DE1965546A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

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semiconductor
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metal
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DE1965546B2 (de
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Gelsing Richardus Joh Henricus
Kees Van Steensel
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, an einer dessen Oberflächen sich eine Leiterbahn erstreckt, die wenigstens über einen Teil ihrer Länge mit Isoliermaterial an dem Halbleiterkörper befestigt und gegen diesen Körper isoliert ist, welche Leiterbahn eine erste und eine zweite Metallschicht enthält, die Örtlich unter Zwischenfügung einer dritten Metallschicht miteinander verbunden sind, wobei das Material der dritten Metallschicht von dem der ersten und dem der zweiten Metallschicht verschieden ist und mit diesen Schichten einen stabilen niederohmigen Uebergang bildet.
Bekanntlich werden bei Halbleiterbauelementen zur Kon-
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' taktierung meistens Leiterbahnen verwendet, die sich über eine schützende Isolierschicht erstrecken, wobei die Leiterbahnen durch Oeffnungen in der Isolierschicht mit Zonen von im Halbleiterbauelement angebrachten Schaltungselementen verbunden sein können. Dabei müssen die Materialien, aus denen die Leiterbahnen bestehen, bestimmte Eigenschaften aufweisen. So müssen die Kontakte zwischen der Leiterbahn und, dem Halbleiterkörper meistens nicht-gleichrichtend sein und einen geringen Reihenwiderstand aufweisen. Ferner muss die Isolierschicht gut an der Halbleiteroberfläche haften, während eine gute Haftung zwischen der Leiterbahn und der Isolierschicht gleichfalls erforderlich ist. Ausserdem muss das Material der Leiterbahn eine grosse Leitfähigkeit aufweisen, während ausserdem dieses Material leicht ätzbar sein und sich zur Haftung von Anschlussleitern eignen muss, wobei es auch im Zusammenhang mit den nach der Anbringung einer Leiterbahn noch durchzuführenden Bearbeitungen und mit den auftretenden Betriebstemperaturen, eine grosse Temperaturbeständigkeit haben muss.
In der Praxis hat die grosse Anzahl an das Material gestellter Anforderungen, von denen oben beispielsweise einige erwähnt wurden, zu der Verwendung von Leiterbahnen geführt, von denen verschie* dene. Teile aus verschiedenen Metallen hergestellt sind.
Z.B. ist eine Bauart bekannt, bei der der Teil der Leiterbahn, der mit dem Halbleiterkörper in Kontakt ist, aus Aluminium besteht, während die Kontaktflächen zum Anhaften der oft aus Gold bestehenden Anschlussleiter aus Gold hergestellt sind.
Bei einer Leiterbahn, die auf diese Weise aus verschiedenen Teilen aufgebaut ist, muss die zusätzliche wichtige Anforderung gestellt werden, dass der Uebergang zwischen den unterschiedlichen
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Metallen der Leiterbahn stabil und niederohmig iet.
Wenn die unterschiedlichen Metalle einor derartigen zusammengesetzten Leiterbahn direkt miteinander verbunden sind* Igest die StabilitBt des Uebergangs meietene viel zu wünschen Übrig. Ein bekann«· β Beispiel ist der Uebergang zwischen Aluminiua und Gold« wobei sich an Uebergang leicht intermetallische Verbindungen bilden» die die OQte des Uebergangs in erheblichem Masse beeinträchtigen.
In "E.E.E, the Magazine of Circuit Design Engineering" 16, Hr. 5, S. 36, wurde bereits vorgeschlagen, die Stabilität mit Hilfe einer Zwischenschicht zu vergrBesern. Die Leiterbahn besteht in diesem Falle hauptsächlich aus desj for diesen Zweck besondere geeigneten Aluminium und 1st ferner alt einer Isolierschicht Überzogen. An der Stelle der Kontnktl'lRchen sind Fenster in der Isolierschicht angebracht* so dass dort des Aluminium nicht Überzogen ist. In diesen Fenstern ist cunXchst «ine Titanschicht und dann eine Coldechicht angebracht. Auf diesen Goldkontaktfllchen lasiien sich leicht Gold-AnechluBsleiter be-
b festigen« wfthrend das Gold und das Aluminium durch den Zusatz des Titans voneinander ^trennt sind, wodurch der Pildunp von Gold-Alumi* niu«-Verbindungen entgegengewirkt wird.
