FR2550661A1 - Procede de mise a la masse d'un support de pastille et dispositif obtenu par ce procede - Google Patents

Procede de mise a la masse d'un support de pastille et dispositif obtenu par ce procede Download PDF

Info

Publication number
FR2550661A1
FR2550661A1 FR8412625A FR8412625A FR2550661A1 FR 2550661 A1 FR2550661 A1 FR 2550661A1 FR 8412625 A FR8412625 A FR 8412625A FR 8412625 A FR8412625 A FR 8412625A FR 2550661 A1 FR2550661 A1 FR 2550661A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
aforementioned
terminals
wafer
lead
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8412625A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2550661B1 (fr
Inventor
Raymond Karl Reusch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of FR2550661A1 publication Critical patent/FR2550661A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2550661B1 publication Critical patent/FR2550661B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF FORMANT CIRCUIT INTEGRE ET LE DISPOSITIF OBTENU PAR UN TEL PROCEDE. LE DISPOSITIF EST CARACTERISE EN CE QU'IL COMPREND UN SUPPORT 12 DE LA PASTILLE 20 DE CIRCUIT INTEGRE, UN FIL DE MASSE 32C LIE A L'UN DES ELEMENTS DE SUPPORT STRUCTURELS 14 DU SUPPORT 12. LA PRESENTE INVENTION TROUVE APPLICATION DANS LA FABRICATION DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS.

