KR100297226B1 - 방열체 및 이 방열체를 구비한 메모리 모듈 - Google Patents

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Abstract

메모리 모듈(10)은 U자형의 단면을 갖는 '커버 및 방열체'(5)를 구비하며, 이 메모리 모듈(10)은 '커버 및 방열체'(5)의 U자형 깊은 리세스 내로 삽입되고 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC(3) 및 다른 부품들(2)은 '커버 및 방열체'(5)에 의해 커버되고 '커버 및 방열체'(5)와 패키지된 메모리 IC(3) 사이에는 실리콘 그리스(6)가 충전된다. 패키지된 각 메모리 IC(3)에서 발생된 열은 실리콘 그리스(6)를 통해 '커버 및 방열체'(5)로 전달되어 대면적을 갖는 '커버 및 방열체'(5)의 표면으로부터 열이 방출된다. 또한, 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 모든 부품(2 및 3)은 '커버 및 방열체'(5)에 의해 커버되기 때문에, 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 부품(2 및 3)은 기계적인 충격으로부터 보호된다. 더욱이, 인쇄 회로 기판(1)의 휘어짐 정도가 허용가능한 한계를 초과하는 지의 여부를 판별할 수 있다. 이 때문에 인쇄 회로 기판(1)의 휘어짐이 일정 한계를 초과하면, 메모리 모듈은 '커버 및 방열체'(5)의 U자형의 깊은 리세스 내에 삽입될 수 없다.

Description

방열체 및 이 방열체를 구비한 메모리 모듈{HEAT SINK AND MEMORY MODULE WITH HEAT SINK}
본 발명은 메모리 모듈에 결합되도록 구성된 방열체 및 방열체를 구비한 메모리 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인쇄 회로 기판 상에 주로 장착되는 다수의 DRAM(다이나믹 랜덤 액세스 메모리)으로 구성된 메모리 모듈에 결합되도록 구성된 방열체 및 방열체를 구비한 메모리 모듈에 관한 것이다.
최근, DRAM 등의 반도체 메모리에서의 동작 속도 및 기억 용량의 증가가 급속히 진전되고 있다. 반도체 메모리의 집적 밀도가 증가함에 따라, 이에 상응하게 반도체 메모리 IC(집적 회로)의 발열량도 증가하게 된다. 또한, 반도체 메모리 IC를 포함한 초소형 전자 부품을 수용하는 모듈의 소형화도 요구되어 지고 있다. 반면에, 메모리 모듈이 개개 DRAM의 동작 속도의 증가에 따른 신호의 시간 지연을 보상하기 위한 IC 등을 포함하는 경우도 있다. 그 결과, 인쇄 회로 기판 상에는 반도체 메모리 IC 이외에도 다수의 IC 및 칩 형태의 회로 부품들이 장착되어, 메모리 모듈에 장착되는 부품수도 증가하는 경향에 있다.
지금부터, 종래 기술 메모리 모듈의 전형적인 한 예를 평면 및 측면으로 도시한 도 1a 및 도 1b를 참조하면서 종래 기술의 메모리 모듈에 대해 기술하기로 한다. 도 1a 및 도 1b에서 도시된 바와 같이, 메모리 모듈은 전체적으로 참조 부호(10)로 표시되어 있고, 인쇄 회로 기판(1)의 각 면 상에 장착된 패키지된 다수의 메모리 IC(3) 및 다수의 칩 형태의 캐패시터(2)를 포함한다. 인쇄 회로 기판(1)은 적절한 결합(mating) 소켓과의 전기적 접속을 위해 인쇄 회로 기판(1)의각 면의 장변을 따라 제공된 접촉 패드(4) 어레이를 구비한다.
도 1a 및 도 1b에서 도시된 바와 같이, 반도체 메모리 IC(3) 및 칩 형태의 캐패시터(2)는 인쇄 회로 기판(1)의 각 면 상에 노출 상태로 장착되어 있고, 메모리 모듈(10)은 퍼스널 컴퓨터 등의 시스템 내의 슬롯 내에 이와 같은 노출 상태로 삽입되어 있다. 그러므로, 메모리 IC(3)에서 발생된 열은 메모리 IC(3)의 표면으로부터만 방출된다.
