JP4086822B2 - 熱伝導構造体及び熱伝導構造体の製造方法 - Google Patents

熱伝導構造体及び熱伝導構造体の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体素子などの発熱体とヒートシンク,ヒートスプレッダなどの放熱体との間に設けられて発熱体からの熱を放熱体へ伝導する伝熱シートと発熱体と放熱体とを備える熱伝導構造体、及び、この熱伝導構造体を製造する熱伝導構造体の製造方法に関する。
近年の半導体素子は、高速化、高集積化などにより発熱量が著しく多いため、発生する熱を効率よく外部へ放散する必要がある。半導体素子で発生した熱をヒートシンクに伝えて放熱する手法が、従来から一般的に用いられている。この際、半導体素子(発熱体)とヒートシンク(放熱体)との間に、熱伝導性を有する材料からなる伝熱シートを接合させて、接合界面での熱抵抗を低減し、放熱特性を向上させる技術が採用されている(例えば、特許文献1,2参照)。
特開昭58−169912号公報 特開2003−51573号公報
伝熱シートに使用する熱伝導性材料としては、シリコーン樹脂に無機フィラーを分散させた材料が良く知られているが、熱伝導性が低いという問題がある。また、接着剤中にAg,Cuなどの熱伝導性が高い金属の粉末を分散させた導電性ペーストを熱伝導性材料に使用することも行われているが、粉末同士が点接触によって熱を伝えるため、十分に高い熱伝導性を発揮できるものではない。
一方、はんだなどの金属材料を熱伝導性材料に使用することも行われている。はんだなどの金属材料から作製された伝熱シートでは、金属材料であるため優れた熱伝導性を発揮できるが、接合時に加熱する必要があるため、熱応力によって半導体素子(発熱体)とヒートシンク(放熱体)との間の接合部の信頼性が低下するという問題がある。
ところで、発熱量が多い近年の半導体素子にあっては、素子内の温度は均一でなく、図8に示すように、半導体素子31のCPUコア部が他の部分に比べてとりわけ高温であるヒートスポット(高温領域)1aとなる。このようなヒートスポット1aについては、特に放熱処理が重要であり、高い熱伝導特性が要求される。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、接合部の信頼性が低下することなく、高い熱伝導特性を発揮できて、優れた放熱特性を実現できる伝熱シートと発熱体と放熱体とを備える熱伝導構造体、及び、この熱伝導構造体を製造する熱伝導構造体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、発熱体の高温領域に対して選択的に高い熱伝導特性を発揮でき、局部的な温度上昇を抑制できる伝熱シートと発熱体と放熱体とを備える熱伝導構造体、及び、この熱伝導構造体を製造する熱伝導構造体の製造方法を提供することにある。
請求項に係る熱伝導構造体は、発熱体と、放熱体と、該発熱体及び放熱体の間に設けられ、前記発熱体からの熱を前記放熱体へ伝導する伝熱シートとを備える熱伝導構造体において、前記伝熱シートは、前記発熱体及び放熱体にパターン形成された絶縁性樹脂の間に設けられ、金属と樹脂とを含んでおり、金属含有率が互いに異なる複数の領域を有しており、前記金属は、融点が200℃以下である第1種金属と、該第1種金属より熱伝導性が高い第2種金属とを有することを要件とする。
請求項に係る熱伝導構造体は、請求項において、前記発熱体には、温度が互いに異なる複数の領域が存在し、前記発熱体の高温側の領域に前記伝熱シートの金属含有率が多い方の領域を対応させていることを要件とする。
請求項に係る熱伝導構造体は、請求項において、前記発熱体には、温度が互いに異なる複数の領域が存在し、前記発熱体の低温側の領域に前記伝熱シートの樹脂含有率が多い方の領域を対応させていることを要件とする。
請求項に係る熱伝導構造体の製造方法は、発熱体と、放熱体と、該発熱体及び放熱体の間に接合され、前記発熱体からの熱を前記放熱体へ伝導する伝熱シートとを備える熱伝導構造体を製造する方法において、前記発熱体及び放熱体の接合面に絶縁性樹脂をパターン形成する工程と、前記絶縁性樹脂がパターン形成された前記発熱体及び/または放熱体の接合面に、金属と樹脂との混合材を塗布する工程と、前記発熱体及び放熱体にパターン形成された前記絶縁性樹脂を位置合せして、前記発熱体、混合材及び放熱体を加熱接合する工程とを有することを要件とする。
請求項に係る熱伝導構造体の製造方法は、請求項において、前記発熱体及び放熱体の接合面への前記絶縁性樹脂のパターン形成率が接合面全体の60%以下であることを要件とする。