Description

La présente invention concerne les dispositifs semiconducteurs ayant des
circuits intégrés formés sur eux et, plus particulièrement, une technique pour mettre à la masse le support de la pastille ou puce contenue dans de tels dispositifs. Certains circuits intégrés, à cause de leur application ou structure caractéristique inhérente, sont susceptibles d'une liaison parasitaire ou étrangère à d'autres dispositifs voisins, ou présentent une instabilité 10 générale provoquée par des charges localisées présentes sur la surface du dispositif Pour surmonter ces problèmes, un fil conducteur séparé est relié entre le conducteur de masse en doigts du bottier ou enveloppe du dispositif et le support de la pastille du circuit intégré Ceci exige 15 généralement l'utilisation d'un support plus grand de manière qu'il y ait un espace ou jeu suffisant entre la pastille et le bord du support pour permettre la connexion
d'un fil dans cette zone Occasionnellement, une petite partie du matériau utilisé pour lier la pastille sur le 20 support débordera et envahira une partie de cette zone.
Comme le débordement est difficile à contrôler, l'espace entre la pastille et le bord du support doit être élargi.
Lorsqu'un fil de masse n'est pas lié au support, l'espace minimum typique entre la pastille et le bord 25 du support est d'environ 125 micromètres Cependant, lorsqu'un fil de masse doit être lié au support, l'espace minimum typique est d'environ 375 micromètres Dans la majorité des cas o un tel fil de masse est exigé, les dimensions du support doivent être augmentées à la dimension proche disponible dans le commerce, résultant typiquement en une augmentation d'au moins 50 % de la zone ou aire du support Il est donc nécessaire de prévoir un procédé pour fixer ce fil de masse au support sans
nécessiter d'augmenter l'espace entre la pastille et le 35 bord du support.
Selon la présente invention, une technique pour mettre à la masse un support de pastille dans un dispositif formant circuit intégré est décrite Le dispositif comprend plusieurs composants électriques formés dans une pastille de circuit intégré, un support de la pastille, un élément structurel agencé pour supporter le poids du support et de la pastille, un doigt de masse adjacent à la pastille, et au moins deux plots ou bornes de contact formés sur la pastille Le procédé de mise à la masse du support de la pastille selon l'invention est caractérisé en ce qu'il consiste à: (a) former une couche métallique sur la pastille qui relie électriquement les bornes de contact; (b) fixer un fil de connexion, dont une extrémité est reliée à une borne et l'autre extrémité à l'élément structurel, formant ainsi des contacts ohmiques; et (c) fixer un autre fil de connexion, dont une extrémité est reliée à une autre borne et l'autre extrémité au doigt de masse, formant ainsi des contacts ohmiques. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention 25 et dans lesquels:
la figure 1 est une vue en plan d'une partie d'un support de connexions ayant une pastille de circuit intégré montée sur celui-ci et montrant une connexion de masse à la plaque de support de la pastille selon l'art 30 antérieur; la figure 2 est une vue en plan similaire à celle de la figure 1 montrant une connexion de masse selon la présente invention; et la figure 3 est une vue en plan similaire à celle de la figure 2 montrant une variante de la connexion
de masse.
Les figures 1, 2 et 3 montrent une partie d'un support de connexionsou de conducteurs ayant une plaque de montage ou de support 12 de la pastille supportée par deux éléments structurels 14 Une série de fils ou conducteurs 16, chacun ayant une extrémité de contact 18, est agencée autour de la périphérie de la plaque de montage 12 de sorte que les extrémités de contact 18 soient espacées de la plaque 12 de façon adjacente à celle-ci Le support de conducteurs ou de connexions 10 est recouvert d'argent et a une structure externe, non 10 montrée, qui supporte les autres extrémités des conducteurs 16 et les éléments structurels 14 Lors de l'encapsulation du dispositif et de la formation finale des conducteurs 16, cette structure externe est séparée et mise de côté La fabrication et utilisation de tels supports sont bien connues et de ce fait n'ont pas à être
décrites plus en détail.
Une pastille 20 ayant un circuit intégré formé dans celle-ci est liée à une surface 22 de la plaque de montage 12 d'une manière connue en soi Une série de petites bornes ou plots de contact 30 est formée sur la surface de la pastille 20 à proximité de ses bords externes et de façon adjacente aux extrémités de contact 18 Les bornes 30, de façon typique en aluminium, sont reliées électriquement à des points divers dans le 25 circuit intégré et sont les moyens par lesquels le circuit intégré est interconnecté avec d'autres circuits et dispositifs Des fils de connexion fins 32 interconnectent électriquement les bornes 30 et les conducteurs 16 Les fils 32 sont généralement en or et ont un diamètre 30 d'environ 25 micromètres Une extrémité de chaque fil 32 est liée à une borne 30 en utilisant des techniques de jonction thermosonique bien connues et l'autre extrémité est liée de façon similaire à une extrémité de contact 18 d'un conducteur approprié 16 Des jonctions par ultrasons 35 et thermocompression, qui sont également connues, peuvent être utilisées bien que la jonction thermosonique soit préférée. Un doigt de masse 34, ayant une extrémité de contact 36 adjacente à la pastille 20, a son autre extrémité supportée par la structure externe du support 10 de façon similaire à celle des conducteurs 16 Une borne 30 a est électriquement interconnectée avec les points de masse du circuit intégré par l'intermédiaire
d'un conducteur métallique 40, comme montré en figure 1.
Un fil fin de connexion 32 a est lié à la borne 30 a et interconnecte électriquement celle-ci et l'extrémité de 10 contact 36 du doigt de masse 34 à la manière ci-dessus décrite. Une caractéristique importante de la présente invention est la manière par laquelle la plaque de montage 12 de la pastille est électriquement attachée 15 ou fixée au doigt de masse 34 L'agencement de l'art antérieur, montré en figure 1, représente un fil fin de connexion 32 b lié à l'extrémité de contact 36 et à un
point stationnaire 42 de la plaque de montage 12.
Cependant, ceci exige l'utilisation d'une plus large plaque de montage 12 nécessaire pour assurer qu'un espace suffisant soit disponible pour effectuer une liaison correcte au point de liaison 42 La présente invention, par ailleurs, effectue un résultat similaire en liant une extrémité d'un fil fin de connexion 32 c à un point fixe ou de liaison 44 sur l'un des éléments structurels 14 et l'autre extrémité à une borne de liaison 30 b, comme montré aux figures 2 et 3 La borne 30 b est ensuite soit reliée au conducteur de masse 40 comme montré en figure 2, soit à une autre borne 30 c qui est formée sur la pastille 30 20 adjacente au doigt de masse 34, comme montré en figure 3 Cette connexion est effectuée par l'intermédiaire d'un conducteur métallique ou métallisé 46 Dans ce dernier cas, une extrémité d'un fil fin de connexion 32 d est liée à la borne 30 c et l'autre extrémité est
liée à l'extrémité de contact 36 du doigt de masse 34.
Les avantages importants réalisés en employant la structure ci-dessus décrite sont que la plaque de montage du support de la pastille 12 est significativement plus petite et les fils de liaison en or 32 sont significativement plus courts que ceux de la structure antérieure De façon plus importante, les fils de connexion plus courts 32 sont moins sujets à la flexion pendant l'encapsulation, augmentant de ce fait l'intégrité des connexions liées De plus, l'intégrité de la connexion de masse de la plaque de montage est également augmentée car, à cause de la position du point 44, il n'y a aucune 10 possibilité d'interférence par débordement par écoulement du matériau utilisé pour lier la pastille 20 sur la plaque de montage 12, et le fil de connexion de masse 32 c est lié à une extrémité à une borne en aluminium 32 c sur la pastille 20 et à l'autre extrémité à un point de 15 liaison en argent 44 sur le support 10 similaire à l'agencement de liaison de tous les autres fils de liaison fins 32 Ceci évite la nécessité d'une opération de liaison pour le fil de connexion de masse de la plaque de montage différente de celle pour tous les autres fils 20 de connexion 32, comme dans la structure de l'art antérieur. A titre d'exemple, la pastille de circuit intégré RCA référencée CA 3084 est conventionnellement montée sur un support ayant une plaque de montage avec 25 une zone de surface d'approximativement 6, 45 mm 2 Dans cette configuration, la plaque de montage est mise à la masse par un fil conducteur qui a une extrémité liée au doigt de masse et l'autre extrémité liée à la plaque de montage dans l'aire ou zone entre le bord de la pastille 30 et le bord de la plaque de montage En employant les enseignements de la présente invention, la même pastille peut être montée dans un support ayant une plaque de montage d'une surface d'approximativement 4,13 mm 2, résultant en une réduction de 36 % des dimensions de la
plaque de montage par rapport à l'agencement conventionnel.
Similairement, la longueur des fils de connexion en or dans l'agencement conventionnel est en moyenne approximativement de 1,91 mm tandis que selon la présente invention elle est en moyenne approximativement de 1,64 mm, résultant en une réduction de 14 % de la longueur des fils de connexion Ceci permet de réduire de façon bénéfique les coûts de fabrication.

