DE19928075A1

DE19928075A1 - Wärmeableiter und Speichermodul mit Wärmeableiter

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Publication number: DE19928075A1
Application number: DE19928075A
Authority: DE
Inventors: Masashi Kawamura
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: Longitude Licensing Ltd
Priority date: 1998-06-12
Filing date: 1999-06-12
Publication date: 2000-01-27
Anticipated expiration: 2019-06-13
Also published as: US6424532B2; US20020001180A1; CN1157783C; DE19928075B4; JPH11354701A; JP3109479B2; CN1239327A; KR100297226B1; KR20000006134A; TW405248B

Abstract

Ein Speichermodul 10 wird an eine/einen "Abdeckung und Wärmeableiter" 5, die/der einen U-förmigen Querschnitt aufweist, so angepaßt, daß das Speichermodul 10 in eine U-förmige tiefe Ausnehmung der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 eingefügt wird und daß alle gepackten Speicher-ICs 3 und die anderen Komponenten 2, die auf jeder Seite der Leiterplatte 1 angebracht sind, durch die/den "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 abgedeckt werden, wobei ein Silikonfett 6 zwischen die/den "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 und die gepackten Speicher-ICs 3 gefüllt wird. Die Wärme, die in jedem gepackten Speicher-IC 3 erzeugt wird, wird über das Silikonfett 6 zu der/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 geleitet, und die Wärme wird von der Oberfläche der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5, die/der eine große Oberfläche aufweist, abgestrahlt. Zusätzlich werden, weil alle Komponenten 2 und 3, die auf der Leiterplatte angebracht sind, mit der/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 abgedeckt werden, die Komponenten 2 und 3, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, vor mechanischen Stoß geschützt. Außerdem ist es möglich zu unterscheiden, ob der Grad des Verziehens der Leiterplatte 1 eine erlaubte Grenze übersteigt oder nicht. Weil das Speichermodul nicht in die U-förmige tiefe Ausnehmung der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 eingesetzt werden kann, wenn das Verziehen der Leiterplatte eine bestimmte Grenze übersteigt.

Description

Hintergrund der Erfindung Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Kühlkörper/ Wärmeableiter, der ausgebildet ist, um an ein Speichermodul angepaßt zu werden, und ein Speichermodul, an das ein Wärme ableiter angepaßt ist, und genauer auf einen Wärmeableiter, der ausgebildet ist, um an ein Speichermodul angepaßt zu werden, das aus einer Mehrzahl DRAMs, die hauptsächlich auf einer Leiterplatte angebracht sind, besteht, zu passen und auf solch ein Speichermodul, an das ein Wärmeableiter anpaßt ist.

Beschreibung des Standes der Technik

In letzter Zeit hat die Erhöhung der Betriebsgeschwindigkeit und der Speicherkapazität bei Halbleiterspeichern wie einem DRAM (dynamischer Random-Access-Speicher) schnelle Fortschritte gemacht. Bei einer erhöhten Integrationsdichte der Halbleiterspeicher nimmt die erzeugte Wärmemenge der Halbleiterspeicher ICs (integrierte Schaltung) entsprechend zu. Zusätzlich wird die Verkleinerung eines Moduls, in dem mikroelektronische Komponenten einschließlich der Halbleiterspeicher-ICs untergebracht sind, gefordert. Andererseits umfaßt ein Speichermodul in einigen Fällen ein IC oder ähnliches, um eine Zeitverzögerung eines Signals, die durch die erhöhte Betriebsgeschwindigkeit von einzelnen DRAMs verursacht wird, zu kompensieren. Als Folge werden auf einer Leiterplatte zusätzlich zu den Halbleiter speicher-ICs viele ICs und chipartige Schaltungskomponenten angebracht, so daß die Anzahl an Komponenten, die in einem Speichermodul angebracht sind, eine Tendenz zum Ansteigen aufweist.

Nun wird mit Bezug auf Fig. 1A und 1B, die eine schematische Draufsicht und eine schemati sche Seitenansicht eines typischen Beispieles eines Speichermoduls nach dem Stand der Technik sind, ein Speichermodul nach dem Stand der Technik beschrieben. Wie in den Fig. 1A und 1B gezeigt, wird das Speichermodul generell mit Bezugszeichen 10 bezeichnet und umfaßt eine Anzahl eng angeordneter/gepackter Speicher-ICs 3 und eine Mehrzahl chipartiger Kondensatoren 2, die auf jeder Seite einer Leiterplatte 1 angebracht sind. Die Leiterplatte 1 weist eine Reihe Kontaktflächen 4 auf, die zur elektrischen Verbindung mit einem entspre chenden Anschlußsockel entlang einer Längsseitenkante jeder Seite der Leiterplatte 1 vorge sehen sind.

