FR2813146A1 - Amelioration de la structure thermo-dissipative d'un module de puce a protuberances - Google Patents

Amelioration de la structure thermo-dissipative d'un module de puce a protuberances Download PDF

Info

Publication number
FR2813146A1
FR2813146A1 FR0100062A FR0100062A FR2813146A1 FR 2813146 A1 FR2813146 A1 FR 2813146A1 FR 0100062 A FR0100062 A FR 0100062A FR 0100062 A FR0100062 A FR 0100062A FR 2813146 A1 FR2813146 A1 FR 2813146A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
module
heat
epoxy resin
chip module
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
FR0100062A
Other languages
English (en)
Inventor
Wen Lo Shieh
Yung Cheng Chuang
Ning Huang
Hui Pin Chen
Hua Wen Chiang
Chung Ming Chang
Feng Chang Tu
Fu Yu Huang
Hsuan Jui Chang
Chia Chieh Hu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orient Semiconductor Electronics Ltd
Original Assignee
Orient Semiconductor Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orient Semiconductor Electronics Ltd filed Critical Orient Semiconductor Electronics Ltd
Publication of FR2813146A1 publication Critical patent/FR2813146A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295Organic, e.g. plastic containing a filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Une structure thermo-dissipative d'une puce à protubérances utilise une résine époxy (41) pour entourer complètement le module (1) de puce à protubérances, le module de puce à protubérances comprenant un substrat (11) ayant un fond pourvu d'une pluralité de boules de soudure (111) et ayant un dessus sur lequel le module de puce à protubérances est mis en boîtier, dans lequel des perles de soudure sur le substrat sont complètement entourées par un matériau de remplissage (31), le module (1) de puce à protubérances étant recouvert de résine époxy (41) avec des particules conductrices, de sorte que le contact direct entre l'époxy (41) et le module (1) de puce peut réduire la longueur du chemin de transfert de chaleur, augmentant ainsi l'efficacité de la dissipation de chaleur.