Claims (12)

R E V E N D I C A T I O N S
1. Procédé de fabrication d'un dispositif formant circuit intégré ayant plusieurs composants électriques formés dans une pastille de circuit intégré, une plaque de montage supportant ladite pastille, un élément structurel faisant corps avec ledit support de pastille et agencé pour supporté le poids dudit support et de ladite pastille, un doigt de masse adjacent à ladite pastille, et deux bornes ou plots de liaison formés sur 10 ladite pastille, caractérisé en ce qu'il consiste à former un conducteur métallique ( 46) sur ladite pastille ( 20) et reliant électriquement lesdites deux bornes ( 30 b; c), à fixer une extrémité d'un premier fil de connexion ( 32 C) à l'une desdites deux bornes, et à fixer 15 l'autre extrémité dudit premier fil de connexion audit élément structurel ( 14); et à fixer une extrémité d'un second fil de connexion ( 32 d) à l'autre desdites bornes, et à fixer l'autre extrémité dudit second fil de connexion audit doigt de 20 masse ( 34), chacune desdites fixations ou connexions
effectuant des connexions ohmiques.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif précité comprend une troisième borne de connexion ( 30 a) formée sur la pastille précitée 25 et électriquement indépendante des deux bornes précitées, caractérisé en ce qu'il consiste également à fixer une extrémité d'un troisième fil de connexion à ladite troisième borne et à fixer l'autre extrémité dudit
troisième fil de connexion au doigt de masse précité.
3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste à former un conducteur métallique ( 40) sur la pastille précitée reliant électriquement l'une des deux bornes précitées à l'un des composants électriques précité.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'opération de fixation précitée est effectuée
par thermocompression.
5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'opération de fixation précitée est effectuée par ultrasons.
6. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'opération de fixation précitée est effectuée
par thermosons.
7. Dispositif formant circuit intégré ayant plusieurs composants électriques formés dans une pastille de circuit intégré, une plaque de montage pour supporter ladite pastille, un élément structurel faisant corps avec ledit support de pastille et agencé pour supporter le poids du support et de ladite pastille, un doigt de masse 15 adjacent à ladite pastille, et deux bornes de connexion formées sur ladite pastille, caractérisé en ce qu'un conducteur métallique ( 46) sur ladite pastille ( 20) relie électriquement les deux bornes ( 30 b; 30 c),une extrémité d'un premier fil de connexion ( 32 c) est électriquement reliée 20 à 1 'une des de 1 x bornes, et l'autre extrémité dudit premier fil de connexion est reliée électriquement audit élément structurel ( 14); et une extrémité d'un second fil de connexion ( 32 d) est électriquement reliée à l'autre des deux bornes, et l'autre extrémité dudit second fil 25 de connexion est électriquement reliée audit doigt de
masse ( 34).
8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend une troisième borne ( 30 a) formée sur la pastille précitée et électriquement indépen30 dante des deux bornes précitées, et en ce qu'il comprend également un troisième fil de connexion une extrémité dudit troisième fil de connexion étant électriquement reliée à ladite troisième borne, et l'autre
extrémité dudit troisième fil de connexion étant reliée 35 électriquement au doigt de masse précité.
9. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend un conducteur métallique ( 40) formé sur la pastille précitée reliant électriquement l'une des deux bornes précitées à l'un des composants
électriques précités.
10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les fils de connexion précités sont reliés par thermocompression.
11. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les fils de connexion précités
sont reliés par ultrasons.
12 Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les fils de connexion précités
sont reliés par thermosons.
FR8412625A 1983-08-10 1984-08-09 Procede de mise a la masse d'un support de pastille et dispositif obtenu par ce procede Expired FR2550661B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/521,897 US4534105A (en) 1983-08-10 1983-08-10 Method for grounding a pellet support pad in an integrated circuit device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2550661A1 true FR2550661A1 (fr) 1985-02-15
FR2550661B1 FR2550661B1 (fr) 1988-11-25

