfalls mit mindestens einer Kontaktfläche und dem entsprechenden elektrischen Anschluß zu versehen.
Der erfindungsgemäöe Halbleiterschaltkreis ist insbesondere als Leistungsbauelement geeignet, dessen Steuerteil gesondert monolithisch hergestellt ist, Erfindungsgemäße gesteuerte Thyristor- oder Transistorschaltungen können mit besonderem Vorteil in der Automobilelektrik angewandt werden.
insbesondere für einen Leistungsschaltkreis wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, das Leistungsbauteil des Schaltkreises gesondert herzustellen und ihn in bekannter Weise auf ein normales metallisches Gehäuse aufzulegieren. Dadurch werden alle Probleme der Verlustwärmebeseitigung umgangen. Anschließend kann B.B. ein Steuerschaltkreis mit kleiner Verlustleistung und ge-
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eigneten Kontakten direkt auf dem Leistungsschaltkreis befestigt werden* Bei dieser Montageart Übernimmt also der Lei-' stungsschaltkreia die Aufgubcn der oben erwähnten Keramikisolierung. Dabei kann in einigen Ausführungsbeispielen die elektrische Isolation durch eine Glasschicht (Oxid) auf einem oder beiden Bauteilen, die auch als "chips" bezeichnet v/erden, erfolgen. Durch geschickte Anordnung der Kontakte lassen sich die notwendigen Drahtverbindungen zwischen Leistungs- und Steuerteil gegenüber der üblichen Multichip-Anordnung erheblich verringern. Ebenso lassen sich natürlich auch mehrere Teilschaltkreise oder Einzelelemente auf einem oder mehreren Leietungsschaltkreisen montieren.
Die erfindungsgemiiße Ausführung der Multichip-Bauweise erlaubt, alle oben angeführten Vorteile dieser Technik auszunutzen. Außerdem ergeben sich noch erfindungsgemäß folgende wesentliche Vorteile:
Die entweder sehr aufwendige oder wärraetechnisch ungünstige Keramikisolierung ist nicht erforderlich; es werden nur einfach herstellbare, gutwUrraeleitende und wenig kostspielige Gehäuse und relativ wenig Schweißpunkte gebraucht, und der Raumbedarf ist stark verringert, z.B. auf die Hälfte.
Je nach Ausführung der erfindungsgemäßen Vorrichtung können weitere Vorteile gegenüber der üblichen Multichip-Technik ge-
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wonnen werden. Das wird anhand von einigen AusfUhrungebeispielen erläutert; es zeigen:
Fig. 1 einen erfindungsgemäßen Schaltkreis mit zwei Bauteilen, wobei das eine mit der Rückseite isoliert auf
die Vorderseite des anderen aufgesetzt ist;
Fig. 2 ein perspektivisches Bild eines Schaltkreises gemäß Fig. 1;
Fig. 3 einen erfindungegemäßen Schaltkreis, dessen Bauteile mit den Vorderseiten und deren Kontaktflächen aneinanderliegen;
Fig. 4 einen erfindungegemäßen Schaltkreis, dessen Bauteil« mit den Vorderseiten isoliert aneinanderliegen, wobei die Kontakte durch an den Kontaktflächen des unteren Bauteile anliegende Kontaktfahnen des oberen Bauteils gebildet sind und
Fig. 5 einen Ausschnitt aus einer Scheibe beim gleichzeitigen Herotellen einer Vielzahl der oberen Bauteile gemäß Fig. 4.
In schematisch gezeichneten Ausführungobeispiol gemäß Fig. 1 ist auf dem mit dem Metallgehäuse 1 durch eine metallische Zwischencchicht 2 verbundenen ersten Bauteil, hier Leistungsschaltkreie 3, ein zweites Bauteil, hier Steuerschaltkr.eis 4, an geeigneter Stelle aufgesetzt. Beide chips 3 und 4 überlappen sich teil-
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weise oder ganz. Die mechanische, elektrisch isolierende Verbindung zwischen Leiotungs- und Steuerkreis übernimmt eine Schicht 5, beispielsweise aus niedrigschmelzendem Glas, v/ie sie u#a. auch zur Befestigung von Siliziumbauelementen auf Keramikträgern benutzt wird. Da diese Glasschicht dünn sein kann (~100 /um), bewirkt sie eine gute V/ärmekopplung zwischen beiden Schaltkreisen 3 und 4, die im Interesse einer gleichmäßigen elektrischen Punktion über einen größeren Temperaturbereich gunstig ist. Die elektrischen Verbindungen der Schaltkreise 3 und 4 untereinander und zu den Durchführungen 6 des Gehäuses 1 können mit Hilfe von Drähten 7 hergestellt v/erden. Bei dieser Ausführung sind in der Regel alle Kontakte des Steuerteils 4 an einer Fläche, d.h. an der oben liegenden Vorderseite, angeordnet.
In Pig. 2 ist ein perspektivisches Bild einer der Pig. 1 entsprechenden Anordnung schematisch gezeichnet. Gleiche Teile haben gleiche Bezeichnung wie in Fig. 1. Bei 8 ist als Beispiel ein Leistungstransictorbereich des unteren Bauteils 3, bei 9 und 10 sind dessen Steuerteile angedeutet.
Im schematisch gezeichneten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3 ist ebenfalls ein integrierter Leistungsschaltkreis dargestellt. Auf das mit dem Metallgehäuse 1 über die Metallschicht 2 verbundene Leistungsbauteil 3 ist ein Steuerbauteil 4 so aufgesetzt, daß seine Kontaktseite dem leistungsteil 3 zugekehrt ist. Das
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Leistungsteil 3 ist auf der Vorderseite mit metallischen Kontaktstreifen 11 versehen, die den Kontakten 12 des Steuerteils 4 gegenüber stehen.
Die Verbindung der Kontakte untereinander kann durch zwischengelegte Formkörper 13, z.B. Kugeln aus geeigenten Metallen, erfolgen, so daß die Kontakte 11 und 12 durch Druck und/oder Temperatureinwirkung mit den Formkörpern 13 verochweißt oder verlötet werden können. Zur Justierung der Formkörper 13 können entsprechende Vertiefungen in den Kontaktstreifen 11 und/oder 12 vorgesehen sein.
Statt besonderer Formkörper können die Kontaktstreifen auch an geeigneter Stelle, z.B. galvanisch, verstärkt sein. Diese erfindungsgemäße Ausführungsform führt zu kurzen Verbindungswegen und erspart Montagekosten, da eine große Zahl von Verbindungen in einem Arbeitsgang geschaffen wird. Auf eine Glasisolierung kann bei diesem Ausführungsbeispiel verzichtet werden. Der hierbei nicht so gute Wärmekontakt wie im Beispiel gemäß Fig. kann bei vielen Anwendungen durch die kleinere Kapazität zwischen Steuer- und Leistungsteil überkompensiert werden.
Das dritte Au3führung3beispiel gemäß Fig. 4 unterscheidet sich vom vorhergehenden vor allem durch die Ausbildung der Kontakte. An dem oberen Bauteil 4, z.B. Steuerteil, sind Kontakte H vorgesehen, die seitlich über dae Bauteil herausragen. Diese Kon-
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taktfahnen 14 können mit entsprechenden Gegenkontakten 15 des unteren Bauteils, z.B. Leistungsteil, verschweißt oder verlötet v/erden. Das Verschweißen bzw. Verlöten (bei 16) kann mit einfachem Druck, durch Ultraschallanwendung oder durch eine Kombination von Druck und Temperatur erfolgen. Eine Verbesserung der mechanischen Eigenschaften und des Wärmekontaktes zwischen den Bauteilen 3 und 4 kann wieder durch Anwendung einer niedrigschnelzenden Glasschicht 5 (wie in Fig. 1) zwischen oberem und unterem Bauteil 4 und 3 bewirkt werden. Dadurch ergibt sich gleichzeitig der Vorteil, daß das obere Bauteil 4 nicht (wie in Fig. 3) hohl liegt, so daß auch dessen freie Rückseitet z.B. bie 17, kontaktiert werden kann. Das ist in allen den Füllen von Vorteil, wo beispielsweise im Interesse geringer Heotwiderstände eine vertikale Stromführung am oberen Bauteil 4, insbesondere Steuerteil, angestrebt wird, oder aus anderen Gründen ein Kontakt auf der jetzt obenliegenden Rückseite erwünscht ist.
Die Herstellung der über das obere Bauteil 4 herausragenden Kon~ taktfahnen 14 erfordert relativ viel Halbleitermaterial, wenn die Freilegung der Kontaktfahnen durch Wegätzen des Halbleiterrande3 erfolgt. Es kann sehr viel Material gespart werden, wenn man sich dabei einer anderen Technik bedient, die anhand der schematischen Zeichnung gemäß Fig. lj am Beispiel der gleichzeitigen Herstellung einer Vielzahl von Planarbauelementen aus einer Halbleiterscheibe beschrieben wird: Die Kontaktstreifen
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20 eines Bauelementes (ζ.B. 24) v/erden zweckmäßig über die spätere Bruchlnie 21 zwischen benachbarten Bauelementen 24, 25, 26 einer Halbleiterscheibe, z.B. Siliziumscheibe, hinausgefiihrt, so daß sie erst auf dem Nachbarbaueleraent (z.B. 25 oder 26) enden. Im Randbereich des Nachbarbauelementes sind gemäß Pig. 5 die Kontaktstreifen 22 nicht direkt auf dieses bzw. auf dessen Isolatorschicht aufgedampft, sondern auf eine vorher dort aufgebrachte Schutzschicht 23 (z.B. Lackschicht, Photoresistlack). Nach einer beispielsweise galvanischen Verstärkung der aufgedampften Streifen 22 können die Bauelemente, z.B. durch Hitzen mit einem Diamanten und schließendem Brechen an den Ritzfurchen 21, voneinander getrennt werden. Das Ritzen erfolgt dabei zweckmäßig (im Gegensatz zum üblichen Verfahren) an der Scheibenrückseite, um die über die Trennungslinie 21 hinausgreifenden Kontakte 22 nicht zu zerstören. Nach dem Trennen (Brechen) hangen die Bauelemente noch über die Kontaktstreifen 22 und die Schutzschicht 23 zusammen. Sie können dann - durch Eintauchen in ein Lösungsmittel, das die Schutzschicht löst, voneinander getrennt werden.
18 Patentansprüche
5 Figuren
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BADORtGINAt*

Claims (3)

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1. Integrierter Halbleiterschaltkrois mit mindestens zwei gesondert hergestellten Halbleiterbauteilen (llultichip-Technik), dadurch gekennzeichnet, daß ein erstes Halbleitorbauteil O; als Träger mindestens eines zweiten Bauelementes (4) vorgesehen ist,
2. Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das untere, erste Bauteil (3) mit der Rückseite in elektrischem und thermischem Kontakt auf eine Metallplatte (1) gesetzt ist.
3. Halbleiterschaltkreis nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das obere, zweite Bauteil (4) aus einem oder mehreren monolithisch integrierten Halbleiterkörpern besteht.
4. Halbleiterschaltkreis nach den Ansprüchen 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß. eine Seite des zweiten Bauteils (4) ganz oder teilweise auf der Vorderseite des unteren, ersten Bauteils (3) aufliegt.
5. Halbleiterschaltkreis nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Bauteil (4) durch eine zwischengelcgte Isolierschicht (5) auf der Vorderseite des er-
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sten Bauteils (3) befestigt ist (Pig. 1 und 4).
6. Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (5) eine ßlasschicht ist, die auf eine oder beide aneinandergrenzende Flächen von oberem und unterem Bauteil (4,3) aufgebracht ist, und deren Schmelzpunkt unterhalb einer für die Bauteile schädlichen Temperatur liegt.
7. Halbloitorschaltkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß das zweite Bauteil (4) nur an der dem ersten Bauteil (3) abgev/andten FlächoAkontaktiert (7) ist (Fig. 1/.
8. Halbleiterschaltkrois nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Bauteil (4) so auf das erste Bauteil (3) aufgesetzt ist, daß die Kontaktflächen (12,1''.; beider Bauteile einander zugewandt sind.
9. Halbleiterschaltkrois nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Bauteil (3) auf der Oberfläche (Vorderseite) mit Kontaktflächen (11) versehen ist, die den Kontaktflächen (12) des zweiten Bauteils (4) (der zweiten Bauteile) gegenüber stehen, und daß die elektrische Verbindung der entsprechenden Kontaktflächen der Bauteile durch erhabene Stellen der Kontaktflächen oder durch zwiechengolegte Formkörper (13) bewirkt
ist (Fig. 3).
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BAD
ΡΛ 67/128* -15- 1597501
10. Halblcitorschaltkrois nach Anspruch 9t dadurch gekennzeich- · not, daß die Kontaktflächen (11,12) durch Druck- und/oder Warneoinwirkung mit den erhabenen Stellen oder mit den Formkbrporn (13) verschweißt oder vorlötet sind.
1% Halbleitcrschaltkreis nach den Ansprüchen 9 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß zur Justierung der Formkörper \*3\ entsprechende Vertiefungen in den Kontaktflächen vorgesehen sind.
12. Halbleiterschaltkreie nach,den Ansprüchen 9 bis ", dadurch gekennzeichnet, daß alo Formkörper (13) Metallkugeln verwendet sind.
13. Halbleiterschaltkrcis nach den Ansprüchen 1 bis 4 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß an der dem ersten Bauteil [3) zugewandten Fläche des zweiten Bautoils (4) Kontaktfahnen [IA-) vorgesehen sind, die über den Rand des oberen, zweiten Bauteils hinausragen, und daß die Kontaktfahnen (H) mit den entsprechenden Kontaktflächen (15) des ersten Bauteils (3) elektrisch leitend verbunden sind (Fig. 4).
14. Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfahnen (H) mit den Kontaktflächen '.'15; des ersten Bauteils (3) durch Schweißen oder löten, durch
• Druck-, Ultraschall- und/oder Wärme einv/irkung verbunden sind.
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BAD OpIGINAL
PA 67/1282 - 16 - 1 §9 1 5Q f
15. Halbleiterschaltkrei3 nach den Ansprüchen 13 und 14» dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfahnen (H) an dem zweiten Bauteil (4) fceira gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl solcher Bauelemente aus einer Halbleiterscheibe durch Aufdampfen mindestens eines durchgehenden Streifens (22) auf das Bauelement (24) und auf eine Schutzschicht (23/ des Nachbarbaueleoentes (25) und nachträgliche, insbesondere galvanische, Verstärkung gebildet und nach dem Zertrennen der Einzelteile der Haibleiterecheibe von Nachbarbauclenent durch chemische und/ oder thermische Lösung der Schutzschicht (23} freigelegt sind (Fig. 5).
1G. Halbleiterschaltkreis nach den Ansprüchen 13 und 14» dadurch gekennzeichnet, daß die mit mindestens einer Kontaktfahne (14) versehene Vorderseite des oberen, zweiten Bauteils (4/, soweit sie das erste Bauteil (3) Überlappt, ganzflächig mit einer Isolierschicht (5)» z.3. Glasschicht, auf der Vorderseite des unteren, ersten Bauteils (3) aufliegt.
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17. Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückseite des zweiten Bauteils (4) ebenfalls mit mindestens einer Kontaktflache und dem entsprechenden
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elektrischen Anschluß (17) versehen ist.
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18. Halbleiterschaltkreis nach den Ansprüchen 1 bis 17, dadurch
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gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterbauteil (3) minde·
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009809/Q801
-AU-Leerseite
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