Wie man aus den Fig. 1A und 1B sieht, sind die Halbleiterspeicher-ICs 3 und die chipartigen Kondensatoren 2 auf jeder Vorderseite der Leiterplatte 1 in nacktem Zustand 1 angebracht, und das Speichermodul 10 wird in einen Schlitz in einem System, wie z. B. einem Perso nalcomputer, in diesem nackten Zustand eingesetzt. Deshalb wird die Wärme, die in den Speicher-ICs 3 erzeugt wird, nur von der Oberfläche der Speicher-ICs 3 abgestrahlt.

Weil die Wärmestrahlung von der Oberfläche der Speicher-ICs nur die Ableitung der in den Speicher-ICs erzeugten Wärme, ist, kann bei dem oben erwähnten Speichermodul nach dem Stand der Technik keine zufriedenstellende Wärmeableitungswirksamkeit erreicht werden. Weil die Wärmeabstrahlungswirksamkeit selbst durch die Form der DRAM-Anordnung be einflußt wird, begegnet man des weiteren einem neuen Problem darin, daß die Leistung des Speichers wegen der erhöhten Wärme der DRAM, die durch eine erhöhte Integrationsdichte verursacht wird, sinkt.

Weil das Speichermodul nach dem Stand der Technik in dem Zustand, daß sich alle Kompo nenten, die auf dem Modul angebracht sind, in nacktem Zustand befinden, zusammengesetzt wird, besteht außerdem eine hohe Wahrscheinlichkeit, daß die chipartigen Komponenten, wie Kondensatoren und Widerstände, die an einer Randzone der Leiterplatte des Speichermoduls liegen, aufgrund mechanischer Stöße im Verlauf eines Transportes abbrechen oder verloren gehen. Weiterhin wird mit einer erhöhten Leistung der ICs, die auf der Leiterplatte des Spei chermoduls angebracht sind, der Pin-Abstand der angeordneten ICs eng, mit der Folge, daß ein weiteres neues Problem auftritt, wie z. B. ein Kurzschließen der Pins des IC, das durch eine äußere Ursache hervorgerufen wird.

Abgesehen davon werden die Komponenten einschließlich der Speicher-ICs auf herkömmli che Weise durch Anordnen der Komponenten auf einer Lötpaste, die auf die Leiterplatte ge druckt ist, und Einbringen der Leiterplatte in einem Schmelzofen, so daß die Komponenten auf der Leiterplatte verlötet werden, auf der Leiterplatte angebracht. Bei diesem Prozeß wird die Leiterplatte oft verzogen bzw. verwunden, und, wenn die Komponenten auf der verzoge nen Leiterplatte angebracht werden, wirkt eine (mechanische) Spannung auf die Leiterplatte, wenn das Speichermodul in einem Schlitz in ein System, wie z. B. einen Personalcomputer, eingesetzt wird, mit dem Ergebnis, daß sich die Komponenten von der Leiterplatte lösen.

Die japanische Patentanmeldung Veröffentlichung (vor der Prüfung) Nr. JP-A-07-202120 (eine englische Zusammenfassung von JP-A-07-202120 ist vorhanden, und der Inhalt der englischen Zusammenfassung wird durch die Zitierung in seiner Gesamtheit zum Bestandteil dieser Anmeldung gemacht) schlägt einen hohen wärmestrahlenden Speicher vor, der kon struiert ist, um effektiv Wärme, die von einem Speicher-IC erzeugt wird, durch Binden der gepackten Speicher-IC auf eine Oberfläche eines wärmestrahlenden Substrates und durch Abdecken der gepackten Speicher-IC und der einen Oberfläche des wärmestrahlenden Sub strates Harz abzustrahlen.

Dieser Stand der Technik soll die Wärmeabstrahlungswirksamkeit einzelner Speicher-ICs heben, mit dem Ergebnis, daß das Speichermodul, das aus einer Anzahl von auf einer Leiter platte angebrachten Speicher-ICs, die eine hohe Wärmeabstrahlungswirksamkeit aufweisen, aufgebaut ist, insgesamt eine hohe Wärmeabstrahlungswirksamkeit aufweisen kann. Jedoch werden die einzelnen Speicher-ICs in der Struktur kompliziert und teuer, und deshalb wird das Speichermodul entsprechend teuer. Außerdem kann diese Methode das Problem des Ver ziehens/Verwindens der Leiterplatte nicht lösen.

Zusammenfassung der Erfindung

Demgemäß ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Wärmeableiter, der ausgebildet ist, um an ein Speichermodul anpaßt zu werden, und ein Speichermodul, an das ein Wär meableiter angepaßt ist, zur Verfügung zu stellen, die die oben erwähnten Probleme des Stan des der Technik überwinden.

Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen Wärmeableiter zu schaffen, der ausgebildet ist, um an ein Speichermodul angepaßt zu werden, und der Wärme, die von ge packten Halbleiterspeichern wie DRAMs, die an dem Speichermodul angebracht sind, erzeugt wird, effektiv ableiten kann, und der Komponenten, die auf einer Leiterplatte des Speicher moduls angebracht sind, vor einem mechanischen Stoß schützen kann, und der auch den Grad des Verziehens/Verwindens der Leiterplatte, auf der die gepackten Halbleiterspeicher und die anderen Komponenten angebracht sind, unterscheiden kann.

