FR2747509A1 - Structure de montage pour un circuit a semi-conducteur - Google Patents
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Abstract
Structure de montage de semi-conducteur comprenant un substrat flexible rigide (10), dans laquelle une partie flexible est pourvue d'une borne de connexion pour un circuit intégré à semi-conducteurs (20), le circuit intégré à semi-conducteurs (20) étant directement connecté et monté sur ladite borne de connexion pour le circuit intégré à semi-conducteurs (20). Une partie rigide (16) dudit substrat flexible rigide (10) est pourvue d'une électrode (19) pour monter un composant électronique et d'une borne d'entrée/sortie externe (25).
Description
STRUCTURE DE MONTAGE POUR UN CIRCUIT A SEMI-CONDUCTEUR
La présente invention concerne une structure de montage pour un semi-conducteur. Plus spécifiquement, la présente invention concerne un traitement à grande vitesse et un système de montage à haute densité.
La présente invention concerne une structure de montage pour un semi-conducteur. Plus spécifiquement, la présente invention concerne un traitement à grande vitesse et un système de montage à haute densité.
Il est fait référence à ce type de structure de montage, par exemple, dans une publication
("Introduction to TAB technique", pages 286 à 289, 12.3 une prothèse auditive, Figure 12.7, une coupe transversale d'une constitution d'un module pour la prothèse auditive, publié le 25 janvier 1990, écrit par
Kenzo Hamada), etc.
("Introduction to TAB technique", pages 286 à 289, 12.3 une prothèse auditive, Figure 12.7, une coupe transversale d'une constitution d'un module pour la prothèse auditive, publié le 25 janvier 1990, écrit par
Kenzo Hamada), etc.
Jusqu'ici, conformément à la structure de montage d'un circuit intégré à grande intégration, le circuit intégré à grande intégration a été monté un à un dans un support intermédiaire et le support intermédiaire a été monté sur un substrat de montage.
Une structure classique va être décrite avec référence à la figure 10. Un circuit intégré à grande intégration 20 (circuit intégré) est connecté électriquement à un ensemble de conducteurs 32 par un fil métallique de liaison 31, une connexion automatisée à bandes (TAB), etc. (en utilisant une liaison interne par conducteur (ILB). Le circuit intégré à grande intégration est scellé par une résine protectrice 23.
Cela est appelé un "boîtier moulé".
Un conducteur externe de l'ensemble de conducteurs 32 de ce boîtier moulé est soudé à une pastille 19 du substrat de montage et le boîtier boulê est monté sur le substrat de montage.
Dans une technique de liaison interne par conducteur (ILB) , une connexion automatisée à bandes
(TAB) est utilisée non seulement comme une technique de connexion, mais également comme un boîtier support à bandes (TCP) dans lequel une bande de connexion automatisée à bandes (TAB) est utilisée comme support intermédiaire.
(TAB) est utilisée non seulement comme une technique de connexion, mais également comme un boîtier support à bandes (TCP) dans lequel une bande de connexion automatisée à bandes (TAB) est utilisée comme support intermédiaire.
De plus, une pluralité de circuits intégrés à grande intégration sont montés sur le support à bande et, dans certains cas, le support à bande est utilisé comme module à paillette (MCM).
De plus, le boîtier support à bandes est avancé et il peut y avoir une application telle qu'un autre composant électronique est monté sur le support à bande et qu'un premier module est formé, etc.
Comme décrit dans la publication ci-dessus
("Introduction to TAB technique", page 287, figure 12.7), comme prothèse auditive utilisée comme module utilisant la technique de connexion automatisée à bandes, l'exemple de constitution est montré sur la figure 11.
("Introduction to TAB technique", page 287, figure 12.7), comme prothèse auditive utilisée comme module utilisant la technique de connexion automatisée à bandes, l'exemple de constitution est montré sur la figure 11.
Avec référence à la figure 11, un modèle de câblage 13 est agencé sur un support à film 12. Un conducteur interne 15 intégré au modèle de câblage est agencé dans un trou du dispositif (un trou agencé dans le support à film pour monter le circuit intégré) . Le conducteur interne 15 est monté sur le circuit intégré 20 par liaison interne par conducteur. Dès lors, le circuit intégré 20 et le conducteur interne 15 sont scellés par une résine protectrice 23. De plus, une électrode 19 pour monter le composant est agencée sur le support à film 12. Un condensateur sous forme de puce et une résistance sous forme de puce 24 sont soudés à l'électrode 19
Etant donné que le module à paillette (MCM) utilisant un substrat en céramique est avantageux pour une haute densité de câblage et une grande intégration, le module à paillette utilisant un substrat en céramique est le cas général.
Etant donné que le module à paillette (MCM) utilisant un substrat en céramique est avantageux pour une haute densité de câblage et une grande intégration, le module à paillette utilisant un substrat en céramique est le cas général.
Conformément à la structure de montage classique, le circuit intégré à grande intégration est monté un à un sur le support intermédiaire. Lorsque le support intermédiaire est monté sur le substrat de montage, étant donné que la dimension du support intermédiaire est plus grande que celle du circuit intégré à grande intégration, le support intermédiaire n'est pas adapté pour une réduction de taille.
De plus, il existe quelques parties de connexion, telles qu'une connexion entre une pastille de connexion du circuit intégré à grande intégration et un fil métallique de connexion, la connexion entre le fil métallique de connexion et l'ensemble de conducteurs et la connexion entre l'ensemble de conducteurs et l'électrode du substrat de montage, sur un trajet de transmission de signal. La réduction de la fiabilité est principalement due à ces parties de connexion.
C'est-à-dire que, du fait des parties de connexion, le rendement est affaibli et la longévité est réduite. Il est donc préférable qu'il y ait moins de parties de connexion.
De plus, conformément à la structure de montage classique, il existe un problème en ce que le trajet de transmission de signal est allongé.
Récemment, étant donné que le traitement interne du circuit intégré à grande intégration est exécuté à grande vitesse, une partie externe du circuit intégré à grande intégration, c' est-à-dire le câblage du support intermédiaire et du substrat, exerce une grande influence sur le retard des signaux. Il est donc nécessaire de réduire le retard des signaux dans la partie externe du circuit intégré à grande intégration afin de réaliser le traitement à grande vitesse dans tout le module.
Plus spécifiquement, lorsqu'une pluralité de circuits intégrés à grande intégration sont montés sur le substrat, la longueur des fils métalliques devient plus importante, créant de ce fait un problème sérieux en ce qu'un temps de retard de transmission de signal entre les circuits intégrés à grande intégration se produit. C'est-à-dire qu'une accélération de la vitesse de traitement d'une opération subit le temps de retard.
Le module à paillette et le module utilisant le support à bande semblent résoudre ce problème.
Cependant, conformément au support à bande classique, il est difficile de réaliser une structure multicouche et d'augmenter la densité du câblage. Le câblage entre les circuits intégrés à grande intégration est donc limité à un simple câblage, de telle manière qu'il est difficile de former un module à haute densité.
De plus, étant donné que le support à bande présente une flexibilité, le circuit intégré à grande intégration comporte de nombreuses broches. Le support à bande est remplacé par le module à paillette, de sorte que le support à bande devient plus grand. Dans ce cas, lorsque le support à bande est monté sur le substrat, le boîtier support à bandes est incurvé. Par conséquent, il est difficile de réaliser une fusion générale, de telle manière que le support à bande n'est pas adapté pour une production en grande série.
De plus, comme décrit par l'art antérieur, la résistance sous forme de puce et le condensateur sous forme de puce peuvent être montés sur le support intermédiaire. Cependant, étant donné que le support à bande présente plus de flexibilité que le substrat présentant une rigidité, le support à bande n'est pas adapté pour monter la résistance sous forme de puce et le condensateur sous forme de puce. Par conséquent, le support à bande est désavantageux pour une grande intégration.
D'une part, le module à paillette utilisant un substrat en céramique est plus coûteux que le support à bande. De plus, comparé au cas où on utilise le support à bande, étant donné qu'une borne de connexion pour le circuit intégré à grande intégration ne peut pas être montée directement, la partie de connexion est augmentée. C'est-à-dire que la fiabilité est réduite.
Par conséquent, la présente invention est réalisée compte tenu de ces problèmes. C'est un objet de la présente invention de prévoir la structure de montage pour le circuit intégré à grande intégration utilisant le support à bande qui est préférable pour la haute densité pour une petite taille, la grande intégration et la grande vitesse, et de prévoir un module à paillette peu coûteux.
RESUME DE L'INVENTION
Afin d'atteindre l'objectif, selon un premier aspect de la présente invention, ne structure de montage de semi-conducteur est prévue comprenant un substrat flexible rigide, dans laquelle une partie flexible est pourvue d'une borne de connexion pour un circuit intégré à semi-conducteurs, le circuit intégré à semi-conducteurs étant directement connecté et monté sur la borne de connexion pour le circuit intégré à semi-conducteurs.
Afin d'atteindre l'objectif, selon un premier aspect de la présente invention, ne structure de montage de semi-conducteur est prévue comprenant un substrat flexible rigide, dans laquelle une partie flexible est pourvue d'une borne de connexion pour un circuit intégré à semi-conducteurs, le circuit intégré à semi-conducteurs étant directement connecté et monté sur la borne de connexion pour le circuit intégré à semi-conducteurs.
Selon un autre aspect de la présente invention, une structure de montage de semi-conducteur est prévue, dans laquelle le circuit intégré à semi-conducteurs est scellé par une résine après le montage du circuit intégré à semi-conducteurs.
Selon un aspect supplémentaire de la présente invention, une structure de montage de semi-conducteur est prévue, dans laquelle une partie rigide du substrat flexible rigide est pourvue d'une électrode pour monter un composant électronique et le composant électronique est monté sur la borne de connexion pour monter le composant électronique.
Selon un aspect supplémentaire de la présente invention, une structure de montage de semi-conducteur est prévue, dans laquelle une pluralité de circuits intégrés à semi-conducteurs sont montés sur la partie flexible.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description ci-après, faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels
la figure 1 montre une vue en perspective d'un premier mode de réalisation de la présente invention.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description ci-après, faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels
la figure 1 montre une vue en perspective d'un premier mode de réalisation de la présente invention.
La figure 2 montre une vue en coupe transversale selon la ligne a-a de la figure 1.
La figure 3 montre un autre exemple d'une borne d'entrée/sortie externe du premier mode de réalisation de la présente invention.
La figure 4 montre encore un autre exemple de la borne d'entrée/sortie externe du premier mode de réalisation de la présente invention.
La figure 5 montre un autre exemple d'une structure de liaison interne par conducteur du premier mode de réalisation de la présente invention.
La figure 6 montre une structure de scellement du premier mode de réalisation de la présente invention.
La figure 7 montre une vue en perspective d'un second mode de réalisation de la présente invention.
La figure 8 montre une vue en coupe transversale selon la ligne b-b de la figure 7.
La figure 9 montre une vue en perspective d'un troisième mode de réalisation de la présente invention.
La figure 10 montre l'art antérieur.
La figure 11 montre un autre art antérieur.
DESCRIPTION DETAILLE DES MODES DE REALISATION PREFERES
Les modes de réalisation de la présente invention vont être décrits avec référence aux dessins joints.
Les modes de réalisation de la présente invention vont être décrits avec référence aux dessins joints.
Selon les modes de réalisation de la présente invention, un support à bande utilisant une carte de câblage imprimé flexible rigide est utilisé. La carte de câblage imprimé (PWB) est un substrat composite dans lequel une carte de câblage imprimé présentant une flexibilité est connectée électriquement et intégrée à une carte de câblage imprimé rigide afin de monter un composant par l'intermédiaire d'un trou traversant.
Selon les modes de réalisation de la présente invention, une partie flexible (portant le numéro 11 sur les figures 1 et 2) du substrat flexible rigide est pourvue d'une borne de connexion pour un semiconducteur (portant le numéro 15 sur la figure 2) (fil interne similaire à une connexion automatisée à bandes) . La partie flexible est connectée directement à un circuit intégré à grande intégration (portant le numéro 20 sur la figure 2), de telle manière que le circuit intégré à grande intégration est monté sur le substrat.
Dans un support intermédiaire utilisé pour la carte de câblage imprimé flexible rigide, étant donné que le circuit intégré à grande intégration est connecté directement à une partie flexible (portant le numéro 11 sur la figure 2), il y a moins de parties de connexion, de telle manière que la fiabilité est améliorée.
