FR2828765A1 - Porte-puce de semiconducteur a systeme de refroidissement et radiateur adapte - Google Patents

Porte-puce de semiconducteur a systeme de refroidissement et radiateur adapte Download PDF

Info

Publication number
FR2828765A1
FR2828765A1 FR0115390A FR0115390A FR2828765A1 FR 2828765 A1 FR2828765 A1 FR 2828765A1 FR 0115390 A FR0115390 A FR 0115390A FR 0115390 A FR0115390 A FR 0115390A FR 2828765 A1 FR2828765 A1 FR 2828765A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
radiator
pins
semiconductor chip
holes
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
FR0115390A
Other languages
English (en)
Inventor
Wen Lo Shieh
Ning Huang
Hui Pin Chen
Hua Wen Chiang
Chung Ming Chang
Feng Chang Tu
Fu Yu Huang
Hsuan Jui Chang
Chia Chieh Hu
Wen Long Leu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orient Semiconductor Electronics Ltd
Original Assignee
Orient Semiconductor Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orient Semiconductor Electronics Ltd filed Critical Orient Semiconductor Electronics Ltd
Publication of FR2828765A1 publication Critical patent/FR2828765A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4093Snap-on arrangements, e.g. clips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/163Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/16315Shape

Abstract

Porte-puce à système de refroidissement, pouvant en particulier rapidement évacuer de la chaleur de la puce de semiconducteur, filtrer le bruit et réduire l'inductance pendant le fonctionnement.