M<* Erfindung bezweckt, ein Halblei terbauelenent mit einer derartigen zusam»enf-eset7ten Leiterbahn zu schaffen« bei dem die beiden KetalIe der Bahr, unter ZwischenfQgung eines dritten Metalle miteinander vrrtundpn sind. Ihr lirpt u.a. dip Erkenntnis zugrunde, dass dir QfUe der Verbindung zwischen dem ersten und dem zweittn Metall bei den bekannten zueannenresetzten Leiterbahnen nicht fOr alle Anwendungen frenuVend irt und dass «ie dadurch verbessert werden kann, dass nn der Stelle .:r- Ver!i!:iunr aie beider. T«ile der Leiterbahn statt in
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senkrechter Richtung in waagerechter Richtung voneinander getrennt werden.
Ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die Projektion auf die Halbleiteroberfläche des Uebergangs zwischen der ersten und der dritten Metallschicht und die des Uebergangs zwischen der zweiten und der , dritten Metallschicht nebeneinander liegen.
Auf diese Weise wird vermieden, dass die erste und die zweite Metallschicht über Löcher in der dritten Metallschicht dennoch direkt miteinander in Berührung geraten. Es hat sich herausgestellt, dass mit dieser seitlichen Trennung besonders stabile und niederohmige Uebergänge erhalten werden.
Insbesondere bei Halbleiterbauelementen, bei denen z.B. eine oder mehrere im Halblei terkb'rper vorhandene Halblei terzonen eines Schaltungselements über Anschlussleiter mit Teilen einer Umhüllung verbunden werden müssen, ist die Anwendung zusammengesetster Leiterbahnen oft sehr erwünscht. Die betreffenden Teile der Umhüllung sind meistens aus Gold hergestellt oder wenigstens vergoldet, während Gold als Mate« rial für die Leiterbahn u.a. wegen des erforderlichen ohmschen und stabilen Kontakte mit den Halbleiterzonen weniger geeignet ist. Es dürfte einleuchten, dass es in diesem Falle besonders wichtig ist, dass ein stabiler Uebergang in einer zusammengesetzten Leiterbahn angewandt werden kann, der sich auf einfache Weise erhalten lässt. Eine besondere Ausführungsform des Halbleiterbauelements nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper zwei oder mehrere zu einem Schaltungselement gehörige Gebiete entgegengesetzter Leitfähigkeitstype enthält, wobei mindestens eines dieser Gebiete über eine
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Oeffnung im Isoliermaterial mit der ersten Metallschicht verbunden ist, während die zweite Metallschicht mit einem Anschlussleiter versehen ist.
Vorzugsweise ist die Oberfläche des Uebergangs zwischen der zweiten und dritten Metallschicht in bezug auf die Gesamtoberfläche der zweiten Metallschicht klein.
Weiterhin kann die Erfindung vorteilhaft bei Halbleiterbauelementen mit einer einzigen aus mehreren übereinander liegenden Schichten bestehenden Leiterbahn, wie z.B. bei integrierten Schaltungen mit einer Vielzahl von Schaltungselementen, Anwendung finden.
Eine weitere besondere Ausführungsform des Halbleiterbauelements nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Halbleiterkörpers mit einer Anzahl von Schichten aus Isoliermaterial versehen ist, wobei sich die zweite Metallschicht nahezu völlig auf der freien Oberfläche der oberen Isolierschicht erstreckt und über mindestens eine Oeffnung in der oberen Isolierschicht mit der ersten Metallschicht verbunden ist, die sich nahezu völlig zwischen zwei der Isolierschichten befindet.
Auf diese Weise kann das Material des auf der oberen
Schicht befindlichen Teiles der Leiterbahn derart gewählt werden, dass die erforderlichen Verbindungen mit Teilen einer Umhüllung oder mit Teilen anderer Halbleiterbauelemente hergestellt werden können, was insbesondere wichtig ist, weil die Anzahl von Anschlüssen bei Halbleiter bauelementen dieser Art besonders gross sein kann, wodurch an die Zuverlässigkeit dieser Anschlüsse ausserordentlich strenge Anforderungen gestellt werden müssen. Das Metall der zweiten Metallschicht kann der zur Herstellung der Anschlussverbindungen zu verwendenden Techniken angepasst werden, wobei z.B. meistens auf galvanischem Wege versteifte
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Teile angewandt werden können, die in einer Richtung quer zur Halbleiteroberfläche über das Isoliermaterial hinausragen*
Bei einer bevorzugten Ausführungsfora des Halbleiterbauelements nach der Erfindung enthält die Leiterbahn mindestens einen zu der zweiten Metallschicht gehörigen Teil, der dicker als die erete Metallschicht ist und der in seitlicher Richtung nahezu parallel au der Halbleiteroberfläche über den Halbleiterkörper hervorragt«
Derartige verdickte Teile ermöglichen es z.B., die vorerwähnten erforderlichen Verbindungen gleichzeitig in einer einzigen Bearbeitung herzustellen, was aus herstellungstechnischen Gründen wichtig ist.
Vorzugsweise befinden Bich der Uebergang zwischen der ersten und der dritten Metallschicht und der Uebergang zwischen der zweiten und der dritten Metallschicht wenigstens grSsstenteils auf der gleichen Seite der dritten Metallschicht, während insbesondere auf einfache Weise stabile Uebergänge erhalten werden können, wenn die bei* den Uebergänge wenigstens grösstenteils auf der vom Halbleiterkörper abgekehrten Seite der dritten Metallschicht liegen, wobei die dritte Metallschicht sich völlig auf einer zwischen der Halbleiteroberfläche und der oberen Isolierschicht liegenden Isolierschicht erstreckt.
Als Metalle für die unterschiedlichen Metallschichten können sowohl praktisch reine Metalle wie auch Legierungen verwendet werden. Pur die erste Metallschicht ist insbesondere Aluminium besonders geeignet, während für die zweite Metallschicht u.a. Kupfer und insbesondere Gold geeignet sind.
Als Material für die dritte Metallschicht, die vorzugsweise für die Materialien der ersten und der zweiten Metallschicht
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praktisch undurchlässig ist, eignen sich insbesondere Molybdän, Platin, Hickel, Wolfram und Rhodium.
Es sei bemerkt, dass die Eigenschaften des Kontakte zwischen den Halbleiterzonen und der ersten Metallschicht erforderlichenfalls durch Anwendung einer geeignet gewählten OberfIKchenkonzentration in der zu kontaktierenden Halbleiterzone verbessert werden können, welche Konzentration erwünschtenfalls mit Hilfe einer zusätzlichen Diffusionsbehandlung erhalten werden kann. Auch kann der erwRhnte Kontakt durch Anwendung besonderer Materialien,wie Kobalt- und Platinsilizid, im Kontaktfenster verbessert werden. (|
Die Haftung zwischen einer oder mehreren der Metallschichten und dem angrenzenden Isoliermaterial kann erforderlichenfalls durch Anwendung dünner Haftschichten verbessert werden. Für diese Haftschichten eignen sich ausser z.B. Aluminium und Platinsilizid insbesondere die Materialien Titan, Chrom, Molybdän, Niob, Kobalt und Nickel.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 schematisch einen Querschnitt durch eine erste Ausführungsforn des Halbleiterbauelements nach der Erfindung,
£, 2 schematisch einen Querschnitt durch einen Teil einer zweiten Ausführungsform eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung, und
Fig, J schematisch einen Querschnitt durch einen Teil einer dritten Ausführungsform eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung.
Die erste AusfUhrungsform eines Halbleiterbauelements
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nach der Erfindung ist ein Transistor« Dieser Transistor enthält einen Halbleiterkörper 1 (siehe Fig. 1), der durch ein Substrat 2 gebildet wird, auf dem eine epitaktische Schicht 3 vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie und mit einem höheren spezifischen Widerstand als das Substrat angebracht ist. Das Substrat 2 und die Schicht 3 bilden zusammen den Kollektor des Transistors, wobei in der Schicht 3 eine diffundierte Basiszone 4 und eine diffundierte Emitterzone 5 angebracht sind.
