KR101376263B1 - 반도체 모듈 및 방열판 - Google Patents

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Abstract

동작시 발열량이 상이한 복수 종류의 반도체 장치가 혼재되어 있고 열전도 시트가 기판에 탑재된 모듈 본체와 반도체 장치의 바깥면 사이에 개재되고, 방열판이 두 개 이상의 반도체 장치에 걸쳐서 반도체 장치의 바깥면을 덮도록 장착된 반도체 모듈에서, 반도체 장치의 발열량이 보다 작은 발열량의 반도체 장치에 이용된 열전도 시트의 열전도성과 비교하여, 열전도성이 높은 열전도 시트가 반도체 장치 중에서 발열량이 큰 반도체 장치에 이용된다.
방열판, 열전도 시트, 클립, 모듈

Description

반도체 모듈 및 방열판{SEMICONDUCTOR MODULE AND HEAT RADIATING PLATE}
본 발명은 반도체 모듈 및 방열판에 관한 것으로, 더 상세하게는, 기판에 탑재된 반도체 장치로부터 열 방산성(放散性)을 향상시킨 반도체 모듈 및 이 반도체 모듈에 이용되는 방열판에 관한 것이다.
기판에 탑재된 반도체 장치로부터 열을 방산하기 위해서, 반도체 장치에 방열판을 부착하거나 반도체 장치와 방열판의 사이에 열전도성이 양호한 수지를 개재(介在)하여서 열을 방산시키는 방법이 일반적으로 수행되고 있다(일본국 특허 공개 공보 평 11-163566호 및 일본국 특허 공개 공보 제 2002-134970호 참조).
도 6의 (a), (b),및 (c)는 메모리 소자가 탑재된 반도체 모듈의 열 방산성을 향상시키는 종래의 방열 구조를 나타낸다(일본국 특허 공개 공보 제 2001-196516호). 도 6의 (a), (b),및 (c)는 반도체 모듈의 정면도, 횡-단면도, 및 종-단면도이다. 이 반도체 모듈은 회로 기판(100)의 양면에 복수 개의 메모리 소자(102)를 탑재하고 메모리 소자(102)에 접촉되도록 방열판(104a, 104b)을 부착하여서 구성한다.
방열판(104a, 104b)이 일 측의 끝 가장자리가 힌지(hinge)(108)에 의해서 두 께 방향으로 회로 기판(100)을 개재하여서 장착되고, 그 개폐 측을 클립(110)으로 죄어 고정한다. 메모리 소자(102)는 방열판(104a, 104b)의 내측면과 접촉하여서 열을 방산시킨다.
도 6의 (a), (b), 및 (c)에 나타낸 반도체 모듈에 따르면, 회로 기판(100)에 탑재된 메모리 소자(102)로부터 열이 방산되지만, 최근의 반도체 모듈에서는 서버 등에 이용하기 위한 고속 메모리 모듈로서 AMB(Advanced Memory Buffer)라 불리는 제어용 제어 소자(반도체 장치)를 탑재한 제품이 있다. 이 AMB가 탑재된 반도체 모듈에서는, 메모리 소자로부터의 발열이 역시 문제가 되지만, AMB로부터의 발열이 메모리 소자의 발열을 크게 상회하므로, 이 AMB로부터 효율적으로 열을 방산시키는 것이 요구된다. AMB가 규정 온도를 초과하면, AMB는 정상적으로 동작하지 않고, 필요한 특성을 얻을 수 없으므로, 반도체 모듈로부터의 열 방산성을 향상시키는 것이 이 제품에 있어서 매우 중요하다.
본 발명의 예시적인 실시예는 동작시의 발열량이 상이한 반도체 장치(소자)가 탑재된 반도체 모듈에서, 효율적으로 열을 방산시킬 수 있고 심지어 발열량이 큰 반도체 장치를 용이하게 탑재할 수 있는 반도체 모듈 및 이것에 이용되는 방열판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 하나 이상의 예시적인 실시예의 측면에 따르면, 작동시의 발열량이 상이한 복수 종류의 반도체 장치가 혼재되고, 열전도 시트가 기판에 탑재된 모듈 본체와 반도체 장치의 바깥면 사이에 개재되고, 방열판이 두 개 이상의 반도체 장치에 걸쳐서 반도체 장치의 바깥면을 덮도록 장착된 반도체 모듈에서, 반도체 장 치 중에서 반도체 장치의 발열량보다 발열량이 작은 반도체 장치에 이용되는 열전도 시트의 열전도성과 비교하여 열전도성이 높은 열전도 시트가, 발열량이 큰 반도체 장치에 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈을 제공한다.
