JPH11354701A - 放熱体及び放熱体を装着したメモリモジュール - Google Patents

放熱体及び放熱体を装着したメモリモジュール

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JPH11354701A
JPH11354701A JP10164720A JP16472098A JPH11354701A JP H11354701 A JPH11354701 A JP H11354701A JP 10164720 A JP10164720 A JP 10164720A JP 16472098 A JP16472098 A JP 16472098A JP H11354701 A JPH11354701 A JP H11354701A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ＤＲＡＭ等から発生する熱を効率よく放散する
ことができ、更に、基板に組み込まれた各部品を機械的
衝撃から保護すると共に、基板の反りの程度を判別する
ことができる、放熱体及び放熱体を装着したメモリモジ
ュールの提供。 【解決手段】メモリＩＣ（図２の３）等が実装された基
板（図２の１）に、基板への装着方向の断面がコの字型
形状を成し、コの字型形状の内面は高熱伝導性ラバー
（図２の７）等の高熱伝導性部材を介してメモリＩＣに
接触し、コの字型形状の外側表面に多数の凹凸が設けら
れた、着脱可能な可撓性のある材料よりなるカバー状ヒ
ートシンク（図２の４）が装着されているものであり、
カバー状ヒートシンクは可撓性により適度な力で基板に
保持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱体及び放熱体
を装着したメモリモジュールに関し、特に、プリント基
板上に主としてＤＲＡＭが搭載されたメモリモジュール
に用いる放熱体及び放熱体を装着したメモリモジュール
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＤＲＡＭ等の半導体メモリ素子の
高速化・大容量化が急速に進められており、メモリ素子
の高集積化に伴い、その発熱量も増加する傾向にある。
また、半導体メモリ素子等の部品を収納するモジュール
には小型化が要求される一方、単体ＤＲＡＭの高速化に
よる信号の時間遅延を補正するためのＩＣ等が実装され
る場合があり、半導体メモリ素子以外にも多くのＩＣ、
チップ部品が搭載され、モジュールに搭載する部品の点
数は増加する傾向にある。
【０００３】従来のメモリモジュールについて、図面を
参照して説明する。図３は、従来のメモリモジュールの
構造を模式的に説明するための図である。従来のメモリ
モジュールは、基板１にメモリＩＣ３やチップコンデン
サー２等の部品が剥き出しの状態で実装されており、こ
の状態のまま、ＰＣ等のシステムに組み込まれている。
従って、メモリＩＣ３から発生する熱は、メモリＩＣ３
の表面のみから放散されることとなる。
【０００４】このような発熱体から発生する熱を効率よ
く放散する方法として、例えば、特開平７−２０２１２
０号公報等には、基板に搭載される部品を放熱効率を高
めるような配置で搭載する方法等が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＤＲ
ＡＭ等のメモリＩＣから発生する熱は、メモリＩＣの表
面のみから放散されるため、十分な放熱効率を得ること
ができず、また、ＤＲＡＭのパッケージの形態によって
影響を受けるため、高集積化が進むにつれて、ＤＲＡＭ
の動作時の発熱により、その特性が劣化するという問題
が生じている。
【０００６】また、従来のメモリチップモジュールで
は、各実装部品は剥き出しの状態で実装されるため、特
に、基板周辺に配置されるチップ部品（キャパシタ、抵
抗等）は、運搬等により破損もしくは損失する可能性が
高くなる。また、搭載するＩＣの高性能化が進むに連
れ、そのピンピッチが狭くなり、外的要因によるピン間
のショートなどの問題も生じている。
【０００７】更に、部品の搭載は、通常半田ペーストが
印刷された基板上にマウントされ、リフロー炉に入れる
ことにより行われるが、この時の熱により基板に反りが
生じる場合があり、基板が反った状態で部品が搭載され
ると、システム内のスロットにモジュールを挿入すると
きに、基板にストレスがかかり、搭載部品が剥離してし
まうという問題も生じていた。
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、ＤＲＡＭ等から発生す
る熱を効率よく放散することができ、更に、基板に組み
込まれた各部品を機械的衝撃から保護すると共に、基板
の反りの程度を判別することができる、放熱体及び放熱
体を装着したメモリモジュールを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る放熱体は、
半導体記憶素子が実装された基板に装着される放熱体で
あって、基板への装着方向の断面がコの字型形状を成
し、コの字型形状の内面は高熱伝導性部材を介して前記
半導体記憶素子に接触し、コの字型形状の外側表面に凹
凸が設けられた、着脱可能な構造を有するものであり、
前記放熱体が可撓性のある材料よりなり、該可撓性によ
り前記放熱体が前記高熱伝導性部材を介して前記基板に
保持される構成としてもよい。
【００１０】また、本発明に係るメモリモジュールは、
半導体記憶素子が実装された基板を含むメモリモジュー
ルであって、基板への装着方向の断面がコの字型形状を
成し、コの字型形状の内面は高熱伝導性部材を介して前
記半導体記憶素子に接触し、コの字型形状の外側表面に
凹凸が設けられた、着脱可能な放熱体が装着されている
ものであり、前記放熱体が可撓性のある材料よりなり、
該可撓性により前記放熱体が前記高熱伝導性部材を介し
て前記基板に保持される構成としてもよい。
【００１１】また、本発明においては、前記高熱伝導性
部材がシリコングリス、または非電導性ラバーからなる
ことが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係るメモリモジュール
は、その好ましい一実施の形態において、メモリＩＣ
（図２の３）等が実装された基板（図２の１）に、基板
への装着方向の断面がコの字型形状を成し、コの字型形
状の内面は高熱伝導性ラバー（図２の７）等の高熱伝導
性部材を介してメモリＩＣに接触し、コの字型形状の外
側表面に多数の凹凸が設けられた、着脱可能な可撓性の
ある材料よりなるカバー状ヒートシンク（図２の４）が
装着されているものであり、カバー状ヒートシンクは可
撓性により適度な力で基板に保持される。
【００１３】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
【００１４】［実施例１］まず、本発明の第１の実施例
について図面を参照して説明する。図１は、本発明の第
１の実施例に係るメモリモジュールを説明するための図
であり、（ａ）は、メモリモジュールの平面図であり、
（ｂ）は、側断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＡ−
Ａ’線における断面図である。
【００１５】図面を参照すると、第１の実施例では、メ
モリＩＣ３やチップコンデンサー２等の部品を搭載した
基板１からなる従来のメモリモジュールを、本実施例の
特徴であるカバー状ヒートシンク４で覆ったものであ
る。このカバー状ヒートシンク４は、実装する部品が全
て覆われるように基板１を挟み込むような断面形状がコ
の字型の形状を成し、その表面には、放熱効率を高める
ために多数の凹凸が設けられている。また、このカバー
状ヒートシンク４と発熱体であるメモリＩＣ３との間に
は熱伝導性向上のためにシリコングリス６を塗布してい
る。
【００１６】このように、従来のメモリモジュールにカ
バー状ヒートシンク４を被せることによって、メモリＩ
Ｃ３で発生した熱は、シリコングリス６を介して表面積
の大きいカバー状ヒートシンク４に伝達され、その表面
において効率よく放散されると共に、基板１に搭載され
る部品を機械的な衝撃から保護する役割も果たす。
【００１７】また、基板１に、半田ペーストを溶かすこ
とによりメモリＩＣ３等の部品を搭載する際に、基板１
に規格以上の反りが生じた場合、カバー状ヒートシンク
４を装着することができなくなるため、基板１の反りの
程度を判断することが可能となる。従って、規格以上に
反った基板１をシステムのスロットに差し込むことによ
る、基板１に実装した部品の破損を防止することもでき
る。
【００１８】本実施例で用いるカバー状ヒートシンク４
は、熱伝導性がよく、搭載する部品を機械的衝撃から保
護するに足りる強度があるものであれば良く、例えば、
金属、セラミックス等を用いることができる。
【００１９】［実施例２］次に、本発明の第２の実施例
を図面を参照して説明する。図２は、本発明の第２の実
施例に係るメモリモジュールを説明するための図であ
り、（ａ）は、メモリモジュールの平面図であり、
（ｂ）は、側断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ−
Ｂ’線における断面図である。
【００２０】図面を参照すると、第２の実施例では、メ
モリＩＣ３やチップコンデンサー２等の部品を搭載した
基板１からなる従来のメモリモジュールを、カバー状ヒ
ートシンク４で覆ったものである。このカバー状ヒート
シンク４は、実装する部品が全て覆われるように基板１
を挟み込むような断面形状がコの字型の形状を成し、そ
の表面には、放熱効率を高めるために多数の凹凸が設け
られている。また、このカバー状ヒートシンク４と発熱
体であるメモリＩＣ３との間には熱伝導性向上のために
高熱伝導性ラバー７を挿入している。
【００２１】第２の実施例と、前記した第１の実施例の
相違点は、本実施例では、カバー状ヒートシンク４が可
撓性を有する材料を用いたバインダークリップ式になっ
ていることと、発熱体であるメモリＩＣ３とカバー状ヒ
ートシンク４の間に熱伝導性の高い非電導性のラバーを
挿入したことである。
【００２２】このように、カバー状ヒートシンク４を可
撓性を有するバインダークリップ式にすることにより、
メモリＩＣ３とカバー状ヒートシンク４との密着性を高
めることができ、メモリＩＣ３で発生した熱を効率よく
放散することができる。また、適度な力で基板１に保持
することができるために、カバー状ヒートシンク４の落
下の可能性も少なくなる。
【００２３】また、メモリＩＣ３とカバー状ヒートシン
ク４との間に熱伝導性の高い非電導性のラバーを挿入す
ることにより、発熱体とカバー状ヒートシンク４との密
着性を更に高めると共に、カバー状ヒートシンク４の着
脱を確実なものとすることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下記記載の効果を奏する。
【００２５】本発明の第１の効果は、メモリモジュール
に搭載されるメモリＩＣ等から発生する熱を、効率よく
発散させることができるということである。
【００２６】その理由は、本発明では、メモリＩＣ等の
発熱体は、シリコングリスまたは高熱伝導性ラバー等の
高熱伝導性部材を介してカバー状ヒートシンク等の放熱
体に接触しているため、発生した熱を表面積の大きい放
熱体の表面で、効率よく放散することができるからであ
る。
【００２７】本発明の第２の効果は、基板に実装される
部品を機械的な衝撃から保護することができるというこ
とである。
【００２８】その理由は、部品を覆い包む放熱体は、実
装部品を機械的な衝撃から保護するに足りる機械的強度
を有するために、外から加えられた衝撃が部品に加わる
ことがないからである。
【００２９】本発明の第３の効果は、部品の実装の際に
生じる基板の反りが許容範囲内かどうかを判断すること
ができるということである。
【００３０】その理由は、部品の実装時に熱等の影響で
基板に反りが生じた場合、そのそりが許容範囲から外れ
る場合は、放熱体を装着することができないからであ
る。また、基板に微妙な反りがあり放熱体が装着できた
場合でも、反りの影響による実装部品の剥離を電気的試
験によりリジェクトすることができ、市場への不良品の
流出を未然に防ぐことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係るメモリモジュール
の構造を模式的に説明するための図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るメモリモジュール
の構造を模式的に説明するための図である。
【図３】従来のメモリモジュールを説明するための図で
ある。
【符号の説明】
１ 基板 ２ チップコンデンサー ３ メモリＩＣ ４ カバー状ヒートシンク ５ ヒートシンク ６ シリコングリス ７ 高熱伝導性ラバー

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体記憶素子が実装された基板に装着さ
    れる放熱体であって、基板への装着方向の断面がコの字
    型形状を成し、コの字型形状の内面は高熱伝導性部材を
    介して前記半導体記憶素子に接触し、コの字型形状の外
    側表面に凹凸が設けられた、着脱可能な放熱体。
  2. 【請求項２】前記放熱体が可撓性のある材料よりなり、
    該可撓性により前記放熱体が前記高熱伝導性部材を介し
    て前記基板に保持されることを特徴とする請求項１記載
    の放熱体。
  3. 【請求項３】半導体記憶素子が実装された基板を含むメ
    モリモジュールであって、基板への装着方向の断面がコ
    の字型形状を成し、コの字型形状の内面は高熱伝導性部
    材を介して前記半導体記憶素子に接触し、コの字型形状
    の外側表面に凹凸が設けられた、着脱可能な放熱体が装
    着されていることを特徴とするメモリモジュール。
  4. 【請求項４】前記放熱体が可撓性のある材料よりなり、
    該可撓性により前記放熱体が前記高熱伝導性部材を介し
    て前記基板に保持されることを特徴とする請求項３記載
    のメモリモジュール。
  5. 【請求項５】前記高熱伝導性部材がシリコングリスから
    なることを特徴とする請求項３または４に記載のメモリ
    モジュール。
  6. 【請求項６】前記高熱伝導性部材が非電導性ラバーから
    なることを特徴とする請求項３または４に記載のメモリ
    モジュール。
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JP10164720A JP3109479B2 (ja) 1998-06-12 1998-06-12 放熱体及び放熱体を装着したメモリモジュール
TW088109945A TW405248B (en) 1998-06-12 1999-06-11 Heat sink and memory module with heat sink
KR1019990021875A KR100297226B1 (ko) 1998-06-12 1999-06-12 방열체 및 이 방열체를 구비한 메모리 모듈
DE19928075A DE19928075B4 (de) 1998-06-12 1999-06-12 Speichermodul mit Wärmeableiter
US09/332,325 US6424532B2 (en) 1998-06-12 1999-06-14 Heat sink and memory module with heat sink
CNB991090365A CN1157783C (zh) 1998-06-12 1999-06-14 壳式热沉及带壳式热沉的存储器模块

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US (1) US6424532B2 (ja)
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DE (1) DE19928075B4 (ja)
TW (1) TW405248B (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10134983A1 (de) * 2001-07-18 2002-09-19 Infineon Technologies Ag Anordnung zur Kühlung integrierter Halbleiterbausteine
KR100370270B1 (ko) * 2000-01-19 2003-01-30 원지금속 주식회사 컴퓨터 램용 히터싱크와 그 제조방법
KR100389920B1 (ko) * 2000-12-12 2003-07-04 삼성전자주식회사 열팽창에 의한 신뢰성 저하를 개선할 수 있는 반도체 모듈
WO2004100262A1 (ja) * 2003-05-07 2004-11-18 Fujitsu Limited 冷却部品、基板及び電子機器
JP2005150454A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Yaskawa Electric Corp 電力変換装置の冷却構造
US6986118B2 (en) 2002-09-27 2006-01-10 Infineon Technologies Ag Method for controlling semiconductor chips and control apparatus
KR100564620B1 (ko) 2004-03-31 2006-03-29 삼성전자주식회사 열방출 특성을 개선한 메모리 모듈, 메모리 모듈용 소켓및 이를 이용한 메모리 모듈용 소켓 사용방법
JP2006100818A (ja) * 2004-08-13 2006-04-13 Wan-Chien Chang メモリ装置放熱保護装置
JP2006148105A (ja) * 2004-11-15 2006-06-08 Samsung Electronics Co Ltd 半導体モジュール及びその製造方法
US7477520B2 (en) 2005-04-04 2009-01-13 Elpida Memory, Inc. Memory module
US7518873B2 (en) 2005-07-07 2009-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Heat spreader, semiconductor package module and memory module having the heat spreader
US7920383B2 (en) 2007-11-05 2011-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Heat sink for dissipating heat and apparatus having the same

Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3831159B2 (ja) * 1999-10-18 2006-10-11 日本圧着端子製造株式会社 コネクタ付電子モジュール
US7301776B1 (en) * 2004-11-16 2007-11-27 Super Talent Electronics, Inc. Light-weight flash hard drive with plastic frame
DE10038161A1 (de) * 2000-08-04 2002-02-21 Infineon Technologies Ag Kühlvorrichtung für elektronische Bauteile und Verfahren zur Herstellung der Kühlvorrichtung
US6711021B1 (en) 2003-01-15 2004-03-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems and methods that use at least one component to remove the heat generated by at least one other component
US6967843B2 (en) * 2003-02-11 2005-11-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for dissipating heat from an electronic board
US20050014308A1 (en) * 2003-07-17 2005-01-20 Yuan-Ping Tseng Manufacturing process of memory module with direct die-attachment
JP3845408B2 (ja) * 2003-10-06 2006-11-15 エルピーダメモリ株式会社 メモリモジュール放熱装置
US7023700B2 (en) * 2003-12-24 2006-04-04 Super Talent Electronics, Inc. Heat sink riveted to memory module with upper slots and open bottom edge for air flow
DE102004009055B4 (de) * 2004-02-23 2006-01-26 Infineon Technologies Ag Kühlanordnung für Geräte mit Leistungshalbleitern und Verfahren zum Kühlen derartiger Geräte
KR100558065B1 (ko) * 2004-03-15 2006-03-10 삼성전자주식회사 방열체가 구비된 반도체 모듈
US7254036B2 (en) * 2004-04-09 2007-08-07 Netlist, Inc. High density memory module using stacked printed circuit boards
US7079396B2 (en) 2004-06-14 2006-07-18 Sun Microsystems, Inc. Memory module cooling
KR20060018453A (ko) * 2004-08-24 2006-03-02 삼성전자주식회사 히트 싱크를 갖는 반도체 소자
US7443023B2 (en) * 2004-09-03 2008-10-28 Entorian Technologies, Lp High capacity thin module system
US7446410B2 (en) * 2004-09-03 2008-11-04 Entorian Technologies, Lp Circuit module with thermal casing systems
US7215551B2 (en) 2004-09-29 2007-05-08 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive
US7609523B1 (en) 2004-09-29 2009-10-27 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive and clips
US7768785B2 (en) * 2004-09-29 2010-08-03 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat-sink plates with heat-exchange fins attached to integrated circuits by adhesive
JP2006140192A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子回路装置
US7521788B2 (en) * 2004-11-15 2009-04-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor module with conductive element between chip packages
KR100659071B1 (ko) * 2004-11-19 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 장치
US7310036B2 (en) * 2005-01-10 2007-12-18 International Business Machines Corporation Heat sink for integrated circuit devices
KR100702016B1 (ko) 2005-02-02 2007-03-30 삼성전자주식회사 양면 실장 메모리 모듈의 인쇄 회로 기판 및 이를이용하는 양면 실장 메모리 모듈
DE102006005955B4 (de) * 2005-02-02 2007-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Inline-Speichermodul
US7248351B2 (en) * 2005-02-25 2007-07-24 Infineon Technologies Ag Optimizing light path uniformity in inspection systems
US7289331B2 (en) * 2005-03-30 2007-10-30 International Business Machines Corporation Interposable heat sink for adjacent memory modules
US8111566B1 (en) 2007-11-16 2012-02-07 Google, Inc. Optimal channel design for memory devices for providing a high-speed memory interface
US8796830B1 (en) 2006-09-01 2014-08-05 Google Inc. Stackable low-profile lead frame package
US7609567B2 (en) * 2005-06-24 2009-10-27 Metaram, Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
US8077535B2 (en) 2006-07-31 2011-12-13 Google Inc. Memory refresh apparatus and method
US20080028136A1 (en) 2006-07-31 2008-01-31 Schakel Keith R Method and apparatus for refresh management of memory modules
US8244971B2 (en) 2006-07-31 2012-08-14 Google Inc. Memory circuit system and method
US9542352B2 (en) 2006-02-09 2017-01-10 Google Inc. System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits
US8090897B2 (en) 2006-07-31 2012-01-03 Google Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
US8335894B1 (en) 2008-07-25 2012-12-18 Google Inc. Configurable memory system with interface circuit
US7386656B2 (en) 2006-07-31 2008-06-10 Metaram, Inc. Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit
US8081474B1 (en) 2007-12-18 2011-12-20 Google Inc. Embossed heat spreader
US8089795B2 (en) 2006-02-09 2012-01-03 Google Inc. Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities
US8041881B2 (en) 2006-07-31 2011-10-18 Google Inc. Memory device with emulated characteristics
US8386722B1 (en) 2008-06-23 2013-02-26 Google Inc. Stacked DIMM memory interface
US8060774B2 (en) 2005-06-24 2011-11-15 Google Inc. Memory systems and memory modules
US8130560B1 (en) 2006-11-13 2012-03-06 Google Inc. Multi-rank partial width memory modules
US8397013B1 (en) 2006-10-05 2013-03-12 Google Inc. Hybrid memory module
US8359187B2 (en) 2005-06-24 2013-01-22 Google Inc. Simulating a different number of memory circuit devices
US8327104B2 (en) 2006-07-31 2012-12-04 Google Inc. Adjusting the timing of signals associated with a memory system
US8055833B2 (en) 2006-10-05 2011-11-08 Google Inc. System and method for increasing capacity, performance, and flexibility of flash storage
US8169233B2 (en) 2009-06-09 2012-05-01 Google Inc. Programming of DIMM termination resistance values
US9171585B2 (en) 2005-06-24 2015-10-27 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US20080082763A1 (en) 2006-10-02 2008-04-03 Metaram, Inc. Apparatus and method for power management of memory circuits by a system or component thereof
US10013371B2 (en) 2005-06-24 2018-07-03 Google Llc Configurable memory circuit system and method
US8438328B2 (en) 2008-02-21 2013-05-07 Google Inc. Emulation of abstracted DIMMs using abstracted DRAMs
US7515453B2 (en) 2005-06-24 2009-04-07 Metaram, Inc. Integrated memory core and memory interface circuit