Description

..................................................;.;.....................
.:..:................:.
B01/4874FR
PORTE-PUCE DE SEMICONDUCTEUR A SYSTEME DE REFROIDISSEMENT
ET RADIATEUR ADAPTE
0 La présente invention concerne un porte-puce de semiconducteur
comportant un système de reDroidissement ainsi qu'un radiateur adapté.
Cornme représenté sur la Figure 1, un dispositif de dissipation de chaleur selon la technique antérieure pour puces de semiconducteur est simplement
un radiateur 13' destiné à couvrir une puce 1' de semiconducteur sur un substrat 15'.
Deux bosses métalliques 11' sont disposées sur le substrat 1 5' pour supporter la puce 1' de semiconducteur. Un adhésif 12' conduisant la chaleur est appliqué entre le dessus de la puce 1' de semiconducteur et la face inférieure du radiateur 13'. Le bord inférieur du radiateur 13' est fixé au substrat 15' par un adhésif. La Figure 2 représente un autre dispositif de dissipation de chaleur selon la technique antérieure pour des puces de semiconducteur. Comme représenté, la puce 2' de semiconducteur est tout d'abord connectée au substrat 25' par des fils 21' d'or, enveloppée dans de la résine époxy 24', en appliquant une couche d'a&ésif 22' conducteur de la chaleur par dessus la résine époxy 24', puis le radiateur 23' est fixé sur l'a&ésif 22'
conduisant la chaleur.
La présente invention vise à réaliser un porte-puce de semiconducteur à système de refroidissement présentant un effet de dissipation de
chaleur amélioré, pouvant filtrer le bruit et réduire l' inductance.
Le porte-puce à système de refroidissement selon l'invention comprend un radiateur ayant une section transversale en forne de U à l'envers, formant de ce fait un évidement dans le bas de sa partie intérieure, conçu pour couvrir au moins une puce de semiconducteur. Une pluralité de broches s'étendent vers le bas depuis un bord périphérique inférieur dudit radiateur. Chacune desdites broches comporte un col, une tate plus grosse et une fente ouverte qui sépare en deux
parties ledit col et ladite tête plus grosse.
Ce porte-puce comprend également un substrat comportant une pluralité de trous traversants dont la position et les dimensions permettent de recevoir les broches du radiateur. Le substrat comporte une pluralité de bosses métalliques pour supporter une puce de semiconducteur. Une couche d'a&ésif conduisant la chaleur est avantageusement appliquée sur le semiconducteur. Le radiateur est monté sur le substrat. Les broches s'étendent à travers lesdits trous traversants et ledit évidement en étant fixées sur le dessus de la puce de s emiconducteur à l' aide de l'adhésif conduisant la chaleur. Les têtes plus grosses des broches sont insérées dans
les trous traversants et les cols des broches sont engagés dans les trous traversants.
Dans un mode de réalisation avantageux, le substrat comporte en
s outre un circuit de mise à la terre connecté aux trous traversants.
Dans un mode de réalisation, le porte-puce comporte en outre une carte de circuit imprimé sur le dessus de laquelle se trouvent un circuit électrique et des plots. Le substrat présente sur le dessous des boules d'étain réunies par brasage auxdits plots de la carte de circuit imprimé, et lesdites têtes plus grosses des broches o étant réunies par brasage auxdits plots de la carte de circuit imprimé afin de renforcer
mécaniquement toute la structure et d'accrotre la capacité de dissipation.
Le radiateur selon l'invention peut couvrir au moins une puce de semiconducteur. I1 présente une section transversale en forme de U à l'envers, formant de la sorte un évidement dans le bas de sa partie intérieure, conçu pour couvrir au moins une puce de semiconducteur. Une pluralité de broches s'étendent vers le bas depuis un bord inférieur périphérique du radiateur, chacune desdites broches comportant un col, une tête plus grosse et une fente ouverte séparant en deux
parties ledit col et ladite tête plus grosse. -
L'invention et nombre des avaritages qui s'y attachent appara^tront
facilement plus clairement en référence à la description détaillée ciaprès, faite en
considération des dessins annexés, sur lesquels: la Figure 1 représente un premier dispositif de dissipation de chaleur selon la technique antérieure pour une puce de semiconducteur; la Figure 2 représente un deuxième dispositif de dissipation de 2s chaleur selon la technique antérieure pour une puce de semiconducteur; la Figure 3A est une vue éclatée de la présente invention; la Figure 3B est une vue assemblée de la présente invention; et la Figure 4 représente la connexion entre la présente invention et la
carte de circuit imprimé.
Considérant les dessins et en particulier les figures 3A et 3B de ceux-ci, la présente invention comprend globalement un radiateur 1S et un substrat 14. Le radiateur 15 a une section transversale en forme de U à l'envers, formant de la sorte un évidement 160 dans le bas de la partie intérieure, et une pluralité de broches 151 s'étendant vers le bas depuis -le bord périphérique inférieur du radiateur 15. La broche 151 comporte un col 154, une tête 153 plus grosse et une fente ouverte 152 séparant en deux parties la tête 153 plus grosse et le col 154. Le substrat 14 comporte une pluralité de trous traversants dont la position et les dimensions permettent de recevoir les broches 151 du radiateur 15. Le
substrat 14 comporte un circuit de mise à la terre connecté aux trous traversants 142.
Sur le substrat 14 sont disposées plusieurs bosses métalliques 12 servant à supporter lo la puce 11 de semiconducteur. Une couche d'adhésif 13 conduisant la chaleur est appliquée par-dessus le semiconducteur 11. Le radiateur 15 est monté sur le substrat 14, les broches lS1 s'étendant à travers les trous traversants 142 et l'évidement 160, fixées sur le dessus de la puce 11 de semiconducteur à l'aide de l'adhésif 13 conduisant la chaleur. En même temps, les têtes 153 plus grosses des broches 151 sont introduites dans les trous 142 de façon que le col 154 des broches 151 soit
engagé dans les trous 142 (cf. figures 3A et 3B).
De préférence, le radiateur 15 est en aluminium, en cuivre ou analogue de façon que la chaleur générée par la puce 11 de semiconducteur pendant son fonctionnement soit transtérée dans le radiateur 15, lui-même étant refroidi par de l'air. D'autre part, la chaleur générée par la puce 11 de semiconducteur est transférée vers le circuit 41 de mise à la terre par l'intermédiaire des trous 142. Le
circuit 141 de mise à la terre sert également à filtrer le bruit et à réduire l'inductance.
En outre, comme le radiateur 15 est fixé au substrat 14, le radiateur permet de mâîtriser de façon excellente la pression exercée sur la puce 11 de semiconducteur et la distance entre le radiateur 15 et la puce 11 de semiconducteur est maintenue à une valeur fixe, ce qui assure la fiabilité de la capacité de dissipation selon la présente invention.: Comme représenté sur la Figure 4, le porte-puce 1 peut être connocté à une carte de circuit imprimé sur le dessus de laquelle se trouvent un circuit électrique 21 et des plots 22. Comme représenté, les boules d'étain 143 sur le dessous du porte-puces 1 sont réunies par brasage aux plots 22 de la carte 2 de circuit imprimé. De plus, les têtes 153 plus grosses des broches 151 du radiateur 15 peuvent être réunies par brasage aux plots 22 de la carte de circuit imprimé afin de renforcer
mécaniquement l'ensemble de la structure et d'accroître la capacité de dissipation.