請求項に係る熱伝導構造体の製造方法は、請求項またはにおいて、前記混合材は、熱硬化性樹脂に熱伝導性の金属フィラーを分散させた材料であることを要件とする。
請求項に係る熱伝導構造体の製造方法は、請求項において、前記金属フィラーは、融点が200℃以下の第1種金属フィラーと、該第1種金属フィラーより熱伝導性が高い第2種金属フィラーとを含むことを要件とする。
請求項に係る熱伝導構造体の製造方法は、請求項において、前記第1種金属フィラーは、Sn−Bi合金,In−Sn−Bi合金,In−Bi合金,In−Sn合金,Pb−Sn合金,及びInからなる群から選ばれた材料であることを要件とする。
請求項に係る熱伝導構造体の製造方法は、請求項において、前記第2種金属フィラーは、Au,Ag,Cu,Sn,及びAlからなる群から選ばれた材料であることを要件とする。
本発明にあっては、金属と樹脂とを併用した熱伝導性材料を使用し、伝熱シートに金属接続部と樹脂接続部とを形成して、金属接合の問題点であった熱応力を緩和する。例えば、具体的には、高熱伝導特性を有する金属フィラーと融点が200℃以下である低融点フィラーとを熱硬化性樹脂に分散させた熱伝導性材料を用いる。接合時の加熱によって、低融点フィラーが溶融して、金属フィラー同士が接続して熱伝導性が高い金属接続部を形成する。続いて、残っている樹脂が硬化して樹脂接続部を形成する。このように、伝熱シートが金属接続部と樹脂接続部とで構成されるため、はんだ接合などの金属接合で問題となっていた熱応力を樹脂接続部で緩和できる。この結果、接続信頼性が良好であって、放熱特性に優れた熱伝導構造体が得られる。
本発明にあっては、発熱体及び放熱体に予め絶縁性樹脂をパターン形成しておくことにより、金属と樹脂とを併用した熱伝導性材料を使用する場合、絶縁性樹脂が形成されていない発熱体及び放熱体の開口面では溶融した金属と濡れるために金属接続部が形成され、絶縁性樹脂が形成されている発熱体及び放熱体の面では金属と濡れないために樹脂接続部が形成される。よって、絶縁性樹脂の形成パターンに応じて、金属接続部と樹脂接続部とを所望の位置に形成することが可能となる。そこで、発熱体の高温となるヒートスポットの領域では、絶縁性樹脂を予め形成しておかずに金属接続部を形成するようにすることにより、高い熱伝導性を発揮できて放熱特性が良好となり、局部的な温度上昇を抑制できる。
なお、熱伝導性材料における金属フィラーとしては、熱伝導性が良好なAu,Ag,Cu,Sn,Alなどの金属を使用できる。熱伝導性材料における低融点フィラーとしては、Sn−Bi,In−Sn−Bi,In−Bi,In−Sn,Pb−Snなどの合金、またはInなどの低融点金属を使用できる。また、熱伝導性材料における熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂,フェノール樹脂,シリコーン樹脂などを使用できるが、硬化温度が低くて信頼性が良好なエポキシ樹脂が最も好ましい。発熱体及び放熱体に予めパターン形成する絶縁性樹脂としては、ポリイミド樹脂,エポキシ樹脂,フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を使用できるが、信頼性の観点からポリイミド樹脂が最も好ましい。熱伝導性材料における金属フィラーの添加量は、50体積%以上であることが好ましい。これは、良好な熱伝導性を発揮するためである。また、絶縁性樹脂のパターン形成率は、接合面全体の60%以下であることが好ましい。これは、60%を超える場合には、金属接続部の割合が低くなって、熱伝導性が低下するためである。また、接合時の加熱温度は、150℃〜200℃が好ましい。
本発明では、金属と樹脂とを併用した熱伝導性材料を使用し、伝熱シートに金属接続部と樹脂接続部とを形成するようにしたので、金属接合の問題点であった熱応力を緩和することができ、接続信頼性が良好であって、放熱特性に優れた熱伝導構造体を提供することができる。
また、本発明では、伝熱シートの所望の部分に熱伝導性が良好な金属接続部を形成することができるので、局部的な温度上昇を確実に抑えることが可能となる。
以下、本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。図1は、本発明に係る熱伝導構造体10の構成を示す断面図である。
図1において、1は発熱体としてのシリコンチップ(半導体素子)(一辺:18mm)であり、シリコンチップ1の接合面(上側の面)には、ポリイミド樹脂からなる絶縁性樹脂4がパターン形成されている。また、2は多数の放熱フィン2aを有する放熱体としてのヒートシンクであり、ヒートシンク2の接合面(下側の面)には、絶縁性樹脂4に位置合せされて、ポリイミド樹脂からなる絶縁性樹脂5がパターン形成されている。
シリコンチップ1とヒートシンク2とは、伝熱シート3を介して接合されている。絶縁性樹脂4,5が形成されていない領域では、金属によってシリコンチップ1及びヒートシンク2が接合されて金属接続部3aとなっており、絶縁性樹脂4,5が形成されている領域では、樹脂によってシリコンチップ1及びヒートシンク2が接合されて樹脂接続部3bとなっている。
次に、このような構成を有する熱伝導構造体10の製造方法について、具体的な材料を記載して説明する。図2は、この製造方法の工程を示す断面図である。
まず、シリコンチップ1の一方の面(接合面)に絶縁性樹脂4をパターン形成する(図2(a))と共に、ヒートシンク2の一方の面(接合面)に絶縁性樹脂5をパターン形成する(図2(b))。図3は、このパターン形成の手順を示す図である。
図3において、11は具体的にはシリコンチップ1またはヒートシンク2である基材であり、基材11の一方の面に、下記のような組成を有する感光液を塗布して感光液層12を形成した後、100℃,1時間の条件でプリベークを行う(図3(a))。
(感光液の組成)
ポリイミド前駆体ワニス:ポリイミド前駆体 50重量部
アクリルモノマ:トリメチロールプロパントリアクリレート 10 重量部
光反応開始剤:ベンゾフェノン 2重量部
マスク13を設置して、紫外線を照射する(図3(b))。次いで、現像液としてN−メチル−2−ピロリドン、リンス液としてイソプロピルアルコールを用いて、現像・リンス処理を行う(図3(c))。最後に、280℃でポストベークを行い、残存しているポリイミド前駆体をポリイミド樹脂14(絶縁性樹脂4,5)に変換する(図3(d))。
このようにして絶縁性樹脂4がパターン形成されたシリコンチップ1の接合面に、下記のような組成を有する金属フィラー及び樹脂(エポキシ樹脂)の混合材6を塗布する(図2(c))。なお、樹脂(エポキシ樹脂)に対する金属フィラー添加量を55体積%とする。
(金属フィラーの組成)
Sn−Bi合金(平均粒径:8μm,融点:138℃)
Cu(Agメッキ品,平均粒径:35μm)
(Sn−BiフィラーとCuフィラーとの配合比率は1:1)
(樹脂(エポキシ樹脂)の組成)
主剤1:ビスフェノールF型エポキシ(EXA−830LVP:大日本インキ)
50重量部
主剤2:ナフタレン型エポキシ(HP−4032D:大日本インキ)
50重量部
硬化剤:酸無水物(KRM−291−5:旭電化) 100重量部
促進剤:イミダゾール(1M2EZ:四国化成) 0.1重量部
シリコンチップ1とヒートシンク2とを、絶縁性樹脂4,5が対向するように位置合せした後(図2(d))、150℃,1時間の条件で加熱して、混合材6を介して、シリコンチップ1及びヒートシンク2を接合する(図2(e))。
この加熱処理により、Sn−Bi合金フィラーが溶融して、絶縁性樹脂4,5が形成されていない領域ではSn−Bi合金に濡れるため、溶融したSn−Bi合金フィラーにCuフィラーが分散した態様の熱伝導性が高い金属接続部3aが形成され、一方、絶縁性樹脂4,5が形成されている領域ではこれらの金属に濡れないため、エポキシ樹脂が硬化して樹脂接続部3bが形成された伝熱シート3が得られる。この金属接続部3aでは、金属フィラーが点接触とならずに面接触となるため、熱伝導性が高くなる。
シリコンチップ1及びヒートシンク2は、融点が200℃以下の金属フィラーとの濡れ性が良好である必要がある。よって、濡れ性が悪い場合には、シリコンチップ1及び/またはヒートシンク2に、例えばAuメッキなどの前処理を行っておくことが好ましい。
このような構成を有する本発明の熱伝導構造体10では、金属フィラーと樹脂とを併用した熱伝導性材料を用いて、シリコンチップ1とヒートシンク2との間に介在される金属接続部3a及び樹脂接続部3bを有する伝熱シート3を設けるようにしたので、金属の加熱に伴う熱応力を樹脂接続部3bにて緩和でき、シリコンチップ1とヒートシンク2との接続信頼性は良好であり、また、高熱伝導特性を有する金属接続部3aの存在によって放熱特性も優れている。
また、本発明の熱伝導構造体10では、絶縁性樹脂4,5の形成パターンを制御することにより、伝熱シート3における金属接続部3a及び樹脂接続部3bの形成位置を調整することが可能である。よって、シリコンチップ1のヒートスポットの領域に対応させて、熱伝導性が高い金属接続部3aを選択的に形成することができ、局部的な温度上昇を抑制して、効率的な熱放散を行える。