또한, 기판에 탑재된 반도체 장치의 형태는 특별히 한정되지 않지만, 반도체 소자를 수지로 밀봉하여 형성된 반도체 장치와 반도체 소자를 플립칩 접속에 의해 탑재한 반도체 장치 등을 이용할 수 있다.
또한, 방열판이 기판에 탑재된 복수의 반도체 장치에 걸쳐서 덮도록 배치될 수 있거나, 방열판이 기판의 평면 영역을 덮는 평면형상으로도 형성되어 기판에 탑재된 모든 반도체 장치를 덮도록 장착될 수 있다. 기판의 전체 평면을 덮도록 방열판을 설치하여서, 방열성이 우수한 반도체 모듈을 구성할 수 있다.
또한, 측면 형상이 "C" 형으로 되도록 탄성 판재(plate member)를 구부려서 형성된 클립(clip)에 의해서 모듈 본체 및 방열판을 두께 방향으로 탄성적으로 압착시켜 유지하여서, 반도체 모듈의 조립을 용이하게 하고, 반도체 모듈의 열 방산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 모듈 본체에 탑재된 반도체 장치가 메모리 소자 및 메모리 소자의 동작시에 발열량보다도 동작시의 발열량이 큰 메모리 버퍼용 제어 소자인 제품에 대해서 특히 효과적이다.
또한, 제어 소자로부터의 열 방산성을 메모리 버퍼용 제어 소자와 방열판이 0.05mm 이하가 되도록 이격 간격을 구성하여서 더 향상시킬 수 있다.
또한, 동작시에 발열량이 상이한 반도체 장치가 탑재된 모듈 부재에 장착되 고, 반도체 장치를 배치하는 위치에 대응하여 열전도 시트가 점착되고, 발열량이 큰 반도체 장치에 대하여 이 반도체 장치의 발열량보다도 발열량이 작은 반도체 장치에 이용되는 열전도 시트의 열전도성과 비교해서, 열전도성이 높은 열전도 시트가 점착되는 방열판은 반도체 모듈용 방열판으로서 효과적인 열 방산 작용을 이룰 수 있다.
또한, 방열판이 반도체 장치로서 메모리 소자 및 메모리 버퍼용 제어 소자를 탑재한 모듈 본체에 탑재되어서 효과적으로 이용될 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 예시적인 실시예는 하나 이상의 다음 이점을 포함할 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 반도체 모듈 및 방열판에서, 동작시의 발열량이 상이한 반도체 장치로부터의 효과적으로 열을 방산할 수 있어서 안정한 특성을 가지는 반도체 모듈을 제공할 수 있다. 또한, 심지어 발열량이 큰 반도체 장치에서도 반도체 모듈에 용이하게 탑재할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예는 이하의 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 본 발명에 따른 반도체 모듈을 구성하는 모듈 본체(10)의 일 실시예의 구성을 나타내는 평면도 및 정면도이다. 모듈 본체(10)는 직사각형으로 형성된 기판(12), 기판(12)의 양면에 탑재된 메모리 소자(14), 및 기판(12)의 일 측면에 탑재된 제어 소자(16)를 포함한다. 커넥터(13)는 기판(12)의 긴 측 방향을 따라서 일측의 끝 가장자리에 설치된다.
예시적인 실시예에서 반도체 모듈의 제어 소자(16)는 메모리 버퍼(AMB)로서 동작한다. 제어 소자(16)는 회로 기판(17)에 탑재되고 회로 기판(17)은 기판(12)에 접합된다. 따라서, 제어 소자(16)는 기판 표면에 대하여 메모리 소자(14)보다도 높은 위치에 배치된다.
또한, 도 1의 (a)는 메모리 버퍼를 장치한 반도체 모듈의 구성의 가장 일반적인 구성을 나타낸다. 제품에 따라서, 메모리 소자(14)가 기판(12)의 긴 측 방향에 2열로 배치된다.