De plus, étant donné que le circuit intégré à grande intégration est connecté directement à la partie flexible, la longueur des fils de connexion est raccourcie et le temps de retard de transmission de signal est réduit. Ainsi, plus spécifiquement, lorsqu'une pluralité de circuits intégrés à grande intégration sont montés sur le support intermédiaire, un effet considérable peut être obtenu. C'est-à-dire qu'une pluralité de circuits intégrés à grande intégration sont montés sur un support intermédiaire (voir les figures 7 et 8), de telle manière que la distance électrique entre les circuits intégrés à grande intégration est réduite. Par conséquent, le temps de retard de transmission de signal est réduit, de telle manière que le support intermédiaire est adapté pour un traitement à grande vitesse. De plus, on peut atteindre simultanément une petite taille et un faible poids.
De plus, selon les modes de réalisation de la présente invention, le support intermédiaire comporte une partie rigide (portant le numéro 16 sur la figure 2), de telle manière qu'une structure multicouche peut être facilement réalisée et qu'un câblage à haute densité complexe peut être réalisé.
Une électrode pour monter le composant est agencée sur la partie rigide 16 ayant la rigidité, de telle manière que le composant électronique, tel qu'un condensateur sous forme de puce, une résistance sous forme de puce, etc. peut être monté facilement sur le support intermédiaire. En conséquence, la grande intégration et la haute densité peuvent être réalisées.
De plus, selon les modes de réalisation de la présente invention, la partie rigide ayant la rigidité est prévue. Par conséquent, lorsque le support intermédiaire est monté sur le substrat de montage, même si le support intermédiaire devient plus grand, un problème tel que celui de la courbure est résolu. En conséquence, un soudage en utilisant une fusion générale peut être exécuté et une production en grande série peut devenir simple.
Etant donné que la carte de câblage imprimé est disponible à un coût moindre qu'une céramique, le prix du module à paillette (MCM) est réduit.
Un avantage de la présente invention par rapport à un module à paillette (MCM) en céramique va être décrit ci-dessous. Dans le cas du module à paillette dans lequel une pluralité de circuits intégrés à grande intégration sont montés, en général, un substrat en céramique est utilisé comme matériau pour le support intermédiaire. Dans le cas du substrat en céramique, étant donné que le circuit intégré à grande intégration est connecté au support intermédiaire, deux connexions sont nécessaires, telles que la connexion entre une pastille de liaison du circuit intégré à grande intégration et un fil métallique de liaison et la connexion entre le fil métallique de liaison et l'électrode du support intermédiaire.
Au contraire, conformément au support intermédiaire de la présente invention, le support intermédiaire peut être connecté au circuit intégré à grande intégration simplement en connectant la pastille de connexion du circuit intégré à grande intégration au conducteur interne par la liaison interne par conducteur (ILB)
Ainsi, la fiabilité est améliorée et, de plus, le temps de transmission de signal entre les circuits intégrés à grande intégration est réduit. Par conséquent, le support intermédiaire de la présente invention est adapté pour le traitement à grande vitesse. De plus, étant donné que la carte de câblage imprimé est moins coûteuse et plus légère que le substrat en céramique, un module à paillette léger, de petite taille, présentant de plus grandes performances, peut être fourni à bon marché.
Ainsi, la fiabilité est améliorée et, de plus, le temps de transmission de signal entre les circuits intégrés à grande intégration est réduit. Par conséquent, le support intermédiaire de la présente invention est adapté pour le traitement à grande vitesse. De plus, étant donné que la carte de câblage imprimé est moins coûteuse et plus légère que le substrat en céramique, un module à paillette léger, de petite taille, présentant de plus grandes performances, peut être fourni à bon marché.
L'avantage de la présente invention par rapport au boîtier support à bandes va être décrit ci-dessous.
Bien que le module à paillette et le module utilisant le boîtier support à bandes soient de petite taille et légers, le multicouche est difficile à réaliser.
Selon la présente invention, étant donné que la partie rigide du support intermédiaire est multicouche, un câblage complexe et à haute densité peut être réalisé. Ainsi, comme combinaison des circuits intégrés à grande intégration, il peut y avoir diverses combinaisons telles qu'une pluralité d'E?U combinées les unes aux autres et l'EPU combinée à une mémoire, etc.
Selon la présente invention, le support intermédiaire comporte la partie rigide ayant la rigidité. Par conséquent, un composant récepteur, tel que le condensateur sous forme de puce, la résistance sous forme de puce, etc. ou, dans certains cas, un circuit intégré à grande intégration sous boîtier (de la mémoire, etc.) peut être facilement monté sur le circuit intégré à grande intégration.