US9507739B2 (en) 2005-06-24 2016-11-29 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US7442050B1 (en) 2005-08-29 2008-10-28 Netlist, Inc. Circuit card with flexible connection for memory module with heat spreader
DE112006002300B4 (de) 2005-09-02 2013-12-19 Google, Inc. Vorrichtung zum Stapeln von DRAMs
US20070070607A1 (en) * 2005-09-23 2007-03-29 Staktek Group, L.P. Applied heat spreader with cooling fin
US7295433B2 (en) * 2005-10-28 2007-11-13 Delphi Technologies, Inc. Electronics assembly having multiple side cooling and method
US20070121286A1 (en) * 2005-11-29 2007-05-31 International Business Machines Corporation Memory module airflow redirector
US9632929B2 (en) 2006-02-09 2017-04-25 Google Inc. Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits
KR100849614B1 (ko) * 2006-12-27 2008-07-31 주식회사 이노바텍 회로기판의 방열장치
US7619893B1 (en) 2006-02-17 2009-11-17 Netlist, Inc. Heat spreader for electronic modules
DE102006012446B3 (de) * 2006-03-17 2007-12-20 Infineon Technologies Ag Speichermodul mit einem Mittel zur Kühlung, Verfahren zur Herstellung des Speichermoduls mit einem Mittel zur Kühlung sowie Datenverarbeitungsgerät umfassend ein Speichermodul mit einem Mittel zur Kühlung
US20070274059A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Chennupati Raghuram Siva Apparatus and method for shielding of electromagnetic interference of a memory module
TWM304705U (en) * 2006-07-04 2007-01-11 Cooler Master Co Ltd Display card heat sink
US7400506B2 (en) * 2006-07-11 2008-07-15 Dell Products L.P. Method and apparatus for cooling a memory device
JP5069876B2 (ja) 2006-07-13 2012-11-07 新光電気工業株式会社 半導体モジュールおよび放熱板
KR100778022B1 (ko) * 2006-07-14 2007-11-21 주식회사 일창프리시젼 메모리모듈용 히트싱크 제조방법
CN101118458A (zh) * 2006-07-31 2008-02-06 华硕电脑股份有限公司 配置均温板的电子装置
US7724589B2 (en) 2006-07-31 2010-05-25 Google Inc. System and method for delaying a signal communicated from a system to at least one of a plurality of memory circuits
US7474529B2 (en) * 2006-11-29 2009-01-06 International Business Machines Corporation Folded-sheet-metal heatsinks for closely packaged heat-producing devices
KR100885027B1 (ko) * 2006-12-21 2009-04-02 티티엠주식회사 메모리 모듈의 방열 장치
WO2008082042A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Top Thermal Management Co, . Ltd. Cooling system for memory module
KR100885421B1 (ko) * 2007-02-06 2009-02-24 삼성전자주식회사 인쇄 회로 기판 및 이를 사용하는 반도체 메모리 모듈
US7957134B2 (en) * 2007-04-10 2011-06-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method having evaporative cooling for memory
US7679913B2 (en) * 2007-05-11 2010-03-16 Ming-Yang Hsieh Memory module assembly and heat sink thereof
KR100885976B1 (ko) * 2007-06-25 2009-03-03 삼성전자주식회사 인쇄회로기판, 이를 구비한 메모리 모듈 및 이의 제조방법
US8209479B2 (en) 2007-07-18 2012-06-26 Google Inc. Memory circuit system and method
KR100848837B1 (ko) * 2007-08-06 2008-07-28 주식회사 휘닉스아이씨피 메모리모듈 방열장치 및 그 제조방법
US8080874B1 (en) 2007-09-14 2011-12-20 Google Inc. Providing additional space between an integrated circuit and a circuit board for positioning a component therebetween
US20090129012A1 (en) * 2007-11-21 2009-05-21 Anton Legen Method and apparatus for heat transfer
KR100955936B1 (ko) * 2008-01-02 2010-05-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 모듈용 방열 장치 및 이를 갖는 반도체패키지 모듈
JP2009230505A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Ltd 基板ユニットおよび電子機器
KR100965269B1 (ko) 2008-04-16 2010-06-22 이상철 전자부품 방열장치 및 이를 채용한 메모리모듈
US8018723B1 (en) 2008-04-30 2011-09-13 Netlist, Inc. Heat dissipation for electronic modules
TWM346844U (en) * 2008-05-12 2008-12-11 Comptake Technology Inc Improved heat-dissipating structure for memory device
US7684196B2 (en) * 2008-05-13 2010-03-23 International Business Machines Corporation Enhancing the cooling of dual in-line memory modules
TWM346847U (en) * 2008-05-30 2008-12-11 Comptake Technology Inc Improved heat dissipation module of memory
US7715197B2 (en) * 2008-06-05 2010-05-11 International Business Machines Corporation Coined-sheet-metal heatsinks for closely packaged heat-producing devices such as dual in-line memory modules (DIMMs)
JP5557441B2 (ja) 2008-10-31 2014-07-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置および電動車両
US20100134982A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-03 Meyer Iv George Anthony Memory heat dissipating structure and memory device having the same
CN101998808A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 富准精密工业(深圳)有限公司 散热装置
DE102009044368B4 (de) * 2009-10-30 2014-07-03 Lear Corporation Gmbh Kühlanordnung
US8767403B2 (en) * 2009-10-30 2014-07-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Frame having frame blades that participate in cooling memory modules
CN102782837B (zh) 2010-03-08 2015-08-12 国际商业机器公司 液态双列直插存储模块冷却设备
US8139355B2 (en) 2010-05-24 2012-03-20 International Business Machines Corporation Memory module connector having memory module cooling structures
TWI391087B (zh) * 2010-06-07 2013-03-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 擴充卡裝置及其散熱器
CN201725266U (zh) * 2010-06-17 2011-01-26 深圳富泰宏精密工业有限公司 内存条散热组件
CN102541218A (zh) * 2010-12-25 2012-07-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 用于内存模块的散热装置
US9076753B2 (en) 2012-05-18 2015-07-07 International Business Machines Corporation Apparatus for the compact cooling of modules
KR102127335B1 (ko) * 2012-10-29 2020-06-30 삼성전자주식회사 반도체 모듈
US9437518B2 (en) * 2012-10-29 2016-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor module
HK1210376A2 (en) 2015-08-17 2016-04-15 馮文標 號 Assembly structure of high-power semiconductor and heat sink
USD819746S1 (en) * 2018-01-08 2018-06-05 David Theodore Bernstein Chess board
US11011452B2 (en) * 2018-11-29 2021-05-18 Micron Technology, Inc. Heat spreaders for semiconductor devices, and associated systems and methods
US11079820B2 (en) 2019-01-15 2021-08-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Method and apparatus for improving removable storage performance
US11520311B2 (en) 2019-07-25 2022-12-06 Microsoft Technology Licensing, Llc High performance removable storage devices
TWI777280B (zh) * 2020-10-27 2022-09-11 技嘉科技股份有限公司 擴充卡外殼、擴充卡模組及伺服器
CN114428539B (zh) * 2020-10-29 2024-05-14 技钢科技股份有限公司 扩充卡外壳、扩充卡模块及服务器
US11612084B1 (en) * 2020-12-18 2023-03-21 Zoox, Inc. Modular heatsink for vehicle computer cooling architecture

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5396403A (en) * 1993-07-06 1995-03-07 Hewlett-Packard Company Heat sink assembly with thermally-conductive plate for a plurality of integrated circuits on a substrate
JPH07202120A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Hitachi Ltd 高放熱型メモリおよび高放熱型メモリモジュール
DE9415755U1 (de) * 1994-09-29 1994-11-24 Siemens Nixdorf Inf Syst Anordnung von hochintegrierten Schaltkreisen auf einer Mehrlagenkeramik
US5587608A (en) * 1995-10-27 1996-12-24 Meng; Ching-Ming Structure heat sink for power semiconductors
US5815371A (en) * 1996-09-26 1998-09-29 Dell U.S.A., L.P. Multi-function heat dissipator
US5959839A (en) * 1997-01-02 1999-09-28 At&T Corp Apparatus for heat removal using a flexible backplane
US5867367A (en) * 1997-12-04 1999-02-02 Intel Corporation Quad flat pack integrated circuit package

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100370270B1 (ko) * 2000-01-19 2003-01-30 원지금속 주식회사 컴퓨터 램용 히터싱크와 그 제조방법
KR100389920B1 (ko) * 2000-12-12 2003-07-04 삼성전자주식회사 열팽창에 의한 신뢰성 저하를 개선할 수 있는 반도체 모듈
DE10134983A1 (de) * 2001-07-18 2002-09-19 Infineon Technologies Ag Anordnung zur Kühlung integrierter Halbleiterbausteine
US6986118B2 (en) 2002-09-27 2006-01-10 Infineon Technologies Ag Method for controlling semiconductor chips and control apparatus
CN100378975C (zh) * 2003-05-07 2008-04-02 富士通株式会社 冷却部件、基板和电子设备
WO2004100262A1 (ja) * 2003-05-07 2004-11-18 Fujitsu Limited 冷却部品、基板及び電子機器
US7405933B2 (en) 2003-05-07 2008-07-29 Fujitsu Limited Cooling device, substrate, and electronic equipment
JP2005150454A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Yaskawa Electric Corp 電力変換装置の冷却構造
KR100564620B1 (ko) 2004-03-31 2006-03-29 삼성전자주식회사 열방출 특성을 개선한 메모리 모듈, 메모리 모듈용 소켓및 이를 이용한 메모리 모듈용 소켓 사용방법
JP2006100818A (ja) * 2004-08-13 2006-04-13 Wan-Chien Chang メモリ装置放熱保護装置
JP2006148105A (ja) * 2004-11-15 2006-06-08 Samsung Electronics Co Ltd 半導体モジュール及びその製造方法
US7477520B2 (en) 2005-04-04 2009-01-13 Elpida Memory, Inc. Memory module
US7518873B2 (en) 2005-07-07 2009-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Heat spreader, semiconductor package module and memory module having the heat spreader
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