상술된 바와 같은 종래 기술의 메모리 모듈에서는, 메모리 IC(3)로부터의 열 방출은 단지 메모리 IC에서 발생된 열만을 소산시키므로, 만족스러운 방열 효율을 얻을 수 없었다. 또한, 방열 효율 자체가 DRAM 패키지의 형상에 영향을 받기 때문에, 집적 밀도의 증가에 따른 DRAM의 발열 증가로 인해 메모리의 성능이 떨어지는 새로운 문제에 봉착하게 된다.
또한, 종래 기술의 메모리 모듈은 모듈 상에 장착된 모든 부품들이 노출된 상태로 조립되어지므로, 메모리 모듈의 인쇄 회로 기판의 주변 영역에 위치한 캐패시터와 저항 등의 칩 형태의 부품들은 이송 중에 기계적인 충격에 의해 파손되거나 상실될 가능성이 높다. 게다가, 메모리 모듈의 인쇄 회로 기판 상에 장착된 IC의 성능이 증가함에 따라, 패키지된 IC의 핀 피치가 협소해져 외부 원인에 의한 IC의 핀 간에서의 단락 등의 다른 새로운 문제가 발생한다.
그 외에도, 메모리 IC를 포함하는 부품들은 통상적으로 인쇄 회로 기판 상에 인쇄된 납땜 페이스트 상에 부품들을 위치시키고, 인쇄 회로 기판을 리플로우 오븐 내에 위치시켜 이들 부품들을 인쇄 회로 기판 상에 납땜시킴으로써 인쇄 회로 기판상에 장착되어진다. 이러한 공정 중에, 인쇄 회로 기판이 종종 휘어지게 되어, 휘어진 인쇄 회로 기판 상에 부품들이 장착되면 퍼스널 컴퓨터 등의 시스템 내의 슬롯 내에 메모리 모듈을 삽입할 때 인쇄 회로 기판에 응력이 작용하게 되어 인쇄 회로 기판에서 부품들이 떨어지게 된다.
일본 특허 출원 공개 공보 JP-A-07-202120호(JP-A-07-202120의 영문 초록을 얻을 수 있으며 영문 초록의 내용을 본원에서 참고 자료로서 전부 인용하기로 함)에서는 방열 기판의 한면에 패키지된 메모리 IC를 결합시키고 패키지된 메모리 IC 및 방열 기판의 한면을 수지로 커버함으로써 메모리 IC로부터 발생된 열을 효율적으로 방출시키도록 구성된 고 방열 메모리에 대해 개시되어 있다.
이러한 종래 기술에서는 개개의 메모리 IC의 방열 효율을 증가시키도록 구성한 결과, 인쇄 회로 기판 상에 장착된 고 방열 효율을 갖는 다수의 메모리 IC로 구성된 메모리 모듈은 전체적으로 높은 방열 효율을 나타내었다. 그러나, 개개 메모리 IC의 구조가 복잡해지고 고가로 되어, 메모리 모듈도 이에 따라 고가로 되었다. 또한, 이러한 방법은 인쇄 회로 기판의 휘어짐 문제점을 해결하지는 못했다.
따라서, 본 발명의 목적은 상술된 종래 기술에서의 단점을 극복할 수 있는 메모리 모듈에 결합되도록 구성된 방열체 및 방열체를 구비한 메모리 모듈을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 메모리 모듈에 결합되도록 구성되고 메모리 모듈 상에 장착된 DRAM 등의 패키지된 반도체 메모리로부터 발생된 열을 효율적으로 소산시킬 수 있으며, 메모리 모듈의 인쇄 회로 기판 상에 장착된 부품들을 기계적 충격으로부터 보호할 수 있고, 또한 패키지된 반도체 메모리 및 다른 부품들이 장착되어 있는 인쇄 회로 기판의 휘어짐 정도를 판별할 수 있는 방열체를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상술된 방열체를 구비한 메모리 모듈을 제공하는 데 있다.
본 발명의 상기 목적 및 그 외 목적은 인쇄 회로 기판 상에 장착된 패키지된 다수의 메모리 집적 회로로 이루어진 메모리 모듈 상에 결합되도록 구성된 방열체에 의한 본 발명에 따라 달성되고, 상기 방열체는 U자형의 단면을 가지며, 상기 메모리 모듈은 방열체와 인쇄 회로 기판 상에 장착된 패키지된 메모리 집적 회로 사이에 열전도성 물질이 삽입되어 방열체 및 패키지된 메모리 집적 회로와 접촉된 상태로 방열체의 U자형 리세스에 삽입될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 열전도성 물질은 고 열전도성 부재이고, 방열체는 클립 기능을 갖는 탄성 물질로 형성되어, 메모리 모듈이 고 열전도성 부재를 통해 방열체 의해 기계적으로 보유된다. 방열체는 그 외면 상에 다수의 요철부를 가져 외면적을 증가시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 양상에 따르면, 인쇄 회로 기판 상에 장착된 패키지된 다수의 집적 회로로 이루어지고, U자형의 단면을 갖는 방열체를 구비한 메모리 모듈이 제공되고, 상기 메모리 모듈은 방열체와 인쇄 회로 기판 상에 장착된 패키지된 메모리 집적 회로 사이에 열전도성 물질을 삽입시켜 방열체 및 패키지된 메모리 집적회로와 접촉된 상태로 방열체의 U자형 리세스에 삽입될 수 있다. .
본 발명의 일 실시예에 따르면, 열전도성 물질은 고 열전도성 부재이고, 방열체는 클립 기능을 갖는 탄성 물질로 형성되어, 메모리 모듈이 고 열전도성 부재를 통해 방열체 의해 기계적으로 보유된다. 열전도성 부재는 전기적으로 절연 특성을 갖는 고 열전도성 고무이고, 방열체는 그 외면 상에 다수의 요철부를 구비하여 외면적을 증가시키는 것이 바람직하다.
방열체는 메모리 모듈에서 분리될 수 있다. 다른 실시예에서는, 열전도성 물질은 실리콘 그리스이다.
방열체는 인쇄 회로 기판 상에 장착된 패키지된 다수의 집적 회로 모두를 커버하기에 충분한 방열체 길이와 U자형 리세스의 깊이를 갖는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 상기 목적, 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조하면서 기술한 이하의 본발명의 바람직한 실시예로부터 명백해 질 것이다.
도 1a 및 1b는 종래 기술의 메모리 모듈의 전형적인 일례의 개략적인 평면도 및 측면도.
도 2a 및 2b는 본 발명에 따른 방열체룰 구비한 메모리 모듈의 제1 실시예에 대한 개략적인 평면도 및 단면도.
도 2c는 도 2b의 라인 A-A을 따라 절취한 개략적인 부분 단면도.
도 3a 및 3b는 본 발명에 따른 방열체를 구비한 메모리 모듈의 제2 실시예에 대한 개략적인 평면도 및 단면도.
도 3c는 도 3b의 라인 B-B를 따라 절취한 개략적인 부분 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 인쇄 회로 기판
2 : 칩 캐패시터
3 : 메모리 IC
5 : 커버 및 방열체
6 : 실리콘 그리스
도 2a 및 도 2b를 참조해 보면, 본 발명에 따른 방열체를 구비한 메모리 모듈의 제1 실시예에 대해 평면 및 단면을 개략적으로 도시하고 있다. 도 2c는 도 2b의 라인 A-A을 따라 절취한 개략적인 부분 단면도이다. 도 2a, 2b 및 2c에서는, 도 1a 및 1c에서 도시된 소자와 동일 소자에 대해서는 동일 참조 부호를 병기하여 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 1a 및 도 1b와, 도 2a 및 도 2b의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1실시예에 있어서는 종래의 메모리 모듈(10)(인쇄 회로 기판(1)의 한변을 따라 위치되는 다수의 접촉 패드(4)를 갖는 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 다수의 메모리 IC(3)와 다수의 칩 형태의 캐패시터(2)로 구성됨)이 본 발명에 따른 '커버 및 방열체'(5)를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 '커버 및 방열체'(5)는 도 2b에서 도시된 바와 같은 U자형 단면을 갖는다. 즉, '커버 및 방열체'(5)는 상판(5A)과, U자형의 깊은 리세스가 사이에 형성되도록 상판(5A)의 대향하는 세로변으로부터 수직으로 직선 하향 연장하는 한 쌍의 측판(5B 및 5C)을 구비한다. 측판(5B 및 5C)의 대향하는 내면 간의 간격 S는 메모리 모듈(10)의 두께 T 이상이다. 이 간격 S는 측판(5B 및 5C)의 상부단에서 하부단까지 일정하다. '커버 및 방열체'(5)의 길이 L과 U자형의 깊은 리세스의 깊이 D(상판(5A)의 내면에서 한 쌍의 측판(5B 및 5C)의 프리 엣지까지의 거리)는 접촉 패드(4)를 노출된 상태로 유지시키면서 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC와 다른 부품들을 커버하기에 충분하다. 도시된 실시예에 있어서, '커버 및 방열체'(5)의 길이 L은 도 2a에서는 최좌측의 패키지된 메모리 IC의 좌측 엣지에서 최우측의 패키지된 메모리 IC의 우측 엣지까지의 거리보다 길지만, 인쇄 회로 기판(1)의 길이보다는 짧고, 깊이 D는 도 2a에서 도시된 상태에서는 인쇄 회로 기판(1)의 상부단에서 패키지된 메모리 IC의 하부단까지의 거리보다 약간 길다.
또한, 도2a 및 도 2b에서 도시된 바와 같이, '커버 및 방열체'(5)의 적어도 한 쌍의 측판(5B 및 5C)은 방출 효율을 증가시키기 위해 그 외면 상에 형성된 다수의 요철부 또는 작은 돌출부(5D)를 구비하여 표면적을 증가시키는 것이 바람직하다. 그러나, 한 쌍의 측판(5B 및 5C)뿐만 아니라 상판(5A) 모두 그 외면 상에 다수의 요철부 또는 작은 돌출부(5D)를 구비할 수 있다.
따라서, '커버 및 방열체'(5)는 메모리 모듈(10)이 한 쌍의 측판(5B 및 5C) 사이의 U자형의 깊은 리세스 내에 삽입되고 인쇄 회로 기판(1)의 각 면 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC(3) 및 다른 부품(2)들은 측판(5B 및 5C)으로 커버되지만 접촉 패드(4)는 측판(5B 및 5C)에 의해 커버되지 않도록 메모리 모듈(10) 상에 결합된다. 이러한 상태에서, 도 2c에서 도시된 바와 같이, 양호한 열전도성 및 전기 절연 특성을 갖는 실리콘 그리스(6)를 측판(5B 및 5C) 각각의 내면과 패키지된 각 메모리 IC(3) 사이의 간격에 충전시킴으로써 패키지된 각각의 메모리 IC(3)에서 발생된 열이 실리콘 그리스(6)를 통해 대응하는 측판(5B 및 5C)으로 전달된다. '커버 및 방열체'(5)의 측판(5B 및 5C)과 패키지된 각 메모리 IC(3) 사이에 실리콘 그리스(6)가 존재하므로, 메모리 모듈(10)로부터 '커버 및 방열체'(5)를 분리시킬 수 있다.
상술된 바와 같이, 제1 실시예에서는, '커버 및 방열체'(5)가 '커버 및 방열체'(5)와 패키지된 메모리 IC(3) 사이에 실리콘 그리스(6)가 충전된 상태로 종래의 메모리 모듈(10) 상에 결합된다. 이러한 구성에 따라, 패키지된 각각의 메모리 IC(3)에서 발생된 열은 실리콘 그리스(6)를 통해 '커버 및 방열체'(5)로 전달되어, '커버 및 방열체'(5)의 표면으로부터 열이 방출되어진다. '커버 및 방열체'(5)의 외부 표면적이 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC(3)의 각 외부 표면적 전체보다 상당히 크기 때문에, 패키지된 메모리 IC(3)에서 발생된 열을 도 1a 및 1b에서 도시된 종래의 메모리 모듈(10)에서 보다도 '커버 및 방열체'(5)로부터 효율적으로 방출시킬 수 있다. 여기서, 설사 '커버 및 방열체'(5)의 외면적이 요철부(5D)를 갖고 있지 않더라도, '커버 및 방열체'(5)의 외면적이 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC(3)의 각 외면적의 전체 면적보다 현저히 크기만 하면, '커버 및 방열체'(5)의 외면적 상에 반드시 요철부(5D)를 제공할 필요는 없다. 그러나, '커버 및 방열체'(5)의 외면적 상에 요철부(5D)를 제공하는 것이 가장 바람직한 데, 그 이유는 '커버 및 방열체'(5)의 외면적을 더욱 증가시킬 수 있기 때문이다.
게다가, 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC(3) 및 다른 부품(2)들은 '커버 및 방열체'(5)에 의해 커버되므로, 인쇄 회로 기판(1)의 주변 영역에 위치한 캐패시터와 저항 등의 칩 형태의 부품들을 기계적인 충격으로부터 보호할 수 있어, 메모리 모듈의 인쇄 회로 기판의 주변 영역에 위치한 칩 형태의 부품들이 이송 중에 파손되거나 상실될 가능성이 없다.
또한, 상술된 바와 같이, 인쇄 회로 기판(1) 상에 인쇄된 납땜 페이스트를 용융시킴으로써 메모리 IC를 포함한 부품들이 인쇄 회로 기판 상에 장착된다. 인쇄 회로 기판의 휘어짐이 일정 한계를 초과하면, '커버 및 방열체'(5)는 더 이상 메모리 모듈(10) 상에 결합될 수 없다. 그러므로, '커버 및 방열체'(5)가 메모리 모듈(10) 상에 결합될 수 있는 지의 여부에 따라 인쇄 회로 기판의 휘어짐 정도를 판별할 수 있다. 따라서, 일정 한계를 초과하는 휘어짐 정도를 갖는 인쇄 회로 기판을 퍼스널 컴퓨터 등의 시스템 내의 슬롯에 삽입시킴으로써 야기될 수 있는, 부품들이 인쇄 회로 기판으로부터 떨어져 나가는 것을 방지할 수 있다.
제1 실시예에서는, '커버 및 방열체'(5)가 양호한 열전도성과 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 부품(2 및 3)을 기계적 충격으로부터 보호하기에 충분한 기계적인 강도를 갖는 것으로 족하다. 따라서, '커버 및 방열체'(5)는 금속 또는 세라믹으로 형성될 수 있다. 또한, 실리콘 그리스(6)를 실리콘 그리스에 필적할만한 점성을 가지며 열안정성, 전기 절연 특성 및 양호한 열전도성을 갖는 임의 다른 물질로 대체시킬 수 있다. 더욱이, '커버 및 방열체'(5)를 메모리 모듈(10) 상에 결합시킨 후 메모리 모듈(10)로부터 '커버 및 방열체'(5)를 분리시킬 필요가 없는 경우에는 실리콘 그리스(6)를 열안정성, 전기 절연 특성 및 양호한 열전도성을 갖는 밀착 접착제로 대체시킬 수 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조해 보면, 본 발명에 따른 방열체를 구비한 메모리 모듈의 제2 실시예에 대한 개략적인 평면 및 단면이 도시되어 있다. 도 3c는 도 3b의 라인 B-B를 따라 절취한 부분 단면도이다. 도 3a, 3b 및 3c에서는, 도 2a, 2b 및 2c에서 도시된 소자와 동일한 소자에 대해서는 동일 참조 부호를 병기하여 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 3a, 3b 및 3c와, 도 2a, 2b 및 2c의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 제2 실시예는 제1 실시예의 '커버 및 방열체'(5) 및 실리콘 그리스(6)를 전기 절연 특성을 각각 갖는 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7) 및 고 열전도성 고무(8)로 대체시킨 것이 제1 실시예와 다른 점이다.
클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)는 예를 들어 스프링 특성을 갖는 금속 또는 세라믹의 탄성 물질로 형성되며 도 3b에서 도시된 바와 같이 변형된 U자형의 단면을 갖는다. 보다 상세히 기술하자면, 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)는 상판(7A)과, 상판(7A)의 대향하는 장변으로부터 처음에는 상판(7A)으로부터 짧은 거리만큼 약간 내측으로 하향으로 연장하고 다음에는 수직으로 직선 하향으로 연장하는 한 쌍의 측판(7B 및 7C)를 구비하여, 이들 측판(7B 및 7C) 사이에는 변형된 U자형의 깊은 리세스가 형성됨으로써 클립 기능 갖게 된다.
또한, 제1 실시예와 동일하게, '커버 및 방열체'(7)의 적어도 한 쌍의 측판(7B 및 7C)은 방출 효율을 증가시키기 위해 그 외면 상에 형성된 다수의 요철부 또는 작은 돌출부(7D)를 구비하여 표면적을 증가시키는 것이 바람직하다. 그러나, 한 쌍의 측판(7B 및 7C)뿐만 아니라 상판(7A) 모두 그 외면 상에 다수의 요철부 또는 작은 돌출부(7D)를 구비할 수 있다.
제1 실시예와 동일하게, 측판(7B 및 7C)의 수직 직선 부분의 대향하는 내면 간의 간격 S는 메모리 모듈(10)의 두께 T 이상이다. '커버 및 방열체'(7)의 길이 L과 깊은 리세스의 깊이 D(상판(7A)의 내면에서 한 쌍의 측판(7B 및 7C)의 프리 엣지까지의 거리)는 접촉 패드(4)를 노출된 상태로 유지시키면서 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC와 다른 부품들을 커버하기에 충분하다. 또한, 측판(7B 및 7C)의 수직 직선 부분은 도 3B에서 도시된 바와 같이 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC 및 다른 부품들을 커버하기에 충분한 크기를 갖는다.
따라서, 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)는 메모리 모듈(10)이 한 쌍의 측판(7B 및 7C) 사이의 깊은 리세스 내에 삽입되고 인쇄 회로 기판(1)의 각 면 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC(3) 및 다른 부품(2)들은 측판(7B 및 7C)에 의해 커버되고 측판(7B 및 7C)의 각 내면과 패키지된 메모리 IC(3) 각각 사이에 고 열전도성 고무(8)를 삽입한 채로 측판(7B 및 7C) 사이에서 보유되도록 메모리 모듈(10) 상에 결합된다. 그러나, 접촉 패드(4)는 측판(7B 및 7C)에 의해 커버되지 않는다.
제2 실시예에서는, '커버 및 방열체'(5)를 측판(7B 및 7C)과 패키지된 메모리 IC(3) 사이에 고 열전도성 고무(8)를 삽입시킨 채 탄성 물질로 형성된 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)로 대체하였으므로, 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)와 패키지된 메모리 IC(3) 간의 결합을 제1 실시예에 비해 높일 수 있다. 그러므로, 각 패키지된 메모리 IC(3)에서 발생된 열을 고 열전도성 고무(8)를 통해 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)로 보다 효율적으로 전달시킬 수 있어, 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)의 표면으로부터 열이 방출된다.
제1 실시예와 동일하게, 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)의 외부 표면적이 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC(3)의 각 외부 표면적 전체보다 상당히 크기 때문에, 패키지된 메모리 IC(3)에서 발생된 열을 도 1a 및 1b에서 도시된 종래의 메모리 모듈(10)에서 보다도 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)로부터 효율적으로 방출시킬 수 있다. 또한, 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)와 패키지된 메모리 IC(3) 간의 결합은 제1 실시예에 비해 증가될 수 있으므로, 패키지된 메모리 IC(3)에서 발생된 열을 제1 실시예의 '커버 및 방열체'(5)보다 효율적으로 방출시킬 수 있다.
더욱이, 메모리 모듈(10)은 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)의 탄성 특성에 의해 발휘되는 적절한 힘으로 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)에 의해 보유되어지므로, '커버 및 방열체'가 메모리 모듈(10)로부터 떨어져 나갈 가능성은 실리콘 그리스(6)를 사용하는 제1 실시예에 비해 현저히 낮다.
또한, 제1 실시예와 동일하게, 인쇄 회로 기판(1) 상에 장착된 패키지된 모든 메모리 IC(3) 및 다른 부품(2)들은 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)에 의해 커버되므로, 인쇄 회로 기판(1)의 주변 영역에 위치하는 캐패시터와 저항 등의 칩 형태의 부품들이 기계적인 충격으로부터 보호되어 메모리 모듈의 인쇄 회로 기판의 주변 영역에 위치하는 칩 형태의 부품들이 이송 중에 파손 또는 상실될 가능성이 없다.
또한, 상술된 바와 같이, 인쇄 회로 기판(1) 상에 인쇄된 납땜 페이스트를 용융시킴으로써 메모리 IC를 포함한 부품들이 인쇄 회로 기판 상에 장착될 때, 인쇄 회로 기판은 종종 휘어진다. 인쇄 회로 기판의 휘어짐이 일정 한계를 초과하면, 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)는 메모리 모듈(10) 상에 더 이상 결합될 수 없다. 그러므로, 클립 형태의 '커버 및 방열체'(7)가 메모리 모듈(10) 상에 결합될 수 있는 지의 여부에 따라 인쇄 회로 기판의 휘어짐 정도를 판별할 수 있다. 따라서, 일정 한계를 초과하는 휘어짐 정도를 갖는 인쇄 회로 기판을 퍼스널 컴퓨터 등의 시스템 내의 슬롯에 삽입시킴으로써 야기될 수 있는, 부품들이 인쇄 회로 기판으로부터 떨어져 나가는 것을 방지할 수 있다.
상술된 바로부터, 본 발명에 따른 방열체를 구비한 메모리 모듈은 다음과 같은 장점을 갖는다.
첫째로는, 메모리 모듈 상에 장착된 패키지된 메모리 IC와 바람직하게는 다른 부품들에서 발생되는 열을 효율적으로 방출시킬 수 있다. 이러한 이유는 패키지된 메모리 IC 등의 발열체가 실리콘 그리스 또는 고 열전도성 고무를 통해 양호한 열전도 관계로 '커버 및 방열체'에 결합되기 때문에, 발열체에서 발생된 열이 '커버 및 방열체'로 효율적으로 전달되어 대면적을 갖는 '커버 및 방열체'의 표면으로부터 효율적으로 방출된다.
둘째로는, 인쇄 회로 기판 상에 장착된 모든 부품들이 인쇄 회로 기판 상에 장착된 부품들을 기계적인 충격으로부터 보호하기에 충분한 기계 강도를 갖는 '커버 및 방열체'에 의해 커버되어 인쇄 회로 기판 상에 장착된 부품들에 외력이 인가되지 않기 때문에, 인쇄 회로 기판 상에 장착된 부품들을 기계적인 충격으로부터 보호할 수 있다.
셋째로는, 인쇄 회로 기판의 휘어짐 정도가 허용가능한 한계를 초과하는 지의 여부를 판별할 수 있다. 이 때문에, 인쇄 회로 기판의 휘어짐(인쇄 회로 기판 상에 메모리 IC를 포함한 부품들이 장착될 때 열과 다른 원인에 의해 발생됨) 정도가 일정 한계를 초과하면, '커버 및 방열체'는 더 이상 메모리 모듈 상에 결합할 수 없게 된다. 또한, '커버 및 방열체'가 약간 휘어짐을 갖는 메모리 모듈 상에 결합될 수 있더라도, '커버 및 방열체'를 구비한 메모리 모듈에 대해 전기적 테스트를 행함으로써 인쇄 회로 기판 상에 장착된 부품이 인쇄 회로 기판으로부터 떨어져 나가는지의 여부를 알 수 있다. 그러므로, 결함을 가진 메모리 모듈이 시장에 공급되는 것을 방지할 수 있다.
지금까지 비록 본 발명을 특정 실시예에 대해서만 도시 및 기술하였지만, 본 발명은 본 발명의 범주 및 사상을 벗어 나지 않는 범위 내에서는 예시된 실시예에 대한 여러 변형 및 수정이 가능하다는 것을 당업자라면 인식할 수 있을 것이다.

Claims (16)

  1. 인쇄 회로 기판 상에 장착된 다수의 패키지된 메모리 집적 회로로 구성된 메모리 모듈 상에 결합되도록 구성된 방열체에 있어서,
    상기 방열체는 상기 메모리 모듈이 상기 방열체의 U자형 리세스 내로 삽입될 수 있는 U자형의 단면을 가지며, 상기 방열체와 상기 인쇄 회로 기판 상에 장착된 상기 패키지된 메모리 집적 회로 사이에 삽입되어 상기 방열체 및 상기 패키지된 메모리 집적 회로와 접촉되는 열전도성 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 방열체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열전도성 물질은 고 열전도성 부재이고, 상기 방열체는 클립 기능을 갖는 탄성 물질로 형성되어 상기 메모리 모듈은 상기 고 열전도성 부재를 통해 상기 방열체에 의해 기계적으로 보유되어지는 것을 특징으로 하는 방열체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 방열체는 그 외면 상에 다수의 요철부를 구비함으로써 외면적이 증가되어지는 것을 특징으로 하는 방열체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 방열체는 그 외면 상에 다수의 요철부를 구비함으로써 외면적이 증가되어지는 것을 특징으로 하는 방열체.
  5. 인쇄 회로 기판 상에 장착된 다수의 패키지된 메모리 집적 회로로 구성되고 방열체를 구비한 메모리 모듈에 있어서,
    상기 방열체는 상기 메모리 모듈이 상기 방열체의 U자형 리세스 내로 삽입될 수 있는 U자형의 단면을 가지며, 상기 방열체와 상기 인쇄 회로 기판 상에 장착된 상기 패키지된 메모리 집적 회로 사이에 삽입되어 상기 방열체 및 상기 패키지된 메모리 집적 회로와 접촉되는 열전도성 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열전도성 물질은 고 열전도성 부재이고, 상기 방열체는 클립 기능을 갖는 탄성 물질로 형성되어 상기 메모리 모듈은 상기 고 열전도성 부재를 통해 상기 방열체에 의해 기계적으로 보유되어지는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  7. 제6항에 있어서, 상기 열전도성 물질은 전기 절연 특성을 갖는 고 열전도성 고무인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  8. 제6항에 있어서, 상기 방열체는 그 외면 상에 다수의 요철부를 구비함으로써 외면적이 증가되어지는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  9. 제6항에 있어서, 상기 방열체는 상기 메모리 모듈에서 분리될수 있는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  10. 제5항에 있어서, 상기 열전도성 물질은 실리콘 그리스인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  11. 제10항에 있어서, 상기 방열체는 그 외면 상에 다수의 요철부를 구비함으로써 외면적이 증가되어지는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  12. 제10항에 있어서, 상기 방열체는 상기 메모리 모듈에서 분리될수 있는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  13. 제5항에 있어서, 상기 방열체는 그 외면 상에 다수의 요철부를 구비함으로써 외면적이 증가되어지는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  14. 제5항에 있어서, 상기 방열체는 상기 메모리 모듈에서 분리될수 있는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  15. 제5항에 있어서, 상기 열전도성 물질은 전기 절연 특성을 갖는 고 열전도성 고무인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  16. 제5항에 있어서, 상기 방열체는 인쇄 회로 기판 상에 장착된 상기 패키지된 메모리 집적 회로 전부를 커버하기에 충분한 상기 U자형 리세스의 깊이와 상기 방열체의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
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