Claims (4)

REVENDICATIONS
1. Radiateur (15) conçu pour couvrir au moins une puce (11) de semiconducteur, caractérisé en ce que ledit radiateur (15) a une section transversale en forme de U à l'envers, formant de la sorte un évidement (160) dans le bas de sa partie intérieure, conçu pour couvrir au moins une puce (11) de semiconducteur, et une pluralité de broches (151) s'étendant vers le bas depuis un bord inférieur périphérique dudit radiateur, chacune desdites broches (151) comportant un col (154), une tête (153) plus grosse et une fente ouverte (152) séparant en deux parties
ledit col (154) et ladite tête (153) plus grosse.
2. Porte-puce (1) à système de reDroidissement, comprenant: un radiateur (15), ledit radiateur ayant une section transversale en forme de U à l'envers formant de ce fait un évidement (160) dans le bas de sa partie intérieure, conçu pour couvrir au moins une puce (11) de semiconducteur, et une pluralité de broches (151) s'étendant vers le bas depuis un bord périphérique inférieur dudit radiateur, chacune desdites broches (151) comportant un col (154), une tête (153) plus grosse et une fente ouverte (152) qui sépare en deux parties ledit col (154) et ladite tête (153) plus grosse; et un subshat comportant une pluralité de trous traversants (142) dont la position et les dimensions permettent de recevoir lesdites broches (151) dudit radiateur (15), ledit substrat (14) comportant une pluralité de bosses métalliques (152) sur celui-ci pour supporter une puce (11) de semiconducteur, une couche d'adhésif (13) conduisant la chaleur étant appliquce par-dessus ledit semiconducteur (11), ledit radiateur (15) étant monté sur ledit substrat (14), lesdites broches (151) s'étendant à travers lesdits trous traversants (142) et ledit évidement (160) étant fixées sur le dessus de ladite puce (11) de semiconducteur à l'aide de l'adhésif (13) conduisant la chaleur, lesdites têtes (l53) plus grosses desdites broches (151) étant insérées dans lesdits trous traversants (142), lesdits cols (154) desdites broches (151)
étant engagés dans lesdits trous traversant (142).
3. Porte-puce (1) à système de retroidissement selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit substrat (14) comporte un circuit de mise
à la terre connecté auxdits trous traversants (142).
4. Porte-puce (1) à système de reDroidissement selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une carte (2) de circuit imprimé sur le 3s dessus de laquelle se trouvent un circuit électrique (21) et des plots (22), ledit s substrat (14) ayant sur le dessous des boules d'étain (143) réunies par brasage auxdits plots (22) de ladite carte (2) de circuit imprimé, et lesdites totes (153) plus grosses desdites broches (151) étant réunies par brasage auxdits plots (22) de la carte (2) de circuit imprimé akin de renforcer mécaniquement toute la structure et d'accroî*e la
FR0115390A 2001-08-16 2001-11-28 Porte-puce de semiconducteur a systeme de refroidissement et radiateur adapte Withdrawn FR2828765A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW090120335A TW511450B (en) 2001-08-16 2001-08-16 Heat dissipation plate with inlay pin and its assembly components