Noch ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Speichermodul, das an den oben erwähnten Wärmeableiter angepaßt ist, zu schaffen.

Die obigen und andere Ziele der vorliegenden Erfindung werden in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung durch einen Wärmeableiter gelöst, der so ausgebildet ist, daß es über ein Speichermodul, das aus einer Mehrzahl von gepackten, integrierten Speicherschaltkreisen, die auf einer Leiterplatte angebracht sind, zusammengesetzt ist, paßt, wobei der Wärmeablei ter einen U-förmigen Querschnitt aufweist, so daß das Speichermodul in einen U-förmigen Rezeß des Wärmeableiters eingesetzt werden kann, wobei ein thermisch leitendes Material, zwischen dem Wärmeableiter und den gepackten, integrierten Speicherschaltkreisen, die auf der Leiterplatte angebracht sind, eingesetzt wird und mit dem Wärmeableiter und den ge packten, integrierten Speicherschaltkreisen in Kontakt steht.

In einer Ausführungsform ist das thermisch leitende Material ein thermisch hochleitendes Element, und der Wärmeableiter ist aus einem elastischen Material, das eine Klemm-Funktion aufweist, gebildet, so daß das Speichermodul mechanisch durch den Wärmeableiter durch das thermisch hochleitende Element gehalten wird. Vorzugsweise weist der Wärmeableiter an seiner äußeren Oberfläche eine Anzahl von Wölbungen auf, die eine vergrößerte äußere Ober flache schaffen.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Speichermodul zur Ver fügung gestellt, das aus einer Mehrzahl gepackter, integrierter Speicherschaltkreise, die auf einer Leiterplatte angebracht sind, besteht und an einen Wärmeableiter angepaßt ist, der einen solchen U-förmigen Querschnitt aufweist, daß das Speichermodul in eine U-förmige Aus nehmung des Wärmeableiters eingesetzt wird, wobei ein thermisch leitendes Material, zwi schen dem Wärmeableiter und den gepackten integrierten Speicherschaltkreisen eingesetzt wird und mit dem Wärmeableiter und den gepackten, integrierten Speicherschaltkreisen in Kontakt steht.

In einer Ausführungsform ist das thermisch leitende Material ein thermisch hochleitendes Element, und der Wärmeableiter ist aus einem elastischen Material gebildet, damit es eine Klemm-Funktion aufweist, so daß das Speichermodul durch den Wärmeableiter durch das thermisch hochleitende Element mechanisch gehalten wird. Das thermisch leitende Element ist vorzugsweise ein thermisch hochleitendes Gummi, mit elektrisch isolierender Eigenschaft, und der Wärmeableiter weist eine Anzahl von Wölbungen an seiner äußeren Oberfläche auf, um eine vergrößerte äußere Oberfläche aufzuweisen.

Der Wärmeableiter kann von dem Speichermodul lösbar sein. In einer weiteren Ausführungs form ist das thermisch leitende Material Silikonfett.

Vorzugsweise hat der Wärmeableiter eine Länge des Wärmeableiters und eine Tiefe der U-förmigen Ausnehmung, die ausreichend ist, um alle gepackten, integrierten Speicherschalt kreise, die auf der Leiterplatte angebracht sind, abzudecken.

Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung unter Bezug nahme auf die begleitenden Zeichnungen deutlich.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1A und 1B sind eine schematische Draufsicht bzw. eine schematische Seitenansicht eines typischen Beispieles eines Speichermoduls nach dem Stand der Technik;

Fig. 2A und 2B sind eine schematische Draufsicht bzw. ein schematischer Querschnitt einer ersten Ausführungsform des Speichermodules, das in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung an den Wärmeableiter angepaßt ist;

Fig. 2C ist eine schematische teilweise Schnittansicht entlang der Linie A-A in Fig. 2B;

Fig. 3A und 3B sind eine schematische Draufsicht bzw. ein schematischer Querschnitt einer zweiten Ausführungsform des Speichermodules, das in Übereinstimmung mit der vorliegen den Erfindung an den Wärmeableiter angepaßt ist; und

Fig. 3C ist eine schematische teilweise Schnittansicht entlang der Linie B-B in Fig. 3B.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

Bezug nehmend auf Fig. 2A und 2B ist eine schematische Draufsicht bzw. ein schematischer Querschnitt einer ersten Ausführungsform des Speichermoduls, das in den Wärmeableiter in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung eingepaßt ist, gezeigt. Fig. 2C ist eine schematische teilweise Schnittansicht entlang der Linie A-A in Fig. 2B. In den Fig. 2A, 2B und 2C sind Elementen, die ähnlich den in Fig. 1A und 1B gezeigten sind, die gleichen Be zugszeichen gegeben, und eine Erklärung wird zur Vereinfachung weggelassen.