Family

ID=24078595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8412625A Expired FR2550661B1 (fr) 1983-08-10 1984-08-09 Procede de mise a la masse d'un support de pastille et dispositif obtenu par ce procede

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4534105A (fr)
JP (1) JPS6054461A (fr)
KR (1) KR930002386B1 (fr)
DE (1) DE3428881C2 (fr)
FR (1) FR2550661B1 (fr)
GB (1) GB2144910B (fr)
IN (1) IN160929B (fr)
IT (1) IT1174170B (fr)
SE (1) SE456874B (fr)
YU (1) YU119484A (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0214307A1 (fr) * 1985-02-28 1987-03-18 Sony Corporation Dispositif a circuit a semi-conducteurs

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61108160A (ja) * 1984-11-01 1986-05-26 Nec Corp コンデンサ内蔵型半導体装置及びその製造方法
WO1987004855A1 (fr) * 1986-02-07 1987-08-13 Fujitsu Limited Dispositif a semiconducteurs
US4829362A (en) * 1986-04-28 1989-05-09 Motorola, Inc. Lead frame with die bond flag for ceramic packages
JPS63205930A (ja) * 1987-02-21 1988-08-25 Ricoh Co Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2734463B2 (ja) * 1989-04-27 1998-03-30 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH088330B2 (ja) * 1989-07-19 1996-01-29 日本電気株式会社 Ｌｏｃ型リードフレームを備えた半導体集積回路装置
US5006919A (en) * 1990-03-01 1991-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit package
JP3011510B2 (ja) * 1990-12-20 2000-02-21 株式会社東芝 相互連結回路基板を有する半導体装置およびその製造方法
KR920018907A (ko) * 1991-03-23 1992-10-22 김광호 반도체 리드 프레임
KR940006187Y1 (ko) * 1991-10-15 1994-09-10 금성일렉트론 주식회사 반도체장치
KR100552353B1 (ko) * 1992-03-27 2006-06-20 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법
US5256598A (en) * 1992-04-15 1993-10-26 Micron Technology, Inc. Shrink accommodating lead frame
KR0177744B1 (ko) * 1995-08-14 1999-03-20 김광호 전기적 특성이 향상된 반도체 장치
US5986334A (en) * 1996-10-04 1999-11-16 Anam Industrial Co., Ltd. Semiconductor package having light, thin, simple and compact structure
EP0954879A1 (fr) * 1997-01-22 1999-11-10 Siemens Aktiengesellschaft Composant electronique
US5780772A (en) * 1997-01-24 1998-07-14 National Semiconductor Corporation Solution to mold wire sweep in fine pitch devices
IT1317559B1 (it) * 2000-05-23 2003-07-09 St Microelectronics Srl Telaio di supporto per chip avente interconnessioni a bassa resistenza.
US20050230850A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Taggart Brian C Microelectronic assembly having a redistribution conductor over a microelectronic die
US8258611B2 (en) * 2007-07-23 2012-09-04 Nxp B.V. Leadframe structure for electronic packages
CN102201384A (zh) * 2010-03-22 2011-09-28 无锡华润安盛科技有限公司 一种led驱动电路的小外形封装引线框
US9337240B1 (en) * 2010-06-18 2016-05-10 Altera Corporation Integrated circuit package with a universal lead frame
CN102569233A (zh) * 2010-12-09 2012-07-11 登丰微电子股份有限公司 封装结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4142203A (en) * 1976-12-20 1979-02-27 Avx Corporation Method of assembling a hermetically sealed semiconductor unit
GB2061617A (en) * 1979-10-26 1981-05-13 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3685137A (en) * 1971-05-13 1972-08-22 Rca Corp Method for manufacturing wire bonded integrated circuit devices
US3611061A (en) * 1971-07-07 1971-10-05 Motorola Inc Multiple lead integrated circuit device and frame member for the fabrication thereof
US4065851A (en) * 1974-04-20 1978-01-03 W. C. Heraeus Gmbh Method of making metallic support carrier for semiconductor elements
US4068371A (en) * 1976-07-12 1978-01-17 Miller Charles F Method for completing wire bonds
JPS5623759A (en) * 1979-08-01 1981-03-06 Hitachi Ltd Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof
DE3023528C2 (de) * 1980-06-24 1984-11-29 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Aluminium enthaltender Feinstdraht
GB2091035B (en) * 1981-01-12 1985-01-09 Avx Corp Integrated circuit device and sub-assembly
US4454529A (en) * 1981-01-12 1984-06-12 Avx Corporation Integrated circuit device having internal dampening for a plurality of power supplies