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2828765A1 true FR2828765A1 (fr) 2003-02-21

Family

ID=21679100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0115390A Withdrawn FR2828765A1 (fr) 2001-08-16 2001-11-28 Porte-puce de semiconducteur a systeme de refroidissement et radiateur adapte

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6567270B2 (fr)
JP (1) JP2003068956A (fr)
DE (1) DE10157299A1 (fr)
FR (1) FR2828765A1 (fr)
TW (1) TW511450B (fr)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249607A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
PL364153A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-27 Advanced Digital Broadcast Ltd. Cooling system for the pcb board containing at least one heat generating electronic component
TWI251917B (en) * 2004-09-02 2006-03-21 Advanced Semiconductor Eng Chip package for fixing heat spreader and method for packaging the same
KR100924547B1 (ko) 2007-11-09 2009-11-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 모듈
JP2011082345A (ja) * 2009-10-07 2011-04-21 Panasonic Corp 半導体装置
US9385095B2 (en) 2010-02-26 2016-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3D semiconductor package interposer with die cavity
DE102011056082A1 (de) * 2011-12-06 2013-06-06 Hella Kgaa Hueck & Co. Elektronikmodul
EP2608258A1 (fr) * 2011-12-20 2013-06-26 STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS Paquet
JP6088143B2 (ja) * 2012-02-06 2017-03-01 Kyb株式会社 バスバー
CN103429056A (zh) * 2013-07-26 2013-12-04 昆山维金五金制品有限公司 一种散热片
CN104810328B (zh) 2014-01-28 2018-07-06 台达电子企业管理(上海)有限公司 封装外壳及具有该封装外壳的功率模块
US10026671B2 (en) * 2014-02-14 2018-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
US9768090B2 (en) 2014-02-14 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
US9935090B2 (en) 2014-02-14 2018-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
US10056267B2 (en) 2014-02-14 2018-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
US9653443B2 (en) 2014-02-14 2017-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal performance structure for semiconductor packages and method of forming same
US9892991B2 (en) * 2014-05-29 2018-02-13 Infineon Technologies Ag Connectable package extender for semiconductor device package
US9564416B2 (en) 2015-02-13 2017-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structures and methods of forming the same
WO2017087136A1 (fr) * 2015-11-20 2017-05-26 Laird Technologies, Inc. Protection au niveau de la carte comprenant un dissipateur thermique intégré
WO2018063171A1 (fr) * 2016-09-28 2018-04-05 Intel Corporation Conductivité thermique pour conditionnement de circuit intégré
CN107743023A (zh) * 2017-11-13 2018-02-27 戴承萍 一种谐振器结构和包括这种谐振器结构的滤波器
CN109273415B (zh) * 2018-08-05 2020-03-10 温州职业技术学院 一种晶体管封装结构
WO2021017556A1 (fr) * 2019-07-26 2021-02-04 广东美的制冷设备有限公司 Carte de circuits imprimés, panneau de commande de dispositif de conditionnement d'air à conversion de fréquence et dispositif de conditionnement d'air
US11224134B2 (en) * 2019-11-14 2022-01-11 Eaton Intelligent Power Limited Electronic apparatus, circuit assembly, and associated method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5132875A (en) * 1990-10-29 1992-07-21 Compaq Computer Corporation Removable protective heat sink for electronic components
JPH1056278A (ja) * 1996-08-12 1998-02-24 Taiyo Yuden Co Ltd 高電力型半導体素子の実装構造
JPH11260976A (ja) * 1998-01-22 1999-09-24 Internatl Business Mach Corp <Ibm> コンピュ―タ用ヒ―トシンク装置
US6075699A (en) * 1999-01-29 2000-06-13 Chip Coolers, Inc. Heat sink assembly with snap-in legs

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5241451A (en) * 1992-09-01 1993-08-31 The Whitaker Corporation Modular electronic assemblies using compressible electrical connectors
FR2729045B1 (fr) * 1994-12-29 1997-01-24 Bull Sa Procede et dispositif de fixation de deux elements tels qu'un radiateur de circuit integre a une carte de circuits imprimes
US5730210A (en) * 1997-02-24 1998-03-24 Silicon Integrated Systems Corporation Heat sink having an assembling device
US5883782A (en) * 1997-03-05 1999-03-16 Intel Corporation Apparatus for attaching a heat sink to a PCB mounted semiconductor package
US6191360B1 (en) * 1999-04-26 2001-02-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Thermally enhanced BGA package
US6219239B1 (en) * 1999-05-26 2001-04-17 Hewlett-Packard Company EMI reduction device and assembly

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5132875A (en) * 1990-10-29 1992-07-21 Compaq Computer Corporation Removable protective heat sink for electronic components
JPH1056278A (ja) * 1996-08-12 1998-02-24 Taiyo Yuden Co Ltd 高電力型半導体素子の実装構造
JPH11260976A (ja) * 1998-01-22 1999-09-24 Internatl Business Mach Corp <Ibm> コンピュ―タ用ヒ―トシンク装置
US6075699A (en) * 1999-01-29 2000-06-13 Chip Coolers, Inc. Heat sink assembly with snap-in legs

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 06 30 April 1998 (1998-04-30) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 14 22 December 1999 (1999-12-22) *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003068956A (ja) 2003-03-07
DE10157299A1 (de) 2003-02-27
TW511450B (en) 2002-11-21
US20030035270A1 (en) 2003-02-20
US6567270B2 (en) 2003-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2828765A1 (fr) Porte-puce de semiconducteur a systeme de refroidissement et radiateur adapte
CA1278878C (fr) Procede et dispositif de refroidissement d&#39;un boitier de circuit integre
US5990552A (en) Apparatus for attaching a heat sink to the back side of a flip chip package
CA2074436C (fr) Dissipateur thermique
CA1297595C (fr) Circuit imprime equipe d&#39;un drain thermique
TW445689B (en) Semiconductor laser apparatus
US6646329B2 (en) Power chip scale package
US5289337A (en) Heatspreader for cavity down multi-chip module with flip chip
US6188578B1 (en) Integrated circuit package with multiple heat dissipation paths
US5367193A (en) Low cost, thermally efficient, and surface mountable semiconductor package for a high applied power VLSI die
JPH11233698A (ja) ヒートパイプを備えた半導体パッケージリッド
FR2732544A1 (fr) Dispositif de ventilation pour circuit integre
FR3012670A1 (fr) Systeme electronique comprenant des dispositifs electroniques empiles munis de puces de circuits integres
EP0291400B1 (fr) Module de puissance pour équipements automobiles
EP0000856B1 (fr) Dispositif magnétique de transfert de chaleur pour microplaquette semi-conductrice
FR2736467A1 (fr) Dispositif semiconducteur dissipant la chaleur
FR2956557A1 (fr) Module electronique et ensemble electronique comportant un tel module
FR2518813A1 (fr) Support d&#39;interconnexion d&#39;un boitier de circuit integre sur un circuit imprime et systeme d&#39;interconnexion utilisant un tel support
FR2581250A1 (fr) Appareil et procede pour etablir une liaison thermique entre un boitier de semi-conducteur et la plaque de refroidissement et une liaison electrique entre les conducteurs du boitier, et un panneau de circuit imprime
US6760223B2 (en) Apparatus and method for contacting device with delicate light-transparent pane
FR2795556A1 (fr) Dispositif a semiconducteur et sa structure de montage
EP0425841B1 (fr) Assemblage de composants en électronique de puissance
US20030160320A1 (en) High heat dissipation micro-packaging body for semiconductor chip
FR2571921A1 (fr) Dissipateur de chaleur pour composants electroniques avec substrat en ceramique
FR3129809A1 (fr) Dissipation de chaleur

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse