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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich allgemein auf eine Halbleitervorrichtung. Insbesondere bezieht
sich die vorliegende Erfindung auf eine Halbleitervorrichtung mit
einem Halbleitergehäuse.
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Eine bekannte Halbleitervorrichtung
mit einem Halbleitergehäuse
ist zum Beispiel in der japanischen Offenlegungsschrift
JP 11204679 offenbart.
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Bei der in obiger Druckschrift offenbarten Halbleitervorrichtung
weist ein Halbleiterchip eine obere Oberfläche mit einer Mehrzahl von
Spannungsversorgungs-Signalleitungen zum Bereitstellen einer Spannungsversorgung
und eine untere Oberfläche
mit einer Mehrzahl von Anschlüssen
für ein
Signal zum Austauschen von Signalen. Der Halbleiterchip ist in einem
Gehäuse
untergebracht. Eine Spannungsversorgungs-Verbindungsleitung, die
außerhalb
des Gehäuses
ausgebildet ist, ist mit einer Elektrode für eine Spannungsversorgung
und einer Leiterplatte verbunden.
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Solch eine Halbleitervorrichtung
weist das Problem auf, dass die Spannungsversorgungs-Verbindungsleitung
dazu tendiert, sich leicht von der Leiterplatte abzulösen, wodurch
die Zuverlässigkeit
der Halbleitervorrichtung verschlechtert wird.
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Die vorliegende Erfindung soll das
oben beschriebene Problem lösen.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitervorrichtung hoher
Zuverlässigkeit
bereitzustellen.
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Die Aufgabe wird erfüllt durch
eine Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch
1.
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Eine Halbleitervorrichtung nach der
vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Halbleitergehäuse, ein
Substrat, ein Metallsubstrat und ein metallenes Befestigungselement.
Das Halbleitergehäuse
hat eine erste Hauptoberfläche,
eine der ersten Hauptoberfläche
gegenüber
vorgesehene zweite Hauptoberfläche,
einen auf der ersten Hauptoberfläche
vorgesehenen ersten Anschluss, einen auf der zweiten Hauptoberfläche vorgesehenen
zweiten Anschluss und ein Halbleiterelement auf. Das Substrat weist eine
der ersten Hauptoberfläche
gegenüberliegende dritte
Hauptoberfläche,
eine der dritten Hauptoberfläche
gegenüberliegende
vierte Hauptoberfläche,
einen mit dem ersten Anschluss verbundenen dritten Anschluss und
einen auf der vierten Hauptoberfläche vorgesehenen vierten Anschluss
auf. Das Metallsubstrat weist eine der zweiten Hauptoberfläche gegenüberliegende
und elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbundene fünfte Hauptoberfläche und
eine der fünften
Hauptoberfläche
gegenüberliegende sechste
Hauptoberfläche
auf. Das Befestigungselement liegt an der sechsten Hauptoberfläche zum
Positionieren des Metallsubstrats an. Das Substrat ist mit einem
Loch versehen, das durch das Substrat hindurch reicht. Ein Abschnitt
des Be festigungselements ist in das Loch eingesteckt, und eine Spitze des
Befestigungselements berührt
den vierten Anschluss.
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Bei der wie oben beschrieben aufgebauten Halbleitervorrichtung
ist ein Abschnitt des Metallelements in das Loch gesteckt, und die
Spitze des Metallelements liegt an dem vierten Anschluss an. Folglich
drückt
die Spitze des Metallelements gegen die vierte Hauptoberfläche, die
den vierten Anschluss aufweist. Zusätzlich drückt ein anderer Abschnitt des Befestigungselements über das
Metallsubstrat und das Halbleitergehäuse gegen die dritte Hauptoberfläche des
Substrats. Folglich werden das Metallsubstrat, das Halbleitergehäuse und
das Substrat durch das metallene Befestigungselement zusammengeschichtet.
Daher kann eine Trennung des Befestigungselements von dem Substrat
verhindert werden. Folglich kann eine Halbleitervorrichtung hoher
Zuverlässigkeit
bereitgestellt werden.
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Weiterbildungen der Erfindung sind
in den Unteransprüchen
gekennzeichnet.
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Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der
Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen
anhand der beigefügten Zeichnungen.
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Von den Figuren zeigen:
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1 einen
Grundriß einer
Halbleitervorrichtung gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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2 eine
Querschnittsansicht entlang der Linie II-II in 1;
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3 eine
Querschnittsansicht eines Metallsubstrats;
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4 eine
Querschnittsansicht eines Befestigungselements;
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5 eine
Querschnittsansicht eines Halbleitergehäuses;
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6 eine
Querschnittsansicht eines Substrats;
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7 eine
Querschnittsansicht eines Halbleitergehäuses, das bei einer Halbleitervorrichtung gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird; und
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8 eine
Querschnittsansicht eines Halbleitergehäuses, das bei einer Halbleitervorrichtung gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird.
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Im folgenden werden die Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung mit bezug auf die Zeichnungen beschrieben
werden. Bei den folgenden Ausführungsformen
werden die gleichen Bezugszeichen den gleichen oder entsprechenden
Abschnitten zugeordnet werden, und die Beschreibung davon wird nicht
wiederholt werden.
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Erste Ausführungsform
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Mit bezug auf 1 weist eine Halbleitervorrichtung 100 gemäß einer
ersten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung ein Substrat 4 auf.
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Substrat 4 weist eine näherungsweise
rechteckige Form (eine quadratische Form in 1) auf und ist-näherungsweise von flacher rechteckiger Form.
Das Substrat 4 hat eine dritte Hauptoberfläche 4a.
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An den Vierecken des Substrats 4 sind Durchgangslöcher 9 vorgesehen.
Die Abstände
zwischen benachbarten Durchkontaktierungen 9 sind nahezu
gleich. Daher bilden die Leitungen, die die vier Durchkontaktierungen 9 miteinander
verbinden, näherungsweise
die Figur eines Quadrats.
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Ein Halbleitergehäuse 1 ist auf der
dritten Hauptoberfläche 4a vorgesehen.
Das Halbleitergehäuse 1 beinhaltet
ein Halbleiterelement (nicht dargestellt in 1) und stellt einen Kern der Halbleitervorrichtung
dar. Auf einer zweiten Hauptoberfläche 1b des Halbleitergehäuses 1 ist
ein Metallsubstrat 6 als ein Wärmeabstrahlungsbauteil zum
Kühlen
vorgesehen. In seinem Grundriß ist
das Metallsubstrat 6 etwas kleiner als das Halbleitergehäuse 1.
Auf einer sechsten Hauptoberfläche 6b des
Metallsubstrats 6 ist eine Mehrzahl von Kühlrippen 6c zur
Wärmeabstrahlung
vorgesehen. Die Kühlrippen 6c vergrößern die
Oberfläche
des Metallsubstrats 6 und strahlen Wärme von dem Halbleitergehäuse 1 ab.
Diese Kühlrippen 6c sind
derart benachbart angeordnet, dass sie sich nicht gegenseitig berühren.
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Ein metallenes Befestigungselement 7 (ein befestigendes
Metallhilfsmittel) ist derart vorgesehen, dass es das Metallsubstrat 6 bedeckt.
Das Befestigungselement 7 ist so vorgesehen, dass es die Kühlrippen 6c nicht
berührt.
Ein Abschnitt des Befestigungselements 7 wird in das Durchgangsloch 9 gesteckt.
Dann greift der Abschnitt des Befestigungselements 7 an
dem Substrat 4 an, wodurch das Metallsubstrat 6 und
das Halbleitergehäuse 1 auf
dem Substrat 4 befestigt werden können.
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Mit Bezug auf 2 beinhaltet die Halbleitervorrichtung 100 gemäß der ersten
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung ein Halbleitergehäuse 1, ein Substrat 4,
ein Metallsubstrat 6 und ein Befestigungselement 7.
Das Halbleitergehäuse 1 weist
eine erste Hauptoberfläche 1a,
eine der ersten Hauptoberfläche 1a gegenüberliegende
zweite Hauptoberfläche 1b,
einen auf der ersten Hauptoberfläche 1a vorgesehenen
ersten Anschluss (einen Kugelanschluß) 2, einen auf der
zweiten Hauptoberfläche 1b vorgesehenen
zweiten Anschluss 8 und ein Halbleiterelement 10 auf.
Der zweite Anschluss 8 ist ein Spannungsversorgungsanschluss
oder ein Massepotentialanschluss.
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Das als Hauptsubstrat dienende Substrat 4 weist
eine der ersten Hauptoberfläche 1a gegenüberliegende
dritte Hauptoberfläche 4a,
eine der dritten Hauptoberfläche 4a gegenüberliegende
vierte Hauptoberfläche 4b,
einen an der dritten Hauptoberfläche 4a vorgesehenen
und mit dem ersten Anschluss 2 verbundenen dritten Anschluss 3 und
einen an der vierten Hauptoberfläche 4b vorgesehenen vierten
Anschluss 5 auf. Der dritte Anschluss 3 ist eine
Verbindungsleitung zum Verbinden. Der vierte Anschluss 5 ist
eine Verbindungsleitung zum Bereitstellen einer Spannungsversorgung.
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Das als Wärmeabstrahlungsbauteil zum Kühlen dienende
Metallsubstrat 6 weist eine fünfte Hauptoberfläche 6a auf,
die der zweiten Hauptoberfläche 1b gegenüberliegt
und elektrisch mit dem zweiten Anschluss 8 verbunden ist,
und weist eine der fünften
Hauptoberfläche 6a gegenüberliegend vorgesehene
sechste Hauptoberfläche 6b auf.
Das metallene Befestigungselement 7 berührt die sechste Hauptoberfläche 6b derart,
dass es das Metallsubstrat 6 positioniert.
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Das Substrat 4 hat ein Durchgangsloch 9, das
der Durchkontaktierung dient und durch das Substrat 4 hindurch
reicht. Ein Abschnitt des Befestigungselements 7 ist in
das Durchkontaktierungsloch 9 gesteckt. Eine Spitze 7t des
Befestigungselements 7 berührt den vierten Anschluss 5.
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Das Substrat 4 ist in der
Form einer flachen Platte ausgebildet und an dessen Rändern ist
eine Mehrzahl von Durchgangslöchern 9 vorgesehen. Eine
Mehrzahl von vierten Anschlüssen 5,
die als Verbindungsleitungen zum Bereitstellen der Spannungsversorgung
dienen, sind benachbart zu den Durchgangslöchern angeordnet. Auf der dem
vierten Anschluss 5 gegenüberliegenden Seite ist eine Mehrzahl
von dritten Anschlüssen 3 als
Verbindungsleitungen zur Verbindung vorgesehen. Der dritte Anschluss 3 liegt
auf der dritten Hauptoberfläche 4a des Substrats 4 frei.
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Das Halbleitergehäuse 1 ist derart vorgesehen,
dass es auf das Substrat 4 gestapelt ist. Jeder am Halbleitergehäuse 1 als
Kugelanschluß vorgesehene
erste Anschluss 2 berührt
einen dritten Anschluss 3. Als Folge davon sind der dritte
Anschluss 3 und der zweite Anschluss 2 elektrisch
miteinander verbunden. Innerhalb des Halbleitergehäuses 1 ist ein
Halbleiterelement 10 als ein Halbleiterchip vorgesehen.
Das Halbleiterelement 10 ist elektrisch mit dem ersten
Anschluss 2 verbunden. Darüber hinaus ist das Halbleiterelement 10 elektrisch
mit dem zweiten Anschluss 8 verbunden, der auf der dem
zweiten Anschluss 2 gegenüberliegenden Seite vorgesehen ist.