Ci-après, les modes de réalisation de la présente invention vont être décrits avec référence aux dessins joints.
Mode de réalisation 1
La figure 1 montre une vue en perspective éclatée d'un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 montre une vue en coupe selon la ligne a-a de la figure 1.
La figure 1 montre une vue en perspective éclatée d'un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 montre une vue en coupe selon la ligne a-a de la figure 1.
En référence à la figure 1, la structure de montage de la présente invention utilise le substrat flexible rigide comprenant la partie flexible 11 ayant la flexibilité et la partie rigide 16 ayant la rigidité qui peuvent être multicouche.
En référence à la figure 2, la partie flexible 11 comprend un film polyimide 12 ayant la flexibilité et une couche conductrice 13 composée de cuivre.
Un trou de dispositif 14 dont la taille est légèrement plus grande qu'une forme extérieure de la puce de circuit intégré à grande intégration 20 est agencé dans le film polyamide 12.
La partie saillante à l'intérieur du trou de dispositif 14 de la couche conductrice 13 composée de cuivre est appelée conducteur interne 15. Le conducteur interne 15 est doré.
Le conducteur interne 15 est connecté à une pastille de liaison 21 du circuit intégré à grande intégration 20 par la liaison interne par conducteur (ILB), de telle manière que le circuit intégré à grande intégration 20 est connecté électriquement et, de plus, fixé à un motif de câblage (motif de couche conductrice) 13. Le circuit intégré à grande intégration 20 est connecté à la couche conductrice 13 uniquement par la liaison interne par conducteur.
C'est-à-dire que le premier mode de réalisation de la présente invention est caractérisé en ce qu'une liaison externe par conducteur (OLB) n'est pas nécessaire.
Ainsi, le nombre des composants et des opérations de fabrication est réduit, de telle manière que le coût peut être réduit.
La partie rigide 16 est formée de manière à ce qu'un verre-époxy 17 et une couche conductrice (motif de câblage) 18 sont disposés en couches alternativement l'un par rapport à l'autre d'une manière telle qu'un support à couche comprenant le film polyimide 12 et la couche conductrice 13 est placé entre eux. Toutes les couches conductrices 18 sont connectées les unes aux autres par l'intermédiaire d'un trou traversant 26.
En référence aux figures 1 et 2, une électrode 19 pour souder les composants électroniques est agencée sur une surface avant de la partie rigide 16. Une partie réceptrice 24, telle que le condensateur sous forme de puce, la résistance sous forme de puce, etc.
est soudée et montée sur l'électrode 19. De plus, dans certains cas, la partie réceptrice 24 est montée sur une surface arrière de la partie rigide 16.
De plus, comme montré sur les figures 2 et 3(A), une électrode 19' à connecter au substrat de montage est agencée sur la surface arrière de la partie rigide 16. En tant que borne d'entrée/sortie externe 25, une broche conductrice est soudée sur la surface arrière de la partie rigide 16. La broche conductrice 25 peut être insérée dans une fiche. De plus, la broche conductrice 25 peut être montée au moyen du trou traversant, d'une pastille de conducteur (montage en surface avant), etc.
En outre, par exemple, comme montré sur la figure 3, la borne d'entrée/sortie externe 25 peut présenter une structure telle que l'électrode seule (voir figure 3(B)). La borne d'entrée/sortie externe 25 peut présenter une structure telle qu'une bosse métallique (voir figure 3(C)). La borne d'entrée/sortie externe 25 peut présenter une structure telle que la partie rigide est insérée dans la prise pour connexion (voir figure 4). La borne d'entrée/sortie externe 25 peut présenter une structure telle qu'un connecteur est agencé dans la partie rigide. La borne d'entrée/sortie externe 25 peut présenter une structure telle que la borne est insérée dans le trou traversant de la partie rigide pour soudage. La borne d'entrée/sortie externe 25 peut présenter une structure telle que la partie flexible est allongée pour connecter une partie d'alimentation en énergie
Selon la structure de la liaison interne par conducteur, comme montré sur la figure 1, le circuit intégré à grande intégration 20 est connecté au trou de dispositif par une liaison interne par conducteur à face dessus. En outre, le c:- u^~ intégré à grande intégration 20 est connecté au trou de dispositif par une liaison à face dessous. Comme montré sur les figures 5(A) et 5(B), un procédé de connexion automatisée à bandes, tel que le trou de dispositif n'est pas agencé, une technique de connexion utilisée pour la liaison automatisée à bandes, etc., peuvent être utilisés.