도 2의 (a) ~ 도 2의 (d)는 반도체 모듈의 구성부품으로서 방열판의 구성을 나타낸다. 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)는 제어 소자(16)를 탑재한 기판(12)의 일 면(일 측면)에 장착되는 방열판(20a)의 평면도 및 정면도이다. 도 2의 (c) 및 도 2의 (d)는 기판(12)의 반대 측면에 장착된 방열판(20b)의 평면도 및 정면도이다.
방열판(20a, 20b)은 기판(12)의 평면 형상에 대응하여서 기판(12)의 평면 영역을 덮는 크기의 직사각형으로 형성된다.
기판(12)의 일 측면에 장착된 방열판(20a)은 제어 소자(16)를 배치하는 위치에 대응하여서 수납 오목부(24)가 형성된다. 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 방열판(20a)은 수납 오목부(24)가 형성된 부분이 외측으로 돌출하여서 방열판(20a)의 외측면에 단차를 형성한다. 수납 오목부(24)의 내면(24a)은 평면으로 형성된다.
또한, 방열판(20a, 20b)의 긴 측 방향의 양단에는 방열판(20a, 20b)을 기판 표면으로부터 뜨도록 지지하기 위한 지지 돌기(26a, 26b)가 각각 형성된다. 지지 돌기(26a, 26b)는 방열판(20a, 20b)의 짧은 측 방향의 전체 길이에 걸쳐서 설치된다.
방열판(20a, 20b)에는 기판(12)과의 위치 정합용 돌기가 설치되거나 기판(12)으로부터의 면 간격을 유지하는 스페이서 돌기가 설치될 수도 있다. 위치 정합용 돌기는 기판(12)의 끝 가장자리에 형성된 노치(notch) 또는 스루홀(through hole)에 위치 정합해서 형성될 수 있다.
방열판(20a, 20b)은 재료가 열전도성 및 열 방산성이 우수한 물질인 구리 또는 알루미늄의 적합한 재료로 형성된다. 예시적인 실시예에 따르면, 재료는 1mm의 두께를 가지는 알루미늄 합금(알루미늄 함유율 99.5%)으로 형성된다. 이 알루미늄 합금의 열전도도는 230(W/mㆍK)이다. 알루미늄 합금에 알루마이트(alumite) 처리를 하여서 높은 방열성을 이룰 수 있고 손상되기 쉬운 문제를 해결하여서 충분한 강도를 얻을 수 있다.
도 3은 방열판(20a, 20b)을 모듈 본체(10)에 장착한 상태를 나타내는 평면도이다. 방열판(20a, 20b)을 모듈 본체(10)의 양면에 위치 정합시키고, 방열판(20a, 20b)을 클립(30a, 30b)으로 양측에 탄성적으로 압착하여 예시적인 실시예에 따른 반도체 모듈을 조립한다. 클립(30a, 30b)은 탄성판 측면의 형상이 "C" 형으로 되도록 구부려서 형성한다. 방열판(20a, 20b)을 모듈 본체(10)의 양면과 접촉시키고 클립(30a, 30b)의 누름편(hold piece) 사이에 방열판(20a, 20b)과 모듈 본체(10)를 개재시켜서, 방열판(20a, 20b)과 모듈 본체(10)가 소정의 압착력에 의해서 일체로 지지된다.
예시적인 실시예의 반도체 모듈에서, 모듈 본체(10)를 방열판(20a, 20b)에 의해 개재시키는 경우에, 반도체 모듈은 모듈 본체(10)와 방열판(20a, 20b) 사이에 열전도성이 양호한 시트(열전도 시트)를 개재하여서 조립한다.
도 4의 (a) 및 도 4의 (b)는 모듈 본체(10)와 방열판(20a, 20b) 사이에 제 1 열전도 시트(41)와 제 2 열전도 시트(42)를 개재하여서 반도체 모듈을 조립한 상태를 정면 방향에서 나타내고 있다. 제 1 열전도 시트(41)를 메모리 소자(14)와 방열판(20a, 20b) 사이에 개재하고, 제 2 열전도 시트(42)를 제어 소자(16)와 방열판(20a) 사이에 개재하고, 모듈 본체(10)가 클립(30a, 30b)에 의해서 방열판(20a, 20b)에 압착된다.
도 4의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제어 소자(16)는 방열판(20a)에 설치된 수납 오목부(24) 내에 수납되고 제어 소자(16)의 이면은 제 2 열전도 시트(42)를 거쳐서 수납 오목부(24)의 내면(24a)과 접촉한다. 메모리 소자(14)가 그 바깥면(수지 밀봉부의 바깥면)에 제 1 열전도 시트(41)와 접촉되고 제 1 열전도 시트(41)를 거쳐서 방열판(20a, 20b)의 내면과 접촉된다.
예시적인 실시예의 반도체 모듈에 따르면, 모듈 본체(10)의 양면에 평판 형상으로 형성된 방열판(20a, 20b)을 덮는 형태로 구성되어서, 폭 방향으로 반도체 모듈의 폭 방향의 공간부를 관통하는 형태가 구성된다. 즉, 반도체 모듈이 폭 방향의 공기 흐름을 형성하는 형태로 형성되어서 열 방산성을 향상시킨다.
메모리 소자(14) 및 제어 소자(16)로부터 방열판(20a, 20b)으로의 열전도를 양호하게 하도록 메모리 소자(14) 및 제어 소자(16)의 사이에 제 1 열전도 시 트(41) 및 제 2 열전도 시트(42) 양쪽을 개재시키지만, 예시적인 실시예의 반도체 모듈은 제 1 열전도 시트(41)와 제 2 열전도 시트(42)로서 열전도성이 상이한 두 종류의 열전도 시트를 이용하고, 제 2 열전도 시트(42)가 제 1 열전도 시트(41) 보다도 열전도성이 양호한 열전도 재료를 이용하는 특징이 있다.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)는 제 1 열전도 시트(41) 및 제 2 열전도 시트(42)를 방열판(20a, 20b)의 내면에 점착한 상태를 나타내는 평면도이다. 제어 소자(16)가 탑재된 기판면에 부착된 일 측 상의 방열판(20a)을 제어 소자(16)의 배치위치에 대응하여 제 2 열전도 시트(42)로 점착하고, 메모리 소자(14)를 배치하는 위치에 대응하여서 제 1 열전도 시트(41)로 점착한다. 반대 측의 방열판(20b)에는 메모리 소자(14)가 탑재되는 위치에 대응하여서 제 1 열전도 시트(41)로 점착한다.
이 방식으로 제 1 열전도 시트(41) 및 제 2 열전도 시트(42)를 방열판(20a, 20b)에 점착하여서, 제 1 열전도 시트(41) 및 제 2 열전도 시트(42)를 모듈 본체(10)와 방열판(20a, 20b) 사이에 개재하여서, 방열판(20a, 20b)을 모듈 본체(10)에 위치 정합 및 고정시켜서 조립한다.
방열판(20a, 20b)에 설치된 지지 돌기(26a, 26b)의 높이 치수 및 수납 오목부(24)의 단차의 높이 치수는, 방열판(20a, 20b)을 기판(12)에 부착할 때 메모리 소자(14) 및 제어 소자(16)가 제 1 열전도 시트(41) 및 제 2 열전도 시트(42)를 거쳐서 접촉되도록 설정한다. 또한, 수납 오목부(24)의 단차는 제어 소자(16)와 메모리 소자(14) 사이의 높이 차보다 작도록 설정한다.
예시적인 실시예에 따르면, 열전도성이 상이한 두 종류의 열전도 시트는 메모리 소자(14)보다 동작시의 큰 발열량을 가지는 제어 소자(16)로부터 방열판(20a)에 효율적으로 열을 전도시켜서 제어 소자(16)로부터 열 방산성을 향상시키기고, 제어 소자(16)로부터 방산된 열이 메모리 소자(14) 측에 역류하는 것을 방지하는데 이용된다.