Wie man aus einem Vergleich der Fig. 1A und 1B mit den Fig. 2A und 2B sieht, ist die erste Ausführungsform dadurch gekennzeichnet, daß das herkömmliche Speichermodul 10 (beste hend aus einer Mehrzahl Speicher-ICs 3 und einer Mehrzahl chipartiger Kondensatoren 2, die auf einer Leiterplatte 1, die eine Anzahl Kontaktflächen 4, die entlang einer Seitenkante der Leiterplatte 1 angeordnet sind, aufweist, angebracht sind) in Übereinstimmung mit der vorlie genden Erfindung an eine/einen "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 angepaßt ist.

Diese/dieser "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 hat einen U-förmigen Querschnitt, wie in Fig. 2B gezeigt ist. Die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 weist eine obere Platte 5A und ein Paar Seitenplatten 5B und 5C auf, die sich von gegenüberliegenden Längsseiten der oberen Platte 5A vertikal und gerade nach unten erstrecken, so daß sie dazwischen eine U-förmige tiefe Ausnehmung begrenzen. Ein Abstand S zwischen den gegenüberliegenden inne ren Oberflächen der Seitenplatten 5B und 5C ist größer als die Stärke T des Speichermodules 10. Dieser Abstand 11 ist von einem oberen Ende bis zu einem unteren Ende der Seitenplatten 5B und 5C konstant. Die Länge L der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 und die Tiefe D der U-förmigen tiefen Ausnehmung (ein Abstand von einer inneren Oberfläche der oberen Platte 5A zu einer freien Kante des Paares Seitenplatten 5B und 5C) sind ausreichend, um alle gepackten Speicher-ICs und die anderen Komponenten, die auf der Leiterplatte angebracht sind, abzudecken, aber die Kontaktflächen 4 in einem offenen Zustand zu erhalten. In der ge zeigten Ausführungsform ist die Länge L der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 länger als ein Abstand von einer linken Kante des am weitesten links angeordneten gepackten Spei cher-ICs bis zu einer rechten Kante des am weitesten rechts angeordneten gepackten Spei cher-ICs in Fig. 2A, aber kürzer als die Länge der Leiterplatte 1, und die Tiefe D ist in dem in Fig. 2A gezeigten Zustand etwas länger als ein Abstand von einem oberen Ende der Leiter platte 1 bis zu einem unteren Ende der gepackten Speicher-ICs.

Wie in den Fig. 2A und 2B gezeigt ist, weist außerdem wenigstens das Seitenplattenpaar 5B und 5C der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 vorzugsweise eine Anzahl Wölbungen oder schmale Vorsprünge 5D auf, die an ihrer äußeren Oberfläche gebildet sind, um die Flä che der Oberflächen zu vergrößern, um so die Wärmeabstrahlungswirksamkeit zu erhöhen, Aber nicht nur das Seitenplattenpaar 5B und 5C, sondern auch die obere Platte 5A kann eine Anzahl Wölbungen oder schmale Vorsprünge 5D an ihrer äußeren Oberfläche aufweisen.

Folglich paßt die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 so über das Speichermodul 10, daß das Speichermodul in die U-förmige tiefe Ausnehmung zwischen dem Seitenplattenpaar 5B und 5C eingesetzt wird und alle gepackten Speicher-ICs 3 und die anderen Komponenten 2, die an jeder Seite der Leiterplatte 1 angebracht sind, durch die Seitenplatten 5B und 5C abge deckt, aber die Kontaktflächen 4 nicht durch die Seitenplatten 5B und 5C abgedeckt sind. In diesem Zustand wird, wie in Fig. 2C gezeigt ist, ein Silikonfett 6, das eine gute thermische Leitfähigkeit und eine elektrisch isolierende Eigenschaft aufweist, in den Raum zwischen der inneren Oberfläche jeder Seitenplatte 5B und 5C und jeder gepackten Speicher-IC 3 gefüllt, so daß die Wärme, die in jeder gepackten Speicher-IC 3 erzeugt wird, über das Silikonfett 6 zu einer entsprechenden Seitenplatte 5B oder 5C geleitet wird. Weil sich das Silikonfett 6 zwischen den Seitenplatten 5B und 5C der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 und je der gepackten Speicher-IC 3 befindet, ist die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 von dem Speichermodul lösbar.

Wie oben erwähnt, wird die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 in der ersten Ausfüh rungsform über das herkömmliche Speichermodul 10 gepaßt, wobei das Silikonfett 6, zwi schen die/den "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 und die gepackten Speicher-ICs 3 gefüllt wird. Bei dieser Anordnung wird die Wärme, die in jedem gepackten Speicher-IC 3 erzeugt wird, über das Silikonfett zu der/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" 5, 6 geleitet, und die Wärme wird von der Oberfläche der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 abgestrahlt.

Weil die äußere Oberfläche der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 merklich größer ist als die gesamten äußeren Oberflächen aller gepackten Speicher-IC 3, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, kann die Wärme, die in den gepackten Speicher-ICs 3 erzeugt wird, effekti ver von der/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 abgeleitet werden als bei dem her kömmlichen Speichermodul 10, das in Fig. 1A und 1B gezeigt ist. Selbst wenn die äußere Oberfläche der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 keine Wölbungen 5D hat, brauchen hier, wenn die äußere Oberfläche der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 merklich grö ßer als die gesamte Oberfläche aller gepackter Speicher-IC 3, die auf der Leiterplatte ange bracht sind, ist, die Wölbungen 5D nicht notwendigerweise an der äußeren Oberfläche der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 vorgesehen zu sein. Es ist jedoch besonders bevor zugt, daß die Wölbungen 5D an der äußeren Oberfläche der/des "Abdeckung und Wär meableiters" 5 vorgesehen sind, weil es möglich ist, die äußere Oberfläche der/des "Abdec kung und Wärmeableiters" 5 weiter zu erhöhen.

Weil alle gepackten Speicher-IC 3 und die anderen Komponenten 2, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, von der/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 abgedeckt sind, sind die chipartigen Komponenten, wie Kondensatoren und Widerstände, die an einer Randzone der Leiterplatte 1 liegen, des weiteren vor einem mechanischen Stoß geschützt und deshalb be steht keine Möglichkeit, daß die chipartigen Komponenten, die an der Randzone der Leiter platte des Speichermoduls liegen, im Verlauf eines Transportes abgebrochen werden oder verlorengehen.

Wie oben erwähnt ist, wird die Leiterplatte zusätzlich oft verzogen bzw. verbogen, wenn die Komponenten einschließlich der Speicher-ICs an der Leiterplatte durch Schmelzen der Lötpa ste, die auf die Leiterplatte gedruckt ist, angebracht werden. Wenn das Verziehen der Leiter platte eine bestimmte Grenze übersteigt, kann die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 nicht mehr über das Speichermodul 10 gepaßt werden. Deshalb ist es möglich, den Grad des Verziehens der Leiterplatte danach zu unterscheiden, ob die/der "Abdeckung und Wär meableiter" 5 über das Speichermodul 10 passen kann oder nicht. Demgemäß ist es möglich zu verhindern, daß die Komponenten von der Leiterplatte abgelöst werden, was durch Einset zen der Leiterplatte, die ein Verziehen aufweist, das die Grenze überschreitet, in einen Schlitz innerhalb eines Systems, wie einem Personalcomputer, verursacht werden würde.

In dieser ersten Ausführungsform ist es ausreichend, wenn die/der "Abdeckung und Wär meableiter" 5 eine gute thermische Leitfähigkeit und eine mechanische Festigkeit aufweist, die ausreichend ist, um die Komponenten 2 und 3, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, vor einem mechanischen Stoß zu schützen. Demgemäß kann die/der "Abdeckung und Wär meableiter" 5 aus Metall oder Keramik gebildet sein. Zusätzlich kann das Silikonfett 6 durch irgendein Material, das eine Viskosität aufweist, die der des Silikonfetts vergleichbar ist, und das eine thermische Stabilität, eine elektrisch isolierende Eigenschaft und eine gute thermi sche Leitfähigkeit aufweist, ersetzt werden. Weiterhin kann das Silikonfett 6 durch einen eng anliegenden Kontaktkleber, der thermische Stabilität, eine elektrisch isolierende Eigenschaft und eine gute thermische Leitfähigkeit aufweist, ersetzt werden, wenn es nicht notwendig ist, die/den "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 von dem Speichermodul 10 zu lösen, nachdem die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 über das Speichermodul 10 gepaßt wurde.

Bezugnehmend auf Fig. 3A und 3B ist eine schematische Draufsicht bzw. ein schematischer Querschnitt einer zweiten Ausführungsform des Speichermoduls, das in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung an den Wärmeableiter gepaßt ist, gezeigt. Fig. 3C ist eine schematische teilweise Schnittansicht entlang der Linie B-B in Fig. 3B. In Fig. 3A, 3B und 3C sind den Elementen, die den in Fig. 2A, 2B und 2C gezeigten ähnlich sind, die gleichen Bezugszeichen gegeben, und eine Erklärung wird zur Vereinfachung weggelassen.

Wie man aus einem Vergleich zwischen den Fig. 3A, 3B und 3C sowie den Fig. 2A, 2B und 2C sieht, unterscheidet sich die zweite Ausführungsform von der ersten Ausführungsform darin, daß die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 und das Silikonfett 6 der ersten Aus führungsform durch eine/einen klemmartige/n "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 bzw. ein thermisch hochleitendes Gummi 8, das eine elektrisch isolierende Eigenschaft hat, ersetzt sind.

Die/der klemmartige "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 ist aus einem elastischen Material z. B. Metall oder Keramik, das eine Federeigenschaft aufweist, gebildet und hat einen defor mierten U-förmigen Querschnitt, wie in Fig. 3B gezeigt ist. Genauer hat die/der klemmartige "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 eine obere Platte 7A und ein Paar Seitenplatten 7B und 7C, die sich von gegenüberliegenden Längsseiten der oberen Platte 5A nach unten erstrecken, um sich von der oberen Platte 7A zuerst über einen kurzen Abstand leicht nach innen zu er strecken und sich dann vertikal und gerade zu erstrecken, um so dazwischen eine deformierte U-förmige tiefe Ausnehmung zu begrenzen und eine Klemm-Funktion zwischen dem Paar Seitenplatten 7B und 7C aufzuweisen.

Ähnlich der ersten Ausführungsform hat zusätzlich wenigstens das Paar Seitenplatten 7B und 7C der/des klemmartigen "Abdeckung und Wärmeableiters" 7 vorzugsweise eine Anzahl Wölbungen oder schmale Vorsprünge 7D, die an ihrer äußeren Oberfläche ausgebildet sind, um eine vergrößerte Oberfläche zu haben, um die Wärmeabstrahlungswirksamkeit zu erhö hen. Aber nicht nur das Paar Seitenplatten 7B und 7C, sondern auch die obere Platte 7A kann eine Anzahl von Wölbungen oder schmalen Vorsprüngen 7D an ihrer äußeren Oberfläche aufweisen.

Ähnlich der ersten Ausführungsform ist ein Abstand S zwischen gegenüberliegenden inneren Oberflächen eines vertikalen geraden Abschnittes der Seitenplatten 7B und 7C größer als die Stärke T des Speichermoduls 10. Eine Länge L der/des "Abdeckung und Wärmeableiters" 5 und eine Tiefe D der tiefen Ausnehmung (ein Abstand von einer inneren Oberfläche der obe ren Platte 7A bis zu einer freien Kante des Seitenplattenpaars 7B und 7C) sind ausreichend, um alle gepackten Speicher-ICs und die anderen Komponenten, die auf der Leiterplatte 1 an gebracht sind, abzudecken, aber die Kontaktflächen 4 in einem freien Zustand zu erhalten.

Zusätzlich weist der vertikale gerade Abschnitt jeder Seitenplatte 7B und 7C eine Größe auf, die ausreichend ist, um alle gepackten Speicher-ICs und die anderen Komponenten, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, abzudecken, wie in Fig. 3B gezeigt ist.

Folglich wird die/der klemmartige "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 auf solche Art und Weise über das Speichermodul 10 gepaßt, daß das Speichermodul 10 in die tiefe Ausnehmung zwischen dem Seitenplattenpaar 7B und 7C eingefügt wird und daß alle gepackten Speicher-ICs 3 und die anderen Komponenten 2, die auf jeder Seite der Leiterplatte angebracht sind, durch die Seitenplatten 7B und 7C abgedeckt sind und zwischen den Seitenplatten 7B und 7C gehalten werden , wobei das thermisch hochleitende Gummi 8 zwischen der inneren Oberflä che jeder Seitenplatte 7B und 7C und jeder gepackten Speicher-IC 3 eingesetzt ist. Die Kon taktflächen 4 werden jedoch nicht durch die Seitenplatten 7B und 7C abgedeckt.

Bei dieser zweiten Ausführungsform kann die Verbindung zwischen der/dem klemmartigen "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 und den gepackten Speicher-ICs 3 im Vergleich zur er sten Ausführungsform verstärkt werden, weil die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 durch die/den klemmartige/n "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 ersetzt ist, die/der aus elastischem Material gebildet ist, wobei das thermisch hochleitende Gummi 8 zwischen die Seitenplatten 7B und 7C und die gepackten Speicher-ICs 3 eingesetzt ist. Deshalb kann die Wärme, die in jedem gepackten Speicher-IC 3 erzeugt wird, über das thermisch hochleitende Gummi 8 effektiver zu der/dem klemmartigen "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 geleitet werden, so daß die Wärme von der Oberfläche der/des klemmartigen "Abdeckung und Wärmeableiters" 7 abgestrahlt wird.

Ähnlich der ersten Ausführungsform kann die Wärme, die in den gepackten Speicher-ICs 3 erzeugt wird, effektiver von der/dem klemmartigen "Abdeckung und Wärmeableiter" <rn<5</rn< ab geleitet werden als von dem herkömmlichen Speichermodul 10, das in Fig. 1A und 1B gezeigt ist, weil die äußere Oberfläche der/des klemmartigen "Abdeckung und Wärmeableiters" <rn<5</rn< merklich größer ist als die gesamte äußere Oberfläche aller gepackten Speicher-IC 3, die auf der Leiterplatte angebracht sind. Zusätzlich kann die Wärme, die in den Speicher-ICs 3 er zeugt wird, effektiver abgeleitet werden als bei der/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" 5 der ersten Ausführungsform, weil die Verbindung zwischen der/dem klemmartigen "Abdec kung und Wärmeableiter" 7 und den gepackten Speicher-ICs 3 verglichen mit der ersten Aus führungsform erhöht werden kann.