An einer Oberfläche 6 des Halbleiterkörper 1 erstreckt sich eine Leiterbahn 718, die über den grössten Teil ihrer Länge mit Isoliermaterial 9 an dem Halbleiterkörper 1 befestigt und gegen diesen Körper isoliert ist. Die Leiterbahn besteht aus zwei Teilen 7 und 8, die über Fenster im Isoliermaterial 9 zum Anschliessen der Basiszone bzw. der Emitterzone 5 des Transistors dienen. Jeder dieser Teile ent-
hält eine erste und eine zweite Metallschicht, die mit 7a» 8a,bzw. mit 7b, 8b bezeichnet sind, und die örtlich unter Zwischenfügung einer dritten Metallschicht 7c, 8c miteinander verbunden sind, wobei das Metall der dritten Metallschicht von dem der ersten und dem der zweiten Metallschicht verschieden ist und mit diesen Schichten einen stabilen niederohmigen TTebergang bildet.
Nach der Erfindung liegen die Projektionen auf die Halbleiteroberfläche 6 de*8 Uebergangs zwischen der ersten Metallschicht 7a, 8a und der dritten Metallschicht 7c» 8c und des Uebergangs zwischen der zweiten Metallschicht 7*>» 8b und der dritten Metallschicht 7c» 8c nebeneinander.
Auf diese Weise ist eine seitliche Trennung zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht erhalten, wodurch das Metall der zweiten Metallschicht Jb, 8b auch nicht durch Löcher in der dritten Metallschicht 7c, 8c direkt mit dem Metall der ersten Metallschicht
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7a, 8a in Berührung kommen kann und besonders stabile niederohmige Ueberglnge erzielt werden* Der Uebergang zwischen der ersten Metallschicht 7a·ι 8a und der dritten Metallschicht To, 8c und der ITebergang zwischen der zweiten Metallschicht 7b, 8b und der dritten Metallschicht 7c, So befinden sich wenigstens grösstenteils auf der gleichen Seite der dritten Metallschicht 7c, 8c.
Die zweite Metallschicht bildet Kontakte 7b und 8b, an denen Anscfuhmsaleiter 10 und 11 z.B. aus Gold zum Anschliessen der Basis und des Emitters des Transistor an z.B. die vergoldeten An« schlusstifte einer üblichen Umhüllung befestigt werden können. Der Kollektor kann dabei über das Substrat 2 kontaktiert werden.
Der Transistor nach Fig. 1 kann völlig auf in der Halbleitertechnik übliche Weise hergestellt werden. Nach dem Anbringen der Basis- und der Emitterzone kann auf der dann ununterbrochenen Isolierschicht 9 z.B. eine Volframsohicht und anschliessend eine Goldschicht angebracht werden, z.B. dadurch, dass sie nacheinander in demselben Vakuum aufgedampft werden. Durch übliche Photoätztechniken kann dann zur Bildung der zweiten Metallschicht 7b, 8b aus Gold und der dritten Metallschicht 7c, 8c aus Wolfram das Muster dieser Schichten geätzt A werden. Schliesslich können an der Stelle der Emitter- und der Basiszone Fenster in der Isolierschicht angebracht werden, wonach die erste z.B. aus Aluminium bestehende Metallschicht angebracht und das Muster dieser Schicht zur Bildung der Teile 7a, 8a der Leiterbahn geätzt werden kann.
Der Transistor kann mit einer üblichen Umhüllung hergestellt werden, wobei die Anschlussleiter 10 und 11 an der zweiten Metallschicht 7b, 8b befestigt werden können.
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Bei der zweiten Ausführungsform (Fig. 2) enthSlt die Leiterbahn, die über die Isolierschicht 2t am Halbleiterkörper 20 befestigt ist, eine erste Metallschicht 22, die unter Zwlschenfügung einer dritten Metallschicht 24 mit einer zweiten Metallschicht 25 verbunden ist. Dabei sind die erste Metallschicht 22 und ein Teil der dritten Metallschicht 24 mit einer zweiten Isolierschicht 26 abgedeckt. Die zweite Metallschicht erstreckt sich völlig an der freien Oberfläche der oberen Isolierschicht 26 und ist durch eine Oeffnung 27 in dieser Schicht 26 mit der ersten Metallschicht verbunden, die sich nahezu völlig zwischen den beiden Isolierschichten 21 und 26 befindet.
Die Isolierschicht 21 besteht z.B. aus thermischem Siliziumdioxyd oder einem anderen geeigneten Isoliermaterial. Auf dieser Schicht kann z.B. eine erste Metallschicht 22 aus Aluminium angebracht und gemSss dem Muster geätzt werden, wonach das Bauelement mit einer dritten Metallschicht aus Nickel versehen werden kann. Dabei kann ee zum Erzielen eines stabilen niederohmigen Uebergangs zwischen dem Aluminium und dem Nickel erforderlich sein, dass eine Nachbehandlung bei einer etwas erhöhten Temperatur durchgeführt und/oder eine dünne Schicht aus z.B. Titan, Aluminium oder Chrom zwischen dem Aluminium und dem Nickel angebracht wird, damit die in der Regel auf dem Aluminium vorhandene Oxydhaut reduziert wird.
Dann kann das Ganze, mit einer zweiten Isolierschicht 26 überzogen werden, die z.B. aus durch Aufdampfen angebrachtem Siliziumdioxyd besteht. In dieser Schicht kann ein über dem Nickel liegendes ' Fenster 27 angebracht werden, wonach eine Schicht 28, z.B. gleichfalls aus Nickel, aufgedampft werden kann. Diese Schicht kann örtlich mit Hilfe einer aus einer Photolackschicht bestehenden Maske auf galvai
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nischem Wege versteift werden, wobei eine zweite Metallschicht 25, z.B. aus Kupfer, angebracht wird. Die Nickelschicht 28 kann bei der Galvanischen Versteifung als Elektrode verwendet und dann gemäss dem Muster geätzt werden. Ferner wird die Haftung der Kupferschicht an der Isolierschicht 26 durch Verwendung der Nickelschicht 28 erheblich verbessert.
Die über die Isolierschicht 26 hinausragenden versteiften Teile ?5 ermöglichen ee, das Bauelement auf einem isolierenden Substrat anzubringen, das mit Leiterbahnen versehen ist, wobei die mit isoliermaterial versehene Oberfläche 29 des Halbleiterkörper dem erwähnten Substrat zugewandt wird. Die Teile 25 können auf übliche Weise verzinnt und festgelötet werden.
Es sei bemerkt, dass die" versteifte zweite Metallschicht 25, obgleich sie in der vorliegenden Ausführungsform an der Stelle des Fensters 27 angebracht ist, sich auch weiter auf der Isolierschicht 26 erstrecken kann, in welchem Falle die Schicht 25 vorzugsweise nur örtlich versteifte Teile für die Weiterverarbeitung- des Halbleiterkörpers aufweist.
Eine dritte Ausführungsform, von der in Fig. 3 ein Teil dargestellt ist, enthSlt einen Halbleiterkörper 30 mit einer Isolierschicht 31t al;tf äer eine erste Metallschicht 32 aus z.B. Aluminium Λ angebracht ist. Ler Teil 32 der Leiterbahn 32-34 dient zum Kontaktieren und z.B. Miteinanderverbinden von Halbleiterzcnen von im Halbleiterkörper 30 angebrachten Schaltungselenenten, vcn welchen Zonen der Deutlichkeit halber nur eine, und zwar die Zone 55, dargestellt ist.
Lie Metallschicht 32 schliesst sich an eine dritte Metallschicht 33 ar. u:;d bildet mit dieser Schicht einen XJebergang, wobei die Abmessungen .'.leser dritten Schicht verhHltnismässig klein sein können.
Ijie Metallscnichten 12 und 33 sind mit einer zweiten
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Isolierschicht 36 überzogen, in der an der Stelle der Metallschicht ein Fenster angebracht ist, durch, das die praktisch völlig auf der freien Oberfläche liegende zweite Metallschicht 34 mit der dricten Metallschicht 33 verbunden ist.
Die beiden Ueberg&nge zwischen der ersten und der «weiten Metallschicht einerseits und der dritten Metallschicht andererseits befinden sich wenigstens grSsstenteils auf der vom Halbleiterkörper abgekehrten Seite der dritten Metallschicht 33, wobei diese Schicht sich völlig auf der zwischen der Halbleiteroberfläche 37 und der oberen Isolierschicht 36 liegenden Isolierschicht 3I erstreckt. Auf diese Weise kann die Tatsache ausgenutzt werden, dass die dritte Metallschicht 33 meistens eine weniger starke Neigung zur Bildung einer Oxydhaut als die erste Metallschicht 32 hat» Wenn in diesem Falls zunächst die dritte Metallschicht und dann die ercte Metalleekiciit aaje» bracht vxrä, iah anf Uebergang zwischen diesen Schii-^tt-i: na^i",". -.."^U;
^idarch die Bildung eines nie-ieror.^i'i:; tJa\ ;·:,- j;\ .: ..;,·-·■-
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BAO ORIGiNAt
hervorragenden versteiften Teile 34b eine Dicke von etwa 10 um. haben können» Insofern die zweite Metallschicht nicht verdickt ist (wie der ■Teil 34*5 und a.B, auch zum Miteinanderverbinden von Schalungselementen benutzt wird, ist die Dicke a.E« etwa 1 /Um« Die dritte Metallschicht, die vorzugsweise für die
Materialien der ersten und der zweiten Metallschicht praktisch undurch-IMssig ist, besteht vorzugsweise aus einem der Metalle Platin» Nickel, Wolfram und Rhodium, oder, wie im vorliegenden AusfUhrungsbeispiel, aus
j Molybdlnd Die Sicke betrlgt z.B. etwa 0tAjm und die seitlichen Ab- j
' I messung»» sind z.B. etwa 35^4» x 35^m,
Zur Verbesserung des οhaseheη Kantakts zwischen der ersten Metallschicht 32 und der Halbleitersine 35 können im Fenster 38 Materialien, wie Fiatins!Iizid, Palladiums!Iisid und Kobaltsilisid angewandt werden, die z.B. nach Einlegierung einen sehr stabilen und niederohmigen Kontakt ergeben. Auch kann eine Kontaktdiffusion durchgeführt werden,
Die Haftung zwischen den Metallschichten und dem Isoliermaterial kann erforderlichenfalls durch Anwendung einer dünnen Vorzugs- '; weise aus Titan, Chrom, Molybdän, Niob, Kobalt oder Nickel bestehenden Schicht verbessert werden· Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist z»B, ^ zwischen der Goldschicht 34a,b und der Isolierschicht 36 eine dünne Schicht 39 aus Titan mit einer Dicke voft etwa 0,05/am angebracht·
Auch das obenbeschriebene Ausführungsbeispiel kann völlig auf eine in der Halbleiterteohnik übliche Weise hergestellt werden. Die' Aluminiumschicht 32 kann z.B. aufgedampft oder durch Hochfrequenz- Zerstäubung erhalten werden, wonach durch übliche PhotoEtzteehniken das überflüssige Aluminium entfernt werden kann. Die MolybdSnsohicht 33
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kann auf entsprechende Weise»a.B, mit Hilfe von Hochfrequenz- oder Triodenzerst&ubung, angebracht werden. Die Titaneehicht 39 kann aufgedampft und die Goldschicht 34 kann z.B, durch Aufdampfen und/oder auf galvanischem Wege angebracht werden» Die zweite Isolierschicht 36 kann z.B» durch Zerstäubung angebracht werden, wobei die Dicke vorzugsweise zwischen' 1 und 2/m liegt.
Dann kann auf übliche Weise unter den hervorragenden Teilen 34b das Halbleitermaterial entfernt werden» wobei z.B. gleichzeitig eine Vielzahl von Bauelementen, die in derselben Halbleiterscheibe hergestellt sind, durch Aufteilung der Halbleiterscheibet ν einander getrennt werden können.
Es dürfte einleuchten, dass eich die Erfindung nicht auf die beschriebenen Aueführungsformen beschränkt, sondern dass im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viele Abarten möglich sind. Z3B, kann .
der Halbleiterkörper, der im allgemeinen aus Silizium besteht, aber
III V z.B. auch aus Germanium oder aus einer A -B -Verbindung bestehen kann, außser bipolaren Transistoren, auch andere Schaltungselemente, wie Feldeffekttransistoren, Dioden, Widerstände und Kapazitäten enthalten, Ferner cesieht sich die Erfindung sowohl auf einfache Schaltungeelemente wie auch auf komplexere Bauelementes wie integrierte Scheltungen. Insbesondere können die beiden letzten AusfHhrungsformen sowohl bei Bauelementens bei denen die Leiterbahn wenigstens im wesentlichen auf einem Segel, dem Pegel der ersten Metallschicht, ang©«· bracht, ist, wie auch bei Bauelementen? !sei denen die Leiterbahn, 3.B» im 2iV,easmenbMng mit der komplexer) Form und der Anzahl Schaltungselement« dex Vorrichtung, über ζν<?Λ oder mehr Ebenen verbeut wird, angewandt werden» Dank dem Vorhandensein ^er zweiten Isolierschicht 26 s 3®
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ist ΐ»Β, schon eine aweite Ebers für die Leiter^r-fea spalte*!* wobei
die Leiterbahn auf dieser 2%f«ites oder oberen F?3se völlig oder teilweise aus dem gleichen Material! wie die zweite Msiallseliieht bestehen kann«
Als Isolier-raterialien können auss-ax1 Silisiticdioxyd z«B, auch Siliziumnitrid, Al^jsiiniuscxyd oder KorabinatioEOBi von Isoliermaterialien Anwendung findent «olsei im letztsten Falle dio J;eiterbahn z*B* teilweise oxydiert werden kaiin.
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Claims (1)

  1. PATENTAKSPRgCHEt
    /i. j Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, an einer dessen Oberflächen eich eine Leiterbahn erstreckt» die wenigstens über einen Teil ihrer LSnge mit Isoliermaterial an dem Halbleiterkörper befestigt und gegen diesen Körper isoliert ist, welche Leiterbahn eine era te und eine zweite Metallschicht enthält,' die örtlich unter Zwischenfügung einer dritten Metallschicht miteinander verbunden sind» wobei das Metall der dritten Metallschicht von dem der ersten und dem ams iweiten Metallschicht verschieden ist und mit diesen Schichten einen stabilen niederohmigen Uebergang bildet, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionen auf die Halbleiteroberfläche dee Uebergangs zwischen der ersten und der dritten Metallschicht und des uebergangs zwischen der zweiten und dei* dritten Metallschicht nebeneinander liegen» 2* Halbleiterbauelement nach Anspruch 1» dadurch gekermseich·» riet, dass der Halbleiterkörper zwei oder* mehrere zu einem Schalt:ir-;;:;-
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    gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Uebergangs zwischen der zweiten und der dritten Metallschicht in bezug auf die Gesamtoberflache der zweiten Metallschicht klein ist, 5» Halbleiterbauelement nach einen oder mehreren der vorangehenden Ansprüche! dadurch gekennzeichnet, dass der uebergang zwischen der ersten und der zweiten und der Uebergang zwischen der zweiten und der-dritten Metallschicht sich wenigstens grSsstenteils auf der gleichen Seite der dritten Metallschicht befinden*
    6« Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 4 und 5» dadurch gekennzeichnet, dass sich die beiden UebergSnge wenigstens größtenteils auf der von HalbleiterkSrper abgekehrten Seite der dritten Metallschicht befinden, wobei sich die dritte Metallschicht völlig auf einer zwischen der Halbleiteroberfläche und der oberen Isolierschicht liegen* I den Isolierschicht erstreckt*
    7· Halbleiterbauelement nach einem oder aehswen der voran* gehenden Ansprüche, dadurch gekennseichnet, dass die Leiterbahn mindestens einen zu der zweiten Metallschicht gehörigen Teil aufweist, der dicker als die erste Metallschicht ist und der in seitlicher Sichtung über den Halbleiterkörper hervorragt·
    8* Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht nahezu völlig aus Aluminium besteht»
    9. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Metallschicht nahezu völlig aus QoId besteht«
    10, Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Metall»
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    schicht naheζ* völlig aus einem Metall besteht, das zu der Gruppe gehört, die aus Molybdän, Platin» Nickel, Wolfram und Rhodium besteht« 11, Halbleiterbauelement naoh einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen mindestens einer der Metallschichten und des Isoliermaterial eine dünne Schicht aus einem Material angebracht ist» das zu der Gruppe gehört, die aus Titan, Chrom, MoIybdSn, Niob, Kobalt und Nickel besteht·
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