DE4232267A1 - Leiterplatte mit optimierter Bausteinanordnung insbesondere für Koppelfelder mit hoher Datenrate - Google Patents
Leiterplatte mit optimierter Bausteinanordnung insbesondere für Koppelfelder mit hoher DatenrateInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Leiterplatte entsprechend dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Werden auf einer Leiterplatte mehrere integrierte Schal
tungen enthaltende Bausteine vom gleichen Typ angeordnet,
die im Stromlauf mit einer gewissen Regelmäßigkeit unter
einander zu verbinden sind, so wird üblicherweise eine
topologische Anordnung gesucht, die eine kreuzungsfreie
Verbindung mit möglichst kurzen Leiterbahnen ermöglicht.
Es ist in diesem Zusammenhang bekannt, mehrlagige Leiter
platten zu verwenden, die zwischen den einzelnen Lagen an
bestimmten Stellen Durchmetallisierungen aufweisen. Der
artige Anordnungen sind ab einer bestimmten Komplexität
und bei der Verarbeitung digitaler Signale mit Bitraten
von wenigstens einigen hundert Mbit/s schwierig aufbau
bar. Bei diesen Datenraten ist außerdem eine eingangssei
tig nicht angepaßte passive Leiterbahnverzweigung nicht
mehr tolerierbar, es sind deshalb entweder angepaßte
passive Leiterbahnenverzweigungen vorzusehen oder Leitungs
treiber zwischenzuschalten. Bei der Verwendung von Leitungs
treibern ergibt sich für jeden Eingangsanschluß eine Gatter-
oder Verstärkerschaltung mit entsprechender Leistungsauf
nahme und zusätzlichen Platzbedarf auf der Leiterplatte.
Bei der Verwendung von angepaßten passiven Leiterbahnver
zweigungen ergibt sich das Problem, daß die Verbindung zu
den Leiterplatten in der Regel über Leitungen mit einem Wel
lenwiderstand von 50 Ohm erfolgt, eine passive Leiterbahn
verzweigung auf zwei Bausteinanschlüsse aber die Parallel
schaltung von zwei Leiterbahnen mit einem Wellenwiderstand
von jeweils 100 Ohm erfordert, die auf den üblicherweise
verwendeten Leiterplatten zur Zeit kostengünstig nicht her
stellbar sind.
Im vorliegenden speziellen Fall liegt eine Schaltung ent
sprechend Fig. 1 vor, die als "Trichterstruktur" bekannt
ist und sich in einem Koppelfeld oder Koppelnetz mehrfach
wiederholt. Bei dieser Schaltung werden die Signale von
vier logischen Eingängen E1 . . . E4 mittels eines ersten bis
sechsten Koppelelementen KE1 . . . KE6, die jeweils einen
einzelnen Baustein darstellen, paarweise zusammengefaßt
und an zwei logischen Ausgängen A1, A2 abgegeben. Dabei
muß berücksichtigt werden, daß jeder der logischen Eingänge
und Ausgänge jeweils 80 einzelne Anschlüsse umfaßt, so daß
der Schaltungsteil nach der Fig. 1 insgesamt 320 Eingangs
anschlüsse und 160 Ausgangsanschlüsse zusammen mit den Ver
bindungen zu den entsprechenden Koppelelementen enthält. Für
die Zusammenfassung der Eingangssignale dienen in einer er
sten Ebene das erste bis vierte Koppelelement KE1 . . . KE4
mit je zwei Eingangsgruppen, die jeweils 80 auch als Ein
gangspins bezeichnete Einzelanschlüsse umfassen, die Koppel
elemente selbst enthalten jeweils eine Vermittlungseinrich
tung für die wahlfreie Verbindung von jedem Eingang zu je
dem Ausgang. Es ergeben sich dadurch insgesamt 1440 Leiter
bahnsegmente, die unter Beachtung der Datenrate von etwa
600 Mbit/s entflochten werden müssen.
Die Aufgabe bei der vorliegenden Erfindung besteht also
darin, eine optimale Anordnung für die in Fig. 1 gezeigte
Schaltungsanordnung auf einer Leiterplatte zu finden.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch eine Leiterplatten
anordnung gelöst, die entsprechend dem Kennzeichen des
Patentanspruchs 1 weitergebildet ist. Von besonderem Vor
teil bei der erfindungsgemäßen Lösung ist, daß durch den
Verzicht auf Leitungstreiber und niederohmige Eingangsab
schlüsse der Leitungen nicht nur Platzbedarf und Leistungs
aufnahme sinken, sondern auch die Zuverlässigkeit der Ge
samtschaltung erheblich ansteigt.
Bevorzugte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Leiter
plattenanordnung sind in den Patentansprüchen 2 bis 6 de
tailliert beschrieben.
Die Erfindung soll im folgenden anhand eines in der Zeich
nung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert
werden.
In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 die Prinzipschaltung des Teils eines Koppel
feldes, das mit der erfindungsgemäßen Leiter
plattenanordnung realisiert werden soll,
Fig. 2 die erfindungsgemäße Anordnung der Koppelele
ment-Bausteine auf der Leiterplatte und
Fig. 3 einen Ausschnitt aus der erfindungsgemäßen
Leiterplattenanordnung.
Bei dem bereits erwähnten, in Fig. 1 dargestellten Teil
eines Koppelfeldes mit vier logischen Eingängen E1 . . . E4,
ist der erste logische Eingang E1 mit den ersten Eingangs
gruppen und der zweite logische Eingang E2 mit den zweiten
Eingangsgruppen des ersten und dritten Koppelelementes
KE1, KE3 verbunden. Entsprechend sind der dritte logische
Eingang E3 mit den ersten Eingangsgruppen und der vierte
logische Eingang E4 mit den zweiten Eingangsgruppen des
zweiten und vierten Koppelelementes KE2, KE4 verbunden.
Die Ausgangssignale des ersten bis vierten Koppelelementes
KE1 . . . KE4 werden durch das fünfte und das sechste Koppel
element KE5, KE6 zusammengefaßt und an einem ersten bzw.
zweiten logischen Ausgang A1, A2, abgegeben. Dazu sind die
Ausgangsanschlüsse des ersten Koppelelementes KE1 mit der
ersten Eingangsgruppe und die Ausgangsanschlüsse des zwei
ten Koppelelementes KE2 mit der zweiten Eingangsgruppe des
fünften Koppelelementes KE5 verbunden. Entsprechend sind
die Ausgangsanschlüsse des dritten Koppelelementes KE3 mit
der ersten Eingangsgruppe und die Ausgangsanschlüsse des
vierten Koppelelementes KE4 mit der zweiten Eingangsgruppe
des sechsten Koppelelementes verbunden, der Ausgangsan
schluß des fünften Koppelelementes KE5 stellt den ersten
logischen Ausgang A1 und der Ausgangsanschluß des sechsten
Koppelelementes KE6 stellt den zweiten logischen Ausgang
A2 dar.
Aus der Fig. 1 ist erkennbar, daß jeder logische Eingang
mit einer Eingangsgruppe von zwei Koppelelementen verbun
den ist, die Eingangsanschlüsse von jeweils einer Eingangs
gruppe der beiden Koppelelemente sind also parallel geschal
tet.
Die einzelnen Koppelelemente KE1 . . . KE6 sind zur Bildung
des ersten bis sechsten sogenannten SMD-Bausteins jeweils
in ein oberflächenmontierbares (SMD)-Gehäuse eingebaut,
das in bekannter Weise über eine Vielzahl seitlicher An
schlüsse verfügt. Dabei sind die Anschlüsse der beiden
Eingangsgruppen zusammen mit zugeordneten Potentialan
schlüssen entlang jeweils einer benachbarten Außenseite
der SMD-Bausteine angeordnet, anschließend an die mit der
ersten Eingangsgruppe belegte Außenseite und damit ge
genüber der zweiten Eingangsgruppe sind auf einer der
beiden noch freien Außenseiten die Ausgangsanschlüsse
und gegebenenfalls diesen zugeordnete weitere Potential
anschlüsse angeordnet.
Die sich ergebenden sechs Koppelelement-Bausteine (KE1 . . .
KE3) sind entsprechend der Fig. 2 so angeordnet, daß bei
a) der das erste Koppelelement KE1 enthaltende erste Bau
stein auf der Oberseite und darunter der das dritte Koppel
element KE3 enthaltenden dritte Baustein befestigt sind,
bei b) sind auf der Unterseite der das zweite Koppelelement
KE2 enthaltende zweite Baustein und auf der Oberseite der
das vierte Koppelelement KE4 enthaltende vierte Baustein
angeordnet sind, bei c) ist der das fünfte Koppelelement
KE5 enthaltende fünfte Baustein und bei d) der das sechste
Koppelelement KE6 enthaltende sechste Baustein montiert.
Der erste und dritte bzw. der vierte und zweite Baustein
sind dabei entsprechend der Fig. 3 an der Ober- bzw. Unter
seite der Leiterplatte LP so montiert, daß die Eingangs
bzw. Ausgangsanschlüsse EA der Bausteine an entsprechend
vorgesehenen Durchkontaktierungen DK1 zu liegen kommen.
In der Fig. 2 ist durch Pfeile die Anschlußbelegung für
die Bausteine dargestellt, dabei zeigen die schwarzen Pfei
le die Anschlußbelegung des jeweils an der Oberseite der
Leiterplatte und die schraffierten Pfeile die Anschlußbe
legung des an der Unterseite der Leiterplatte montierten
Bausteins. Insbesondere bei den Fig. 2c, 2c ist erkenn
bar, daß die Belegung der zu 2 Eingangsgruppen zusammen
gefaßten Eingangsanschlüsse symmetrisch zu einer den Bau
stein parallel zu einer Oberflächenseite diagonal schnei
denden Spiegelachse SPA ist.
Die ebenfalls symmetrisch angeordnete Potentialanschlüsse
sind der Einfachheit halber weggelassen, mit E sind je
weils die Eingangsgruppen, und mit A die Gruppe der Aus
gangsanschlüsse des an der Oberseite der Leiterplatte mon
tierten Bausteins bezeichnet, während E′ und A′ die An
schlüsse des an der Unterseite der Leiterplatte montierten
Bausteins darstellen. Die laufende Nummer der einzelnen
Anschlüsse steigt beim Ausführungsbeispiel in Pfeilrichtung
an. Die Eingangsgruppen sind dabei an den Bausteinen gleich
wertig und damit gruppenweise vertauschbar.
Aus der Fig. 2 ist bei a) und b) erkennbar, daß die An
schlüsse der Eingangsgruppen E, E′ in gleicher Pfeilrich
tung und damit in der gleichen Reihenfolge an den Durch
kontaktierungen übereinander liegen, während die Ausgangs
anschlüsse A für den ersten und dritten sowie zweiten und
vierten Baustein getrennt liegen, da die logischen Ausgän
ge entsprechend der Schaltung nach Fig. 1 nicht parallel
zu schalten sind, sondern mit dem entsprechenden Eingangs
gruppen des fünften und des sechsten Bausteins zu verbin
den sind. Es ist erkennbar, daß von den Ausgangsanschlüs
sen A des ersten Bausteins zur einen Eingangsgruppe des
fünften Bausteins wegen der unmittelbar benachbarten An
ordnung nur sehr kurze Verbindungen benötigt werden, dies
gilt auch für die Ausgangsanschlüsse A′ des zweiten Bau
steins entsprechend 2b) zur anderen Eingangsgruppe des
fünften Bausteins. Bei der Verbindung der Ausgangsanschlüs
se A′ des zweiten Bausteins zur benachbarten Eingangsgrup
pe des fünften Bausteins werden zusätzlich Durchkontaktie
rungen zwischen den beiden Oberflächenseiten der Leiter
platte benötigt. Entsprechende Verbindungen ergeben sich
zwischen den Ausgangsanschlüssen A des auf der Oberseite
angeordneten vierten Bausteins und den Eingangsanschlüssen
E′ des auf dem Unterseite angeordneten sechsten Bausteins.
Eine sehr kurze Verbindung ergibt sich zwischen den Aus
gangsanschlüssen A′ des dritten Bausteins und der zuge
ordneten Eingangsgruppe E′ des sechsten Bausteins, da in
diesem Falle beide Anschlußgruppen an der Unterseite der
Leiterplatte unmittelbar benachbart über einfache und
sehr kurze Leiterbahnsegmente verbindbar sind.
Die Fig. 3 zeigt vergrößert die Anordnung des ersten und
des dritten Bausteins mit dem ersten bzw. dritten Koppel
element KE1, KE3 entsprechend Fig. 2a. Die erste Eingangs
gruppe E1l . . E1n des ersten Bausteins liegt dabei auf der
Oberseite der Leiterplatte LP unmittelbar auf Gruppen er
ster Durchkontaktierungen DK1, und entsprechend liegt die
erste Eingangsgruppe des dritten Bausteins an der Unter
seite der Leiterplatte LP. Auf einer der beiden Oberflä
chenseiten der Leiterplatte ist eine Leiterbahn Lb angeord
net, die die jeweilige Eingangsleitung mit der entsprechen
den Durchkontaktierung verbindet, an der die parallel zu
schaltenden Eingangsanschlüsse der Bausteine anliegen. Bei
Verwendung mehrlagiger Leiterplatten kann diese Leiterbahn
auch in einer Innenlage geführt werden, so daß in Verbin
dung mit einer Durchkontaktierung ein exakt symmetrischer
Anschluß erreicht werden kann. Die Bausteine enthalten im
Gehäuse jeweils eingangsseitig Leitungen mit einem Wellen
widerstand von 100 Ohm und einem entsprechenden Abschlußwi
derstand von 100 Ohm, der Teil der integrierten Schaltung
sein kann, so daß sich ein wellenwiderstandsrichtiger Ab
schluß ergibt. Die Ausgangsanschlüsse des ersten und des
dritten Bausteins, sind jeweils getrennt mit Gruppen von
vierten bzw. dritten Durchkontaktierungen DK4, DK3 verbun
den, da diese Anschlüsse entsprechend der Schaltung nicht
parallel zu schalten sind. Eine entsprechende Anordnung
ergibt sich für die Kombination des vierten und des zwei
ten Bausteine KE4, KE2.
Claims (6)
1. Leiterplatte mit Durchkontaktierungen zwischen zwei
mit Leiterbahnen versehenen Oberflächenseiten und mit
mehreren oberflächenmontierbaren, sogenannten SMD-Bau
steinen, die jeweils eine Vielzahl von an Außenseiten
angeordneten Anschlüssen aufweisen, wobei wenigstens eine
erste Anzahl der Anschlüsse zweier SMD-Bausteinen parallel
zu schalten sind und eine zweite Anzahl der Anschlüsse
dieser und weiterer SMD-Bausteine hintereinander zu schal
ten ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein erster bis sechster SMD-Baustein (KE1 . . . KE6) vorge sehen ist,
daß die parallel zu schaltenden Anschlüsse der SMD-Bau steine (KE1, KE3; KE4, KE2) symmetrisch zu einer Spiegel achse (SPA) entlang einer Außenseite der SMD-Bausteine an geordnet sind,
daß die SMD-Bausteine (KE1, KE3; KE4, KE2) mit parallel zu schaltenden Anschlüssen auf der Ober- und Unterseite der Leiterplatte (LP) so angeordnet sind, daß die parallel zu schaltenden Anschlüsse direkt übereinander und unmittelbar an Durchkontaktierungen (DK1) der Leiterplatte (LP) liegen, mit denen sie verbunden sind und
daß weitere SMD-Bausteine (KE5, KE6) so angeordnet sind, daß die hintereinander zu schaltenden Anschlüsse dieser und der anderen SMD-Bausteine unmittelbar benachbart liegen.
daß ein erster bis sechster SMD-Baustein (KE1 . . . KE6) vorge sehen ist,
daß die parallel zu schaltenden Anschlüsse der SMD-Bau steine (KE1, KE3; KE4, KE2) symmetrisch zu einer Spiegel achse (SPA) entlang einer Außenseite der SMD-Bausteine an geordnet sind,
daß die SMD-Bausteine (KE1, KE3; KE4, KE2) mit parallel zu schaltenden Anschlüssen auf der Ober- und Unterseite der Leiterplatte (LP) so angeordnet sind, daß die parallel zu schaltenden Anschlüsse direkt übereinander und unmittelbar an Durchkontaktierungen (DK1) der Leiterplatte (LP) liegen, mit denen sie verbunden sind und
daß weitere SMD-Bausteine (KE5, KE6) so angeordnet sind, daß die hintereinander zu schaltenden Anschlüsse dieser und der anderen SMD-Bausteine unmittelbar benachbart liegen.
2. Leiterplatte nach Patentanspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß es sich bei den parallel zu schaltenden Anschlüssen um
die Eingangsanschlüsse der SMD-Bausteine (KE1 . . . KE6) handelt.
3. Leiterplatte nach Patentanspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Eingangsanschlüsse der SMD-Bausteine (KE1 . . . KE6)
in zwei Eingangsgruppen (E) aufgeteilt sind, daß jeweils
eine Eingangsgruppe entlang einer Außenseite der SMD-Bau
steine (KE1 . . . KE6) angeordnet ist und daß die Ausgangsan
schlüsse (A) auf einer der beiden noch freien Außenseiten
angeordnet sind.
4. Leiterplatte nach Patentanspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die SMD-Bausteine (KE1 . . . KE6) eine Belegung der Ein
gangsgruppen (E) aufweisen, die symmetrisch zu einer den
Baustein diagonal schneidenden Spiegelachse (SPA) ist.
5. Leiterplatte nach Patentansprüchen 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß es sich bei den SMD-Bausteinen (KE1 . . . KE6) Koppel
feldelemente mit einer Vielzahl gleichartiger Eingangs-
und Ausgangsanschlüsse (E, A) handelt.
6. Leiterplatte nach Patentansprüchen 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf der Oberseite der Leiterplatte der erste SMD-Bau stein (KE1) und auf der Unterseite der dritte SMD-Baustein (KE3) so angeordnet sind,
daß deren parallel zu schaltende Eingangsanschlüsse (E, E′) direkt übereinander und unmittelbar an ersten Durchkontak tierungen (DK1) der Leiterplatte (LP) liegen, mit denen sie verbunden sind,
daß der fünfte Baustein (KE5) auf der Oberseite der Leiter platte so angeordnet ist, daß dessen eine Eingangsgruppe (E) der Gruppe von Ausgangsanschlüssen (A) des ersten Bausteins (KE1) unmittelbar benachbart ist, daß ein zweiter Baustein (KE2) auf der Unterseite der Leiterplatte so ange ordnet ist, daß dessen Ausgangsanschlüsse (A′) der anderen Eingangsgruppe des fünften Bausteins (KE5) unmittelbar be nachbart sind, daß über dem zweiten Baustein (KE2) auf der Oberseite der Leiterplatte ein vierter Baustein (KE4) so angeordnet ist, daß die parallel zu schaltenden Eingangsan schlüsse (E, E′) des zweiten und des vierten Bausteins di rekt übereinander und unmittelbar an Durchkontaktierungen der Leiterplatte liegen, mit denen sie verbunden sind und daß ein sechster Baustein (KE6) an der Unterseite der Lei terplatte so angeordnet ist, daß dessen eine Eingangsgrup pe (E′) der Gruppe der Ausgangsanschlüsse (A′) des dritten Bausteins (KE3) unmittelbar benachbart ist und daß die andere Eingangsgruppe (E′) des sechsten Bausteins (KE6) den auf der anderen Oberflächenseite angeordneten Ausgangs anschlüssen (A) des vierten Bausteins (KE4) nahekommt.
daß auf der Oberseite der Leiterplatte der erste SMD-Bau stein (KE1) und auf der Unterseite der dritte SMD-Baustein (KE3) so angeordnet sind,
daß deren parallel zu schaltende Eingangsanschlüsse (E, E′) direkt übereinander und unmittelbar an ersten Durchkontak tierungen (DK1) der Leiterplatte (LP) liegen, mit denen sie verbunden sind,
daß der fünfte Baustein (KE5) auf der Oberseite der Leiter platte so angeordnet ist, daß dessen eine Eingangsgruppe (E) der Gruppe von Ausgangsanschlüssen (A) des ersten Bausteins (KE1) unmittelbar benachbart ist, daß ein zweiter Baustein (KE2) auf der Unterseite der Leiterplatte so ange ordnet ist, daß dessen Ausgangsanschlüsse (A′) der anderen Eingangsgruppe des fünften Bausteins (KE5) unmittelbar be nachbart sind, daß über dem zweiten Baustein (KE2) auf der Oberseite der Leiterplatte ein vierter Baustein (KE4) so angeordnet ist, daß die parallel zu schaltenden Eingangsan schlüsse (E, E′) des zweiten und des vierten Bausteins di rekt übereinander und unmittelbar an Durchkontaktierungen der Leiterplatte liegen, mit denen sie verbunden sind und daß ein sechster Baustein (KE6) an der Unterseite der Lei terplatte so angeordnet ist, daß dessen eine Eingangsgrup pe (E′) der Gruppe der Ausgangsanschlüsse (A′) des dritten Bausteins (KE3) unmittelbar benachbart ist und daß die andere Eingangsgruppe (E′) des sechsten Bausteins (KE6) den auf der anderen Oberflächenseite angeordneten Ausgangs anschlüssen (A) des vierten Bausteins (KE4) nahekommt.
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DE4232267A DE4232267C2 (de) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Leiterplatte mit optimierter Bausteinanordnung insbesondere für Koppelfelder mit hoher Datenrate |
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Publication Number | Publication Date |
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DE4232267A1 true DE4232267A1 (de) | 1994-03-31 |
DE4232267C2 DE4232267C2 (de) | 2001-08-16 |
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