DE2715850C2 - Verfahren zum Betrieb von ohne äußere Stromzufuhr arbeitenden Verkupferungsbädern - Google Patents

Verfahren zum Betrieb von ohne äußere Stromzufuhr arbeitenden Verkupferungsbädern

Info

Publication number
DE2715850C2
DE2715850C2 DE2715850A DE2715850A DE2715850C2 DE 2715850 C2 DE2715850 C2 DE 2715850C2 DE 2715850 A DE2715850 A DE 2715850A DE 2715850 A DE2715850 A DE 2715850A DE 2715850 C2 DE2715850 C2 DE 2715850C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
copper
bath
ions
bath solution
brought
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2715850A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2715850A1 (de
Inventor
George A. Dipl.-Chem. Locust Valley N.Y. Butter
John F. Dipl.-Chem. Roslyn Heights N.Y. McCormack
John D. Dipl.-Chem. Miller Place N.Y. Williamson
Rudolph J. Dipl.-Chem. Hauppauge N.Y. Zeblisky
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kollmorgen Technologies Corp
Original Assignee
Kollmorgen Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kollmorgen Technologies Corp filed Critical Kollmorgen Technologies Corp
Publication of DE2715850A1 publication Critical patent/DE2715850A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2715850C2 publication Critical patent/DE2715850C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents
    • C23C18/405Formaldehyde
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1617Purification and regeneration of coating baths
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Für die stromlose Abscheidung metallischer Kupferschichten auf den verschiedensten Unterlagen und insbesondere das Betreiben alkalischer Bäder, die die Verkupferung ohne äußere Stromzufuhr ermöglichen, ist es bekannt, daß sich für jedes abgeschiedene Grammäquivalent Kupfer etwa zwei Grammäquivalente Natriumsalz bilden und sich in der Badlösung als unerwünschte Nebenprodukte ansammeln, und zwar in Form von Natriumsulfat und Natriumformiat, wenn beispielsweise von CuSO4 in Verbindung mit NaOH und HCHO ausgegangen wird. Je mehr Kupfer abgeschieden wird, um so stärker reichern sich Nebenprodukte an. Läßt man diesen Prozeß zu weit gehen, so hat der zu hohe Gehalt des Bades an Natriumsalzen einen verheerenden Einfluß auf die Beschaffenheit der abgeschiedenen Kupferschicht, insbesondere auf deren Duktilität. Im gewerblichen, fortlaufenden Badbetrieb hält man die Natriumsalzkonzentration unter Kontrolle, indem man im Laufe eines Arbeitstages, je nach Kupferabscheidungs-Geschwindigkeit, 20 bis 65 Volumenprozent absaugt und das -, Bad selbst durch Nachfüllen mit Wasser und Lösungen der zuvor genannten Badbestandteile wieder auf die gewünschte Konzentration bringt.
Das in der abgesaugten Lösung noch enthaltene Kupfer wird fast vollständig zurückgewonnen; in
in manchen Fällen auch der größte Teil des Komplexbildners. Dennoch verbleibt eine große Menge der abgepumpten Lösung, die vernichtet werden muß, und zwar unter strenger Beachtung der Umweltschutzvorschriften.
Es ist im Zusammenhang mit der automatischen Stabilisierung von Metall abscheidenden Bädern ganz allgemein bereits die Verwendung von wasserunlöslichen Kupferverbindungen bekannt, wobei geringe Mengen an Cyaniden zur Aufrechterhaltvng der Kupferionenkonzentration zugesetzt werden (US-PS 3403035). Die Einstellung einer konstanten Cu2+- Konzentration, wobei als Bodenkörperwasserunlösliches CuO eingesetzt wird, wird in einem weiteren bekannten Verfahren (US-PS 3046159) andeutungsweise beschrieben, wobei dort dir bei der stromlosen Abscheidung verbrauchte Cu-Menge durch Auflösen von CuO nachgeliefert werden kann. Dieses bekannte Verfahren arbeitet jedoch mit sauren Badlösungen, wobei darauf hinzuweisen ist. daß die Anwesenheit
ίο der genannten ungelösten Kupferoxydpartikel in alkalischen Verkupferungsbädern, wie sie für einige Anwendungszwecke von besonderem Vorteil sind, zur Kupferabscheidung auf diesen Partikeln führen würde und damit zu einem Badzerfall.
)5 Im Gegensatz hierzu liegt der vorliegenden Verfahrensweise die Aufgabe zugrunde, das Betreiben von Verkupferungsbädern ohne äußere Stromzufuhr beziehungsweise solchen, die eine Kupferlegierung abscheiden, in alkalischer wäßriger Lösung derart durchführen zu können, daß die Kupferionenkonzentration auf besonders einfache Weise aufrechterhalten werden kann, wobei gleichzeitig neben der Senkung der Betriebskosten und einer umweltfreundlicheren Verfahrensweise eine verbesserte Ausnutzung
ti des Ausgangsmaterials erreicht werden soll.
Die Lösung dieser Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale erfindungsgemäß erreicht.
Vorteilhafte Ausgestaltungen dieser Verfahrensweise ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Abscheidung von Kupfer oder einer Kupferlegierung auf einer katalytischen Oberfläche einer geeigneten Unterlage aus einem stromlos arbeitenden Kupferbad, welches aus einem Kupferion in alkali-
>5 scher Lösung zusammen mit einem Komplexbildner für das Kupferion und einem Reduktionsmittel für die Kupferionen besteht, wird so lange betrieben, bis der Kupfergehalt des Bades wesentlich verringert ist.
Anschließend erfolgt eine Unterbrechung der Kup-
bo ferabscheidung aus dem Bad oder einem wesentlichen Teil dieses Bades, wobei während dieser Unterbrechung die Badflüssigkeit oder ein wesentlicher Teil davon für eine ausreichend lange Zeit mit einer kupferhaltigen Substanz in Verbindung gebracht wird, in welcher salzbildende Komponenten wesentlich geringer sind als das Äquivalent zu einem Äquivalent Kupfer, und das darin enthaltene Kupfer derart beschaffen ist, daß es mit dem in der Badflüssigkeit vorhande-
nen Komplexbildner einen Kupferkomplex bildet und hierdurch in das Bad oder in einen Teil des Bades wieder die erforderliche Kupfermenge eingebracht bzw. ersetzt wird, die zuvor auf der zu verkupfernden Oberfläche abgeschieden wurde, so daß dann die Kupferabscheidung in der mit Kupfer angereicherten Badflüssigkeit fortgesetzt werden kann.
Für die Unterbrechung der Kupferabscheidung können die zu verkupfernden Gegenstände aus dem Bad entfernt werden, oder die Badflüssigkeit oder ein wesentlicher Teil derselben kann aus dem Abscheidungsgefäß abgepumpt werden oder aber die Badtemperatur kann so weit verringert werden, daß der Abscheidungsvorgang zum Erliegen kommt.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, ein Oxydationsmittel, wie Wasserstoffsuperoxyd, zuzusetzen oder Luft durch die Badflüssigkeit zu blasen, dadurch wird das Reduktionsmittel zerstört und der Abscheidungsvorgang unterbrochen. Ais letzte Möglichkeit sei noch erwähnt, daß wie bekannt, bei Zusatz eines Überschusses an Rndstabilisatoren, wie beispielsweise Cyanid oder schwefelhaltiger Verbindungen, der Abscheidungsprozeß unterbrochen wird.
Das vorliegende Verfahren wird für eine bestimmte Gruppe der bisher bekannten, stromlos arbeitenden Bäder angewendet. Zu diesen gehören solche, die neben den Kupferionen einen Komplexbildner und ein Reduktionsmittel für diese Kupferionen sowie ein Alkalihydroxyd enthalten. Als Kupfer enthaltender Bestandteil kann ein beliebiges, anorganisches Kupfersalz, wie z. B. Kupfersulfat, -chlorid, -nitrat oder -azetat. verwendet werden. Unter Verwendung der angegebenen Kupfersalze wird jeweils mit jedem Grammäquivalent Kupfer auch ein Gr^mmäquivalent des salzbildenden Anions in dat, Bad gebracht. Die Kupferkonzentration im Bad kann zw: chen 0,1 g/1 bis zur Sättigung liegen; der bevorzugte Konzentrationsbereich liegt zwischen 0,1 und 5 g/I und besonders gute Resultate werden im Konzentrationsbereich von 2,3-2,55 g/l erzielt.
Als Komplexbildner für Kupferionen sind eine ganze Reihe von Verbindungen geeignet, wobei es erforderlich ist, daß die bei der Anreicherung entstehenden Kupferkomplexe wasserlöslich sind, und daß sie mit den übrigen Badbestandteilen auch während des Abscheidungsprozesses keine Verbindungen bilden, die die Badeigenschaften ungünstig beeinflussen könnten. Zu diesen Verbindungen gehören die Amine, die Polyamine der Alkylalkohole und/oder die Karboxylgruppen und die Alkalimetallsalze dieser Verbindungen. Einer der am häufigsten verwendeten Komplexbildner ist Äthylendiamintetraazetat (EDTA); weiterhin N,N,N\N"-tetrakis(2-hydroxypropyl)äthylendiamin; Nitrilotri-Essigsäure; Hydroäthylendiamintri-Essigsäure; Cyclohexylendiamintetra-Essigsäure; Diäthylentriaminpenta-Essigsäure und deren Mono-, Di-, Tri- etc. Natrium- und Kaliumsalze. Weiterhin ist Natrium-Kaliumtartrat ein sehr häufig verwendeter Komplexbildner.
Die Menge an Komplexbildner, die dem Abscheidungsbad zugesetzt wird, kann zwischen 1-20 Mol pro Grammatom Kupfer in der ursprünglichen Badformulierung liegen. Vorzugsweise wird der Komplexbildner im erheblichen Überschuß in bezug auf den Gehalt an Kupferionen verwendet. Durch einen solchen Überschuß wird sichergestellt, daß stets genügend Komplexbildner zur Verfügung steht, um die Kupfer enthaltende Substanz im Anreichungsschritt in den Κοπή ·χ zu überführen, Bewährt hat sich eine Badzusammensetzung, die 1,5-7 Mol Komplexbildner pro Grammatom Kupfer enthält; beispielsweise im Fall von EDTA 20 bis 30 g/l.
Weiterhin enthalten die konventionellen, stromlosen Metallabscheidungsbäder z. B. eine 37%ige wäßrige Formaldehydlösung in einer Konzentration von 1-100 ml/1. Formaldehyd wird in der Regel gegenüber anderen Reduktionsmitteln, wie Borhydriden, Aminoboranen und dergleichen bevorzugt. Zur Verhinderung der Badzersetzung wird diesem in der Regel eine kleine Menge an Natrium- oder Kaliumcyanid zugesetzt, während zur Einstellung des pH-Wertes zwischen 11 und 14 eine Natriumhydroxydlösung verwendet wird, und außerdem eine Menge von 0,0001-1% eines Netzmittels zugegeben wird, das bei einem pH-Wert zwischen 11 und 14 stabil sein muß.
Beispielsweise wurden gute Resultate mit einem Verkupferungsbad der folgenden Zusammensetzung
jo erzielt:
Dest. oder deionisiertes Wasser 4000 Liter
Wäßrige Lösung von 540 g/I
Na4EDTA 2 H2O 350 Liier
Wäßrige Lösung von 250 g/l
CuSO4O H2O 180 Liter
Natriumcyanid in Wasser gelöst (180 g)
Wäßrige Lösung von 75^> g/I NaOH zur
Einstellung des pH-Wertes auf 11,8 7,5 Liter
jo 20% Netzmittel 6,0 Liter
37% Forrnaldehydlösung 20 Liter
Das Gewichtsverhältnis von Kupferionen : Komplexbildner entspricht in diesem Bad 1 : 10.
Jj Derartige Bäder werden in der Regel bei 65 bis 75' C betrieben. Selbstverständlich findet durch die Kupferabscheidung eine entsprechende Verringerung der Kupferionenkonzentration statt, während gleichzeitig der Überschuß an freiem Komplexbildner
wächst. Zur Fortsetzung der Badarbeit nuß das dem Bad entzogene Kupfer ersetzt werden, wobei ein möglichst ökonomisches und umweltfreundliches Verfahren zur Wiederanreicherung des Abscheidungsbades mit Kupferionen wesentlich ist. Es ist vor-
!5 teilhaft, die Badflüssigkeit mit einer kupferhaltigen Substanz in Kontakt zu bringen, anschließend zu filtrieren und die angereicherte Flüssigkeit entweder ganz oder teilweise dem zur Abscheidung dienenden Bad wieder zuzuführen. Als Anreichert ngssubstan-
w> zen werden kupferbeladene Austauschharze verwendet. Sie enthalten Kupfer, ihr Gehalt a- salzbildendem Anion der Verbindung ist geringer, als er dem Äquivalent an Kupfer entsprechen würde. Weiterhin sind sie in Wasser unlöslich, aber im alkalischen Μεν; dium in der Lage, mit entsprechende! Komplexbildnern, wie beispielsweise EDTA, Komplexe zu bilden. Geeignete Austauschharze können in der Weise hergestellt werden, daß man Säulen aus entsprechenden Austauschharzen mit wäßrigen Losungen von Kupfersalzen beschickt. Anschließend kann man die Badflüssigkeit durch diese Säulen zirkulieren lassen und sie dadurch erneut mit Kupferionen beladen, oder man kann die Austauschharze in die Badflüssigkeit bringen, oder das Austauschharz in einem weiteren, mit dem Abscheidungsbad in Verbindungstehenden Gefäß unterbringen und die Badflüssigkeit durch dieses zirkulieren lassen. Die Badflüssigkeit wird sich dann mit Kupferionen beladen und das Harz wird
Natrium- «kLe Kaliumionen aufnehmen, dadurch wird das Austauschharz gleichzeitig wieder zur erneuten Aufnahme von Kupferionen aus einer Kupferionen enthaltenden Lösung bereit.
Grundsätzlich ist jedes Katimenaustauschhaiv bntuehbar; vorzugsweise werden solche vei»vendet, die bei p! i-Werte.i zwischen 2 und i4 arbeiten Besonders gute Ere?bni ..·: vmden <m' Po'ysiyiol'iarzenerzielt, ganz besonders mii seichen, die cine -SfK"-Gruippe enthalten.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Betrieb von ohne äußere Stromzufuhr arbeitenden Verkupferungsbädern beziehungsweise Bädern, die eine Kupferlegierung abscheiden und die in alkalischer wäßriger Lösung mindestens Kupferionen beziehungsweise diese und Ionen des Legierungsmetalls, einen Komplexbildner für die Kupferionen sowie ein Reduktionsmittel enthalten, bei dem zum Aufrechterhalten der Kupferionenkonzentration die Badlösung von Zeit zu Zeit oder dauernd mit einer Kupferverbindung in Kontakt gebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung ein kupferbeladenes Ionenaustauschharz ist, wobei Kupferionen mit dem in der Badlösung vorhandenen Komplexbildner einen Komplex bildend in Lösung gebracht werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Ionenaustauschharz ein im Bereich von pH 2 bis 14 stabiles Kationenaustauschharz verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Polystyrolharz verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in das Harz zur Chelatbildung geeignete Funktionsgruppen eingebracht werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Badlösung einen Komplexbildner enthält, der aus der Gruppe von Äthylendiamintetraazetat, Hydroxyäthylendiamintetraazetat, Diäthylentriaminpentaazetat, Nitrilotriazetat, Cyclohexylendiamintetraazetat, N,N,N\N"-tetrakis(2-hydroxypropyI)äthylendiamin und gegebenenfalls deren Alkaliinetallsalzen ausgewählt v/ird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der mit der Kupferverbindung in Kontakt gebrachten Badlösung ein Überschuß an Komplexbildner in bezug auf Kupfer zugesetzt wird.
DE2715850A 1976-04-08 1977-04-06 Verfahren zum Betrieb von ohne äußere Stromzufuhr arbeitenden Verkupferungsbädern Expired DE2715850C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US67476676A 1976-04-08 1976-04-08
US69113176A 1976-05-28 1976-05-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2715850A1 DE2715850A1 (de) 1977-10-13
DE2715850C2 true DE2715850C2 (de) 1982-12-02

Family

ID=27101214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2715850A Expired DE2715850C2 (de) 1976-04-08 1977-04-06 Verfahren zum Betrieb von ohne äußere Stromzufuhr arbeitenden Verkupferungsbädern

Country Status (13)

Country Link
JP (1) JPS5932542B2 (de)
AT (1) AT351884B (de)
AU (1) AU509685B2 (de)
CA (1) CA1093911A (de)
CH (1) CH633585A5 (de)
DE (1) DE2715850C2 (de)
DK (1) DK158977A (de)
FR (1) FR2347453A1 (de)
GB (1) GB1529151A (de)
IL (1) IL51772A (de)
IT (1) IT1115850B (de)
NL (1) NL7703878A (de)
SE (1) SE431351B (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6016517B2 (ja) * 1979-12-29 1985-04-25 上村工業株式会社 無電解めつき制御方法
NL8005024A (nl) * 1980-09-05 1982-04-01 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van koperlegeringslagen en -patronen op substraten en de aldus vervaardigde produkten.
JPS599159A (ja) * 1982-07-07 1984-01-18 Kanto Kasei Kogyo Kk 無電解めつき浴の濃度調整方法およびそれに使用する装置
JPS5993863A (ja) * 1982-11-17 1984-05-30 Hitachi Chem Co Ltd 無電解銅めつき液の銅イオン供給方法
GB2134931A (en) * 1982-12-27 1984-08-22 Ibiden Co Ltd Non-electrolytic copper plating for printed circuit board
JPS6118538A (ja) * 1984-07-05 1986-01-27 Kasai Kogyo Co Ltd 自動車用インシユレ−タダツシユ
JPS6116950U (ja) * 1984-07-05 1986-01-31 河西工業株式会社 自動車用インシユレ−タダツシユ
DE3430775A1 (de) * 1984-08-21 1986-03-06 Dr. Alois Stankiewicz GmbH, 3101 Adelheidsdorf Teppichteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
US4668532A (en) * 1984-09-04 1987-05-26 Kollmorgen Technologies Corporation System for selective metallization of electronic interconnection boards
US4770788A (en) * 1985-04-25 1988-09-13 Kollmorgen Technologies Corp. Process for removing metal complexes from waste solutions

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2955944A (en) * 1953-07-03 1960-10-11 Gen Motors Corp Electroless nickel plating bath control
US3046159A (en) * 1957-12-17 1962-07-24 Hughes Aircraft Co Method of copper plating by chemical reduction
US3403035A (en) * 1964-06-24 1968-09-24 Process Res Company Process for stabilizing autocatalytic metal plating solutions

Also Published As

Publication number Publication date
IL51772A0 (en) 1977-05-31
CA1093911A (en) 1981-01-20
IT1115850B (it) 1986-02-10
DK158977A (da) 1977-10-09
FR2347453A1 (fr) 1977-11-04
AU2357377A (en) 1978-09-28
DE2715850A1 (de) 1977-10-13
SE7703989L (sv) 1977-10-09
FR2347453B1 (de) 1981-01-09
NL7703878A (nl) 1977-10-11
JPS52123335A (en) 1977-10-17
ATA245477A (de) 1979-01-15
IL51772A (en) 1979-09-30
CH633585A5 (de) 1982-12-15
JPS5932542B2 (ja) 1984-08-09
AT351884B (de) 1979-08-27
GB1529151A (en) 1978-10-18
SE431351B (sv) 1984-01-30
AU509685B2 (en) 1980-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2049061C3 (de) Alkalisches wäßriges Bad und dessen Verwendung zur stromlosen Verkupferung
EP1413646B2 (de) Verfahren zur stromlosen Abscheidung von Metallen
DE2715850C2 (de) Verfahren zum Betrieb von ohne äußere Stromzufuhr arbeitenden Verkupferungsbädern
CH630057A5 (de) Verfahren zur wiedergewinnung von alkanolaminkomplexbildnern und alkanolaminschwermetallkomplexen aus loesungen.
DE1496916B1 (de) Cyanidfreies,galvanisches Bad und Verfahren zum Abscheiden galvanischer UEberzuege
EP0178347B1 (de) Verfahren zum automatischen Regenerieren von Kupferchlorid-Ätzlösungen
DE2906644A1 (de) Stabilisierte wasserstoffperoxydloesung
DE2912354A1 (de) Waessrige saure chrom-3-elektroplattierungsloesung
EP0152601B1 (de) Wässriges alkalisches Bad zur Chemischen Abscheidung von Kupfer oder Nickel
DE3033961C2 (de) Wäßriges Bad zum anodischen Entfernen von Metallüberzügen von einem davon verschiedenen Grundmetall sowie ein Verfahren zum anodischen Entfernen von Metallüberzügen unter Verwendung dieses Bades
DE60202934T2 (de) Goldkomplex auf der Basis von Hydantoin
EP0240589B1 (de) Verfahren zur Regenerierung eines stromlosen Verkupferungsbades und Vorrichtung zur Durchführung desselben
DE10006128A1 (de) Plattierungsbad mit Sn-Bi-Legierung und Plattierungsverfahren unter Verwendung desselben
DE3345795A1 (de) Elektrolyt zur galvanischen abscheidung niedrigkaraetiger gold-kupfer-zink-legierungen
DE2032867B2 (de) Galvanisches Goldbad und Verfahren zur Abscheidung gleichmäßiger, dicker Goldüberzüge
DE3417416A1 (de) Waessriges saures galvanisches chrom (iii)-bad und ein verfahren zur galvanischen abscheidung von chrom aus diesem bad auf einem substrat
DE69814083T2 (de) Ameisensaeureloesung mit reduziertem korrosionseffekt
DE3143225A1 (de) &#34;stabiles waessriges galvanisches bad zur schnellabscheidung von silberueberzuegen mit spiegelglanz&#34;
DE3502995A1 (de) Citratfreies bad zur galvanischen abscheidung einer goldlegierung sowie ein verfahren zur galvanischen abscheidung einer goldlegierung auf einem substrat unter verwendung dieses bades
AT353071B (de) Cyanidfreies, basisches sulfitbad zur elektrolytischen faellung von gold-zink- legierungen
DE1621307C (de) Reduktives Metallisierungsbad, insbesondere Verkupferungsbad
DE2055251A1 (de) Stabilisierte Peroxo enthaltende Verbindungen und Atzvorgang unter Be nutzung derselben
DE2442935C3 (de) Verfahren zum stromlosen Abscheiden eines Kupferüberzugs
DE1621307B2 (de) Reduktives metallisierungsbad insbesondere verkupferungsbad
EP0239876A1 (de) Bad zum elektrolytischen Abscheiden von Silber-Palladium-Legierungen

Legal Events

Date Code Title Description
D2 Grant after examination
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: PFENNING, J., DIPL.-ING. MEINIG, K., DIPL.-PHYS., PAT.-ANW., 1000 BERLIN

8339 Ceased/non-payment of the annual fee