DE102006005955A1

DE102006005955A1 - Inline-Speichermodul

Info

Publication number: DE102006005955A1
Application number: DE102006005955A
Authority: DE
Inventors: Moon-Jung Suwon Kim; Jong-Joo Suwon Lee
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2005-02-02
Filing date: 2006-02-02
Publication date: 2006-08-10
Anticipated expiration: 2026-02-03
Also published as: GB2422963B; JP2006216956A; DE102006005955B4; GB0602139D0; GB2422963A

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Inline-Speichermodul (IMM) mit einer Leiterplatte (419), einem ersten Feld von Speicherbauelementen (302, 304, ..., 318) auf einer ersten Seite der Leiterplatte und einem zweiten Feld von Speicherbauelementen (301, 303, ..., 317) auf einer zweiten Seite der Leiterplatte, wobei wenigstens ein Speicherbauelement des ersten Feldes, bezogen auf eine Referenzachse, mit einem positionellen Zwillingsspeicherbauelement des zweiten Feldes ganz oder teilweise überlappt, und Durchkontakten zum Verbinden von E/A-Anschlüssen oder Leitungen der Speicherbauelemente im ersten Feld mit korrespondierenden E/A-Anschlüssen oder Leitungen der Speicherbauelemente im zweiten Feld. DOLLAR A Erfindungsgemäß verbindet wenigstens einer der Durchkontakte einen E/A-Anschluss oder eine Leitung eines Speicherbauelements (309) im ersten Feld mit einem E/A-Anschluss oder einer Leitung eines Speicherbauelements (308) im zweiten Feld, das im zweiten Feld dem positionellen Zwillingsspeicherbauelement (310) des erstgenannten Speicherbauelements Feld benachbart ist. DOLLAR A Verwendung z. B. für Dual-Inline-Speichermodule mit gepackten Bauelementen vom BGA- oder WFP-Typ.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Inline-Speichermodul (IMM) nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Speichermodule lassen sich in verschiedene Typen unterteilen bzw. durch einen sogenannten Formfaktor charakterisieren, der ihre Abmessung und Anschlusskonfiguration beschreibt. Ein älterer Formfaktor für Speichermodule ist der SIMM-Typ, wobei die Abkürzung SIMM für Einzel-Inline-Speichermodul steht. Ein neuerer Formfaktor ist der DIMM-Typ, wobei die Abkürzung DIMM für Dual-Inline-Speichermodul steht. In jüngerer Zeit werden auch verschiedene Varianten des DIMM-Typs entwickelt.

Die 1A, 1B und 1C veranschaulichen ein herkömmliches DIMM 100 mit einer Leiterplatte (PCB) 102 und einer Anzahl n von integrierten Schaltkreisspeicherbauelementen 104_i, i = 1, ..., n, wobei in der Teilansicht von 1A vier Speicherbauelemente 104_1 bis 104_4 dargestellt sind. Typischerweise handelt es sich bei den integrierten Schaltkreisspeicherbauelementen um gepackte Bauelemente, von denen jedes ei nen oder mehrere integrierte Schaltkreischips enthält. Die gepackten Bauelemente können z.B. als PLP (plastic leaded package), BGA(ball grid array)-Packung oder WFP (auf Waferlevel gefertigte Packung) realisiert sein. Im Beispiel von 1A sind die integrierten Schaltkreisspeicherbauelemente als BGA-Packung realisiert. Die PCB 102 weist eine Vorderseite 130 und eine Rückseite 132 auf, auf denen jeweils leitfähige Bereiche vorgesehen, z.B. gedruckt, sind, die nachfolgend auch als Drähte, Leiterbahnen oder Verdrahtungen bezeichnet werden. In 1A sind speziell Verdrahtungen 116, 118, 124 und 126 auf der Vorderseite 130 der PCB 102 sowie Verdrahtungen 114, 120, 122 und 128 auf der Rückseite 132 der PCB 102 zu erkennen. In der PCB 102 sind Durchkontakte gebildet, von denen in 1A zwei Durchkontakte 108_6 und 110_7 zu erkennen sind. Leitfähige Anschlüsse 106 der Speicherbauelemente 104_i, im Fall einer BGA-Packung typischerweise leitfähige Anschlusskugeln bzw. Lotkugeln, verbinden leitfähige E/A- bzw. I/O-Anschlüsse von Schaltkreisen in den Speicherbauelementen 104_i in üblicher, nicht gezeigter Weise mit den verschiedenen Leiterbahnen bzw. Verdrahtungen auf der PCB 102.

Bezüglich einer Referenzachse, z.B. der Längsachse der PCB 102, sind die zwei Speicherbauelemente 104_1 und 104_2 in einer ersten Referenzposition zueinander ausgerichtet, so dass sie in einer zur Referenzachse senkrechten Richtung ganz oder teilweise überlappend angeordnet sind. In gleicher Weise liegen sich die beiden Speicherbauelemente 104_3 und 104_4 an einer zweiten Referenzposition überlappend gegenüber. Zur einfacheren Beschreibung werden die beiden Speicherbauelemente 104_1 und 104_2 und ebenso die beiden Speicherbauelemente 104_3 und 104_4 jeweils als positionelles Zwillingspaar oder kurz positionelles Paar bezeichnet.

1B zeigt in Vorderansicht einen Überlappungsbereich 134 der beiden Speicherbauelemente 104_1 und 104_2 mit den in diesen Bereich fallenden Verdrahtungen und Durchkontakten der PCB 102. 1C zeigt einen entsprechenden Überlappungsbereich 136 der beiden Speicherbauelemente 104_3 und 104_4. In 1B sind beispielhaft und stellvertretend für gegebenenfalls weitere Durchkontakte vier Durchkontakte 108_1, 108_2, 108_3 und 108_4 explizit wiedergegeben, und ebenso sind in 1C beispielhaft und gegebenenfalls stellvertretend für weitere Durchkontakte vier Durchkontakte 110_1, 110_2, 110_3 und 110_4 wiedergegeben. Des Weiteren sind in den 1B und 1C Verdrahtungen auf der Vorderseite 130 der PCB 102 und Verdrahtungen auf der Rückseite 132 der PCB 102 zu erkennen. Der Übersichtlichkeit halber sind jedoch in den 1B und 1C nur die Verdrahtungen 114, 116, 122 und 124 explizit gezeigt. Zum weiteren Verständnis dieser herkömmlichen Modularchitektur tragen die 2A, 2B und 2C bei.

Dabei zeigt 2A in einer Vorderansicht die gedruckten Verdrahtungen und die Durchkontakte an der Vorderseite 230 einer nicht gezeigten PCB in einem nicht gezeigten DIMM, soweit die Verdrahtungen und Durchkontakte innerhalb eines Überlappungsbereichs, d.h. Footprint, eines jeweiligen Speicherbauelements gemäß dem Stand der Technik nach den 1A, 1B und 1C fällt. 2B ist eine entsprechende Rückseitenansicht der Verdrahtungen und Durchkontakte auf einer Rückseite 232 der gleichen PCB im gleichen DIMM, die innerhalb des Überlappungsbereichs eines positionellen Zwillingsspeicherbauelements zum Speicherbauelement von 2A liegen.

2C veranschaulicht in einer Vorderansicht die Verdrahtungen und Durchkontakte der PCB, die innerhalb des gemeinsamen Überlappungsbereichs des positionellen Speicherbauelement-Zwillingspaares der 2A und 2B liegen.

Im unteren Teil der 2A und 2B ist veranschaulicht, wie sich die in 2C gezeigte Konfiguration aus den Konfigurationen der 2A und 2B zusammensetzt. Beispielsweise ergibt sich dies durch Kippen der Anordnung von 2B um 180° um eine Flipachse 24 und anschließendes Überlagern der Konfiguration von 2A mit der gekippten Version der Konfiguration von 2B. Alternativ kann die Konfiguration von 2C dadurch erhalten werden, dass die Konfiguration von 2A um eine Faltachse 26 und die Konfiguration von 2B um die gleiche Faltachse 26 entgegengesetzt gedreht wird, bis die beiden Konfigurationen der 2A und 2B nach Art des Schließens eines Buchs oder des Faltens eines Papierblatts gegeneinander liegen, wonach dann die zusammengeklappte Anordnung um eine Drehachse 28 gedreht wird, bis die Verdrahtungen der kombinierten Anordnung in ihrer Lage den Verdrahtungen in 2A entsprechen.

Gemäß 2C verbindet ein Durchkontakt 11 zwei Verdrahtungen 16 und 20, und ein Durchkontakt 12 verbindet zwei Verdrahtungen 22 und 18. Kontaktstellen bzw. Endbereiche 1a und 1b' der Verdrahtungen 16 und 22 überlappen in der Ansicht von 2C, sind aber nicht elektrisch verbunden. In gleicher Weise überlappen Kontaktstellen 1a' und 1b der Verdrahtungen 20 und 18, sind jedoch nicht elektrisch verbunden. Die fehlende elektrische Verbindung ist in 2C dadurch symbolisiert, dass die Bezugszeichen von sich überlappenden, aber nicht elektrisch verbundenen Kontaktstellen jeweils mit einer einfachen Kreislinie umgeben sind.

Wieder auf die 1A, 1B und 1C Bezug nehmend, ist daraus zu erkennen, dass bei dieser herkömmlichen Speichermodularchitektur die leitfähigen Anschlüsse 106 gesammelt entlang zweier gegenüberliegender Seitenbereiche jedes Speicherbauelements 104_i angeordnet sind, während die Durchkontakte 108_i gesammelt in einem Mittenbereich, d.h. entlang und auf oder nahe einer Mittelachse, jedes Speicherbauelements 104_i angeordnet sind.

Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines Inline-Speichermoduls der eingangs genannten Art zugrunde, das eine gegenüber dem oben erwähnten Stand der Technik verbesserte Modularchitektur insbesondere hinsichtlich der Anordnung von Speicherbauelementen und Durchkontakten aufweist, um insbesondere die Längen zugehöriger Verdrahtungen relativ kurz halten zu können.

Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Inline-Speichermoduls mit den Merkmalen des Anspruchs 1.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Vorteilhafte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie die zu deren besserem Verständnis oben erläuterten herkömmlichen Ausführungsbeispiele sind in den Zeichnungen dargestellt, in denen zeigen:
1A eine ausschnittweise Querschnittansicht eines DIMM entlang einer Linie I_A-I_A von 1B und 1C,
1B eine Vorderansicht mit Verdrahtungen und Durchkontakten einer in 1A gezeigten PCB innerhalb eines Überlagerungsbereichs eines auf der PCB in 1A montierten positionellen Speicherbauelement-Zwillingspaars,
1C eine Ansicht entsprechend 1B für ein zweites, auf der PCB von 1A montiertes positionelles Speicherbauelement-Zwillingspaar,
2A eine Vorderansicht von Verdrahtungen und Durchkontakten auf einer Vorderseite einer nicht gezeigten PCB in einem nicht ge zeigten DIMM innerhalb eines Überlappungsbereichs eines Speicherbauelements gemäß dem Stand der Technik entsprechend den 1A, 1B und 1C,
2B eine Rückansicht von Verdrahtungen und Durchkontakten auf einer Rückseite der gleichen PCB im gleichen DIMM wie bei 2A innerhalb des Überlappungsbereichs eines mit dem Speicherbauelement von 2A ein positionelles Zwillingspaar bildenden Speicherbauelements,
2C eine Vorderansicht der Verdrahtungen und Durchkontakte der PCB gemäß den 2A und 2B innerhalb des Überlappungsbereichs des betreffenden positionellen Speicherbauelement-Zwillingspaars,
3 eine Blockdiagrammdarstellung eines Inline-Speichermoduls z.B. vom DIMM-Typ oder einer Variante hiervon gemäß der Erfindung,
4A eine Querschnittansicht längs einer Schnittlinie entsprechend der Schnittansicht von 1A, jedoch für ein IMM gemäß der Erfindung bzw. entsprechend 3,
4B eine Vorderansicht des IMM von 4A,
4C eine vergrößerte Detailansicht eines Bereichs zweier benachbarter Speicherbauelementpaare von 4A,
4D eine Querschnittansicht einer zur 4A alternativen Realisierung eines IMM gemäß der Erfindung,
5A eine Vorderansicht von Verdrahtungen und Durchkontakten auf einer Vorderseite einer nicht gezeigten PCB in einem nicht gezeigten IMM in einem jeweiligen Überlappungsbereich zweier benachbarter Speicherbauelemente gemäß der Erfindung,
5B eine Rückansicht von Verdrahtungen und Durchkontakten auf einer Rückseite der PCB im IMM von 5A in einem jeweiligen Überlappungsbereich zweier dort benachbarter Speicherbauelemente gemäß der Erfindung,
5C eine ausschnittweise Ansicht eines mit einem gekippten Teil von 5B überlagerten Teils von 5A,
6A eine Querschnittansicht entsprechend 4A für ein weiteres erfindungsgemäßes IMM,
6B eine Vorderansicht des IMM von 6A,
6C eine vergrößerte Detailansicht eines Bereichs zweier benachbarter Speicherbauelementpaare von 6A,
7A eine Vorderansicht von Verdrahtungen und Durchkontakten auf einer Vorderseite einer nicht gezeigten PCB in einem nicht gezeigten IMM für die erfindungsgemäße Ausführungsform der 6A bis 6C in einem jeweiligen Überlappungsbereich zweier benachbarter Speicherbauelemente,
7B eine Vorderansicht von Verdrahtungen und Durchkontakten auf einer Rückseite der gleichen PCB im gleichen IMM wie bei 7A in einem jeweiligen Überlappungsbereich zweier dort benachbarter Speicherbauelemente,
7C eine Darstellung eines mit einem gekippten Teil von 7B überlagerten Teils von 7A,
8 eine Querschnittansicht entsprechend 4A für ein weiteres erfindungsgemäßes IMM und
9 eine Querschnittansicht entsprechend 4A für ein weiteres erfindungsgemäßes IMM.
Vorteilhafte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der zugehörigen 3 bis 9 näher erläutert, wobei für identische oder funktionell äquivalente Elemente gleiche oder passend ähnliche Bezugszeichen gewählt sind.
Eine der Grundlagen, die zur vorliegenden Erfindung geführt haben, ist die folgende Beobachtung bei der Anordnung von Verdrahtungen auf einer PCB eines DIMM gemäß dem oben erläuterten Stand der Technik. Das zusammengefasste Anordnen der Durchkontakte entlang eines Mittenbereichs führt tendenziell zu einer unerwünscht großen Gesamtlänge L_A+L_B von vorderseitiger und rückseitiger Verdrahtung, siehe 1A, die proportional zur Bauelementbreite ist, was unerwünschte Signalausbreitungsverzögerungen nach sich ziehen kann. Die Erfindung zeigt eine alternative Möglichkeit der Verdrahtungsanordnung auf einer PCB für ein Inline-Speichermodul (IMM) auf und ermöglicht gegenüber dem oben erläuterten Stand der Technik eine Verringerung bzw. Minimierung von Verdrahtungslängen.
3 zeigt ein erfindungsgemäßes Inline-Speichermodul (IMM) 300, das z.B. von irgendeinem DIMM-Typ sein kann, wie ein Registered-DIMM (RDIMM), wie es z.B. in einem Server benutzt wird, ein Unregistered-DIMM (UDIMM), wie es z.B. in einem PC benutzt wird, ein Small-Outline-DIMM (SO-DIMM), ein Micro-DIMM oder ein Doppeldatenraten- DIMM (DDR-DIMM). Das IMM 300 beinhaltet mehrere integrierte Schaltkreis-Speicherbauelemente 301, ..., 318, die identisch oder voneinander verschieden sein können. Bei den integrierten Schaltkreis-Speicherbauelementen 301 bis 318 kann es sich z.B. um gepackte Bauelemente handeln, von denen jedes einen oder mehrere integrierte Schaltkreischips beinhaltet, wobei die Packung z.B. eine PLP, eine BGA-Packung oder eine WFP sein kann.
Stichleitungen 320_01_k bis 320_18_k verbinden jedes der Speicherbauelemente 301 bis 318 mit einer von zwei Übertragungsleitungen 322, 324, die ihrerseits über Stichleitungen 326 und 328 an einen Bus 330 angeschlossen sind. Genauer gesagt sind die Speicherbauelemente 301 bis 310 mit jedem k-ten Eingabe/Ausgabe-Anschluss, d.h. E/A- bzw. I/O-Anschluss, über die Stichleitung 326, die Übertragungsleitung 322 und die Stichleitungen 320_01_k bis 320_10_k an den Bus 330 angeschlossen, und in gleicher Weise sind die Speicherbauelemente 311 bis 318 mit jedem k-ten E/A-Anschluss über die Stichleitung 328, die Übertragungsleitung 324 und die Stichleitungen 320_11_k bis 320_18_k an den Bus 330 angeschlossen. In alternativen Ausführungsformen eines solchen erfindungsgemäßen IMM können andere Gruppierungen von Speicherbauelementen und/oder eine andere Anzahl von Speicherbauelementen vorgesehen sein, und es können erfindungsgemäß auch andere Anordnungen von Stichleitungen, Übertragungsleitungen und/oder Datenbussen in einem derartigen IMM implementiert sein.
Typischerweise haben sich entsprechende E/A-Anschlüsse der verschiedenen Speicherbauelemente 301 bis 318 die gleiche Funktion und können miteinander verbunden sein, wobei in 3 stellvertretend nur die Anschlusskonfiguration für einen solchen E/A-Anschluss pro Speicherbauelement 301 bis 318 veranschaulicht ist. Mit anderen Worten stellt 3 vereinfachend die Verdrahtungen in Form der Stichleitungen 320_01_k bis 320_18_k, der Übertragungsleitungen 322 und 324, der Stichleitungen 326 und 328 und des Datenbusses 330 dar, mit denen der Signalpfad für einen der Sätze gemeinsamer, d.h. sich entsprechender Anschlüsse der Speicherbauelemente 301 bis 318 realisiert wird.
Je ein Paar von Speicherbauelementen, z.B. die Speicherbauelemente 303 und 304, liegen sich paarig ausgerichtet an einer ersten Referenzposition relativ zu einer Referenzachse gegenüber, beispielsweise relativ zu einer Längsachse einer in 3 nicht gezeigten, im IMM 300 enthaltenen PCB, so dass sie ganz oder jedenfalls im Wesentlichen miteinander überlappen, d.h. sich in einer Richtung senkrecht zur Referenzachse vollständig oder im Wesentlichen überdecken. In gleicher Weise liegen sich z.B. die Speicherbauelemente 307 und 308 paarig ausgerichtet im Wesentlichen überlappend in einer zweiten Referenzposition gegenüber. Zur einfacheren Beschreibung werden nachfolgend die Speicherbauelemente 303 und 304 als ein Positionszwillingspaar 332_03&04 und die Speicherbauelemente 307 und 308 als ein Positionszwillingspaar 323_07&08 etc. bezeichnet.
4A zeigt in einem Querschnitt entlang einer Schnittlinie entsprechend 1A ein erfindungsgemäßes IMM 400 z.B. irgendeines der oben genannten DIMM-Typen, wobei es sich insbesondere um eine konkrete Realisierung des in 3 schematisch dargestellten IMM 300 handeln kann. Das IMM 400 beinhaltet eine Leiterplatte PCB 419 und die integrierten Schaltkreisspeicherbauelemente 301 bis 318 entsprechend 3, wobei die geradzahligen Speicherbauelemente 302, 304 ..., 318 ein erstes Feld von Speicherbauelementen auf einer ersten Seite der PCB 419 repräsentieren und die ungeradzahligen Speicherbauelemente 301, 303, ..., 317 ein zweites Feld von Speicherbauelementen auf einer zweiten Seite der PCB 419 repräsentieren. Leitfähige Anschlussstellen 406, z.B. leitfähige Kugelelemente, wie Lotkugeln, können als E/A-Anschlüsse der Speicherbauelemente 301 bis 318 fungieren, um leitfähige E/A-Anschlüsse nicht gezeigter Schaltkreise in den Speicher bauelementen 301 bis 318 mit Verdrahtungen auf der PCB 419 zu verbinden. Das IMM 400 beinhaltet außerdem integrierte Schaltkreisbauelemente 434A und 434B, bei denen es sich z.B. um je einen Puffer oder ein Registerbauelement handeln kann.
Die Speicherbauelemente 302, 304, ..., 318 im ersten Feld liegen den Speicherbauelementen 301, 303, ..., 317 im zweiten Feld bezüglich einer Referenzachse, hier einer Längsachse der PCB 419, weitgehend überlappend gegenüber, d.h. die Speicherbauelemente 303 und 304 des IMM 400 liegen einander weitgehend überlappend in einer ersten Referenzposition gegenüber und in gleicher Weise liegen die Speicherbauelemente 307 und 308 des IMM 400 einander weitgehend überlappend in einer zweiten Referenzposition gegenüber. Von den so gebildeten Positionszwillingspaaren sind in 4A zur einfacheren Darstellung nur diese beiden, wie in 3 gestrichelt umrahmten positionellen Zwillingspaare explizit mit Bezugszeichen 432_01&04 bzw. 432_07&08 markiert. Wenigstens ein Teil von Anschlüssen 406 für die Speicherbauelemente 301 bis 318 sind ähnlich wie beim herkömmlichen Ausführungsbeispiel der 1A, 1B und 1C entlang gegenüberliegender Seitenbereiche jedes Speicherbauelement angeordnet.
Zur weiteren Vereinfachung ist in 4A ähnlich wie in 3 die Querschnittansicht so gewählt, dass nur der Signalpfad für einen der Sätze von sich entsprechenden E/A-Anschlüssen der Speicherbauelemente 301 bis 318 zu erkennen ist, d.h. die in 4A explizit gezeigten Verdrahtungen in Form von Stichleitungen 420_i_k und Übertragungsleitungen 422 und 424 repräsentieren stellvertretend den Signalpfad für einen beliebigen k-ten E/A-Anschluss jedes Speicherbauelements 301 bis 318. Weiter vereinfachend ist in 4A nur ein Teil der Bezugszeichen für geradzahlige Stichleitungen 420_02_k, ..., 420_18_k und ungeradzahlige Stichleitungen 420_01_k, ..., 420_17_k explizit wiedergegeben.
4B zeigt das IMM 400 in einer Vorderansicht, wobei wiederum vereinfachend nur die Bezugszeichen zu je zwei der geradzahligen und ungeradzahligen Stichleitungen explizit angegeben sind. In der Vorderansicht von 4B repräsentiert die Bezugszeichennummerierung für die Durchkontakte die Überlagerungs- bzw. Überdeckungsbereiche (Footprints) derjenigen Speicherbauelemente, zwischen denen sich der jeweilige Durchkontakt befindet. Beispielsweise befindet sich ein Durchkontakt 408_08&10_k in einem Bereich zwischen den Anschlüssen 406 der Speicherbauelemente 308 und 310 auf der Vorderseite der PCB 419. Die geradzahligen Stichleitungen 420_02_k, ..., 420_18_k sind mit Durchkontakten 408_m&(m+2)_k zu den geradzahligen Speicherbauelementen 302, 304, ..., 318 verbunden, wobei m die Nummer eines geradzahligen Speicherbauelements auf einer Vorderseite 430 der PCB 419, siehe auch 4C, und m + 2 die Nummer des diesem bezüglich der Referenzachse auf der gleichen Seite der PCB 419 benachbarten Speicherbauelements bezeichnet und k den jeweiligen k-ten E/A-Anschluss der Speicherbauelemente 301 bis 318 repräsentiert, der sich in der Schnittlinie von 4B befindet. Beispielsweise kontaktieren die Stichleitungen 420_08_k und 420_16_k die Durchkontakte 408_08&10_k bzw. 408_14&16_k der Speicherbauelemente 308 und 314.
Den geradzahligen Stichleitungen 420_02_k bis 420_18_k auf der einen Seite der PCB 419 liegen ungeradzahlige Stichleitungen 420_01_k bis 420_17_k auf der anderen Seite der PCB 419 gegenüber. In 4B ist die PCB 419 teiltransparent dargestellt, um die auf der abgewandten Seite der PCB 419 angeordneten ungeradzahligen Stichleitungen 420_01_k bis 420_17_k sichtbar werden zu lassen, so dass der Zusammenhang zwischen den ungeradzahligen Stichleitungen 420_01_k bis 420_17_k, den geradzahligen Stichleitungen 420_02_k bis 420_18_k und den Durchkontakten deutlich sichtbar ist. Demgemäß sind die ungeradzahligen Stichleitungen 420_01_k bis 420_17_k über die zugehöri gen Durchkontakte mit den in 4B nicht gezeigten ungeradzahligen Speicherbauelementen 301, 303, ..., 317 auf der in 4B abgewandten Seite der PCB 419 verbunden. Die Bezeichnung 408_m&(m+2)_k gehört hierbei zu einem Durchkontakt, der zu einem der Zahl m zugeordneten Speicherbauelement auf der Vorderseite 430 der PCB 419 gehört, dessen Positionszwilling, d.h. ein entsprechendes ungeradzahliges Speicherbauelement, auf der Rückseite 432 gemäß 4C der PCB 419 die Nummer m–1 zugeordnet ist, während m–3 die Nummer eines diesem Positionszwilling relativ zur Referenzachse benachbarten Speicherbauelements auf der Rückseite 432 der PCB 419 ist. Beispielsweise sind die Stichleitungen 420_09_k und 420_15_k über die Durchkontakte 408_8&10_k bzw. 408_16&14_k mit dem Speicherbauelement 309 bzw. dem Speicherbauelement 315 verbunden.
4C zeigt vergrößert eine Ausschnittansicht zu zwei benachbarten Speicherbauelementpaaren mit Nummer i bzw. i+1 im IMM 400. Wie aus 4C ersichtlich, sind zwei auf der Vorderseite 430 der PCB 419 benachbart montierte Speicherbauelemente mit 404_i_f und 404_i+1_f bezeichnet, und zwei auf der Rückseite 432 der PCB 419 benachbart montierte Speicherbauelemente sind mit 404_i_r und 404_i+1_r bezeichnet. Leitfähige Bereiche, d.h. Verdrahtungen bzw. Leiterbahnen, sind auf der Vorderseite 430 und auf der Rückseite 432 der PCB 419 vorgesehen. Speziell sind in der Ansicht von 4C auf der Vorderseite 430 der PCB 419 Verdrahtungen 416_k, 418_k, 424_k und 426_k und auf der Rückseite 432 der PCB 419 Verdrahtungen 414_k, 421_k, 422_k und 428_k zu erkennen. Von den in der PCB 419 ausgebildeten Durchkontakten ist in 4C ein Durchkontakt 408_k zu erkennen. Dieser ist Teil eines Signalpfades, der die Verdrahtung 420_k des Speicherbauelements 404_i_r mit der Verdrahtung 426_k des Speicherbauelements 404_i+1_f verbindet. Dabei ist das Speicherbauelement 404_i_r bezüglich der Referenzachse dem Speicherbauelement 404_i_r benachbart, d.h. es befindet sich neben diesem auf der gleichen Seite der PCB 419, während das Speicherbauelement 404_i+1_f dem Speicherbauelement 404_i+1_r bezüglich der Referenzachse gegenüberliegt und folglich mit diesem ein positionelles Zwillingspaar bildet.
Der Durchkontakt 408_k befindet sich somit in einem Bereich, der zwischen Anschlüssen 406 bzw. den Bereichen unter den mit diesen verbundenen Verdrahtungen von hinsichtlich der Referenzachse benachbarten, d.h. auf der gleichen Seite der PCB 419 nebeneinander liegenden Speicherbauelementen 404_i_r und 404_i+1_r definiert ist. Dieser Bereich stellt, wie aus 4C ersichtlich, in gleicher Weise einen Bereich dar, der zwischen Anschlüssen 406 bzw. den über den damit verbundenen Verdrahtungen liegenden Bereichen von bezüglich der Referenzachse benachbarten Speicherbauelementen 404_i_f und 404_i+1_f auf der anderen Seite der PCB 419 definiert ist.
Wie ein Vergleich von 1A mit 4C zeigt, ist die Gesamtlänge L_A+L_B der jeweils elektrisch verbundenen Verdrahtungen, wie der Verdrahtungen 420_k und 426_k, beim erfindungsgemäßen IMM von 4C deutlich kürzer als beim Stand der Technik von 1A. Im Unterschied zum Stand der Technik von 1A, bei dem die Durchkontakte in einem Mittenbereich eines jeweiligen Speicherbauelement-Montagegebiet der PCB angeordnet sind, befindet sich der jeweilige Durchkontakt 408_k beim erfindungsgemäßen IMM von 4C lateral zwischen den jeweiligen Speicherbauelementen 404_i_r, 404_i+1_f und damit näher zu zugehörigen Anschlüssen der beiden entsprechenden Speicherbauelemente 404_i_r und 404_i+1_f.