Weil das Speichermodul 10 durch die/den klemmartige/n "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 gehalten wird, wobei eine angemessene Kraft, von der elastischen Eigenschaft der/des klemmartigen "Abdeckung und Wärmeableiters" 7 ausgeübt wird, wird außerdem im Ver gleich zu der ersten Ausführungsform, die Silikonfett 6 verwendet, die Möglichkeit, daß die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" von dem Speichermodul 10 abfällt, merklich geringer.

Ähnlich zu der ersten Ausführungsform werden außerdem die chipartigen Komponenten wie z. B. Kondensatoren und Widerstände, die an einer Randzone der Leiterplatte 1 liegen, vor einem mechanischen Stoß geschützt, weil alle gepackten Speicher-ICs 3 und die anderen Komponenten 2, die auf der Leiterplatte 1 angebracht sind, mit der/dem klemmartigen "Ab deckung und Wärmeableiter" 7 abgedeckt sind, und deshalb besteht keine Möglichkeit, daß die chipartigen Komponenten, die an der Randzone der Leiterplatte des Speichermoduls an geordnet sind, im Verlauf eines Transports abgebrochen werden oder verlorengehen.

Wie oben erwähnt ist, wird die Leiterplatte außerdem oft verzogen, wenn die Komponenten einschließlich der Speicher-ICs durch Schmelzen der Lötpaste, die auf die Leiterplatte ge druckt ist, auf der Leiterplatte angebracht werden. Wenn das Verziehen der Leiterplatte eine bestimmte Grenze übersteigt, kann die/der klemmartige "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 nicht mehr über das Speichermodul 10 gepaßt werden. Deshalb ist es ähnlich zu der ersten Ausführungsform möglich, den Grad des Verziehens der Leiterplatte danach zu unterschei den, ob die/der klemmartige "Abdeckung und Wärmeableiter" 7 über das Speichermodul 10 gepaßt werden kann. Demgemäß ist es möglich, die Komponenten vor einem Ablösen von der Leiterplatte zu schützen, was durch Einsetzen der Leiterplatte, deren Verziehen die Grenze überschreitet, in einen Schlitz innerhalb eines Systems, wie z. B. einem Personalcomputer, verursacht werden würde.

Wie man aus dem Obigen sieht, hat das Speichermodul, das an den Wärmeableiter in Über einstimmung mit der vorliegenden Erfindung angepaßt ist, die folgenden Vorteile:

Ein erster Vorteil ist, daß die Wärme, die in den gepackten Speicher-ICs und vorzugsweise den anderen Komponenten, die in dem Speichermodul angebracht sind, erzeugt wird, effekti ver abgeleitet werden kann. Der Grund dafür ist, daß, weil die wärmeerzeugenden Körper wie die gepackten Speicher-ICs mit der/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" über das Silikon fett oder das thermisch hochleitende Gummi in einer guten wärmeleitenden Beziehung ver bunden sind, die Wärme, die in den wärmeerzeugenden Körpern erzeugt wird, effektiv zu der/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" geleitet wird und weiter effektiv von der Oberfläche der/des "Abdeckung und Wärmeableiters", die/der eine große Oberfläche hat, abgeleitet wird.

Ein zweiter Vorteil ist, daß die Komponenten , die auf der Leiterplatte angebracht sind, vor mechanischem Stoß geschützt sind, weil alle Komponenten, die auf der Leiterplatte ange bracht sind, mit der/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" abgedeckt sind, der eine ausrei chende mechanische Festigkeit hat, um die Komponenten, die auf der Leiterplatte angebracht sind, vor mechanischen Stößen zu schützen, abgedeckt werden, mit dem Ergebnis, daß eine von außen ausgeübte Kraft nicht auf die Komponenten, die auf der Leiterplatte befestigt sind, ausgeübt wird.

Ein dritter Vorteil ist, daß es möglich ist, zu unterscheiden, ob der Grad des Verziehens der Leiterplatte eine erlaubte Grenze überschreitet oder nicht. Weil die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" nicht mehr über das Speichermodul gepaßt werden kann, wenn das Verziehen der Leiterplatte (das wegen der Wärme und anderer Ursachen auftritt, wenn die Komponenten einschließlich der Speicher-ICs auf der Leiterplatte angebracht werden) eine bestimmte Gren ze übersteigt. Durch Ausführen eines elektrischen Tests für das Speichermodul, das an die/dem "Abdeckung und Wärmeableiter" angepaßt ist, ist es außerdem möglich, zu erkennen, ob sich die Komponenten, die auf der Leiterplatte angebracht sind, von der Leiterplatte lösen oder nicht, selbst wenn die/der "Abdeckung und Wärmeableiter" über das Speichermodul, das ein leichtes Verziehen aufweist, gepaßt werden kann. Deshalb ist es möglich, ein Auslie fern eines defekten Speichermoduls an den Markt zu verhindern.

Die Erfindung ist somit mit Bezug auf die spezifischen Ausführungsformen gezeigt und be schrieben worden. Jedoch wird darauf hingewiesen, daß die vorliegende Erfindung in keiner Weise auf die Details der gezeigten Strukturen begrenzt ist, sondern innerhalb des Schutzbe reiches der beigefügten Ansprüche Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können.

Claims

1. Ein Wärmeableiter, der so ausgebildet ist, daß er über ein Speichermodul paßt, das aus einer Mehrzahl von gepackten, integrierten Speicherschaltkreisen, die auf einer Leiter platte angebracht sind, zusammengesetzt ist, wobei der Wärmeableiter einen U-förmigen Querschnitt aufweist, so daß das Speichermodul in einen U-förmigen Rezeß des Wär meableiters eingesetzt werden kann, wobei ein thermisch leitendes Material zwischen dem Wärmeableiter und den gepackten, integrierten Schaltkreisen, die auf der Leiter platte angebracht sind, eingesetzt wird und mit dem Wärmeableiter und den gepackten, integrierten Schaltkreisen in Kontakt steht.

2. Wärmeableiter nach Anspruch 1, wobei das thermisch leitende Material ein hochleitendes thermisches Element ist und der Wärmeableiter aus einem elastischen Material gebildet wird, so daß er eine Klemm-Funktion aufweist, so daß das Speichermodul durch den Wärmeableiter durch das thermisch hochleitende Element mechanisch gehalten wird.

3. Wärmeableiter nach Anspruch 2, wobei der Wärmeableiter an seiner äußeren Oberfläche eine Anzahl Wölbungen aufweist, um eine vergrößerte äußere Oberfläche aufzuweisen.

4. Wärmeableiter nach Anspruch 1, wobei der Wärmeableiter an seiner äußeren Oberfläche eine Anzahl Wölbungen aufweist, um eine vergrößerte äußere Oberfläche aufzuweisen.

5. Speichermodul, das aus einer Mehrzahl gepackter, integrierter Speicherschaltkreise, die auf einer Leiterplatte angebracht sind, gebildet und an einen Wärmeableiter angepaßt ist, der einen solchen U-förmigen Querschnitt aufweist, daß das Speichermodul in die U-förmige Ausnehmung des Wärmeableiters eingesetzt wird, wobei ein thermisch leitendes Material zwischen dem Wärmeableiter und den gepackten Speicherschaltkreisen einge setzt wird und mit dem Wärmeableiter und den gepackten Speicherschaltkreisen in Kon takt steht.

6. Speichermodul nach Anspruch 5, wobei das thermisch leitende Material ein thermisch hochleitendes Element ist und der Wärmeableiter aus einem elastischen Material gebildet ist, so daß er eine Klemm-Funktion aufweist, so daß das Speichermodul durch den Wär meableiter durch das thermisch hochleitende Element mechanisch gehalten wird.

7. Speichermodul nach Anspruch 6, wobei das thermisch leitende Element ein thermisch hochleitender Gummi, der eine elektrisch isolierende Eigenschaft aufweist, ist.

8. Speichermodul nach Anspruch 6, wobei der Wärmeableiter an seiner äußeren Oberfläche eine Anzahl Wölbungen aufweist, um eine vergrößerte äußere Oberfläche aufzuweisen.

9. Speichermodul nach Anspruch 6, wobei der Wärmeableiter von dem Speichermodul lös bar ist.

10. Ein Speichermodul nach Anspruch 5, wobei das thermisch leitende Material Silikonfett ist.

11. Speichermodul nach Anspruch 10, wobei der Wärmeableiter an seiner äußeren Oberflä che eine Anzahl Wölbungen aufweist, um eine vergrößerte äußere Oberfläche aufzuwei sen.

12. Speichermodul nach Anspruch 10, wobei der Wärmeableiter von dem Speichermodul lösbar ist.

13. Speichermodul nach Anspruch 5, wobei der Wärmeableiter an seiner äußeren Oberfläche eine Anzahl Wölbungen aufweist, um eine vergrößerte äußere Oberfläche aufzuweisen.

14. Speichermodul nach Anspruch 5, wobei der Wärmeableiter von dem Speichermodul lös bar ist.

15. Speichermodul nach Anspruch 5, wobei das thermisch leitende Element ein thermisch hochleitender Gummi, der eine elektrisch isolierende Eigenschaft aufweist, ist.

16. Speichermodul nach Anspruch 5, wobei der Wärmeableiter eine Länge des Wärmeablei ters und eine Tiefe der U-förmigen Ausnehmung aufweist, die ausreichend ist, um alle gepackten, integrierten Speicherschaltkreise, die auf einer Leiterplatte angebracht sind, abzudecken.