일반적으로, 발열체로부터의 열을 방산하기 위해 열전도 시트를 거쳐서 방열판이 발열체와 접촉될 경우에, 열전도 시트로서 열전도성이 가능한 높은 열전도 재료를 사용하는 것이 효율적이다. 따라서, 예시적인 실시예에서도 제 1 열전도 시트(41) 및 제 2 열전도 시트(42)로서 열전도성이 가능한 높은 열전도 시트를 이용하는 것이 효율적인 것처럼 보인다. 그러나, 예시적인 실시예에 따른 반도체 모듈에서와 같이 발열량이 상이한 반도체 장치(소자)가 탑재되고 방열판이 공통으로 부착되는 경우에는, 열전도성이 높은 열전도 시트를 동작시의 발열량이 큰 반도체 장치(소자)에 개재하고 열전도성이 낮은 열전도 시트를 발열량이 작은 반도체 장치(소자)에 개재하는 것이 실제로 효율적이다.
예시적인 실시예에 따르면, 제 1 열전도 시트(41)로서 약 2.0(W/mㆍK)의 열전도율의 열전도 시트를 이용하고, 제 2 열전도 시트(42)로서 약 3.0(W/mㆍK)의 열전도율의 열전도 시트를 이용한다.
제어 소자(16)의 동작 온도가 예시적인 실시예의 제 1 열전도 시트(41) 및 제 2 열전도 시트(42)로서 열전도성이 상이한 열전도 시트를 이용하는 경우와, 제 1 열전도 시트(41) 및 제 2 열전도 시트(42) 양쪽이 높은 열전도 시트(약 3.0(W/m ㆍK)의 열전도성의 열전도 시트)를 사용하는 비교예에 대하여 측정하면, 비교예에 비하여 예시적인 실시예의 경우에는 제어 소자(16)의 온도 상승이 33%까지 저감될 수 있다.
이 사실은 제 1 열전도 시트(41) 및 제 2 열전도 시트(42)로서 열전도성이 상이한 열전도 시트를 사용하고 큰 발열량을 가지는 제어 소자(16)에 대해서 열전도성이 높은 열전도 시트를 이용하는 것이 효율적이다라는 것을 보여준다.
또한, 클립(30a, 30b)에 의한 동작을 확인하기 위해서 클립(30a, 30b) 재료의 두께를 0.5mm로 구성하는 경우와 클립(30a, 30b) 재료의 두께를 0.6mm로 구성하는 경우에 제어 소자(16)의 동작 온도가 어떻게 변화하는지를 측정하면, 클립(30a, 30b)의 재료 두께를 0.6mm로 구성하는 경우에 제어 소자(16)의 동작 온도가 12% 저감된다.
이 사실은 일정한 압력으로 방열판(20a, 20b)을 압착하는 것이 제어 소자(16)의 동작 온도의 저감에 크게 기여한다는 것을 보여준다. 따라서, 클립(30a, 30b)을 지정할 때에는, 클립(30a, 30b)에 의한 압착 위치 및 면적과 클립(30a, 30b)의 재료 두께 및 재질을 선택하는 것이 효율적이다.
또한, 방열판(20a)과 제어 소자(16) 사이에 개재된 제 2 열전도 시트(42)의 두께를 가능한 얇게 하여서, 제어 소자(16)의 열을 방열판(20a)에 전도하는 것이 효율적이다. 열전도 시트(42)로서는 다양한 두께를 가지는 시트를 이용할 수 있지만, 제어 소자(16)의 이면 및 수납 오목부(24)의 내면(24a)의 사이 간격이 가능한 협소하도록 수납 오목부(24)의 단차를 설계하는 것이 바람직하다. 제어 소자(16) 의 이면과 수납 오목부(24)의 내면(24a) 사이에 간격은 약 0.05mm일 수 있다.
또한, 예시적인 실시예에 따르면, 메모리 소자(14)와 AMB로서 이용된 제어 소자(16)가 탑재된 반도체 모듈을 설명하였지만, 본 발명은 예시적인 실시예의 구성에 한정되지 않고 발열량이 상이한 반도체 장치(소자)를 탑재한 반도체 모듈에 동일하게 적용할 수 있다. 이 경우에도, 방열판이 발열량이 큰 반도체 장치(소자)와 발열량이 작은 반도체 장치(소자)에 대하여, 열전도성이 각각 높고 낮은 열전도 시트를 개재하여서 탑재될 수 있다.
또한, 예시적인 실시예에 따르면, 상이한 열전도성을 가지는 열전도 시트가 설치된 반도체 모듈을 설명하였지만, 본 발명은 예시적인 실시예의 구성에 한정되지 않고 발열량이 큰 반도체 장치에 이용된 상변화 테이프 및 반도체 장치의 큰 발열량보다 발열량이 작은 반도체 장치에 이용되는 비-상변화 테이프가 설치된 반도체 모듈에 동일하게 적용할 수 있다. 이 구성을 가진 반도체 모듈은 예시적인 실시예와 동일한 효과를 가질 수 있다.
이 경우에도, 열전도성이 높고 낮은 열전도 시트를 각각 개재하여서, 발열량이 큰 반도체 장치(소자) 및 발열량이 작은 반도체 장치(소자)에 방열판을 탑재할 수 있다.
본 발명은 한정된 수의 실시예에 대하여 설명하고 있지만, 본 발명의 혜택을 받는 당업자는 여기에 개시된 본 발명의 범주에서 벗어나지 않고 다른 실시예를 고안할 수 있다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 본 발명의 범주는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 한정된다.
도 1의 (a)는 본 발명에 따른 반도체 모듈을 구성하는 모듈 본체의 평면도.
도 1의 (b)는 본 발명에 따른 반도체 모듈을 구성하는 모듈 본체의 정면도.
도 2의 (a) ~ 도 2의 (d)는 방열판의 평면도 및 정면도.
도 3은 방열판을 모듈 본체에 부착한 반도체 모듈의 평면도.
도 4의 (a) 및 도 4의 (b)는 방열판을 모듈 본체에 부착한 반도체 모듈의 정면도.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)는 열전도 시트를 점착한 상태의 방열판의 평면도.
도 6의 (a) ~ 도 6의 (c)는 종래의 방열판을 장착한 반도체 모듈의 구성을 나타내는 평면도 및 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 모듈 본체
12 : 기판
13 : 커넥터
14 : 메모리 소자
16 : 제어 소자
17 : 회로 기판
20a, 20b : 방열판
24 : 수납 오목부
24a : 내면
26a, 26b : 지지 돌기
30a, 30b : 클립
41 : 제 1 열전도 시트
42 : 제 2 열전도 시트

Claims (9)

  1. 동작시의 발열량이 상이한 복수 종류의 반도체 장치가 혼재되어, 기판에 탑재된 모듈 본체에, 상기 반도체 장치의 바깥면과의 사이에 열전도 시트를 개재하며, 두 개 이상의 반도체 장치에 걸쳐서 반도체 장치의 바깥면을 덮어서 방열판이 장착된 반도체 모듈로서,
    상기 방열판은, 외측으로 돌출하고, 상기 발열량이 큰 반도체 장치를 수납하는 오목부가 형성되고,
    상기 반도체 장치 중에서 발열량이 큰 반도체 장치에 대해서, 당해 반도체 장치보다 발열량이 작은 반도체 장치에 이용되는 열전도 시트에 비해, 열전도성이 높은 열전도 시트가 이용되고,
    상기 열전도성이 높은 열전도 시트를 통해 상기 발열량이 큰 반도체 장치가 상기 오목부 내에서 상기 방열판의 내면과 접촉하고,
    상기 발열량이 작은 반도체 장치는 상기 기판에 복수 개 탑재되고,
    상기 발열량이 작은 반도체 장치에 이용되는 열전도 시트는, 복수 개의 상기 발열량이 작은 반도체 장치에 걸치도록 형성되고,
    상기 발열량이 작은 반도체 장치에 이용되는 열전도 시트를 통해 복수 개의 상기 발열량이 작은 반도체 장치의 각각이, 상기 오목부 외(外)에서 상기 방열판의 내면과 접촉해 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    탄성 판재를 그 측면의 형상이 "C" 형으로 되도록 구부려서 형성된 클립(clip)을 더 포함하고,
    상기 모듈 본체 및 상기 방열판은 상기 클립에 의해서 두께 방향으로 탄성적으로 압착되어서 유지되는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 모듈 본체에 탑재된 상기 반도체 장치는 메모리 소자와 상기 메모리 소자의 동작시의 발열량과 비교하여 동작시의 발열량이 큰 메모리 버퍼용 제어 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 메모리 버퍼용 제어 소자와 상기 방열판의 이격 간격은 0.05mm 이하로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
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