Die 5A bis 5C verdeutlichen weiter diesen Unterschied der Erfindung zum eingangs erwähnten Stand der Technik. In der Vorderansicht von 5A sind Verdrahtungen, z.B. gedruckte Leiterbahnen, und Durchkontakte auf der Vorderseite 430 der in 5A nicht gezeigten PCB 419 im in 5A nicht gezeigten IMM 400 bezüglich der Überde ckungsbereiche der Speicherbauelemente 404_i_f und 404_i+1_f gemäß der Erfindung dargestellt. 5B zeigt in entsprechender Draufsicht Verdrahtungen und Durchkontakte auf der Rückseite 432 der PCB 419 im IMM 400 wiederum bezüglich der Überdeckungsbereiche der benachbarten Speicherbauelemente 404_i_r und 404_i+1_r gemäß der Erfindung. 5C ist eine Ansicht, bei der ein um 180° gekippter Teil von 5B mit einem Teil von 5A überlagert ist, soweit dies die überlappenden Überdeckungsbereiche eines aus den Speicherbauelementen 404_i_f und 404_i_r bestehenden positionellen Zwillingspaars 332_i_f&r und eines aus den Speicherbauelementen 404_i+1_f und 404_i+1_r bestehenden positionellen Zwillingspaars 332_i+1_f&r betrifft.
Die Konfiguration von 5C lässt sich z.B. durch Verkippen der Konfiguration von 5B um 180° um eine Flipachse 524 und anschließendes Überlagern der gekippten Konfiguration von 5B mit der Konfiguration von 5A erhalten. Alternativ kann die 5C dadurch erhalten werden, dass die Konfiguration von 5A um eine Faltachse 524 in der einen Richtung und die Konfiguration von 5B um die Faltachse 524 in der entgegengesetzten Richtung verdreht wird, um die Konfigurationen der 5A und 5B wie beim Schließen eines Buchs oder beim Falten eines Papierblatts zusammenzubringen. Dann wird die so zusammengebrachte Konfiguration in der vorherigen Rotationsrichtung von 5A gedreht, bis ihre den Verdrahtungen von 5A entsprechenden Verdrahtungen die gleiche Orientierung wie in 5A haben.
In 5C verbinden Durchkontakte 501 und 503 Verdrahtungen 520 und 524 bzw. Verdrahtungen 522 und 526. Kontaktstellen bzw. Endbereiche 1a und 1b' der Verdrahtungen 522 und 524 überlappen miteinander, sind jedoch nicht miteinander elektrisch verbunden. Entsprechend sind wiederum die beiden Bezugszeichen 1a und 1b' in 5C mit einer einzelnen Kreislinie umgeben. In gleicher Weise überlappen sich Kontaktstellen 1a' und 1b der Verdrahtungen 526 und 520, ohne miteinan der elektrisch verbunden zu sein. Auch die beiden Bezugszeichen 1a' und 1b sind in 5C folglich von einer einzelnen Kreislinie umgeben.
Es sei angemerkt, dass die obigen Ausführungen für die meisten der Speicherbauelemente 301 bis 318 zutreffen, wobei Ausnahmen für die äußeren Bauelemente 309 und 310 sowie 311 und 312 und für die inneren Bauelemente 301 und 302 sowie 317 und 318 bestehen können. Wieder auf 4A Bezug nehmend, können die Stichleitungen 420_12_k und 420_13_k als paarige Stichleitungen angesehen werden. In gleicher Weise können die Stichleitungen 420_14_k und 420_15_k sowie die nicht im Einzelnen mit Bezugszeichen markierten Stichleitungen 420_16_k und 420_17_k, 420_02_k und 420_03_k, 420_04_k und 420_05_k, 420_06_k und 420_07_k sowie 420_08_k und 420_09_k jeweils als paarige Stichleitungen angesehen werden, während die äußersten bzw. innersten Stichleitungen 420_11_k, 420_18_k, 420_01_k und 420_10_k als ungepaarte Stichleitungen angesehen werden können.
4D zeigt in einer Querschnittansicht entsprechend 4A eine Variante des IMM 400 von 4A in Form eines IMM 400' gemäß der Erfindung, wobei im IMM 400' die Positionen der Durchkontakte, die zu ungepaarten Stichleitungen 420_11'_k, 420_18'_k, 420_01'_k und 420_10'_k gehören, bezüglich ihren Gegenstücken zu den ungepaarten Stichleitungen 420_11_k, 420_18_k, 420_01_k und 420_10_k von 4A verschoben sind. Speziell sind die Durchkontakte beim IMM 400' bezüglich des IMM 400 von peripheren Signalkontaktstellen des jeweiligen Speicherbauelements 311, 318, 301 und 310 nach innen verschoben. Derartige innere Positionierungen können z.B. die Länge ungepaarter Stichleitungen reduzieren.
Erfindungsgemäß sind auch andere Positionierungen von Durchkontakten für die gepaarten Stichleitungen möglich. Dies veranschaulicht die 6A in einer Querschnittansicht entsprechend 4A für ein IMM 600 z.B. eines DIMM-Typs gemäß der Erfindung. Beim IMM 600 kann es sich um eine weitere konkrete Realisierung des in 3 schematisch dargestellten IMM 300 handeln. Das IMM 600 von 6A umfasst eine PCB 619 und die integrierten Schaltkreisspeicherbauelemente 301 bis 318, von denen die geradzahligen Speicherbauelemente 302, 304, ..., 318 ein erstes Feld von Speicherbauelementen auf einer ersten Seite der PCB 619 und die ungeradzahligen Speicherbauelemente 301, 303, ..., 317 ein zweites Feld von Speicherbauelementen auf einer zweiten Seite der PCB 619 bilden. Wiederum verbinden die leitfähigen Anschlüsse 406, z.B. Lotkugeln, als E/A-Anschlüsse der Speicherbauelemente leitfähige E/A-Anschlüsse nicht gezeigter Schaltkreise in den Speicherbauelementen 301 bis 318 mit den verschiedenen Verdrahtungen auf der PCB 619. Das IMM 600 weist zudem wiederum den Puffer und/oder das Registerbauelement 434A, 434B auf.
Bezüglich der Längsachse der PCB 619 als Referenzachse überlappen die Speicherbauelemente des ersten Feldes im Wesentlichen vollständig mit denjenigen des zweiten Feldes. Speziell sind z.B. die Speicherbauelemente 303 und 304 des IMM 600 an einer ersten Referenzposition im Wesentlichen vollständig miteinander überlappend angeordnet. In gleicher Weise sind die Speicherbauelemente 307 und 308 des IMM 600 an einer zweiten Referenzposition mit im Wesentlichen vollständiger Überlappung angeordnet. Um die Darstellung zu vereinfachen, sind von den in 6A gezeigten positionellen Zwillingspaaren nur zwei explizit mit Bezugszeichen versehen, nämlich Positionszwillingspaare 632_03&04 sowie 632_07&08. Wenigstens ein Teil der Anschlüsse 406 der Speicherbauelemente 301 bis 318 ist entlang gegenüberliegender Seitenbereiche jedes Speicherbauelements ähnlich dem Beispiel der 1A, 1B und 1C angeordnet.
Auch in 6A ist wie in 4A die Querschnittansicht so gewählt, dass nur der Signalpfad für einen der Sätze von sich entsprechenden E/A-Anschlüssen der Speicherbauelemente 301 bis 318 dargestellt ist. Die in 6A gezeigten Verdrahtungen in Form von Stichleitungen 620_i_k und Übertragungsleitungen 622 und 626 repräsentieren folglich stellvertretend den Signalpfad für nur jeweils einen k-ten der E/A-Anschlüsse jedes Speicherbauelements 201 bis 318. Von geradzahligen Stichleitungen sind in 6A nur Stichleitungen 620_12_k und 620_14_k zur besseren Übersicht mit Bezugszeichen versehen. Analog sind von den ungeradzahligen Stichleitungen in 6A nur Stichleitungen 620_13_k und 620_15_k explizit mit Bezugszeichen versehen.
6B zeigt das IMM 600 in einer Vorderansicht, wobei nur die Stichleitungen 620_08_k und 620_16_k stellvertretend für alle Stichleitungen auf dieser Vorderseite der PCB 619 mit Bezugszeichen versehen sind. Die Bezugszeichenwahl für Durchkontakte reflektiert in der Vorderansicht von 6B den Überlappungsbereich des jeweiligen Speicherbauelements, in welchem sich der betreffende Durchkontakt befindet. Beispielsweise ist mit dem Bezugszeichen 608_10_k ein Durchkontakt bezeichnet, der sich im Überlappungsbereich des Speicherbauelements 310 befindet. Die geradzahligen Stichleitungen verbinden die Durchkontakte 608_m_k mit geradzahligen Speicherbauelementen, wobei m die Nummer des Speicherbauelements auf der in 6B zu erkennenden ersten Seite bzw. Vorderseite der PCB 619 repräsentiert. Beispielsweise verbinden die Stichleitungen 620_08_k und 620_16_k die Durchkontakte 608_10_k und 608_16_k mit dem Speicherbauelement 308 bzw. 314.
Die ungeradzahligen Stichleitungen sind ebenfalls in 6B dargestellt, wobei wiederum der Übersichtlichkeit halber nur die Stichleitungen 620_09_k und 620_15_k explizit mit Bezugszeichen versehen sind. Es versteht sich, dass die ungeradzahligen Stichleitungen auf der zu den geradzahligen Stichleitungen gegenüberliegenden, anderen Seite der PCB 619 angeordnet sind, wobei jedoch in 6B die PCB 619 teiltransparent dargestellt ist, um auch die ungeradzahligen Stichleitungen sichtbar zu machen und dadurch den Zusammenhang zwischen den ungeradzahligen Stichleitungen und den geradzahligen Stichleitungen sowie den Durchkontakten besser ersichtlich zu machen. Die geradzahligen Stichleitungen verbinden die Durchkontakte 608_m_k mit den ungeradzahligen, in 6B nicht gezeigten Speicherbauelementen auf der in 6B abgewandten Seite der PCB 619, wobei m die Nummer des positionellen Speicherbauelementzwillings relativ zum entsprechenden Speicherbauelement auf der ersten Seite 630 der PCB 619 repräsentiert. Beispielsweise verbinden die Stichleitungen 620_09_k und 620_15_k die Durchkontakte 608_10_k und 608_16_k mit dem Speicherbauelement 309 bzw. dem Speicherbauelement 315.
6C zeigt in vergrößerter ausschnittweiser Darstellung von 6A zwei benachbarte Speicherbauelementpaare mit den Nummern i und i+1 im erfindungsgemäßen IMM 600. Speziell zeigt 6C zwei auf der Vorderseite 630 der PCB 619 montierte Speicherbauelemente 604_i_f und 604_i+1_f sowie zwei auf der Rückseite 632 der PCB 619 montierte Speicherbauelemente 604_i_r und 604_i+1_r. Leitfähige Bereiche bzw. Verdrahtungen sind auf die Vorderseite 630 und die Rückseite 632 der PCB 619 aufgebracht. Speziell sind in 6C Verdrahtungen 618_k, 624_k und 626_k auf der Vorderseite 630 der PCB 619 sowie Verdrahtungen 614_k, 620_k, 622_k und 628_k auf der Rückseite 632 der PCB 619 zu erkennen. Des Weiteren sind in 6C von den in der PCB 619 gebildeten Durchkontakten die Durchkontakte 608_i_k und 608_i+1_k zu erkennen.
Der Durchkontakt 608_k ist Teil eines Signalpfades, der die Verdrahtung 620_k des Speicherbauelements 604_i_r mit der Verdrahtung 626_k für das Speicherbauelement 604_i+1_f verbindet. Dabei ist das Speicherbauelement 604_i_f bezüglich der Referenzachse dem Speicherbau element 604_i+1_f benachbart, und das Speicherbauelement 604_i_f bildet zusammen mit dem Speicherbauelement 604_i_r ein positionelles Zwillingspaar. Der Durchkontakt 608_i_k befindet sich von den peripheren Anschlüssen 406 bzw. von den unter den damit verbundenen Verdrahtungen liegenden Bereichen aus gesehen zu jedem der beiden ein Positionszwillingspaar bildenden Speicherbauelementen 604_i_r und 604_i_f nach innen, d.h. zum Mittenbereich hin versetzt.
Wie aus 6C weiter ersichtlich, ist die Gesamtlänge L_A+L_B der jeweils elektrisch verbundenen Verdrahtungen, z.B. der Verdrahtungen 620_k und 626_k, deutlich geringer als für die entsprechenden Verdrahtungen beim Stand der Technik gemäß den 1A, 1B und 1C mit den im Mittenbereich der auf der PCB montierten Speicherbauelemente vorgesehenen Durchkontakten. Dazu ist speziell die Verdrahtung 626_k in besonderer Weise ausgebildet. Ein weitergehendes Verständnis der Modularchitektur gemäß den 6A, 6B und 6C ergibt sich durch die 7A, 7B und 7C.
7A zeigt in einer Vorderansicht die Verdrahtungen und Durchkontakte auf der Vorderseite 630 der in 7A nicht gezeigten PCB 619 im in 7A ebenfalls nicht gezeigten IMM 600 bezüglich der Überlappungsbereiche der Speicherbauelemente 604_i_f und 604_i+1_f. 7B zeigt in einer Vorderansicht die Verdrahtungen und Durchkontakte auf der Rückseite 632 der PCB 619 im IMM 600 bezüglich der Überlappungsbereiche der Speicherbauelemente 604_i_r und 604_i+1_r. 7C zeigt einen Teil von 7A der mit einem gekippten Teil der Konfiguration von 7B überlagert ist und in welchem die Verdrahtungen und Durchkontakte der PCB 619 im IMM 600 innerhalb der sich überlappenden Überdeckungsbereiche der positionellen Zwillingspaare 604-i_f&r und 604_i+1_f&r liegen, welche aus den Speicherbauelementen 604_i_f und 604_i_r bzw. aus den Speicherbauelement 604_i+1_f und 604_i+1_r bestehen.
Die Konfiguration von 7C kann aus denjenigen der 7A und 7B z.B. dadurch erhalten werden, dass die Konfiguration von 7B um 180° um eine Flipachse 724 gekippt wird und die so gekippte Konfiguration von 7B mit der Konfiguration von 7A überlagert wird.
Gemäß 7C verbinden Durchkontakte 701 und 702 Verdrahtungen 720 und 724 bzw. 722 und 726. Kontaktstellen bzw. Endbereiche 1a und 1b' der Verdrahtungen 726 und 724 überlappen miteinander, sind aber nicht elektrisch verbunden. Dementsprechend sind in 7C die beiden Bezugszeichen 1a und 1b' wiederum durch eine einzelne Kreislinie umgeben. In gleicher Weise überlappen Kontaktstellen 1a' und 1b der Verdrahtungen 722 und 720, ohne elektrisch verbunden zu sein. Auch deren Bezugszeichen 1a' und 1b sind dementsprechend in 7C mit einer einzelnen Kreislinie umgeben.
Es ist anzumerken, dass die obigen Ausführungen zu den 6A bis 6C sowie 7A bis 7C auf die meisten der Speicherbauelemente 301 bis 318 zutreffen, wobei Ausnahmen insbesondere bezüglich der äußersten und innersten Speicherbauelemente bestehen können. So können in diesem Fall die Stichleitungen 320_11_k, 320_18_k, 320_01_k und 320_10_k von 3 als ungepaarte Stichleitungen bezeichnet werden, siehe oben die Ausführungen zu den Stichleitungen 420_11_k, 420_18_k, 420_01_k und 420_10_k.
Wieder bezugnehmend auf 6B ist dort zusätzlich zu den oben erläuterten Durchkontakten 608_m_k eine weitere Spalte 640 von Durchkontakten, die sich innerhalb des Überlappungsbereichs des Speicherbauelements 310 befinden, und eine weitere Spalte 642 von Durchkontakten dargestellt, die sich innerhalb des Überlappungsbereichs des Speicherbauelements 318 befinden. Die Durchkontaktspalte 640 beinhaltet Durchkontakte 608_10'_k, und die Durchkontaktspalte 642 beinhaltet Durchkontakte 608_18'_k. Speziell sind dazu die Durchkontakte in den Spalten 640 und 642 von den peripheren Signalkontaktstellen des betreffenden Speicherbauelements 310, 318 aus gesehen nach innen versetzt, statt diesen benachbart zu sein, wie dies eine Fortsetzung des Musters relativ zu den Speicherbauelementen 302 bis 308 und 312 bis 316 naheliegen mag. Solche nach innen versetzten Positionierungen können z.B. die Länge ungepaarter Stichleitungen verringern.
Die Erfindung umfasst auch noch andere Ausrichtungen zwischen dem ersten und dem zweiten Satz von Speicherbauelementfeldern auf entgegengesetzten Seiten einer PCB. Ein diesbezüglich weiteres Ausführungsbeispiel ist in 8 in Form eines erfindungsgemäßen IMM 800 z.B. irgendeines DIMM-Typs in einer Schnittansicht entsprechend 4A dargestellt. Beim IMM 800 kann es sich wiederum um eine spezielle Realisierung des IMM 300 von 3 handeln.
Das IMM 800 von 8 stellt eine Variante des IMM 400 der 4A, 4B und 4C dar und umfasst eine PCB 819 und die integrierten Schaltkreisspeicherbauelemente 301 bis 318, von denen wiederum die geradzahligen Speicherbauelemente 202, 304, ..., 318 ein erstes Feld von Speicherbauelementen auf einer ersten Seite der PCB 819 und die ungeradzahligen Speicherbauelemente 301, 303, ..., 311 ein zweites Feld von Speicherbauelementen auf einer zweiten Seite der PCB 819 bilden. Die leitfähigen Anschlüsse 406, wie Lotkugeln, verbinden als E/A-Anschlüsse der Speicherbauelemente 301 bis 318 nicht gezeigte, leitfähige E/A-Anschlüsse von Schaltkreisen in selbigen mit den verschiedenen Verdrahtungen auf der PCB 819. Auch das IMM 800 weist die Puffer oder Registerbauelemente 434A und 434B auf.
In Richtung parallel zu einer Referenzachse, z.B. einer Längsachse der PCB 819, sind die Speicherbauelemente im ersten Feld relativ zu denjenigen im zweiten Feld etwas versetzt, wie durch einen Pfeil 850 angedeutet. Dennoch überlappen die Speicherbauelemente des ersten Fel des noch wesentlich mit den Speicherbauelementen des zweiten Feldes in der zur Plattenebene der PCB 819 senkrechten Richtung. Beispielsweise sind die Speicherbauelemente 303 und 304 des IMM 800 noch immer im Wesentlichen zueinander an einer ersten Referenzposition ausgerichtet, wenngleich das Speicherbauelement 304 gegenüber dem Speicherbauelement 303 im Vergleich zu einer Position mit vollständiger Überlappung etwas versetzt ist. Entsprechendes gilt für die übrigen positionellen Speicherbauelement-Zwillingspaare, von denen in 8 der Übersichtlichkeit halber Bezugszeichen nur zu den Paaren 832_03&04 und 832_07&08 angegeben sind. Das positionelle Zwillingspaar 832_07&08 besteht aus den Speicherbauelementen 307 und 308, und in gleicher Weise besteht das Paar 832_03&04 aus den Speicherbauelementen 303 und 304. Auch im Beispiel von 8 ist wenigstens ein Teil der Anschlüsse 406 der Speicherbauelemente 301 bis 318 entlang gegenüberliegender Seitenbereiche des jeweiligen Speicherbauelements ähnlich wie im Beispiel der 1A, 1B und 1C angeordnet.
Der Querschnitt ist in 8 wiederum so gewählt, dass er nur den Signalpfad eines der Sätze von sich entsprechenden E/A-Anschlüssen der Speicherbauelemente 301 bis 318 sichtbar macht. Die in 8 zu erkennenden Verdrahtungen, nämlich Stichleitungen 820_i_k und Übertragungsleitungen 822 und 824, repräsentieren folglich stellvertretend den Signalpfad nur für den k-ten-Satz der sich entsprechenden Anschlüsse der Speicherbauelemente 301 bis 318.
In 8 sind von den geradzahligen Stichleitungen der Übersichtlichkeit halber nur die Stichleitungen 820_12_k und 820_14_k mit Bezugszeichen versehen, und ebenso sind von den ungeradzahligen Stichleitungen nur die Stichleitungen 820_13_k und 820_15_k mit Bezugszeichen versehen. Durchkontakte 852_m&m+1_k sind jeweils Teil eines Signalpfades, der eine Verdrahtung für ein m-tes Speicherbauelement mit einer Verdrahtung für ein (m+1)-tes Speicherbauelement verbindet. Die Bezugszeichennummerierung für die Durchkontakte in 8 reflektiert somit die Eigenschaft, dass der jeweilige Durchkontakt einen Teil des Signalpfades zwischen dem m-ten Speicherbauelement und dem (m+1)-ten Speicherbauelement jeweils für deren k-ten E/A-Anschluss bildet. So ist beispielsweise der Durchkontakt 852_6&7_k Teil des Signalpfades, der eine Verdrahtung für das Speicherbauelement 306 mit einer Verdrahtung für das Speicherbauelement 307 jeweils für deren k-ten E/A-Anschluss verbindet. Dabei ist dem Speicherbauelement 307 bezüglich der Referenzachse das Speicherbauelement 305 auf der gleichen Seite der PCB 819 benachbart. Der Durchkontakt 852_6&7_k befindet sich in einem Bereich, der zwischen den Anschlüssen 406 (oder den darunterliegenden Bereichen der mit diesen verbundenen Verdrahtungen) der bezüglich der Referenzachse benachbarten Speicherbauelemente 307 und 305 definiert ist.
Dieser Bereich kann alternativ auch bezüglich der Speicherbauelemente 307 und 308 dahingehend beschrieben werden, dass er bezüglich den peripheren Anschlüssen 406 oder den unter den damit verbundenen Verdrahtungen liegenden Bereichen des Speicherbauelements 308 nach innen versetzt ist, d.h. lateral in der Referenzachsenrichtung zum Mittenbereich des Speicherbauelements 308 hin, sich aber noch außerhalb der peripheren Anschlüsse 406 oder der unter den damit verbundenen Verdrahtungen liegenden Bereichen des Speicherbauelements 307 liegt, wobei das Speicherbauelement 308 der positionelle Zwillingspartner des Speicherbauelements 307 ist. Analog ist der Durchkontakt 852_17&16_k Teil des Signalpfades, der eine Verdrahtung für das Speicherbauelement 317 mit einer Verdrahtung für das Speicherbauelement 316 verbindet. In einer alternativen Variante des Ausführungsbeispiels von 8 können analog zur Abwandlung des Beispiels von 4D gegenüber dem Beispiel der 4A, 4B und 4C die Positionen von Durchkontakten variiert werden, die ungepaarten Stichleitungen zugeordnet sind.
9 zeigt im Querschnitt längs einer Linie entsprechend 8 oder auch den 1A und 1B ein weiteres erfindungsgemäßes IMM 900, das weitgehend dem Ausführungsbeispiel der 6A, 6B und 6C bzw. dem Ausführungsbeispiel von 8 entspricht, wobei im Vergleich zu den 6A, 6B und 6C ein Speicherbauelementversatz in der zum Speicherbauelementversatz beim Beispiel von 8 entgegengesetzten Richtung vorgesehen ist.
Wie aus 9 ersichtlich, umfasst das IMM 900 eine PCB 919 und die integrierten Schaltkreisspeicherbauelemente 301 bis 318. Die geradzahligen Speicherbauelemente 302, 304, ..., 318 repräsentieren ein erstes Feld von Speicherbauelementen auf einer ersten Seite der PCB 919. Die ungeradzahligen Speicherbauelemente 301, 303, ..., 311 repräsentieren ein zweites Feld von Speicherbauelementen auf einer zweiten Seite der PCB 919. Die leitfähigen Anschlüsse 406, z.B. Lotkugeln, verbinden als E/A-Anschlüsse der Speicherbauelemente 301 bis 318 nicht gezeigte E/A-Anschlüsse von Schaltkreisen in den Speicherbauelementen 301 bis 318 mit den verschiedenen Verdrahtungen auf der PCB 919. Außerdem kann auch das IMM 900 die Puffer oder Registerbauelemente 434A und 434B aufweisen.
Bezüglich einer Referenzachse, z.B. einer Längsachse der PCB 919, sind die Speicherbauelemente des ersten Feldes lateral in Richtung der Referenzachse gegenüber den Speicherbauelementen des zweiten Feldes versetzt angeordnet, wie durch einen Pfeil 950 in 9 angedeutet. Dennoch überlappen die Speicherbauelemente des ersten Feldes noch im Wesentlichen mit denjenigen des zweiten Feldes. So sind beispielsweise die Speicherbauelemente 303 und 304 des IMM 900 an einer ersten Referenzposition im Wesentlichen zueinander ausgerichtet, d.h. sie überlappen mit mehr als ihrer halben Ausdehnung in dieser Richtung. Analoges gilt beispielsweise für das Speicherbauelementpaar 307 und 308 des IMM 900 an einer zweiten Referenzposition, d.h. auch diese beiden Speicherbauelemente 307 und 308 sind zwar etwas gegeneinander lateral versetzt, überlappen aber immer noch mit mehr als ihrer halben Ausdehnung in der Versatzrichtung. Dabei ist der Versatz in einer bestimmten Ausführungsform so groß, dass eine partielle Überlappung eines Speicherbauelements mit einem gegenüberliegenden, seinem positionellen Zwilling benachbarten Speicherbauelement entsteht, z.B. eine partielle Überlappung des Speicherbauelements 308 mit dem Speicherbauelement 309.
Der Übersichtlichkeit halber sind in 9 nur zwei der positionellen Speicherbauelement-Zwillingspaare mit Bezugszeichen versehen, nämlich die Paare 932_03&04 und 932_07&08, die aus den Speicherbauelementen 307 und 308 bzw. den Speicherbauelementen 303 und 304 bestehen. Wenigstens ein Teil der Anschlüsse 406 der Speicherbauelemente 301 bis 318 ist auch im Beispiel von 9 wiederum entlang gegenüberliegender Seitenbereiche jedes Speicherbauelements angeordnet, analog zum Ausführungsbeispiel der 1A, 1B und 1C.
Auch in 9 ist der Querschnitt so gewählt, dass er gerade einen der Sätze sich entsprechender E/A-Anschlüsse der Speicherbauelemente 301 bis 318 sichtbar macht. Hierbei repräsentieren die in 9 zu erkennenden Verdrahtungen, nämlich Stichleitungen 920_i_k und Übertragungsleitungen 922 und 924, den k-ten der Sätze sich entsprechender E/A-Anschlüsse der Speicherbauelemente 301 bis 318. Weiter sind zur besseren Übersicht von den geradzahligen Stichleitungen in 9 nur die Stichleitungen 920_12_k und 920_14_k mit Bezugszeichen versehen, und analog sind von den ungeradzahligen Stichleitungen nur die Stichleitungen 920_13_k und 920_15_k mit Bezugszeichen versehen. Durchkontakte 952_m&m+1_k sind jeweils Teil eines Signalpfades, der eine Verdrahtung für ein m-tes Speicherbauelement mit einer Verdrahtung für ein (m+1)-tes Speicherbauelement verbindet. Damit spiegelt die Bezugszeichenwahl auch in 9 die Eigenschaft wider, dass die Durchkontakte jeweils Teil eines Signalpfades zwischen einem m-ten Speicherbauelement und einem (m+1)-ten Speicherbauelement sind. Beispielsweise ist der Durchkontakt 952_6&7_k Teil des Signalpfades, der eine Verdrahtung für das Speicherbauelement 306 mit einer Verdrahtung für das Speicherbauelement 307 verbindet, und zwar zum k-ten Satz von E/A-Anschlüssen. Dabei ist das Speicherbauelement 307 dem Speicherbauelement 305 auf der gleichen Seite der PCB 919 benachbart, und das Speicherbauelement 308 ist der positionelle Zwillingspartner zum Speicherbauelement 307. In gleicher Weise ist der Durchkontakt 952_17&16_k Teil des Signalpfades, der eine Verdrahtung für einen k-ten E/A-Anschluss des Speicherbauelements 317 mit einer Verdrahtung für den k-ten E/A-Anschluss des Speicherbauelements 316 verbindet.
Der Durchkontakt 952_6&7_k befindet sich gegenüber den peripheren Anschlüssen 406 bzw. den unter den damit verbundenen Verdrahtungen liegenden Bereichen des Speicherbauelements 307 lateral in Richtung der Referenzachse nach innen versetzt, d.h. zum Mittenbereich des Speicherbauelements 207 hin. Die Position des Durchkontakts 952_6&7_k kann auch dadurch beschrieben werden, dass sie in einem Bereich liegt, der zwischen den Anschlüssen 406 bzw. den über den damit verbundenen Verdrahtungen liegenden Bereichen der auf der gleichen Seite der PCB 919 benachbarten Speicherbauelemente 308 und 306 liegt.

Claims

Inline-Speichermodul mit – einer Leiterplatte (419), – einem ersten Feld von Speicherbauelementen (302, 304, ..., 318) auf einer ersten Seite der Leiterplatte und einem zweiten Feld von Speicherbauelementen (301, 303, ..., 317) auf einer zweiten Seite der Leiterplatte, wobei wenigstens ein Speicherbauelement des ersten Feldes bezogen auf eine Referenzachse mit einem zugeordneten Speicherbauelement des zweiten Feldes als Positionszwilling ganz oder teilweise überlappt, und – Durchkontakten zur Verbindung von E/A-Anschlüssen oder Leitungen von Speicherbauelementen im ersten Feld mit E/A-Anschlüssen oder Leitungen von Speicherbauelementen im zweiten Feld, dadurch gekennzeichnet, dass – wenigstens einer der Durchkontakte (408_08&10_k, 408_14&16_k) einen E/A-Anschluss oder eine Leitung eines ersten Speicherbauelements (309) im ersten Feld mit einem E/A-Anschluss oder einer Leitung eines zweiten Speicherbauelements (308) im zweiten Feld verbindet, das dem zum ersten Speicherbauelement gehörigen Positionszwillings-Speicherbauelement (310) im zweiten Feld benachbart ist.
Inline-Speichermodul nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass jedes Speicherbauelement E/A-Anschlüsse aufweist, von denen wenigstens ein Teil entlang gegenüberliegender Seitenbereiche des jeweiligen Speicherbauelements angeordnet ist, und eine Mehrheit der Durchkontakte in Bereichen angeordnet ist, die zwischen einander zugewandten E/A-Anschlüssen benachbarter Speicherbauelemente des ersten Feldes und/oder des zweiten Feldes liegen.
Inline-Speichermodul nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl der Durchkontakte in einem Bereich angeordnet ist, der sich von peripheren Signalkontaktstellen eines jeweiligen Speicherbauelements im ersten Feld und/oder im zweiten Feld bezüglich der Erstreckung dieses Speicherbauelements nach innen erstreckt.
Inline-Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die benachbarten Speicherbauelemente bezüglich einer Referenzachse benachbart sind.
Inline-Speichermodul nach Anspruch 4, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzachse eine Längsachse der Leiterplatte ist.
Inline-Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Teil von Signalkontaktstellen jedes Speicherbauelements entlang gegenüberliegender Seitenbereiche des Speicherbauelements angeordnet ist und das erste Feld relativ zum zweiten Feld derart angeordnet ist, dass ein jeweiliges Speicherbauelement im ersten Feld in Richtung der Referenzachse gegenüber seinem positionellen Zwillings-Speicherbauelement im zweiten Feld derart versetzt ist, dass Signalkontaktstellen an einem Seitenbereich des positionellen Zwillings-Speicherbauelements mit einem Bereich fluchten, der neben Signalkontaktstellen an einem Seitenbereich des Speicherbauelements im ersten Feld liegt.
Inline-Speichermodul nach Anspruch 6, weiter dadurch gekennzeichnet, dass für eine Mehrheit der Speicherbauelemente die Signalkontaktstellen und/oder die Durchkontakte in einem Bereich zwischen den Signalkontaktstellen am einen Seitenbereich eines gegenüberliegenden Speicherbauelements und Signalkontaktstellen am einen Seitenbereich eines dem gegenüberliegenden benachbarten Speicherbauelements im ersten Feld und/oder im zweiten Feld angeordnet sind.
Inline-Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter dadurch gekennzeichnet, dass für eine Mehrheit der Speicherbauelemente im ersten und zweiten Feld ein jeweiliges Speicherbauelement im ersten Feld in Richtung der Referenzachse gegenüber seinem zugehörigen positionellen Zwillingsspeicherbauelement im zweiten Feld derart versetzt ist, dass letzteres teilweise mit einem Speicherbauelement im ersten Feld überlappt, das dem erstgenannten Speicherbauelement im ersten Feld benachbart ist.
Inline-Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das erste Feld relativ zum zweiten Feld derart angeordnet ist, dass ein jeweiliges Speicherbauelement im ersten Feld in Richtung der Referenzachse gegenüber seinem positionellen Zwillingsspeicherbauelement im zweiten Feld derart versetzt ist, dass ein letzterem im zweiten Feld benachbartes Speicherbauelement teilweise mit dem Speicherbauelement im ersten Feld überlappt.
Inline-Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, weiter dadurch gekennzeichnet, dass für eine Mehrheit der Durchkontakte der jeweilige Durchkontakt in einem Bereich zwischen Signalkontaktstellen an einander zugewandten Seitenbereichen zweier benachbarter Speicherbauelemente im ersten Feld und/oder im zweiten Feld angeordnet ist.
Inline-Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, weiter dadurch gekennzeichnet, dass es eine Architektur vom Dual-Inline-Speichermodul-Typ aufweist.
Inline-Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, weiter dadurch gekennzeichnet, dass für eine Mehrheit der Durchkontakte eine Signalleitung eines Speicherbauelements im ersten Feld für einen den Durchkontakt enthaltenen Signalpfad im Wesentlichen die gleiche Länge aufweist wie eine korrespondierende Signalleitung eines Speicherbauelements im zweiten Feld für diesen Signalpfad.