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4142203A (en) * 1976-12-20 1979-02-27 Avx Corporation Method of assembling a hermetically sealed semiconductor unit
GB2061617A (en) * 1979-10-26 1981-05-13 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0214307A1 (fr) * 1985-02-28 1987-03-18 Sony Corporation Dispositif a circuit a semi-conducteurs
EP0214307A4 (fr) * 1985-02-28 1987-09-15 Sony Corp Dispositif a circuit a semi-conducteurs.

Also Published As

Publication number Publication date
DE3428881A1 (de) 1985-02-28
KR850002173A (ko) 1985-05-06
SE8403978L (sv) 1985-02-11
DE3428881C2 (de) 1996-05-09
FR2550661B1 (fr) 1988-11-25
GB2144910A (en) 1985-03-13
YU119484A (en) 1987-08-31
IT8421350A0 (it) 1984-06-11
KR930002386B1 (en) 1993-03-29
JPH0469432B2 (fr) 1992-11-06
US4534105A (en) 1985-08-13
GB8419078D0 (en) 1984-08-30
IN160929B (fr) 1987-08-15
SE456874B (sv) 1988-11-07
JPS6054461A (ja) 1985-03-28
SE8403978D0 (sv) 1984-08-03
IT1174170B (it) 1987-07-01
GB2144910B (en) 1986-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2550661A1 (fr) Procede de mise a la masse d'un support de pastille et dispositif obtenu par ce procede
US7335835B2 (en) Solar cell structure with by-pass diode and wrapped front-side diode interconnection
EP0321340B1 (fr) Support de composant électronique, notamment pour carte mémoire, et produit ainsi obtenu
JP3462026B2 (ja) 半導体装置の製造方法
EP1715518B1 (fr) Dispositif de protection de circuit électronique
EP0647357A1 (fr) Procede d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procede et application a l'interconnexion de pastilles en trois dimensions
FR2621173A1 (fr) Boitier pour circuit integre de haute densite
FR2596607A1 (fr) Procede de montage d'un circuit integre sur une carte de circuits imprimes, boitier de circuit integre en resultant et ruban porteur de circuits integres pour la mise en oeuvre du procede
FR2747509A1 (fr) Structure de montage pour un circuit a semi-conducteur
EP0887861B1 (fr) Dispositif semi-conducteur à moyen d'échanges à distance
FR2665799A1 (fr) Dispositif semi-conducteur encapsule a evacuation thermique amelioree.
FR2680284A1 (fr) Dispositif de connexion a tres faible pas et procede de fabrication.
FR2759493A1 (fr) Dispositif de puissance a semiconducteur
FR2720190A1 (fr) Procédé de raccordement des plages de sortie d'une puce à circuit intégré, et module multipuces ainsi obtenu.
EP0735582B1 (fr) Boítier de montage d'une puce de circuit intégré
FR2593639A1 (fr) Procede de remplacement de dispositifs semi-conducteurs dans un module multi-puces
FR2749975A1 (fr) Dispositif a circuit integre semiconducteur possedant un nombre eleve de connexions d'entree/sortie
FR2894070A1 (fr) Module electronique 3d
FR2622741A1 (fr) Structure pour connexion de substrats a coefficients de dilatation thermique differents
EP0446125B1 (fr) Composant semi-conducteur de puissance
FR2907967A1 (fr) Composant electrique a contacts exterieurs
FR3116382A1 (fr) Boîtier pour circuit intégré et procédé de fabrication
FR2922682A1 (fr) Procede de fabrication d'un micromodule de capture d'images
EP3477698B1 (fr) Circuit intégré en boîtier qfn
FR2668854A1 (fr) Dispositif semiconducteur conditionne dans la resine.

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse