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Inte.xrierte Schaltung
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Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung mit einem die Dotierungsstruktur
der integrierten Schaltung enthaltenden und mit einer anorganischen Isolierschicht
bedeckten Halbleiterplättchen, dessen Oberfläche einerseits mit der externen Beaufschlagung
der integrierten Schaltung dienenden Anschluß stellen und andererseits mit ausschließlich
der internen Verbindung zweier Teile der integrierten Schaltung dienenden Anschlußstellen
versehen ist, bei der die genannten Anschlußstellen -höchstens mit Ausnahme einer
der Substratkontaktierung dienenden Anschlußstelle - durch über die Isolierschicht
geführte Leitbahnen kontaktiert sind, welche im Falle der der externen Beaufschlagung
dienenden Anschlußstellen zu den die externe Verbindung bildenden und auf der Isolierschicht
aufgebrachten Kontaktierungselektroden und im Falle der ausschließlich der internen
Verbindung dienenden Anschlußstellen zu einer anderen dieser Anschlußstellen führen,
und bei der außerdem die Halbleio teroberfläche an allen diesen Anschlußstellen
dieselbe Dotierung aufweist und jede der Anschlußstellen durch je einen pn-Übergang
umgeben ist, der längs des der betreffenden Anschluß stelle zugeordneten Fensters
in der Isolierschicht völlig von dieser abgedeckt ist.
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Integrierte Schaltungen dieser Art sind allgemein üblich Dabei beste
das Halbleiterplättchen gewöhnlich aus einkristallinem Silicium vom einen Leitungstyp
(z B. vom p-Typ) an dessen einer Oberflächenseite mittels maskierter Diffusion bzw.
Implantation entsprechender Dotierungsstoffe die die einzelnen Elemente der integrierten
Schaltung, wie Transistoren, Dioden, Widerstände usw. in bekannter Weise erzeugt
wurden. Die bei den genannten Dotierungsprozessen zur Anwendung gelangenden
Dotierungsmasken
bilden in den meisten Fällen die Grundlage der insbesondere aus SiO2 und/oder Si3N4
und/oder Al203 bestehenden Isolierschicht. In diese werden dann in auf die Dotierungsstruktur
abgestimmter Weise mittels Photolithographie bzw. Elektronenlithographie die zu
den einzelnen Kontaktierungsstellen der Halbleiteroberfläche führenden Kontaktfenster
geätzt, worauf die behandelte Oberflächenseite der Anordnung mit einer die Grundlage
für die Leitbahnen und die externen Elektroden bildenden und z.B. aus Aluminium
bestehenden Metallisierung durch Aufdampfen und/oder Aufsputtern bedeckt wird. In
dieser Metallisierung werden dann durch maskierte Ätzung die erforderlichen Strukturen
für die Leitbahnen und die die Verbindung zu den äußeren Schaltelementen bildenden
Anschlußelektroden in der eingangs gebrachten Definition erzeugt.
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Es ist noch dabei zu erwähnen, daß die Isolierschicht auch aus mehreren
aufeinander abgeschiedenen und ggf.
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aus verschiedenen Isoliermaterialien bestehenden Teilschichten bestehen
kann, und jede der Teilschichten als Träger eines Teils der zu erzeugenden Leitbahnen
vorgesehen werden kann. In diesem Falle wird nach Erzeugung der unteren Teil schicht
der Isolierschicht lediglich ein Teil der insgesamt vorgesehenen Anschlußstellen
an der Halbleiteroberfläche freigelegt, worauf die zu diesen Kontaktierungsstellen
führenden Leitbahnen auf diese Teilschicht der Isolierschicht aufgebracht werden,
bevor dann diese Leitbahnen durch eine zweite Teilschicht der Isolierschicht abgedeckt
werden. In der nunmehr vorliegenden Isolierschicht pferden dann die zu weiteren
Anschlußstellen der Halbleiteroberfläche führenden Kontaktfenster geätzt, worauf
auf die zweite Teilschicht die zu den neuen Anschluß stellen führenden Leitbahnen
aufgebracht werden.
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Die der externen Beaufschlagung dienenden Leitbahnen wird man in diesem
Fall gewöhnlich auf der letzten Teilschicht der Isolierschicht aufbringen. Für die
externen
Anschlußelektroden gilt bekanntlich dasselbe. Dabei wird
in den meisten Fällen wenigstens eine auf einer Teilschicht aufgebrachte Leitbahn
durch ein entsprechendes Fenster in der die betreffende Leitbahn trangenden Teil
schicht bzw der sie abdeckenden Teilschicht eine leitende Verbindung zu einer Leitbahn
erhalten, die sich in einer höheren oder einer niedrigeren Ebene der zusammengesetzten
Isolierschicht erstreckt.
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Im Interesse einer möglichst einfachen Technologie bei der Herstellung
von integrierten Schaltungen wird man für die Leitbahnen ein und dasselbe Material,
insbesondere Aluminium oder dotiertes Silicium verwenden. Außerdem wird man aus
denselben Gründen dafür sorgen, daß die Halbleiteroberfläche an den Kontaktstellen
in gleicher Weise dotiert wird, so daß die die Anschlußbereiche an der Halbleiteroberfläche
jeweils umgebenden pn-Übergänge in einem einzigen gemeinsam men Dotierungsprozeß
erzeugt werden. Dies gilt insbesondere für integrierte Schaltungen, deren Transistoren
vomselben Typ, also nur n-Kanal-MOS-FET's oder nur p-Kanal-MOS-FET's sind.
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Ein weiterer Gesichtspunkt, der bei der Herstellung von monolithisch
integrierten Halbleiterschaltungen allgemein beachtet wird, besteht darin, möglichst
wenig Platz für die einzelnen Elemente einer integrierten Schaltung zu verbrauchen,um
auf diese Weise Schaltungen mit möglichst grom ßer Packungsdichte zu erreichen.
Aus diesem Grund wird man auch bei der Herstellung der Kontaktfenster und der durch
deren Geometrie festgelegten Anschlußstellen dafür sorgen2 daß diese möglichst wenig
Halbleiteroberfläche verbrauchen und dementsprechend möglichst klein bemessen werden.
Übliche Dimensionierungen sind z.3. bei einem 16 K RAM i95/um bei einem 64 K RAM
1,5 /um, bei einem 250 K RAN 0,8 - '1,0 #m.
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Außerdem wird man im Interesse der Arbeitsökonomie bei der Maskenherstellung
dafür sorgen, daß die Geometrie bei allen Kontaktfenstern in der Isolierschicht
möglichst gleich ist,
gleichgültig, ob es sich um eine extern zu
beaufschlagende Kontaktstelle oder um eine ausschließlich interne Kontaktstelle
handelt.
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Die Erfahrung zeigt nun, daß integrierte Schaltungen, insbesondere
solche auf MOS-Basis, leicht aufgrund elektrostatischer Aufladungen geschädigt oder
gar zerstört werden. Es sind also Maßnahmen erforderlich, die dieser Gefahr begegnen.
Üblich sind zu diesem Zweck Schutzschaltungen, z.B. eine Schutzschaltung, wie sie
in Figur 3 dargestellt ist. Diese Schutzschaltungen sind mit der eigentlichen integrierten
Schaltung monolithisch zusammengefaßt und sorgen beim Auftreten solcher elektrostatischer
Ladungen dafür, daß deren Einflüsse von der eigentlichen Schaltung fernbleiben bzw.
daß diese Ladungen neutralisiert werden.
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Aber auch Schutzschaltungen sind erfahrungsgemäß in vielen Fällen
nicht ausreichend, um einen Durchbruch an denjenigen pn-Übergängen auszuschalten,
die in der integrierten Schaltung unmittelbar einen Kontaktanschluß umgeben, der
unmittelbar durch ein externes Schaltungselement beaufschlagt ist. Hier soll nun
die Erfindung eine Abhilfe bringen.
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Um diese Lösung zu erreichen wird gemäß der Erfindung eine der eingangs
gegebenen Definition entsprechende integrierte Schaltung derart ausgestaltet, daß
der kleinste Abstand der an den einzelnen Anschluß stellen der Halbleiteroberfläche
vorgesehenen und diese jeweils umgebenden pn-Übergänge vom Rand der die Anschluß
stelle umgeben den Isolierschicht im Falle aller mit einer der externen Beaufschlagung
der Schaltung dienenden und auf der IsolUerschicht aufgebrachten Elektrode über
eine Leitbahn in Verbindung stehenden Anschlußstellen mindestens dreimal so groß
wie der leiste Abstand der entsprechenden pnübergänge an den ausschließlich der
internen Verbindung
in der integrierten Schaltung dienenden Anschlußstellen
von dem die betreffende Anschluß stelle jeweils umgeben den Rand der Isolierschicht
eingestellt ist.
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Insbesondere ist dabei vorgesehen, daß die auf diese Weise bedingte
Überlappung des durch den jeweiligen pn-Übergang umgrenzten und dadurch geometrisch
definierten Kontaktierungsbereiches an der betreffenden Anschlußstelle durch die
als Schutzschicht dienende Isolierschicht im Falle einer der externen Beaufschlagung
dienenden Anschlußstelle auf eine Breite von 9/um eingestellt ist, während diese
Überlappung bei ausschlie8lich der internen Verbindung in der integrierten Schaltung
dienenden Anschlußstellen nur auf höchstens 0,8 - 19 5/um eingestellt ist.
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Die von der Erfindung vorgeschlagene Ausgestaltung der Anschluß stellen
führt dazu, daß die kritischen Eingänge der integrierten Schaltung Spannungsstößen
bis zum Betrage von 1,2 kV ( z.B. bei einem 16 K RAM) bis 292 kV (z.B. bei einem
6 K RAN) ohneweiteres standhalten. Die kritischen Eingänge sind die über die auf
der Isolier schicht aufgebrachten Eingangselektroden, d.h. also den Pads des Halbleiterplättchens,
gesteuerten Anschlußstellen der integrierten Schaltung. Die lediglich der Ver bindung
zwischen zwei Stellen innerhalb der integrierten Schaltung dienenden Anschlußstellen
sind hingegen der besagten Gefährdung nicht ausgesetzt, so daß die Überlappungebereiche
zwischen der Kontaktierungszone und dem Rand der Isolierschicht an dem die betreffende
Anschlußstelle umgebenden Kontaktierungsfenster entsprechend schmäler eingestellt
werden kann. Letzteres ist aber gerade im Interesse der Ersparnis an Chipfläche
ernscht.
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Die Erfindung wird nun anhand der Figuren 1 - 3 näher beschrieben.
Dabei stellt Fig. 1 das Layout für eine
extern zu beaufschlagende
Anschluß stelle und einer der internen Verbindung dienenden Anschlußstelle dar,
während in Figur 2 ein Teil der Anordnung im Schnitt dargestellt ist. Figur 3 zeigt
die bereits aus Figur 1 ersichtliche und vorzugsweise anzuwendende Kombination der
Erfindung und einer für MOS-Schaltungen, z.B. dynamische RAM-Speicher, üblichen
Schutzschaltung.
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Die auf der die Oberfläche des Halbleiterplättchens, insbesondere
eines monokristallinen Siliciumplättchens bedeckendetund vorzugsweise aus thermisch
erzeugtem 5102 bestehendewlsolierschicht aufgebrachte Metallisierung besteht im
Falle einer für die externe Beaufschlagung vorgesehenen Kontaktstelle K1 aus einer
Anschluß elektrode, also einem Pad P,und einer Leitbahn Li, die in dem die Anschluß
stelle K1 definierenden Kontaktierungsfenster in der Isolierschicht einen sperrfreien
Kontakt mit der Oberfläche des Halbleiterplättchens H bildet, wie dies aus Fig.
2 ersichtlich ist. Das Halbleiterplättchen H ist im Beispielsfall p-leitend und
am Ort der Kontaktierungsstellen K1, K2 und K3 n+-dotiert. Im allgemeinen wird das
Material der Leitbahn L1 bzw. L2 die Kontaktierungsfenster in der Isolierschicht
an den Anschlußstellen K1, K2, K3 völlig ausfüllen. Im allgemeinen setzt sich bei
den der externen Beaufschlagung dienenden Xontaktstellen K1 der integrierten Schaltung
der aufgrund lokaler Dotierungsprozesse entstandene und die Anschlußstelle Ki umgebende
pn-Übergang 1 in einen vomselben pn-Ubergang 1 umgebenen leitenden Kanal im Halbleiterkristall
fort, der dann zu weiteren Stellen der integrierten Schaltung führt. Beispielsweise
sind dies die mit den extern zugeführten Versorgungspotentialen bzw.
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mit extern zugeführten Verarbeitungs- bzw. Steuersignalen zu beaufschlagenden
Stellen der Dotierungsstruktur der integrierten Schaltung.
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Weitere Teile der auf der Isolierschicht aufgebrachten Metallisierungen
sind die ausschließlich der internen Verbindung in der integrierten Schaltung dienenden
Leitbahnen L2, deren Kontaktierungsstellen K2 und K3 nach bisher üblichen Gesichtspunkten
eingestellt werden.
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Dabei ist die Kontaktierungsstelle K2 vom selben pn-Übergang 1 wie
die extern beaufschlagte Kontaktierungsstelle K1 umgeben, während die Kontaktierungsstelle
K3 von einem anderen pn-Übergang 4 umgeben ist. Die Kontaktstelle K2 stellt also
eine Abzweigung des extern beauf schlagten und vom pn-Übergang 1 begrenzten leitenden
Kanal im Halbleiterplättchen dar, welche über eine Leitbahn L2 zu der von einem
anderen pn-Übergang 4 umgrenzten Kontaktstelle K3 führt. Ebenso wie die Kontaktierungsstele
le K3 ist die Abzweigungskontektierungsstelle K2 kritisch0 Sie kann also nach üblichen
Gesichtspunkten definiert werden.
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Zwischen dem extern zu beaufschlagenden Anschlu3 K1 und den durch
den leitenden Kanal 1 (d.h. den durch den pn-Übergang 1 begrenzten Kanal im Halbleiterplättchen)
ist bevorzugt eine in üblicher Weise ausgestaltete Schutzschaltung SC wirksam, die
anhand der Figur 3 noch näher beschrieben wird.
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Gemäß der Erfindung ist nun der pn-Übergang 1, der zur extern beaufschlagten
Anschlußstelle K1 gehört, längs seines ganzen Verlaufs nicht nur von der Isolierschicht
völlig abgedeckt, sondern auch von dem Rand des Kontaktfensters in der Isolierschicht,
welches die Abmessungen der Kontaktstelle 1 bestimmt, mindestens um den Betrag da
3d' überlappt. d ist dabei der kleinste Abstand der nun über gänge 4 von dem Rand
des jeweils zugeordneten Kontaktfensters in der Isolierschicht bei allen lediglich
der intenen Verbindung in der inter,rierten Schaltung dienenden Anschlußstellen
K3. Bei der Kontaktstelle K2, von der die Leitbahn 12 zu der Kontaktstelle K3 abzweigt,
ist zwan
in dem gezeichneten Beispiel die Überlappung ebenfalls
sehr groß. Man könnte jedoch an dieser Stelle den durch den pn-Übergang 1 begrenzten
leitenden Verbindungskanal entsprechend schmäler ausgestalten, sobald die Entfernung
von der Kontaktierungsstelle Kl größer als 3d' geworden ist.
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In Weiterbildung der Erfindung ist außerdem vorgesehen, daß die Kontaktflächen
der extern zu beaufschlagenden Anschlußstellen Al größer als die Kontaktflächen
der lediglich der internen Verbindung in der integrierten Schaltung dienenden Anschlußstellen
K3 bzw. K2 sind.
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Darunter fällt auch die Möglichkeit, zwei derselben extern nen Beaufschlagung
dienende Kontaktstellen Xl parallel zueinander durch eine gemeinsame oder auch durch
zwei Leitbahnen L1 zu beaufschlagen, wobei ggf. für die beiden Kontaktstellen lediglich
ein diese gemeinsam umgebender pn-Übergang vorgesehen sein kann. Gleichgültig ob
diesder Fall ist oder ob jeder dieser identisch beaufschlagten externen Anschlußstellen
K1 ein eigener Dn-Übergang 1 zugeordnet ist, muß auf jeden Fall darauf geachtet
werden, daß keine der Kontaktöffnungen näher an den pn-Übergang herankommt, als
dies aufgrund der oben gegebenen Definition der Erfindung zulässig ist.
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Die Erfindung berücksichtigt somit zwei Gesichtspunkte: a) Einerseits
ist es erwünscht, daß die in die integrierte Schaltung führenden Leitbahnen bzw.
die zwischen zwei Stellen der integrierten Schaltung eine Verbindung bildenden Leitbahnen
in möglichst platzsparender Weise ausgebildet sind. Dasselbe gilt auch für die elektrischen
Anschluß stellen.
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b) Die Sicherheit der von den Anschlußpads In die integrierte Schaltung
führenden Anschlüsse K1 verlangt edoc1 andererseits, daß der in a) dargelegte Gesichtspunkt
sei Anschlüssen dieser Art zurückestellt werden mu3, was allerdings weniger für
die Abmescungen der Metallisierung
und die Breite des von solchen
Eingangstellen in das Innere der Schaltung führenden und von dem zu der betreffenden
Anschlußstelle K1 gehörenden pn-Übergang 1 begrenzten leitenden Kanal als vielmehr
inbezug auf das Mindestmaß d der Überlappung dieses Kanals durch die Isolierschicht
am Rande der betreffenden Anschlußstelle K1 gilt.
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Von pn-Übergängen begrenzte leitende Kanäle sind vor allem auch in
der Technologie für Matrixspeicher7 zoBo für die Ausgestaltung von Bitleitungen
oder auch von Wortleitungen, üblich. Falls eine solche Leitung extern beaufschlagt
werden soll, ist die betreffende Kontaktierungsstelle an der Halbleiteroberfläche
entsprechend der Lehre der Erfindung hinsichtlich der Überlappung des zugehörigen
pn-Übergangs durch die die Halbleiteroberfläche abdeckende Oxydschicht auszugestalten,
während man bei den lediglich der internen Verbindung bildenden Kontaktstellen K3
bzw. K2 das Uberlappungsmaß merklich knapper bemißt.
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Da man aus bekannten Gründen auch bei Ausgestaltung einer integrierten
Schaltung gemäß der Erfindung bestrebt ist, die an allen Kontaktierungsstellen liegenden
pn-Übergänge 1 bzw. 4 in einem gemeinsamen Dotierungsprozeß herzustellen, wird man
die zur Erzeugung der pn-Übergänge 1 an den der externen Beaufschlagung dienenden
Kontaktstellen K1 jeweils erforderlichen Dotierungsfenster (Diffusionsfenster bzw.
Implantationsfenster) größer als die zur Erzeugung der pn-Übergänge 4 an den der
internen Verbindung dienenden Anschlußstellen 3 (bzw. K2) erforderlichen Diffusionsfenster
in der aus der Isolierschicht bestehenden Dotierungsmaske einstelç len. Die an den
Kontaktstellen K1 jeweils vorhandenen Dotierungsfenster in der Isolierschicht erden
dann durch Aufbringung von weiterem Isoliermaterial sowiet verkleinert, da die auf
diese Weise erhaltenen kontakt-
öffnung in der nunmehr vorliegenden
Isolierschicht den Erfordernissen der Erfindung genügt. An den lediglich der internen
Verbindung in der integrierten Schaltung dienenden Kontaktstellen K3 ist hingegen
eine derartige Verkleinerung des Kontaktfensters in der Isolierschicht nicht vorgesehen.
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Die Durchführung des angedeuteten Verfahrens ist aus Figur 2 ersichtlich.
Sie besteht darin, daß man die nachher mit einem Pad P über eine Leitbahn L1 zu
kontaktierende Anschlußstelle K1 der Siliciumoberfläche zunächst in einem durch
die gestrichelte Linie 2 angedeuteten Ausmaß dem der Herstellung der pn-Übergänge
1 und 4 dienenden gemeinsamen Umdotierungsprozeß aussetzt. Dies geschieht unter
Verwendung einer aus SiO2 bestehenden ersten Dotierungsmaske Ox, die dann als Schutzschicht
auf der Oberfläche der fertigen Anordnung verbleibt. Nach dem Dotierungsprozeß wird
auf der behandelten Oberfläche eine im Vergleich zur Dotierungsmaske Ox dünne zweite
Oxydschicht O bei möglichst niedriger Temperatur erzeugt. Dann wird die zweite Oxydschicht
O am Ort aller für die externe Beaufschlagung der integrierten Schaltung vorgesehenen
Anschlußstellen K1 nur zum Teil (und zwar nur in dem gemäß der Erfindung zulässigen
Ausmaß) und bei den übrigen Anschlußstellen K3 (bzw. K2)> die ausschließlich
der internen Verbindung dienen, vollständig wieder von der Halbleiteroberfläche
entfernt. An den der externen Beaufschlagung dienenden Anschlußstellen K1 wird darauf
geachtet, deß das mit dem durch das nde der Leitbahn Ll gegebene Kontaktmatarial
auszufüllende Kontaktfenster ausschleßlich von dem nachträglich aufgebrachten Isoliermaterial
0 begrenzt ist. Die Breite des Restes dieser zweiten Isolierschicht 0 wird dabei
so eingestellt, da der aufgrund der ehemaligen Dotierungsmaske Ox entstandene pn-Übergang
In einer stelle näher am Rand des entstehenden Kontaktierun,sfensters liegt, als
dies gemäß der Erfindung im Interesse der Sicherheit der Schaltung gefordert ist.
Das für die ex-
tern zu beaufschlagende Anschlußstelle Xl vorgesehene
Kontaktfenster 3 ist sowohl aus der linken Hälfte der Figur 2 erkennbar, als auch
in Figur 1 angedeutet. Das Kontaktfenster für die der internen Verbindung ausschließlich
dienenden Anschlußstelle K3 (und ggf. auch K2) ist mit dem Rand der ersten Oxydschicht
Ox am Ort der Kontaktstelle K3 (bzw. K2) identisch.
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Wohl in den meisten Fällen besteht der die Schaltung aufnehmende Halbleiterkörper
aus monokristallinem Silio cium, in dem in bekannter Weise die Dotierungsstruktruen
der integrierten Schaltung erzeugt worden sind bei der Herstellung solcher Schaltungen
ist ein der Herstellung der die einzelnen Kontaktstellen jeweils umgebenden pn-Übergang
dienender - abschließender - Dotierungsprozeß vorgesehen. An diesem schließen sich
die der Verkleinerung der Kontaktierungsfenster an den extern zu beaufschlagenden
Kontakttellen K1 dienenden Maßnahmen an, wie sie bereits beschrieben worden sind.
Da man im allgemeinen, wie bereits angedeutet, die Fläche der Kontaktstellen K1
für die externe Beaufschlagung zweckmäßigerweise größer als die Fläche der Kontaktsten
X3 für die interne Verbindung einstellt, sind die Öffnungen in der Dotierungsmaske
Ox für die Kontaktstellen K1 erst recht merklich größer als die Öffnungen für die
Kontaktstellen K3 bzw. E2 zu bemessen.
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Der abschließende Herstellungsprozeß einer Anordnung gemäß der Erfindung
besteht in dem Aufbringen einer insbesondere aus Aluminium bestehenden Metallisierung9
welche die Grundlage für die Leitbahnen Ll und L2 sowie für die Anschlußpads P bildet.
Diese werden durch maskiertes Ätzen in Ublicher Weise aus der Metallisierung hergestellt.
Die n+-Dotierun,g am Ort der mit dem Kontaktierungsmetall in Berührung kommenden
Kontaktstellen sichert bei der Verwendung von Al als Kontaktmaterial einen einwandfreien
sperrenden Kontakt.
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ie bereits angedeutet, ist die Kombination der erfindungsgemäßen Maßnahme
mit einer Schutzschaltung SC angebracht, wobei sich dann z.B. das aus Figur 3 ersichtliche
Schaltbild ergibt. Ein mit einem Dickoxydgate versehener selbstsnerrender Feldeffekttransistor
ST ist über seine Source-Drainstrecke einerseits mit den Versorgungspotential Vcc
der integrierten Schaltung und andererseits mit dem durch den pn-Übergang 1 der
extern zu beaufschlagenden Anschlußstelle K1 n+ -dotierten leitenden Kanal verbunden.
(Der innere Widerstand des leitenden Kanals ist durch die mit "1" bezeichneten Widerstande
angedeutet.) Der leitende Kanal ist außerdem über eine in Sperrlchtung gepolte Schutzdiode
S3 mit dem Substratpotential VBB verbunden. Die Gateelektrode des Schutztransistors
ST ist unmittelbar durch die Leitbahn L1 bzw. den Anschlußpad P beaufschlagt.
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Andere übliche Schutzschaltungen Können ebenfalls anrewendet werden.
Die erfinaungsCemä:3e Maßnahme stellt einen zusätzlichen Schutz für die integrierte
Schaltung dar, der auch dann noch wirksam bleibt, wenn die Schutzschaltung aus irgend
einem Grund versagen sollte.
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3 Figuren 4 Patentansprüche