Description

<Desc/Clms Page number 1>
AMELIORATION DE LA STRUCTURE THERMO-DISSIPATIVE D'UN MODULE DE PUCE A PROTUBERANCES La figure 1A illustre la structure thermo-dissipative classique d'un module de puce à protubérances. Comme on le voit, le module 1' de puce à protubérances comporte un substrat 11' placé au fond avec une pluralité de boules de soudure 111'. Sur le dessus du substrat 11' une puce à protubérances 12' est mise en boîtier en entourant des perles de soudure en métal 121' et la puce 12' avec de la résine synthétique 13'. Un couvercle thermo-dissipatif 16' est monté sur la puce 12' par un agent thermo- dissipatiflagent adhésif 14' sur l'intérieur du dessus et un agent thermo- dissipatiflagent adhésif 15' au fond du couvercle thermo-dissipatif 16'.
La figure 1 B illustre une autre structure thermo-dissipative classique d'un module de puce à protubérances. Une puce à protubérances 22' est mise en boîtier sur le dessus d'un sqbstrat 21' en entourant des perles de soudure en métal 221' et la puce 22' avec de la résine synthétique 23'. Une plaque supérieure plate 27' est fixée au dessus de la puce 22' par un agent thermo-dissipatiflagent adhésif 24'. Un cadre thermo-dissipatif 271' est disposé sous la plaque supérieure plpte 27' et réuni au fond de la plaque supérieure plate 27' par une résine thermo-dissipativelun agent adhésif 25'.
<Desc/Clms Page number 2>
Puis, le fond du cadre thermo-dissipatif 271' est fixé au dessus du substrat 21' par une résine thermo-dissipativelun agent adhésif 26'.
La figure 1C illustre une troisième structure thermo-dissipative classique d'une puce à protubéranqes. Comme on le voit, une puce à protubérances 32' est mise en boîtier sur le dessus d'un substrat 31' en entourant des perles de soudure en métal 321' et la puce 32' avec de la résine synthétique 33'. Une plaque thermo-dissipative 35' est fixée au dessus de la puce 32' par un agent thermo-dissipatif 34'.
Bien que les structures classiques précitées puissent dissiper l'excès de chaleur produit par une puce, il e$t impossible de construire la structure i thermo-dissipative sur la puce sur la même plate-forme de travail, ce qui oblige à transporter tout le module de puce à protubérances sur une autre ligne de production et rend donc le processus très compliqué. De plus, l'excès de chaleur produit par la puce doit être transféré à la structure thermo-dissipative au moyen d'un agent thermo-dissipatif entre la puce et la structure thermo-dissipative. Autrement dit, d'autres parties de la puce ne sont pas en contact avec la structure thermo-dissipative, ce qui rend impossible la dissipation rapide de l'gxcès de chaleur produit par la puce. Comme la structure thermo-dissipative est fixée à la puce par un agent thermo-dissipatif et que même leq éléments de la structure thermo- dissipative sont réunis ensemble par un agent thermo-dissipatif, de sorte que 1a structure thermo-dissipative est faite de matériaux ayant des coefficients de dilatation différents, l'allongement ou la diminution de longueur des éléments de la structure thermo-dissipative sont différents, ce qui cause de sérieux problèmes à la structure thermo-dissipative.
C'est donc un objet de la présente invention de fournir une structure thermo-dissipative améliorée d'une puce à protubérances qui peut éviter et atténuer les inconvénients indiqués ci-dessus.
Les figures 1A, 1 B et 1 C illustrent différentes structures thermo- dissipatives de l'art antérieur d'un module de puce à protubérances.
<Desc/Clms Page number 3>
La figure 2 est une vue en coupe illustrant la structure thermo- dissipative d'un module de puce à protubérances selon la présente invention.
Comme le montre la figure 2, la structure thermo-dissipative d'un module de puce à protubérances selon la présente invention utilise une résine époxy pour entourer complètement le module de puce à protubérances. Comme on le voit, le module 1 de puce à protubérances comprend un substrat 11 ayant un fond pourvu d'une pluralité de boules de soudure 111 et ayant un dessus sur lequel le module 1 de puce à protubérances est mis en boîtier, les perles de soudure 111 étant complètement entourées par un matériau de remplissage 31.
Le module 1 de puce à protubérances est recouvert de résine époxy 41 avec des particules bonnes conductrices, par exemple, en cuivre, en or, en aluminium, en argent, etc., de sorte que le contact direct entre l'époxy 41 et la puce 21 peut réduire la longueur du chemin de transfert de chaleur, augmentant ainsi l'efficacité de la dissipation de chaleur.
La structure thermo-dissipative peut être formée sur le module de puce à protubérances sur la même plate-forme de travail que pour la mise en boîtier de la puce à protubérances, ce qui rend inutile le transport du module de puce à protubérances sur une autre ligne de production et réduit ainsi le temps de fabrication. En outre, comme la puce est complètement entourée de résine époxy, la fixation et la dissipation de chaleur de la puce sont meilleures. De plus, comme la structure thermo-dissipative n'est faite que d'un seul matériau, c'est-à-dire de la résine époxy, la structure thermo- dissipative n'est pas influencée par des coefficients de dilatation différents.
II faut noter, toutefois, que le substrat 11 peut être remplacé, si nécessaire, par une grille de connexion.
<Desc/Clms Page number 4>

Claims (2)

REVENDICATIONS
1. Structure thermo-dissipative d'un module (1) de puce à protubérances caractérisée en ce qu'elle comprend de la résine époxy (41) entourant complètement ledit module de puce à protubérances, ledit module de puce à protubérances comprenant un substrat (11) ayant un fond pourvu d'une pluralité de boules de soudure (111) et ayant un dessus sur lequel ledit module de puce à prptubérances est mis en boîtier, dans lequel des perles de soudure (211) sur un substrat sont complètement entourées par un matériau de remplissage (31), ledit module de puce à protubérances étant recouvert de résine époxy (41) avec des particules conductrices, de sorte qu'un contact direct entre ladite époxy et ledit module (1) de puce peut réduire la longueur du chemin de transfert de chaleur, augmentant ainsi l'efficacité de la dissipation de chaleur.
2. Structure thermo-dissipative d'un module de puce à protubérances cpmprenant de la résine époxy selon la revendication 1, dans laquelle ledit substrat est remplacé par une grille de connexion.
FR0100062A 2000-08-21 2001-01-04 Amelioration de la structure thermo-dissipative d'un module de puce a protuberances Withdrawn FR2813146A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW89201460 2000-08-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2813146A1 true FR2813146A1 (fr) 2002-02-22