次に、本発明の熱伝導構造体10を用いて作製した試作品における熱特性の評価について説明する。
図4は、評価対象の試作品の構造を示す断面図であり、図4において図1と同一部分には同一番号を付している。シリコンチップ1の電極(図示せず)と樹脂製の基板21の電極22とは、バンプ23によって接続されている。この接続部分は、樹脂24で封止されている。
試作品として、絶縁性樹脂4,5のパターン形成率を接合面全体の80%,60%,40%,20%,0%(言い換えると、絶縁性樹脂4,5を形成しない開口部の比率を接合面全体の20%,40%,60%,80%,100%)としたものを作製した。なお、伝熱シート3、絶縁性樹脂4,5における金属フィラー,各種の樹脂は上述した材料を使用した。
作製したこれらの試作品の接合部の熱抵抗を測定した結果、絶縁性樹脂4,5のパターン形成率が60%以下(言い換えると、開口部の比率が40%以上)である試作品では、0.04℃・cm2 /W以下と良好な熱特性を呈したのに対して、絶縁性樹脂4,5のパターン形成率が80%(言い換えると、開口部の比率が20%)である試作品では、0.04℃・cm2 /Wを超える値であった。
また、作製したこれらの試作品に対して温度サイクル試験(−25℃〜125℃,100サイクル)を施して、温度サイクル試験後の熱特性を調べた。試験後の各試料の熱抵抗を測定した結果、絶縁性樹脂4,5のパターン形成率が60%以下(言い換えると、開口部の比率が40%以上)である試作品では、0.04℃・cm2 /W以下と試験前と同等の熱特性を維持できていたのに対して、絶縁性樹脂4,5のパターン形成率が80%(言い換えると、開口部の比率が20%)である試作品では、試験前と同等の熱特性を維持できていなかった。
以上のことから、絶縁性樹脂4,5のパターン形成率は接合面全体の60%以下(言い換えると、絶縁性樹脂4,5を形成しない開口部の比率は接合面全体の40%以上)であることが好ましいことが分かった。
図5は、本発明の評価対象の試作品の構造を示す断面図であり、図5において図1と同一部分には同一番号を付している。1aは基板21のシリコンチップ1のCPUコア部からなるヒートスポット(図8参照)である。ヒートスポット1aは、他の部分に比べて発熱量が多くて高温になる。図5に示す試作品では、ヒートスポット1aに対応する領域では、絶縁性樹脂4,5が形成されておらず、伝熱シート3の全てが金属接続部3aであって樹脂接続部3bは存在していない。
図6は、比較例としての評価対象の試作品の構造を示す断面図であり、図6において図1と同一部分には同一番号を付している。図6に示す試作品では、ヒートスポット1aの位置とは無関係に金属接続部3a及び樹脂接続部3bが形成されており、ヒートスポット1aに対応する領域にも樹脂接続部3bが存在している。
なお、図5,図6に示す各試作品では、絶縁性樹脂4,5のパターン形成率を接合面全体の60%以下(言い換えると、絶縁性樹脂4,5を形成しない開口部の比率を接合面全体の40%以上)とした。また、伝熱シート3、絶縁性樹脂4,5における金属フィラー,各種の樹脂は上述した材料を使用した。
図5,図6に示す各試作品におけるシリコンチップ1内の温度分布を測定した。図5に示す試作品では、最大の温度ばらつきが3.5℃であったのに対して、図6に示す試作品では、最大の温度ばらつきが9.3℃であった。この結果から、ヒートスポット1aに対応する領域に、絶縁性樹脂4,5を形成しないで金属接続部3aのみを設けることにより、シリコンチップ1内の温度ばらつきを小さくできたことが分かった。つまり、ヒートスポット1aに対応する領域の伝熱シート3を全て金属接続部3aで構成することにより、局部的な温度上昇(ヒートスポット1aでの温度上昇)を抑えて、シリコンチップ1内の温度ばらつきを抑制する効果を奏し得ることを確認できた。
なお、上述した実施の形態は本発明の一例であり、本発明がこの実施の形態に限定されるものではない。
図7は、本発明の熱伝導構造体の他の実施の形態を示す断面図である。図7において、図5と同一部分には同一符号を付している。図7に示す実施の形態の伝熱シート3では、ヒートスポット1aに対応する領域が、絶縁性樹脂4,5を形成しない金属接続部3aであり、ヒートスポット1aに対応する領域以外の領域が、絶縁性樹脂4,5を形成した樹脂接続部3bである。