Selon la structure de la liaison interne par conducteur, comme montré sur la figure 1, le circuit intégré à grande intégration 20 est connecté au trou de dispositif par une liaison interne par conducteur à face dessus. En outre, le c:- u^~ intégré à grande intégration 20 est connecté au trou de dispositif par une liaison à face dessous. Comme montré sur les figures 5(A) et 5(B), un procédé de connexion automatisée à bandes, tel que le trou de dispositif n'est pas agencé, une technique de connexion utilisée pour la liaison automatisée à bandes, etc., peuvent être utilisés.
Afin d'améliorer la fiabilité de la structure de liaison interne par conducteur et de protéger une surface de circuit intégré à grande intégration, dans certains cas, le circuit intégré à grande intégration est scellé par une résine époxy et une résine silicone.
Comme montré sur les figures 6(A) à 6(C), une structure de scellement par résine peut être la structure de scellement similaire à la liaison automatisée à bandes (TAB) . C'est-à-dire que la partie de conducteur interne 15 de la couche conductrice 13 est scellée par une résine 23 (voir figure 6(A)). Une surface latérale pourvue du conducteur interne 15 et de la pastille de liaison du circuit intégré à grande intégration 20 est scellée par la résine 23 (voir figure 6(B)). La résine 23 scelle toute la surface du conducteur interne 15 et du circuit intégré à grande intégration 20 (voir figure 6(C)).
De plus, lorsque le verre polyimide est utilisé comme matériau isolant de la partie rigide 16, étant donné que le verre polyimide résiste bien à la chaleur, la fiabilité peut être améliorée.
Mode de réalisation 2
Ci-après, un second mode de réalisation de la présente invention va être décrit avec référence à la figure 7. La figure 7 montre une vue en perspective d'un second mode de réalisation de la présente invention. La figure 8 montre une vue en couse selon la ligne b-b de la figure 7.
Ci-après, un second mode de réalisation de la présente invention va être décrit avec référence à la figure 7. La figure 7 montre une vue en perspective d'un second mode de réalisation de la présente invention. La figure 8 montre une vue en couse selon la ligne b-b de la figure 7.
Comme montré sur la figure 7, le montage selon le second mode de réalisation est caractérisé en ce qu'une pluralité de circuits intégrés à grande intégration sont montés. De cette manière, une pluralité de parties de montage de circuit intégré à grande intégration sont agencées dans la partie flexible 11 d'un substrat flexible rigide 10 et une pluralité de circuits intégrés à grande intégration sont montés sur le substrat. Par conséquent, la distance de transmission de signal entre les circuits intégrés à grande intégration peut être réduite.
Comme montré sur la figure 8, selon la structure de montage du second mode de réalisation, le circuit intégré à grande intégration 20 est fixé directement à la partie flexible 11 du substrat flexible rigide (le film polyimide et la couche conductrice 13). En conséquence, la distance électrique entre les circuits intégrés à grande intégration est réduite, de telle manière qu'un effet considérable, tel que le retard des signaux entre les circuits intégrés à grande intégration qui est raccourci, peut être obtenu. De plus, la partie rigide 16 est multicouche, de telle manière qu'étant donné que le câblage complexe et à haute densité peut être réalisé, la grande intégration peut être réalisée. En tant que combinaison des circuits intégrés à grande intégration, une pluralité de parties de traitement d'ooérations (EPU) peuvent être combinées les unes aux autres et l'E:U peut être combinée à la mémoire.
De plus, par exemple, seuie l'EPU nécessitant le traitement à grande vitesse est directement fixée à la partie flexible 11. La mémoire, telle qu'un article à boîtier moulé 30 qui est disponible à bon marché du fait de la production en grande série, est montée sur la partie rigide 16. De cette manière, les performances et le coût peuvent être équilibrés l'un par rapport à l'autre.
Mode de réalisation 3
Ci-après, un troisième mode de réalisation de la présente invention va être décrit avec référence à la figure 9.
Ci-après, un troisième mode de réalisation de la présente invention va être décrit avec référence à la figure 9.
