DE19928075B4 - Speichermodul mit Wärmeableiter - Google Patents

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Abstract

Speichermodul, das aus einer Mehrzahl auf einer Leiterplatte (1) angebrachter gepackter, integrierter Speicherschaltkreise (3) gebildet und mit einem Wärmeableiter (5; 7) ausgestattet ist, der einen solchen U-förmigen Querschnitt mit einer oberen Platte (5A, 7A) und einem Seitenplattenpaar (5B, 7B, 5C, 7C) aufweist, dass das Speichermodul in die U-förmige Ausnehmung des Wärmeableiters eingesetzt ist und dabei die gepackten, integrierten Speicherschaltkreise durch die jeweiligen Seitenplatten abgedeckt sind,
wobei ein thermisch leitendes Material (6; 8) zwischen Wärmeableiter (5; 7) und gepackten Speicherschaltkreisen (3) eingefügt ist und mit dem Wärmeableiter (5; 7) und den gepackten Speicherschaltkreisen (3) in Kontakt steht, wobei das thermisch leitende Material (6; 8) ein thermisch hochleitender Gummi (8), der eine elektrisch isolierende Eigenschaft aufweist, ist, und
der Wärmeableiter (5; 7) aus einem elastischen Material gebildet ist, so dass der Wärmeleiter (5; 7) eine Federeigenschaft aufweist, durch die das Speichermodul, das in den U-förmigen Ausschnitt des Wärmeleiters (5;...

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Speichermodul, das mit einem Wärmeableiter ausgestattet ist.
  • In letzter Zeit hat die Erhöhung der Betriebsgeschwindigkeit und der Speicherkapazität bei Halbleiterspeichern wie einem DRAM (dynamischer Random-Access-Speicher) schnelle Fortschritte gemacht. Bei einer erhöhten Integrationsdichte der Halbleiterspeicher nimmt die erzeugte Wärmemenge der Halbleiterspeicher ICs (integrierte Schaltung) entsprechend zu. Zusätzlich wird die Verkleinerung eines Moduls, in dem mikroelektronische Komponenten einschließlich der Halbleiterspeicher-ICs untergebracht sind, gefordert. Andererseits umfasst ein Speichermodul in einigen Fällen ein IC oder ähnliches, um eine Zeitverzögerung eines Signals, die durch die erhöhte Betriebsgeschwindigkeit von einzelnen DRAMs verursacht wird, zu kompensieren. Als Folge werden auf einer Leiterplatte zusätzlich zu den Halbleiterspeichern-ICs viele ICs und chipartige Schaltungskomponenten angebracht, so dass die Anzahl an Komponenten, die in einem Speichermodul angebracht sind, eine Tendenz zum Ansteigen aufweist.
  • Nun wird mit Bezug auf 1A und 1B, die eine schematische Draufsicht und eine schematische Seitenansicht eines typischen Beispieles eines Speichermoduls nach dem Stand der Technik sind, ein Speichermodul nach dem Stand der Technik beschrieben. Wie in den 1A und 1B gezeigt, wird das Speichermodul generell mit Bezugszeichen 10 bezeichnet und umfasst eine Anzahl eng angeordneter/gepackter Speicher-ICs 3 und eine Mehrzahl chipartiger Kondensatoren 2, die auf jeder Seite einer Leiterplatte 1 angebracht sind. Die Leiterplatte 1 weist eine Reihe Kontaktflächen 4 auf, die zur elektrischen Verbindung mit einem entsprechenden Anschlusssockel entlang einer Längsseitenkante jeder Seite der Leiterplatte 1 vorgesehen sind.
  • Wie man aus den 1A und 1B sieht, sind die Halbleiterspeicher-ICs 3 und die chipartigen Kondensatoren 2 auf jeder Vorderseite der Leiterplatte 1 in nacktem Zustand 1 angebracht, und das Speichermodul 10 wird in einen Schlitz in einem System, wie z. B. einem Personalcomputer, in diesem nackten Zustand eingesetzt. Deshalb wird die Wärme, die in den Speicher-ICs 3 erzeugt wird, nur von der Oberfläche der Speicher-ICs 3 abgestrahlt.
  • Weil die Wärmestrahlung von der Oberfläche der Speicher-ICs nur die Ableitung der in den Speicher-ICs erzeugten Wärme, ist, kann bei dem oben erwähnten Speichermodul nach dem Stand der Technik keine zufrieden stellende Wärmeableitungswirksamkeit erreicht werden. Weil die Wärmeabstrahlungswirksamkeit selbst durch die Form der DRAM-Anordnung beeinflusst wird, begegnet man des weiteren einem neuen Problem darin, dass die Leistung des Speichers wegen der erhöhten Wärme der DRAM, die durch eine erhöhte Integrationsdichte verursacht wird, sinkt.
  • Weil das Speichermodul nach dem Stand der Technik in dem Zustand, dass sich alle Komponenten, die auf dem Modul angebracht sind, in nacktem Zustand befinden, zusammengesetzt wird, besteht außerdem eine hohe Wahrscheinlichkeit, dass die chipartigen Komponenten, wie Kondensatoren und Widerstände, die an einer Randzone der Leiterplatte des Speichermoduls liegen, aufgrund mechanischer Stöße im Verlauf eines Transportes abbrechen oder verloren gehen. Weiterhin wird mit einer erhöhten Leistung der ICs, die auf der Leiterplatte des Speichermoduls angebracht sind, der Pin-Abstand der angeordneten ICs eng, mit der Folge, dass ein weiteres neues Problem auftritt, wie z. B. ein Kurzschließen der Pins des IC, das durch eine äußere Ursache hervorgerufen wird.
  • Abgesehen davon werden die Komponenten einschließlich der Speicher-ICs auf herkömmliche Weise durch Anordnen der Komponenten auf einer Lötpaste, die auf die Leiterplatte gedruckt ist, und Einbringen der Leiterplatte in einem Schmelzofen, so dass die Komponenten auf der Leiterplatte verlötet werden, auf der Leiterplatte angebracht. Bei diesem Prozess wird die Leiterplatte oft verzogen bzw. verwunden, und, wenn die Komponenten auf der verzogenen Leiterplatte angebracht werden, wirkt eine (mechanische) Spannung auf die Leiterplatte, wenn das Speichermodul in einem Schlitz in ein System, wie z. B. einen Personalcomputer, eingesetzt wird, mit dem Ergebnis, dass sich die Komponenten von der Leiterplatte lösen.
  • Die japanische Patentanmeldung Veröffentlichung (vor der Prüfung) JP 07-202 120 A schlägt einen hohen Wärme strahlenden Speicher vor, der konstruiert ist, um effektiv Wärme, die von einem Speicher-IC erzeugt wird, durch Binden der gepackten Speicher-IC auf eine Oberfläche eines Wärme strahlenden Substrates und durch Abdecken der gepackten Speicher-IC und der einen Oberfläche des Wärme strahlenden Substrates Harz abzustrahlen.
  • Dieser Stand der Technik soll die Wärmeabstrahlungswirksamkeit einzelner Speicher-ICs heben, mit dem Ergebnis, dass das Speichermodul, das aus einer Anzahl von auf einer Leiterplatte angebrachten Speicher-ICs, die eine hohe Wärmeabstrahlungswirksamkeit aufweisen, aufgebaut ist, insgesamt eine hohe Wärmeabstrahlungswirksamkeit aufweisen kann. Jedoch werden die einzelnen Speicher-ICs in der Struktur kompliziert und teuer, und deshalb wird das Speichermodul entsprechend teuer. Außerdem kann diese Methode das Problem des Verziehens/Verwindens der Leiterplatte nicht lösen.
  • Aus dem deutschen Gebrauchsmuster DE 94 15 755 U1 ist eine Anordnung bekannt, bei der hochintegrierte Schaltkreise und Kühlkörper formschlüssig miteinander in Kontakt stehen. Als Ausgleich für kleine Höhenunterschiede können Wärme leitende Folien dienen. Die DE 44 10 467 A1 befasst sich mit einer Wärmesenkenanordnung mit einer thermisch leitenden Platte für eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen auf einem Substrat. Als thermische Schnittstellen zwischen der thermisch leitenden Platte und einer Wärmesenke bzw. zwischen den Schaltungschips und der thermisch leitenden Platte wird Indium-Lot bzw. eine Wärmepaste vorgeschlagen. Beiden Anordnungen sind die weiter oben erwähnten Nachteile gemeinsam.
  • Demgemäß ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Speichermodul, an das ein Wärmeableiter angepasst ist, zur Verfügung zu stellen, das die oben erwähnten Probleme des Standes der Technik überwindet, wobei der Wärmeableiter ausgebildet ist, um an ein Speichermodul angepasst zu werden, und der Wärme, die von gepackten Halbleiterspeichern wie DRAMs, die an dem Speichermodul angebracht sind, erzeugt wird, effektiv ableiten kann, und der Komponenten, die auf einer Leiterplatte des Speichermoduls angebracht sind, vor einem mechanischen Stoß schützen kann, und der auch den Grad des Verziehens/Verwindens der Leiterplatte, auf der die gepackten Halbleiterspeicher und die anderen Komponenten angebracht sind, unterscheiden kann.
  • Die obigen und andere Ziele der vorliegenden Erfindung werden in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung durch ein Speichermodul gelöst, das aus einer Mehrzahl auf einer Leiterplatte angebrachter gepackter, integrierter Speicherschaltkreise gebildet und mit einem Wärmeableiter ausgestattet ist, der einen solchen U-förmigen Querschnitt mit einer oberen Platte und einem Seitenplattenpaar aufweist, dass das Speichermodul in die U-förmige Ausnehmung des Wärmeableiters eingesetzt ist und dabei die gepackten, integrierten Speicherschaltkreise durch die jeweiligen Seitenplatten abgedeckt sind, wobei ein thermisch leitendes Material zwischen Wärmeableiter und gepackten Speicherschaltkreisen eingefügt ist und mit dem Wärmeableiter und den gepackten Speicherschaltkreisen in Kontakt steht, wobei das thermisch leitende Material ein thermisch hochleitender Gummi, der eine elektrisch isolierende Eigenschaft aufweist, ist, und der Wärmeableiter aus einem elastischen Material gebildet ist, so dass der Wärmeleiter eine Federeigenschaft aufweist, durch die das Speichermodul, das in den U-förmigen Ausschnitt des Wärmeleiters eingesetzt ist, von dem Wärmeableiter mechanisch und elastisch gehalten wird.
  • Vorzugsweise weist der Wärmeableiter an seiner äußeren Oberfläche eine Anzahl von Wölbungen auf, die eine vergrößerte äußere Oberfläche schaffen.
  • Der Wärmeableiter kann von dem Speichermodul lösbar sein.
  • Vorzugsweise hat der Wärmeableiter eine Länge des Wärmeableiters und eine Tiefe der U-förmigen Ausnehmung, die ausreichend ist, um alle gepackten, integrierten Speicherschaltkreise, die auf der Leiterplatte angebracht sind, abzudecken.
  • Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen deutlich.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1A und 1B sind eine schematische Draufsicht bzw. eine schematische Seitenansicht eines typischen Beispieles eines Speichermoduls nach dem Stand der Technik;
  • 2A und 2B sind eine schematische Draufsicht bzw. ein schematischer Querschnitt einer ersten Ausführungsform des Speichermoduls, das in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung an den Wärmeableiter angepasst ist;
  • 2C ist eine schematische teilweise Schnittansicht entlang der Linie A-A in 2B;
  • 3A und 3B sind eine schematische Draufsicht bzw. ein schematischer Querschnitt einer zweiten Ausführungsform des Speichermoduls, das in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung an den Wärmeableiter angepasst ist; und
  • 3C ist eine schematische teilweise Schnittansicht entlang der Linie B-B in 3B.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Bezug nehmend auf 2A und 2B ist eine schematische Draufsicht bzw. ein schematischer Querschnitt einer ersten Ausführungsform des Speichermoduls, das in den Wärmeableiter in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung eingepasst ist, gezeigt. 2C ist eine schematische teilweise Schnittansicht entlang der Linie A-A in 2B. In den 2A, 2B und 2C sind Elementen, die ähnlich den in 1A und 1B gezeigten sind, die gleichen Bezugszeichen gegeben, und eine Erklärung wird zur Vereinfachung weggelassen.
  • Wie man aus einem Vergleich der 1A und 1B mit den 2A und 2B sieht, ist die erste Ausführungsform dadurch gekennzeichnet, dass das herkömmliche Speichermodul 10 (bestehend aus einer Mehrzahl Speicher-ICs 3 und einer Mehrzahl chipartiger Kondensatoren 2, die auf einer Leiterplatte 1, die eine Anzahl Kontaktflächen 4, die entlang einer Seitenkante der Leiterplatte 1 angeordnet sind, aufweist, angebracht sind) in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung an eine/einen ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 angepasst ist.
  • Diese/dieser ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 hat einen U-förmigen Querschnitt, wie in 2B gezeigt ist. Die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 weist eine obere Platte 5A und ein Paar Seitenplatten 5B und 5C auf, die sich von gegenüberliegenden Längsseiten der oberen Platte 5A vertikal und gerade nach unten erstrecken, so dass sie dazwischen eine U-förmige tiefe Ausnehmung begrenzen. Ein Abstand S zwischen den gegenüberliegenden inneren Oberflächen der Seitenplatten 5B und 5C ist größer als die Stärke T des Speichermoduls 10. Dieser Abstand 11 ist von einem oberen Ende bis zu einem unteren Ende der Seitenplatten 5B und 5C konstant. Die Länge L der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 und die Tiefe D der U-förmigen tiefen Ausnehmung (ein Abstand von einer inneren Oberfläche der oberen Platte 5A zu einer freien Kante des Paares Seitenplatten 5B und 5C) sind ausreichend, um alle gepackten Speicher-ICs und die anderen Komponenten, die auf der Leiterplatte angebracht sind, abzudecken, aber die Kontaktflächen 4 in einem offenen Zustand zu erhalten. In der gezeigten Ausführungsform ist die Länge L der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 länger als ein Abstand von einer linken Kante des am weitesten links angeordneten gepackten Speicher-ICs bis zu einer rechten Kante des am weitesten rechts angeordneten gepackten Speicher-ICs in 2A, aber kürzer als die Länge der Leiterplatte 1, und die Tiefe D ist in dem in 2A gezeigten Zustand etwas länger als ein Abstand von einem oberen Ende der Leiterplatte 1 bis zu einem unteren Ende der gepackten Speicher-ICs.
  • Wie in den 2A und 2B gezeigt ist, weist außerdem wenigstens das Seitenplattenpaar 5B und 5C der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 vorzugsweise eine Anzahl Wölbungen oder schmale Vorsprünge 5D auf, die an ihrer äußeren Oberfläche gebildet sind, um die Fläche der Oberflächen zu vergrößern, um so die Wärmeabstrahlungswirksamkeit zu erhöhen. Aber nicht nur das Seitenplattenpaar 5B und 5C, sondern auch die obere Platte 5A kann eine Anzahl Wölbungen oder schmale Vorsprünge 5D an ihrer äußeren Oberfläche aufweisen.
  • Folglich passt die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 so über das Speichermodul 10, dass das Speichermodul in die U-förmige tiefe Ausnehmung zwischen dem Seitenplattenpaar 5B und 5C eingesetzt wird und alle gepackten Speicher-ICs 3 und die anderen Komponenten 2, die an jeder Seite der Leiterplatte 1 angebracht sind, durch die Seitenplatten 5B und 5C abgedeckt, aber die Kontaktflächen 4 nicht durch die Seitenplatten 5B und 5C abgedeckt sind. In diesem Zustand wird, wie in 2C gezeigt ist, ein thermisch leitendes Material 6, das eine gute thermische Leitfähigkeit und eine elektrisch isolierende Eigenschaft aufweist, in den Raum zwischen der inneren Oberfläche jeder Seitenplatte 5B und 5C und jeder gepackten Speicher-IC 3 gefüllt, so dass die Wärme, die in jeder gepackten Speicher-IC 3 erzeugt wird, über das thermisch leitenden Material 6 zu einer entsprechenden Seitenplatte 5B oder 5C geleitet wird. Weil sich das thermisch leitende Material 6 zwischen den Seitenplatten 5B und 5C der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 und jeder gepackten Speicher-IC 3 befindet, ist die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 von dem Speichermodul lösbar.
  • Wie oben erwähnt, wird die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 in der ersten Ausführungsform über das herkömmliche Speichermodul 10 gepasst, wobei das thermisch leitende Material, zwischen die/den ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 und die gepackten Speicher-ICs 3 gefüllt wird. Bei dieser Anordnung wird die Wärme, die in jedem gepackten Speicher-IC 3 erzeugt wird, über das thermisch leitende Material 6 zu der/dem ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 geleitet, und die Wärme wird von der Oberfläche der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 abgestrahlt. Weil die äußere Oberfläche der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 merklich größer ist als die gesamten äußeren Oberflächen aller gepackten Speicher-IC 3, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, kann die Wärme, die in den gepackten Speicher-ICs 3 erzeugt wird, effektiver von der/dem ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 abgeleitet werden als bei dem herkömmlichen Speichermodul 10, das in 1A und 1B gezeigt ist. Selbst wenn die äußere Oberfläche der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 keine Wölbungen 5D hat, brauchen hier, wenn die äußere Oberfläche der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 merklich größer als die gesamte Oberfläche aller gepackter Speicher-IC 3, die auf der Leiterplatte angebracht sind, ist, die Wölbungen 5D nicht notwendigerweise an der äußeren Oberfläche der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 vorgesehen zu sein. Es ist jedoch besonders bevorzugt, dass die Wölbungen 5D an der äußeren Oberfläche der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 vorgesehen sind, weil es möglich ist, die äußere Oberfläche der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 weiter zu erhöhen.
  • Weil alle gepackten Speicher-IC 3 und die anderen Komponenten 2, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, von der/dem ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 abgedeckt sind, sind die chipartigen Komponenten, wie Kondensatoren und Widerstände, die an einer Randzone der Leiterplatte 1 liegen, des Weiteren vor einem mechanischen Stoß geschützt und deshalb besteht keine Möglichkeit, dass die chipartigen Komponenten, die an der Randzone der Leiterplatte des Speichermoduls liegen, im Verlauf eines Transportes abgebrochen werden oder verloren gehen.
  • Wie oben erwähnt ist, wird die Leiterplatte zusätzlich oft verzogen bzw. verbogen, wenn die Komponenten einschließlich der Speicher-ICs an der Leiterplatte durch Schmelzen der Lötpaste, die auf die Leiterplatte gedruckt ist, angebracht werden. Wenn das Verziehen der Leiterplatte eine bestimmte Grenze übersteigt, kann die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 nicht mehr über das Speichermodul 10 gepasst werden. Deshalb ist es möglich, den Grad des Verziehens der Leiterplatte danach zu unterscheiden, ob die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 über das Speichermodul 10 passen kann oder nicht. Demgemäß ist es möglich zu verhindern, dass die Komponenten von der Leiterplatte abgelöst werden, was durch Einsetzen der Leiterplatte, die ein Verziehen aufweist, das die Grenze überschreitet, in einen Schlitz innerhalb eines Systems, wie einem Personalcomputer, verursacht werden würde.
  • In dieser ersten Ausführungsform ist es ausreichend, wenn die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 eine gute thermische Leitfähigkeit und eine mechanische Festigkeit aufweist, die ausreichend ist, um die Komponenten 2 und 3, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, vor einem mechanischen Stoß zu schützen. Demgemäß kann die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 aus Metall oder Keramik gebildet sein.
  • Bezug nehmend auf 3A und 3B ist eine schematische Draufsicht bzw. ein schematischer Querschnitt einer zweiten Ausführungsform des Speichermoduls, das in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung an den Wärmeableiter gepasst ist, gezeigt. 3C ist eine schematische teilweise Schnittansicht entlang der Linie B-B in 3B. In 3A, 3B und 3C sind den Elementen, die den in 2A, 2B und 2C gezeigten ähnlich sind, die gleichen Bezugszeichen gegeben, und eine Erklärung wird zur Vereinfachung weggelassen.
  • Wie man aus einem Vergleich zwischen den 3A, 3B und 3C sowie den 2A, 2B und 2C sieht, unterscheidet sich die zweite Ausführungsform von der ersten Ausführungsform darin, dass die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 und das thermisch leitende Material 6 der ersten Ausführungsform eine/ein klemmartige/r ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 bzw. ein thermisch hochleitendes Gummi 8, das eine elektrisch isolierende Eigenschaft hat, sind.
  • Die/der klemmartige ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 ist aus einem elastischen Material z. B. Metall oder Keramik, das eine Federeigenschaft aufweist, gebildet und hat einen deformierten U-förmigen Querschnitt, wie in 3B gezeigt ist. Genauer hat die/der klemmartige ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 eine obere Platte 7A und ein Paar Seitenplatten 7B und 7C, die sich von gegenüberliegenden Längsseiten der oberen Platte 5A nach unten erstrecken, um sich von der oberen Platte 7A zuerst über einen kurzen Abstand leicht nach innen zu erstrecken und sich dann vertikal und gerade zu erstrecken, um so dazwischen eine deformierte U-förmige tiefe Ausnehmung zu begrenzen und eine Klemm-Funktion zwischen dem Paar Seitenplatten 7B und 7C aufzuweisen.
  • Ähnlich der ersten Ausführungsform hat zusätzlich wenigstens das Paar Seitenplatten 7B und 7C der/des klemmartigen ”Abdeckung und Wärmeableiters” 7 vorzugsweise eine Anzahl Wölbungen oder schmale Vorsprünge 7D, die an ihrer äußeren Oberfläche ausgebildet sind, um eine vergrößerte Oberfläche zu haben, um die Wärmeabstrahlungswirksamkeit zu erhöhen. Aber nicht nur das Paar Seitenplatten 7B und 7C, sondern auch die obere Platte 7A kann eine Anzahl von Wölbungen oder schmalen Vorsprüngen 7D an ihrer äußeren Oberfläche aufweisen.
  • Ähnlich der ersten Ausführungsform ist ein Abstand S zwischen gegenüberliegenden inneren Oberflächen eines vertikalen geraden Abschnittes der Seitenplatten 7B und 7C größer als die Stärke T des Speichermoduls 10. Eine Länge L der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters” 5 und eine Tiefe D der tiefen Ausnehmung (ein Abstand von einer inneren Oberfläche der oberen Platte 7A bis zu einer freien Kante des Seitenplattenpaars 7B und 7C) sind ausreichend, um alle gepackten Speicher-ICs und die anderen Komponenten, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, abzudecken, aber die Kontaktflächen 4 in einem freien Zustand zu erhalten. Zusätzlich weist der vertikale gerade Abschnitt jeder Seitenplatte 7B und 7C eine Größe auf, die ausreichend ist, um alle gepackten Speicher-ICs und die anderen Komponenten, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, abzudecken, wie in 3B gezeigt ist.
  • Folglich wird die/der klemmartige ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 auf solche Art und Weise über das Speichermodul 10 gepasst, dass das Speichermodul 10 in die tiefe Ausnehmung zwischen dem Seitenplattenpaar 7B und 7C eingefügt wird und dass alle gepackten Speicher-ICs 3 und die anderen Komponenten 2, die auf jeder Seite der Leiterplatte angebracht sind, durch die Seitenplatten 7B und 7C abgedeckt sind und zwischen den Seitenplatten 7B und 7C gehalten werden, wobei der thermisch hochleitende Gummi 8 zwischen der inneren Oberfläche jeder Seitenplatte 7B und 7C und jeder gepackten Speicher-IC 3 eingesetzt ist. Die Kontaktflächen 4 werden jedoch nicht durch die Seitenplatten 7B und 7C abgedeckt.
  • Bei dieser zweiten Ausführungsform kann die Verbindung zwischen der/dem klemmartigen ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 und den gepackten Speicher-ICs 3 im Vergleich zur ersten Ausführungsform verstärkt werden, weil die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 durch die/den klemmartige/n ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 ersetzt ist, die/der aus elastischem Material gebildet ist, wobei der thermisch hochleitende Gummi 8 zwischen die Seitenplatten 7B und 7C und die gepackten Speicher-ICs 3 eingesetzt ist. Deshalb kann die Wärme, die in jedem gepackten Speicher-IC 3 erzeugt wird, über den thermisch hochleitenden Gummi 8 effektiver zu der/dem klemmartigen ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 geleitet werden, so dass die Wärme von der Oberfläche der/des klemmartigen ”Abdeckung und Wärmeableiters” 7 abgestrahlt wird.
  • Ähnlich der ersten Ausführungsform kann die Wärme, die in den gepackten Speicher-ICs 3 erzeugt wird, effektiver von der/dem klemmartigen ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 abgeleitet werden als von dem herkömmlichen Speichermodul 10, das in 1A und 1B gezeigt ist, weil die äußere Oberfläche der/des klemmartigen ”Abdeckung und Wärmeableiters” 7 merklich größer ist als die gesamte äußere Oberfläche aller gepackten Speicher-IC 3, die auf der Leiterplatte angebracht sind. Zusätzlich kann, die Wärme, die in den Speicher-ICs 3 erzeugt wird, effektiver abgeleitet werden als bei der/dem ”Abdeckung und Wärmeableiter” 5 der ersten Ausführungsform, weil die Verbindung zwischen der/dem klemmartigen ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 und den gepackten Speicher-ICs 3 verglichen mit der ersten Ausführungsform erhöht werden kann.
  • Weil das Speichermodul 10 durch die/den klemmartige/n ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 gehalten wird, wobei eine abgemessene Kraft, von der elastischen Eigenschaft der/des klemmartigen ”Abdeckung und Wärmeableiters” 7 ausgeübt wird, wird außerdem im Vergleich zu herkömmlichen Ausführungsformen die Möglichkeit, dass die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” von dem Speichermodul 10 abfällt, merklich geringer.
  • Ähnlich zu der ersten Ausführungsform werden außerdem die chipartigen Komponenten wie z. B. Kondensatoren und Widerstände, die an einer Randzone der Leiterplatte 1 liegen, vor einem mechanischen Stoß geschützt, weil alle gepackten Speicher-ICs 3 und die anderen Komponenten 2, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, mit der/dem klemmartigen ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 abgedeckt sind, und deshalb besteht keine Möglichkeit, dass die chipartigen Komponenten, die an der Randzone der Leiterplatte des Speichermoduls angeordnet sind, im Verlauf eines Transports abgebrochen werden oder verloren gehen.
  • Wie oben erwähnt ist, wird die Leiterplatte außerdem oft verzogen, wenn die Komponenten einschließlich der Speicher-ICs durch Schmelzen der Lötpaste, die auf die Leiterplatte gedruckt ist, auf der Leiterplatte angebracht werden. Wenn das Verziehen der Leiterplatte eine bestimmte Grenze übersteigt, kann die/der klemmartige ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 nicht mehr über das Speichermodul 10 gepasst werden. Deshalb ist es ähnlich zu der ersten Ausführungsform möglich, den Grad des Verziehens der Leiterplatte danach zu unterscheiden, ob die/der klemmartige ”Abdeckung und Wärmeableiter” 7 über das Speichermodul 10 gepasst werden kann. Demgemäß ist es möglich, die Komponenten vor einem Ablösen von der Leiterplatte zu schützen, was durch Einsetzen der Leiterplatte, deren Verziehen die Grenze überschreitet, in einen Schlitz innerhalb eines Systems, wie z. B. einem Personalcomputer, verursacht werden würde.
  • Wie man aus dem Obigen sieht, hat das Speichermodul, das an den Wärmeableiter in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung angepasst ist, die folgenden Vorteile: Ein erster Vorteil ist, dass die Wärme, die in den gepackten Speicher-ICs und vorzugsweise den anderen Komponenten, die in dem Speichermodul angebracht sind, erzeugt wird, effektiver abgeleitet werden kann. Der Grund dafür ist, dass, weil die Wärme erzeugenden Körper wie die gepackten Speicher-ICs mit der/dem ”Abdeckung und Wärmeableiter” über den thermisch hochleitenden Gummi in einer guten Wärme leitenden Beziehung verbunden sind, die Wärme, die in den Wärme erzeugenden Körpern erzeugt wird, effektiv zu der/dem ”Abdeckung und Wärmeableiter” geleitet wird und weiter effektiv von der Oberfläche der/des ”Abdeckung und Wärmeableiters”, die/der eine große Oberfläche hat, abgeleitet wird.
  • Ein zweiter Vorteil ist, dass die Komponenten, die auf der Leiterplatte angebracht sind, vor mechanischem Stoß geschützt sind, weil alle Komponenten, die auf der Leiterplatte angebracht sind, mit der/dem ”Abdeckung und Wärmeableiter” abgedeckt sind, der eine ausreichende mechanische Festigkeit hat, um die Komponenten, die auf der Leiterplatte angebracht sind, vor mechanischen Stößen zu schützen, abgedeckt werden, mit dem Ergebnis, dass eine von außen ausgeübte Kraft nicht auf die Komponenten, die auf der Leiterplatte befestigt sind, ausgeübt wird.
  • Ein dritter Vorteil ist, dass es möglich ist, zu unterscheiden, ob der Grad des Verziehens der Leiterplatte eine erlaubte Grenze überschreitet oder nicht. Weil die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” nicht mehr über das Speichermodul gepasst werden kann, wenn das Verziehen der Leiterplatte (das wegen der Wärme und anderer Ursachen auftritt, wenn die Komponenten einschließlich der Speicher-ICs auf der Leiterplatte angebracht werden) eine bestimmte Grenze übersteigt. Durch Ausführen eines elektrischen Tests für das Speichermodul, das an die/dem ”Abdeckung und Wärmeableiter” angepasst ist, ist es außerdem möglich, zu erkennen, ob sich die Komponenten, die auf der Leiterplatte angebracht sind, von der Leiterplatte lösen oder nicht, selbst wenn die/der ”Abdeckung und Wärmeableiter” über das Speichermodul, das ein leichtes Verziehen aufweist, gepasst werden kann. Deshalb ist es möglich, ein Ausliefern eines defekten Speichermoduls an den Markt zu verhindern.
  • Die Erfindung ist somit mit Bezug auf die spezifischen Ausführungsformen gezeigt und beschrieben worden. Jedoch wird darauf hingewiesen, dass die vorliegende Erfindung in keiner Weise auf die Details der gezeigten Strukturen begrenzt ist, sondern innerhalb des Schutzbereiches der beigefügten Ansprüche Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können.

Claims (4)

  1. Speichermodul, das aus einer Mehrzahl auf einer Leiterplatte (1) angebrachter gepackter, integrierter Speicherschaltkreise (3) gebildet und mit einem Wärmeableiter (5; 7) ausgestattet ist, der einen solchen U-förmigen Querschnitt mit einer oberen Platte (5A, 7A) und einem Seitenplattenpaar (5B, 7B, 5C, 7C) aufweist, dass das Speichermodul in die U-förmige Ausnehmung des Wärmeableiters eingesetzt ist und dabei die gepackten, integrierten Speicherschaltkreise durch die jeweiligen Seitenplatten abgedeckt sind, wobei ein thermisch leitendes Material (6; 8) zwischen Wärmeableiter (5; 7) und gepackten Speicherschaltkreisen (3) eingefügt ist und mit dem Wärmeableiter (5; 7) und den gepackten Speicherschaltkreisen (3) in Kontakt steht, wobei das thermisch leitende Material (6; 8) ein thermisch hochleitender Gummi (8), der eine elektrisch isolierende Eigenschaft aufweist, ist, und der Wärmeableiter (5; 7) aus einem elastischen Material gebildet ist, so dass der Wärmeleiter (5; 7) eine Federeigenschaft aufweist, durch die das Speichermodul, das in den U-förmigen Ausschnitt des Wärmeleiters (5; 7) eingesetzt ist, von dem Wärmeableiter (5; 7) mechanisch und elastisch gehalten wird.
  2. Speichermodul nach Anspruch 1, wobei der Wärmeableiter (5; 7) an seiner äußeren Oberfläche eine Anzahl Wölbungen zur Bildung einer vergrößerten Fläche aufweist.
  3. Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei der Wärmeableiter (5; 7) von dem Speichermodul lösbar ist.
  4. Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Wärmeableiter (5; 7) eine Länge des Wärmeableiters (5; 7) und eine Tiefe der U-förmigen Ausnehmung aufweist, die ausreichend sind, um alle gepackten, integrierten Speicherschaltkreise (3), die auf einer Leiterplatte (1) angebracht sind, abzudecken.
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