絶縁性樹脂4,5として、ポリイミド樹脂を使用したが、エポキシ樹脂,フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を用いてもよい。また、混合材6に含まれる融点が200℃以下である金属フィラーとして、Sn−Bi合金を使用したが、これに限らず、Sn−Bi合金,In−Sn−Bi合金,In−Bi合金,In−Sn合金,Pb−Sn合金,Inの中の少なくとも1種類の材料を使用することができる。混合材6に含まれる熱伝導性が良好な金属フィラーとして、AgメッキされたCuを使用したが、Cu以外に、Au,Ag,Sn,Alなどの金属を使用してもよく、融点が200℃以下の金属フィラーとの濡れ性を良くするためにAuメッキ,Agメッキなどの表面処理を施しておいてもよい。更に、混合材6に含まれる熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂を使用したが、フェノール樹脂,シリコーン樹脂などの他の種類の熱硬化性樹脂を用いてもよい。
絶縁性樹脂4がパターン形成されたシリコンチップ1に混合材6を塗布するようにしたが、絶縁性樹脂5がパターン形成されたヒートシンク2に混合材6を塗布してもよく、また、シリコンチップ1及びヒートシンク2の両方に混合材6を塗布してもよい。
(付記1)発熱体と放熱体との間に設けられ、前記発熱体からの熱を前記放熱体へ伝導する伝熱シートにおいて、金属と樹脂とを含んでおり、金属含有率が互いに異なる複数の領域を有することを特徴とする伝熱シート。
(付記2)前記複数の領域の形状は、ヒートスポット領域と該ヒートスポット領域以外の領域との形状と同じであることを特徴とする付記1記載の伝熱シート。
(付記3)前記金属は、融点が200℃以下である第1種金属と、該第1種金属より熱伝導性が高い第2種金属とを有することを特徴とする付記1または2記載の伝熱シート。 (付記4)前記第1種金属は、Sn−Bi合金,In−Sn−Bi合金,In−Bi合金,In−Sn合金,Pb−Sn合金,及びInからなる群から選ばれた金属であることを特徴とする付記3記載の伝熱シート。
(付記5)前記第2種金属は、Au,Ag,Cu,Sn,及びAlからなる群から選ばれた金属であることを特徴とする付記3記載の伝熱シート。
(付記6)発熱体と、放熱体と、該発熱体及び放熱体の間に設けられ、前記発熱体からの熱を前記放熱体へ伝導する伝熱シートとを備える熱伝導構造体において、前記伝熱シートは、金属と樹脂とを含んでおり、金属含有率が互いに異なる複数の領域を有することを特徴とする熱伝導構造体。
(付記7)前記発熱体には、温度が互いに異なる複数の領域が存在し、前記発熱体の高温側の領域に前記伝熱シートの金属含有率が多い方の領域を対応させていることを特徴とする付記6記載の熱伝導構造体。
(付記8)前記発熱体には、温度が互いに異なる複数の領域が存在し、前記発熱体の低温側の領域に前記伝熱シートの樹脂含有率が多い方の領域を対応させていることを特徴とする付記6記載の熱伝導構造体。
(付記9)前記金属は、融点が200℃以下である第1種金属と、該第1種金属より熱伝導性が高い第2種金属とを有することを特徴とする付記6乃至8のいずれかに記載の熱伝導構造体。
(付記10)前記第1種金属は、Sn−Bi合金,In−Sn−Bi合金,In−Bi合金,In−Sn合金,Pb−Sn合金,及びInからなる群から選ばれた金属であることを特徴とする付記9記載の熱伝導構造体。
(付記11)前記第2種金属は、Au,Ag,Cu,Sn,及びAlからなる群から選ばれた金属であることを特徴とする付記9記載の熱伝導構造体。
(付記12)発熱体と、放熱体と、該発熱体及び放熱体の間に接合され、前記発熱体からの熱を前記放熱体へ伝導する伝熱シートとを備える熱伝導構造体を製造する方法において、前記発熱体及び放熱体の接合面に絶縁性樹脂をパターン形成する工程と、前記絶縁性樹脂がパターン形成された前記発熱体及び/または放熱体の接合面に、金属と樹脂との混合材を塗布する工程と、前記発熱体及び放熱体にパターン形成された前記絶縁性樹脂を位置合せして、前記発熱体、混合材及び放熱体を加熱接合する工程とを有することを特徴とする熱伝導構造体の製造方法。
(付記13)前記発熱体及び放熱体の接合面への前記絶縁性樹脂のパターン形成率が接合面全体の60%以下であることを特徴とする付記12記載の熱伝導構造体の製造方法。 (付記14)前記混合材は、熱硬化性樹脂に熱伝導性の金属フィラーを分散させた材料であることを特徴とする付記12または13記載の熱伝導構造体の製造方法。
(付記15)前記金属フィラーは、融点が200℃以下の第1種金属フィラーと、該第1種金属フィラーより熱伝導性が高い第2種金属フィラーとを含むことを特徴とする付記14記載の熱伝導構造体の製造方法。
(付記16)前記第1種金属フィラーは、Sn−Bi合金,In−Sn−Bi合金,In−Bi合金,In−Sn合金,Pb−Sn合金,及びInからなる群から選ばれた材料であることを特徴とする付記15記載の熱伝導構造体の製造方法。
(付記17)前記第2種金属フィラーは、Au,Ag,Cu,Sn,及びAlからなる群から選ばれた材料であることを特徴とする付記15記載の熱伝導構造体の製造方法。
本発明に係る熱伝導構造体の構成を示す断面図である。 本発明に係る熱伝導構造体の製造方法の工程を示す断面図である。 絶縁性樹脂のパターン形成の手順を示す図である。 評価対象の試作品の構造を示す断面図である。 本発明の評価対象の試作品の構造を示す断面図である。 比較例としての評価対象の試作品の構造を示す断面図である。 本発明の熱伝導構造体の他の実施の形態を示す断面図である。 半導体素子におけるヒートスポットを示す図である。
符号の説明
1 シリコンチップ(発熱体)
1a ヒートスポット
2 ヒートシンク(放熱体)
3 伝熱シート
3a 金属接続部
3b 樹脂接続部
4,5 絶縁性樹脂
6 混合材
10 熱伝導構造体
11 基材
12 感光液層
13 マスク
14 ポリイミド樹脂

Claims (9)

  1. 発熱体と、放熱体と、該発熱体及び放熱体の間に設けられ、前記発熱体からの熱を前記放熱体へ伝導する伝熱シートとを備える熱伝導構造体において、
    前記伝熱シートは、前記発熱体及び放熱体にパターン形成された絶縁性樹脂の間に設けられ、金属と樹脂とを含んでおり、金属含有率が互いに異なる複数の領域を有しており、前記金属は、融点が200℃以下である第1種金属と、該第1種金属より熱伝導性が高い第2種金属とを有することを特徴とする熱伝導構造体。
  2. 前記発熱体には、温度が互いに異なる複数の領域が存在し、前記発熱体の高温側の領域に前記伝熱シートの金属含有率が多い方の領域を対応させていることを特徴とする請求項記載の熱伝導構造体。
  3. 前記発熱体には、温度が互いに異なる複数の領域が存在し、前記発熱体の低温側の領域に前記伝熱シートの樹脂含有率が多い方の領域を対応させていることを特徴とする請求項記載の熱伝導構造体。
  4. 発熱体と、放熱体と、該発熱体及び放熱体の間に接合され、前記発熱体からの熱を前記放熱体へ伝導する伝熱シートとを備える熱伝導構造体を製造する方法において、
    前記発熱体及び放熱体の接合面に絶縁性樹脂をパターン形成する工程と、
    前記絶縁性樹脂がパターン形成された前記発熱体及び/または放熱体の接合面に、金属と樹脂との混合材を塗布する工程と、
    前記発熱体及び放熱体にパターン形成された前記絶縁性樹脂を位置合せして、前記発熱体、混合材及び放熱体を加熱接合する工程と
    を有することを特徴とする熱伝導構造体の製造方法。
  5. 前記発熱体及び放熱体の接合面への前記絶縁性樹脂のパターン形成率が接合面全体の60%以下であることを特徴とする請求項記載の熱伝導構造体の製造方法。
  6. 前記混合材は、熱硬化性樹脂に熱伝導性の金属フィラーを分散させた材料であることを特徴とする請求項または記載の熱伝導構造体の製造方法。
  7. 前記金属フィラーは、融点が200℃以下の第1種金属フィラーと、該第1種金属フィラーより熱伝導性が高い第2種金属フィラーとを含むことを特徴とする請求項記載の熱伝導構造体の製造方法。
  8. 前記第1種金属フィラーは、Sn−Bi合金,In−Sn−Bi合金,In−Bi合金,In−Sn合金,Pb−Sn合金,及びInからなる群から選ばれた材料であることを特徴とする請求項記載の熱伝導構造体の製造方法。
  9. 前記第2種金属フィラーは、Au,Ag,Cu,Sn,及びAlからなる群から選ばれた材料であることを特徴とする請求項記載の熱伝導構造体の製造方法。
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CNB2004100114761A CN100385651C (zh) 2004-08-19 2004-12-31 传热板、传热构造体及其制造方法

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3834023B2 (ja) * 2003-08-19 2006-10-18 株式会社東芝 インターフェイスモジュール付lsiパッケージ及びそれに用いるヒートシンク
JP5165207B2 (ja) * 2006-03-29 2013-03-21 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置の製造方法
CN100383920C (zh) * 2006-05-26 2008-04-23 江阴长电先进封装有限公司 芯片级硅穿孔散热方法及其结构
US9179579B2 (en) * 2006-06-08 2015-11-03 International Business Machines Corporation Sheet having high thermal conductivity and flexibility
US20070295496A1 (en) * 2006-06-23 2007-12-27 Hall David R Diamond Composite Heat Spreader
JP5069876B2 (ja) * 2006-07-13 2012-11-07 新光電気工業株式会社 半導体モジュールおよび放熱板
JP2008108781A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Fujikura Ltd 冷却システム
KR20100075894A (ko) * 2007-09-11 2010-07-05 다우 코닝 코포레이션 복합재, 복합재를 포함하는 열계면재료, 그리고 이들의 제조방법 및 용도
JP5243975B2 (ja) * 2008-02-04 2013-07-24 新光電気工業株式会社 熱伝導部材を有する半導体パッケージ放熱用部品及びその製造方法
JP5120032B2 (ja) * 2008-04-03 2013-01-16 株式会社デンソー 電子装置
TW201101980A (en) * 2009-06-19 2011-01-01 shi-yao Huang High heat dissipation single grain diamond layer carrier
US20110044004A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Garosshen Thomas J Heat transfer apparatus having a thermal interface material
JP5465125B2 (ja) * 2010-07-30 2014-04-09 Fdk株式会社 蓄電モジュール
KR102178826B1 (ko) 2013-04-05 2020-11-13 삼성전자 주식회사 히트 스프레더를 갖는 반도체 패키지 및 그 형성 방법
CN103789593B (zh) * 2014-01-01 2016-09-21 中山大学 一种散热材料及其制备方法
TW201601358A (zh) * 2014-06-19 2016-01-01 道康寧公司 用於晶圓級z軸熱中介層的可光圖案化聚矽氧
JP6371245B2 (ja) * 2015-03-20 2018-08-08 日本電気株式会社 熱伝導性部材、冷却構造及び装置
WO2018088318A1 (ja) 2016-11-11 2018-05-17 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに無線通信機器
JP6363687B2 (ja) 2016-12-26 2018-07-25 デクセリアルズ株式会社 半導体装置
JP7067264B2 (ja) * 2018-05-21 2022-05-16 株式会社デンソー 電子装置
JP6379319B1 (ja) * 2018-06-28 2018-08-22 デクセリアルズ株式会社 半導体装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58169912A (ja) 1982-03-31 1983-10-06 Hitachi Ltd 半導体装置
US4654754A (en) * 1982-11-02 1987-03-31 Fairchild Weston Systems, Inc. Thermal link
JPH05209157A (ja) 1992-01-29 1993-08-20 Nec Corp 電子デバイス用接着剤
JP3305720B2 (ja) * 1993-07-06 2002-07-24 株式会社東芝 放熱シート
JP3017396B2 (ja) 1994-05-18 2000-03-06 株式会社ピーエフユー ファン付きヒートシンク装置
JPH0945827A (ja) 1995-08-02 1997-02-14 Hitachi Ltd 半導体装置
US5649593A (en) * 1996-01-17 1997-07-22 Kitagawa Industries Co., Ltd. Radiator member
JPH09246439A (ja) 1996-03-13 1997-09-19 Pfu Ltd 発熱部品の冷却機構
US5781412A (en) * 1996-11-22 1998-07-14 Parker-Hannifin Corporation Conductive cooling of a heat-generating electronic component using a cured-in-place, thermally-conductive interlayer having a filler of controlled particle size
US6432497B2 (en) * 1997-07-28 2002-08-13 Parker-Hannifin Corporation Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components
JP4085536B2 (ja) * 1998-11-09 2008-05-14 株式会社日本自動車部品総合研究所 電気機器およびその製造方法並びに圧接型半導体装置
JP2001111185A (ja) * 1999-07-30 2001-04-20 Ngk Insulators Ltd 配線基板材及びこれを用いたプリント回路用の基板材
US6797758B2 (en) 2000-04-05 2004-09-28 The Bergquist Company Morphing fillers and thermal interface materials
JP2002299534A (ja) 2001-04-02 2002-10-11 Denso Corp 放熱材およびその製造方法
JP3830860B2 (ja) 2001-05-31 2006-10-11 松下電器産業株式会社 パワーモジュールとその製造方法
JP2003023127A (ja) 2001-07-05 2003-01-24 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子機器の放熱部材形成用粒状材料及び用途
US7038009B2 (en) * 2001-08-31 2006-05-02 Cool Shield, Inc. Thermally conductive elastomeric pad and method of manufacturing same
US6821625B2 (en) * 2001-09-27 2004-11-23 International Business Machines Corporation Thermal spreader using thermal conduits
US6896045B2 (en) * 2001-10-24 2005-05-24 Cool Shield, Inc. Structure and method of attaching a heat transfer part having a compressible interface
JP3803058B2 (ja) 2001-12-11 2006-08-02 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物、その硬化物及び敷設方法並びにそれを用いた半導体装置の放熱構造体
US20030127727A1 (en) 2002-01-09 2003-07-10 Nitto Denko Corporation Thermally conductive sheet and semiconductor device using same
JP3844125B2 (ja) 2002-01-22 2006-11-08 信越化学工業株式会社 放熱部材、その製造方法及びその敷設方法
US7036573B2 (en) * 2002-02-08 2006-05-02 Intel Corporation Polymer with solder pre-coated fillers for thermal interface materials
JP2003234444A (ja) 2002-02-12 2003-08-22 Kyocera Chemical Corp 熱伝導シート

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