Family

ID=21663552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0100062A Withdrawn FR2813146A1 (fr) 2000-08-21 2001-01-04 Amelioration de la structure thermo-dissipative d'un module de puce a protuberances

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2813146A1 (fr)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1450402A1 (fr) * 2003-02-21 2004-08-25 Fujitsu Limited Dispositif semiconducteur avec dissipation thermique amélioré et son procédé de fabrication
EP2302669A1 (fr) * 2004-11-04 2011-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Matériau d'encapsulation d'un circuit integré contenant des nanotubes de carbone

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
US5700723A (en) * 1996-05-15 1997-12-23 Lsi Logic Corporation Method of packaging an integrated circuit
US5891753A (en) * 1997-01-24 1999-04-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for packaging flip chip bare die on printed circuit boards

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
US5700723A (en) * 1996-05-15 1997-12-23 Lsi Logic Corporation Method of packaging an integrated circuit
US5891753A (en) * 1997-01-24 1999-04-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for packaging flip chip bare die on printed circuit boards

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1450402A1 (fr) * 2003-02-21 2004-08-25 Fujitsu Limited Dispositif semiconducteur avec dissipation thermique amélioré et son procédé de fabrication
US7115444B2 (en) 2003-02-21 2006-10-03 Fujitsu Limited Semiconductor device with improved heat dissipation, and a method of making semiconductor device
US7199467B2 (en) 2003-02-21 2007-04-03 Fujitsu Limited Semiconductor device with improved heat dissipation, and a method of making semiconductor device
US7381592B2 (en) 2003-02-21 2008-06-03 Fujitsu Limited Method of making a semiconductor device with improved heat dissipation
EP2302669A1 (fr) * 2004-11-04 2011-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Matériau d'encapsulation d'un circuit integré contenant des nanotubes de carbone

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI421997B (zh) 具有下置式引腳之電子封裝件及其方法
FR2837022A1 (fr) Dispositif a semiconducteur de puissance
EP0400023A1 (fr) Boitier semiconducteur
JP3196762B2 (ja) 半導体チップ冷却構造
FR2754389A1 (fr) Module semiconducteur haute puissance a montage en surface ameliore et son procede de fabrication
JP2004172489A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20060079021A1 (en) Method for flip chip package and structure thereof
JP3367299B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
FR2550661A1 (fr) Procede de mise a la masse d&#39;un support de pastille et dispositif obtenu par ce procede
FR2828765A1 (fr) Porte-puce de semiconducteur a systeme de refroidissement et radiateur adapte
FR2651373A1 (fr) Dispositif a semi-conducteurs a boitier en resine.
FR2524708A1 (fr) Dispositif pour le refroidissement d&#39;elements a semi-conducteurs
EP0735582B1 (fr) Boítier de montage d&#39;une puce de circuit intégré
FR2764115A1 (fr) Dispositif semiconducteur et procede de connexion des fils internes de masse d&#39;un tel dispositif
JPH0541471A (ja) 半導体集積回路装置
FR2813146A1 (fr) Amelioration de la structure thermo-dissipative d&#39;un module de puce a protuberances
FR2615347A1 (fr) Module de puissance pour equipements automobiles
FR2842942A1 (fr) Systeme de radiateur, procede de rayonnement, tampon thermique, module a semi-conducteur, repartiteur de chaleur et substrat
US5923083A (en) Packaging technology for Schottky die
FR2564243A1 (fr) Boitier a dissipation thermique d&#39;encapsulation de circuits electriques
JPS6149446A (ja) 樹脂封止型半導体装置
FR3085576A1 (fr) Couvercle pour boitier de circuit integre
FR2748856A1 (fr) Dispositif diode a semiconducteur a montage en surface
FR2681728B1 (fr) Structure combinee de radiateur et de bornes de connexion pour un circuit integre hybride, et procede de fabrication de ce circuit.
US20150102425A1 (en) Flip chip contact (fcc) power package

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse