JPH11354701A - 放熱体及び放熱体を装着したメモリモジュール - Google Patents
放熱体及び放熱体を装着したメモリモジュールInfo
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Abstract
ことができ、更に、基板に組み込まれた各部品を機械的
衝撃から保護すると共に、基板の反りの程度を判別する
ことができる、放熱体及び放熱体を装着したメモリモジ
ュールの提供。 【解決手段】メモリIC(図2の3)等が実装された基
板(図2の1)に、基板への装着方向の断面がコの字型
形状を成し、コの字型形状の内面は高熱伝導性ラバー
(図2の7)等の高熱伝導性部材を介してメモリICに
接触し、コの字型形状の外側表面に多数の凹凸が設けら
れた、着脱可能な可撓性のある材料よりなるカバー状ヒ
ートシンク(図2の4)が装着されているものであり、
カバー状ヒートシンクは可撓性により適度な力で基板に
保持される。
Description
を装着したメモリモジュールに関し、特に、プリント基
板上に主としてDRAMが搭載されたメモリモジュール
に用いる放熱体及び放熱体を装着したメモリモジュール
に関するものである。
高速化・大容量化が急速に進められており、メモリ素子
の高集積化に伴い、その発熱量も増加する傾向にある。
また、半導体メモリ素子等の部品を収納するモジュール
には小型化が要求される一方、単体DRAMの高速化に
よる信号の時間遅延を補正するためのIC等が実装され
る場合があり、半導体メモリ素子以外にも多くのIC、
チップ部品が搭載され、モジュールに搭載する部品の点
数は増加する傾向にある。
参照して説明する。図3は、従来のメモリモジュールの
構造を模式的に説明するための図である。従来のメモリ
モジュールは、基板1にメモリIC3やチップコンデン
サー2等の部品が剥き出しの状態で実装されており、こ
の状態のまま、PC等のシステムに組み込まれている。
従って、メモリIC3から発生する熱は、メモリIC3
の表面のみから放散されることとなる。
く放散する方法として、例えば、特開平7−20212
0号公報等には、基板に搭載される部品を放熱効率を高
めるような配置で搭載する方法等が開示されている。
AM等のメモリICから発生する熱は、メモリICの表
面のみから放散されるため、十分な放熱効率を得ること
ができず、また、DRAMのパッケージの形態によって
影響を受けるため、高集積化が進むにつれて、DRAM
の動作時の発熱により、その特性が劣化するという問題
が生じている。
は、各実装部品は剥き出しの状態で実装されるため、特
に、基板周辺に配置されるチップ部品(キャパシタ、抵
抗等)は、運搬等により破損もしくは損失する可能性が
高くなる。また、搭載するICの高性能化が進むに連
れ、そのピンピッチが狭くなり、外的要因によるピン間
のショートなどの問題も生じている。
印刷された基板上にマウントされ、リフロー炉に入れる
ことにより行われるが、この時の熱により基板に反りが
生じる場合があり、基板が反った状態で部品が搭載され
ると、システム内のスロットにモジュールを挿入すると
きに、基板にストレスがかかり、搭載部品が剥離してし
まうという問題も生じていた。
のであって、その主たる目的は、DRAM等から発生す
る熱を効率よく放散することができ、更に、基板に組み
込まれた各部品を機械的衝撃から保護すると共に、基板
の反りの程度を判別することができる、放熱体及び放熱
体を装着したメモリモジュールを提供することにある。
半導体記憶素子が実装された基板に装着される放熱体で
あって、基板への装着方向の断面がコの字型形状を成
し、コの字型形状の内面は高熱伝導性部材を介して前記
半導体記憶素子に接触し、コの字型形状の外側表面に凹
凸が設けられた、着脱可能な構造を有するものであり、
前記放熱体が可撓性のある材料よりなり、該可撓性によ
り前記放熱体が前記高熱伝導性部材を介して前記基板に
保持される構成としてもよい。
半導体記憶素子が実装された基板を含むメモリモジュー
ルであって、基板への装着方向の断面がコの字型形状を
成し、コの字型形状の内面は高熱伝導性部材を介して前
記半導体記憶素子に接触し、コの字型形状の外側表面に
凹凸が設けられた、着脱可能な放熱体が装着されている
ものであり、前記放熱体が可撓性のある材料よりなり、
該可撓性により前記放熱体が前記高熱伝導性部材を介し
て前記基板に保持される構成としてもよい。
部材がシリコングリス、または非電導性ラバーからなる
ことが好ましい。
は、その好ましい一実施の形態において、メモリIC
(図2の3)等が実装された基板(図2の1)に、基板
への装着方向の断面がコの字型形状を成し、コの字型形
状の内面は高熱伝導性ラバー(図2の7)等の高熱伝導
性部材を介してメモリICに接触し、コの字型形状の外
側表面に多数の凹凸が設けられた、着脱可能な可撓性の
ある材料よりなるカバー状ヒートシンク(図2の4)が
装着されているものであり、カバー状ヒートシンクは可
撓性により適度な力で基板に保持される。
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
について図面を参照して説明する。図1は、本発明の第
1の実施例に係るメモリモジュールを説明するための図
であり、(a)は、メモリモジュールの平面図であり、
(b)は、側断面図であり、(c)は、(b)のA−
A’線における断面図である。
モリIC3やチップコンデンサー2等の部品を搭載した
基板1からなる従来のメモリモジュールを、本実施例の
特徴であるカバー状ヒートシンク4で覆ったものであ
る。このカバー状ヒートシンク4は、実装する部品が全
て覆われるように基板1を挟み込むような断面形状がコ
の字型の形状を成し、その表面には、放熱効率を高める
ために多数の凹凸が設けられている。また、このカバー
状ヒートシンク4と発熱体であるメモリIC3との間に
は熱伝導性向上のためにシリコングリス6を塗布してい
る。
バー状ヒートシンク4を被せることによって、メモリI
C3で発生した熱は、シリコングリス6を介して表面積
の大きいカバー状ヒートシンク4に伝達され、その表面
において効率よく放散されると共に、基板1に搭載され
る部品を機械的な衝撃から保護する役割も果たす。
とによりメモリIC3等の部品を搭載する際に、基板1
に規格以上の反りが生じた場合、カバー状ヒートシンク
4を装着することができなくなるため、基板1の反りの
程度を判断することが可能となる。従って、規格以上に
反った基板1をシステムのスロットに差し込むことによ
る、基板1に実装した部品の破損を防止することもでき
る。
は、熱伝導性がよく、搭載する部品を機械的衝撃から保
護するに足りる強度があるものであれば良く、例えば、
金属、セラミックス等を用いることができる。
を図面を参照して説明する。図2は、本発明の第2の実
施例に係るメモリモジュールを説明するための図であ
り、(a)は、メモリモジュールの平面図であり、
(b)は、側断面図であり、(c)は、(b)のB−
B’線における断面図である。
モリIC3やチップコンデンサー2等の部品を搭載した
基板1からなる従来のメモリモジュールを、カバー状ヒ
ートシンク4で覆ったものである。このカバー状ヒート
シンク4は、実装する部品が全て覆われるように基板1
を挟み込むような断面形状がコの字型の形状を成し、そ
の表面には、放熱効率を高めるために多数の凹凸が設け
られている。また、このカバー状ヒートシンク4と発熱
体であるメモリIC3との間には熱伝導性向上のために
高熱伝導性ラバー7を挿入している。
相違点は、本実施例では、カバー状ヒートシンク4が可
撓性を有する材料を用いたバインダークリップ式になっ
ていることと、発熱体であるメモリIC3とカバー状ヒ
ートシンク4の間に熱伝導性の高い非電導性のラバーを
挿入したことである。
撓性を有するバインダークリップ式にすることにより、
メモリIC3とカバー状ヒートシンク4との密着性を高
めることができ、メモリIC3で発生した熱を効率よく
放散することができる。また、適度な力で基板1に保持
することができるために、カバー状ヒートシンク4の落
下の可能性も少なくなる。
ク4との間に熱伝導性の高い非電導性のラバーを挿入す
ることにより、発熱体とカバー状ヒートシンク4との密
着性を更に高めると共に、カバー状ヒートシンク4の着
脱を確実なものとすることができる。
下記記載の効果を奏する。
に搭載されるメモリIC等から発生する熱を、効率よく
発散させることができるということである。
発熱体は、シリコングリスまたは高熱伝導性ラバー等の
高熱伝導性部材を介してカバー状ヒートシンク等の放熱
体に接触しているため、発生した熱を表面積の大きい放
熱体の表面で、効率よく放散することができるからであ
る。
部品を機械的な衝撃から保護することができるというこ
とである。
装部品を機械的な衝撃から保護するに足りる機械的強度
を有するために、外から加えられた衝撃が部品に加わる
ことがないからである。
生じる基板の反りが許容範囲内かどうかを判断すること
ができるということである。
基板に反りが生じた場合、そのそりが許容範囲から外れ
る場合は、放熱体を装着することができないからであ
る。また、基板に微妙な反りがあり放熱体が装着できた
場合でも、反りの影響による実装部品の剥離を電気的試
験によりリジェクトすることができ、市場への不良品の
流出を未然に防ぐことが出来る。
の構造を模式的に説明するための図である。
の構造を模式的に説明するための図である。
ある。
Claims (6)
- 【請求項1】半導体記憶素子が実装された基板に装着さ
れる放熱体であって、基板への装着方向の断面がコの字
型形状を成し、コの字型形状の内面は高熱伝導性部材を
介して前記半導体記憶素子に接触し、コの字型形状の外
側表面に凹凸が設けられた、着脱可能な放熱体。 - 【請求項2】前記放熱体が可撓性のある材料よりなり、
該可撓性により前記放熱体が前記高熱伝導性部材を介し
て前記基板に保持されることを特徴とする請求項1記載
の放熱体。 - 【請求項3】半導体記憶素子が実装された基板を含むメ
モリモジュールであって、基板への装着方向の断面がコ
の字型形状を成し、コの字型形状の内面は高熱伝導性部
材を介して前記半導体記憶素子に接触し、コの字型形状
の外側表面に凹凸が設けられた、着脱可能な放熱体が装
着されていることを特徴とするメモリモジュール。 - 【請求項4】前記放熱体が可撓性のある材料よりなり、
該可撓性により前記放熱体が前記高熱伝導性部材を介し
て前記基板に保持されることを特徴とする請求項3記載
のメモリモジュール。 - 【請求項5】前記高熱伝導性部材がシリコングリスから
なることを特徴とする請求項3または4に記載のメモリ
モジュール。 - 【請求項6】前記高熱伝導性部材が非電導性ラバーから
なることを特徴とする請求項3または4に記載のメモリ
モジュール。
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