Lorsque le semi-conducteur libérant une grande chaleur est utilisé, une structure de refroidissement est nécessaire.
Selon le troisième mode de réalisation, comme montré sur la figure 9, afin d'augmenter l'efficacité du refroidissement, un dissipateur de chaleur 33 est agencé sur une surface latérale d'un boîtier 35 et des ailettes de dissipation de chaleur 34 sont agencées en dehors du boîtier 35.
De plus, selon le troisième mode de réalisation, il convient que le circuit intégré à semi-conducteurs
(L.S.I.) 20 soit monté sur la partie flexible 11 ayant la flexibilité. Bien que la partie de montage de circuit intégré à grande intégration soit intégrée au substrat, la partie de montage de circuit intégré à grande intégration est flexible. Le circuit intégré à semi-conducteurs 20 est en contact avec la structure de refroidissement 33 à la surface latérale du boîtier 35.
(L.S.I.) 20 soit monté sur la partie flexible 11 ayant la flexibilité. Bien que la partie de montage de circuit intégré à grande intégration soit intégrée au substrat, la partie de montage de circuit intégré à grande intégration est flexible. Le circuit intégré à semi-conducteurs 20 est en contact avec la structure de refroidissement 33 à la surface latérale du boîtier 35.
De plus, la partie rigide 16 est agencée sur une surface de fond du boîtier 35.
Comme décrit ci-dessus, selon la présente invention, dans le support intermédiaire utilisant la carte de câblage imprimé flexible rigide, étant donné que le circuit intégré à grande intégration est directement connecté et monté sur le substrat en utilisant la borne de connexion pour le circuit intégré à grande intégration agencée sur la partie flexible, il y a moins de parties de connexion, de telle manière que la fiabilité est améliorée. Selon la présente invention, la liaison externe par conducteur n'est pas nécessaire et le nombre de composants et d'opérations de fabrication est réduit, de telle manière que le coût est réduit.
De plus, selon la présente invention, étant donné que le circuit intégré à grande intégration est connecté directement au substrat, la longueur de fil métallique est réduite, de telle manière que le temps de retard de transmission de signal est réduit.
De plus, lorsque le support intermédiaire est monté sur le substrat en utilisant une fusion de soudage, dans le cas du boîtier support à bandes, si le support intermédiaire est agrandi, il existe un problème en ce qu'une courbure se produit. Selon la présente invention, le support intermédiaire a la rigidité pour fournir la partie rigide, de telle manière que le problème est résolu. Ainsi, il est possible de souder en utilisant la fusion générale et la production en grande série est simple.
De plus, selon la présente invention, étant donné que le support intermédiaire est pourvu de la partie frigide, il y a un avantage en ce que le composant électronique peut être soudé et monte facilement sur le support intermédiaire.
Selon la présente invention, étant donné que le support intermédiaire est flexible, un tracé flexible peut être réalisé. Dans le cas du circuit intégré à grande intégration libérant une grande chaleur, étant donné qu'un agencement peut être réalisé de sorte qu'un refroidissement puisse être exécuté facilement, plus spécifiquement, un effet considérable peut être obtenu.
L'avantage de la présente invention par rapport au module à paillette en céramique va être décrit cidessous.
En tant que module à paillette dans lequel une pluralité de circuits intégrés à grande intégration sont montés sur un support intermédiaire, en général, le substrat en céramique est utilisé comme matériau pour le support intermédiaire. Dans le cas du substrat en céramique, étant donné que le circuit intégré à grande intégration est connecté au support intermédiaire, deux connexions sont nécessaire, telles que la connexion entre une pastille de liaison du circuit intégré à grande intégration et un fil métallique de liaison et la connexion entre le fil métallique de liaison et l'électrode du support intermédiaire. Selon le support intermédiaire de la présente invention, le support intermédiaire peut être connecté au circuit intégré à grande intégration simplement en connectant la pastille de liaison du circuit intégré à grande intégration au conducteur interne par la liaison interne par conducteur (ILB)
Ainsi, la fiabilité est améliorée et, de plus, le temps de transmission de signal entre les circuits intégrés à grande intégration est réduIt, ce qui est adapté pour le traitement à grande vitesse.
Ainsi, la fiabilité est améliorée et, de plus, le temps de transmission de signal entre les circuits intégrés à grande intégration est réduIt, ce qui est adapté pour le traitement à grande vitesse.
De plus, étant donné cue la carte de câblage imprimé est moins coûteuse et plus légère que le substrat en céramique, le module à paillette léger de petite taille présentant de meilleures performances peut être réalisé à bon marché.
L'avantage de la présente invention par rapport au boîtier support à bandes va être décrit ci-dessous.
Bien que le module à paillette et le module utilisant le boîtier support à bandes soient légers et de petite taille, le multicouche est difficile à réaliser.
Selon la présente invention, étant donné que la partie rigide du support intermédiaire est multicouche, le câblage complexe et à haute densité peut être réalisé. Ainsi, comme combinaison des circuits intégrés à grande intégration, il peut y avoir diverses combinaisons telles qu'une pluralité d'EPU combinées les unes aux autres et que l'EPU combinée à la mémoire, etc.
Selon la présente invention, le support intermédiaire comporte la partie rigide ayant la rigidité. Par conséquent, le composant récepteur, tel que le condensateur sous forme de puce, la résistance sous forme de puce, etc., ou, dans certains cas, le circuit intégré à grande intégration sous boîtier (de la mémoire, etc.) peut être facilement monté sur le circuit intégré à grande intégration.
Claims (8)
1. Structure de montage de semi-conducteur comprenant un substrat flexible rigide (10),
dans laquelle une partie flexible est pourvue d'une borne de connexion pour un circuit intégré à semiconducteurs (20), le circuit intégré à semi-conducteurs (20) étant directement connecté et monté sur ladite borne de connexion pour le circuit intégré à semiconducteurs (20).
2. Structure de montage de semi-conducteur selon la revendication 1, dans laquelle ledit circuit intégré à semi-conducteurs (20) est scellé par une résine (23) après le montage dudit circuit intégré à semiconducteurs (20).
3. Structure de montage de semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle une partie rigide (16) dudit substrat flexible rigide (10) est pourvue d'une électrode (19) pour monter un composant électronique et le composant électronique est monté sur ladite borne de connexion pour monter le composant électronique.
4. Structure de montage de semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle une pluralité de circuits intégrés à semiconducteurs (20) sont montés sur ladite partie flexible.
5. Structure de montage de semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle la partie rigide (16) dudit substrat flexible rigide (10) est pourvue d'une borne d'entrée/sortie externe (25) et dans laquelle le circuit intégré à semi-conducteurs (20) est connecté et monté sur le substrat de montage en utilisant ladite borne d'entrée/sortie externe (25).
6. Structure de montage de semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle une partie de montage du circuit intégré à semi-conducteurs (20) de ladite partie flexible est agencée de sorte que la partie de montage intégrée au substrat puisse être contiguë à des moyens de refroidissement et dans laquelle ledit circuit intégré à semi-conducteurs (20) est contigu ou en contact avec lesdits moyens de refroidissement.
7. Structure de montage de semi-conducteur, dans laquelle une carte de câblage flexible rigide pourvue d'une carte de câblage présentant une flexibilité et d'une carte de câblage rigide présentant une rigidité, dans laquelle
une partie saillante formée en prolongeant une couche conductrice (13) comprenant ladite carte de câblage flexible est liée à une électrode (19 > du circuit intégré à semi-conducteurs (20) en tant que conducteur interne (15), de telle manière que ledit circuit intégré à semi-conducteurs (20) est électriquement connecté et fixé à ladite couche conductrice (13).
8. Structure de montage de semi-conducteur selon la revendication 7, dans laquelle au moins une partie de liaison dudit conducteur interne (15) et de ladite pastille (21) est scellée par une résine (23), , et dans laquelle ladite carte de câblage rigide est pourvue d'une électrode (19) pour une entrée/sortie externe.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8115818A JP2910670B2 (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体実装構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2747509A1 true FR2747509A1 (fr) | 1997-10-17 |
FR2747509B1 FR2747509B1 (fr) | 2003-08-01 |
Family
ID=14671870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR9704487A Expired - Lifetime FR2747509B1 (fr) | 1996-04-12 | 1997-04-11 | Structure de montage pour un circuit a semi-conducteur |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5838546A (fr) |
JP (1) | JP2910670B2 (fr) |
CA (1) | CA2202426C (fr) |
FR (1) | FR2747509B1 (fr) |
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