In 2 besitzt der zweite
Anschluss 8 ein Spannungsversorgungspotential. Das Halbleiterelement 10 ist
in ein das Halbleitergehäuse 1 bildendes
organisches Material eingegossen und ist vor Feuchtigkeit oder einem
Druck von außen
oder dergleichen geschützt.
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Das als ein Wärmeabstrahlungsbauteil zum Kühlen dienende
Metallsubstrat 6 ist auf das Halbleitergehäuse 1 gestapelt.
Das Metallsubstrat 6 für
die Wärmeabstrahlung
ist aus einem Metall mit geringem Gewicht und mit einer hohen thermischen
Leitfähigkeit,
wie z.B. Aluminium, ausgebildet. Das Metallsubstrat 6 berührt direkt
den zweiten Anschluss 8. Auf der Seite der sechsten Hauptoberfläche 6b des
Metallsubstrats 6 ist eine Mehrzahl von Kühlrippen 6c vorgesehen.
Die Kühlrippen 6c erstrecken
sich alle in einer Richtung weg von dem Metallsubstrat 6 und vergrößern die
Oberfläche
des Metallsubstrats 6. Folglich strahlen die Kühlrippen 6c Wärme von
dem Halbleitergehäuse 1 ab.
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Das Befestigungselement 7 ist
aus einem Metall mit geringem Gewicht, einer hohen thermischen Leitfähigkeit
und einer hohen elektrischen Leitfähigkeit, wie z.B. Aluminium,
ausgebildet. Das Befestigungselement 7 ist elastisch und
dessen Spitze 7t berührt
den vierten Anschluss 5. Ein Vorsprung 7a des
Befestigungselementes 7 berührt das Metallsubstrat 6.
Folglich werden das Substrat 4, das Halbleitergehäuse 1 und
das Metallsubstrat 6 durch das Befestigungselement 7 gestapelt
zusammengehalten. Wie durch gestrichelte Linien 50 dargestellt,
wird ein Strom von dem zweiten Anschluss 8 über das
Metallsubstrat 6 und das Befestigungselement 7 zum
vierten Anschluss 5 geliefert.
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Mit Bezug auf 3 weist das Metallsubstrat 6 fünfte und
sechste Hauptoberflächen 6a und 6b auf,
die näherungsweise
parallel zueinander sind. Eine Mehrzahl von Kühlrippen 6c erstreckt
sich in einer Richtung, die nahezu senkrecht zu einer Richtung ist,
in der sich die sechste Hauptoberfläche 6b erstreckt.
Die Kühlrippen 6c sind
mit einem vorbestimmten Abstand dazwischen angeordnet. Verschiedene
Materialien können
für das
Metallsubstrat 6 verwendet werden, jedoch ist Leitfä higkeit
notwendig. Das Metallsubstrat 6 kann unterschiedliche Materialien
in unterschiedlichen Anteilen davon aufweisen.
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In 3 wird
eine leitende Paste auf die Abschnitte des Metallsubstrats 6 aufgebracht,
die das Befestigungselement 7 und den zweiten Anschluss 8 berühren, so
dass ein zuverlässiger
Kontakt sichergestellt wird.
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Mit Bezug auf 4 weist ein Befestigungselement 7 einen
Vorsprung 7a und eine Spitze 7t auf. Der Vorsprung 7a ist
ein Abschnitt, der die sechste Hauptoberfläche 6b des Metallsubstrats 6 berührt. Dieser
Vorsprung 7a drückt
gegen das Metallsubstrat 6.
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Die Spitze 7t ist ein Abschnitt,
der den vierten Anschluss 5 direkt berührt und gegen den vierten Anschluss 5 und
das Substrat 4 drückt.
Der Vorsprung 7a ist auch mit der sechsten Hauptoberfläche 6b des
Metallsubstrats 6 elektrisch verbunden. Die Spitze 7t ist
elektrisch mit dem vierten Anschluss 5 verbunden.
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Eine leitfähige Paste wird unter den Abschnitten
des Befestigungselements 7 auf den Vorsprung 7a,
der das Metallsubstrat 6 berührt, und die Spitze 7t,
die den vierten Anschluss 5 berührt, aufgebracht, so dass ein
besserer Kontakt verwirklicht wird.
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Mit Bezug auf 5 weist ein Halbleitergehäuse 1 ein
Halbleiterelement 10 auf. Das Halbleiterelement 10 ist
in Harz eingegossen. Der erste Anschluss 2 und der zweite
Anschluss 8 sind elektrisch mit dem Halbleitergehäuse 1 verbunden.
Jeder erste Anschluss 2 legt ein elektrisches Signal an
das Halbleiterelement 10 an und gibt ein elektrisches Signal von
dem Halbleiterelement 10 aus. Daher sind der erste Anschluss 2 und
das Halbleiterelement 10 durch eine Verbindungsleitung
(nicht dargestellt) elektrisch miteinander verbunden. Der zweite
Anschluss 8 ist auch mit dem Halbleiterelement 10 durch
eine Verbindungsleitung (nicht dargestellt) elektrisch verbunden.
Es sei bemerkt, dass das Potential des zweiten Anschlusses 8 auf
verschiedene Potentiale eingestellt werden kann, wie z.B. ein Spannungsversorgungspotential,
ein Massepotential oder andere Potentiale.
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Die leitfähige Paste wird unter den Abschnitten
des Halbleitergehäuses
auf den kugelförmigen ersten
Anschluss 2 und den zweiten Anschluss 8 aufgebracht,
so dass ein verbesserter Kontakt mit anderen Elementen erreicht
werden kann.
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Mit Bezug auf 6 weist ein Substrat 4 eine Mehrzahl
von Durchgangslöchern 9 auf.
Die Durchgangslöcher 9 reichen
durch das Substrat 4 hindurch und nehmen ein in 4 gezeigtes Befestigungselement 7 auf.
Der vierte Anschluss 5 ist in einem Abschnitt innerhalb
der Durchgangslöcher 9 vorgesehen.
Der vierte Anschluss 5 ist auf einer vierten Hauptoberfläche 5b des
Substrats 4 vorgesehen. An der dritten Hauptoberfläche 4a auf
der der vierten Hauptoberfläche 4b gegenüberliegenden
Seite ist eine Mehrzahl von dritten Anschlüssen 3, die als eine Mehrzahl
von Verbindungsleitungen für
eine Verbindung mit einem vorgeschriebenen Abstand dazwischen angeordnet
sind.
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Bei der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung
gemäß der ersten
Ausführungsform
werden das Substrat 4, das Halbleitergehäuse 1 und
das Metallsubstrat 6 durch das Befestigungselement 7 gestapelt
zusammengenhalten. Folglich sind das Halbleitergehäuse 1 und
das Metallsubstrat 6 nicht von dem Substrat 4 getrennt,
wodurch eine sehr zuverlässige
Halbleitervorrichtung bereitgestellt werden kann.
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Zusätzlich verbindet das Befestigungselement 7,
das das Halbleitergehäuse 1 und
das Metallsubstrat 6 an das Substrat 4 befestigt,
den zweiten Anschluss 8 und den vierten Anschluss 5 elektrisch miteinander.
Daher erfüllt
das Befestigungselement 7 zwei Funktionen, nämlich die
Funktion eines Befestigungshilfsmittels und die Funktion einer Verbindungsleitung.
Somit besteht keine Notwendigkeit, die Anzahl der die Halbleitervorrichtung
bildenden Komponenten zu erhöhen.
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Die Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform
kann auf ein Mehrfachanschlussstiftgehäuse, wie z.B. ein "ball-grid array" (BGA) angewendet
werden, um Spannungsversorgungsanschlüsse oder Masseanschlüsse an vier
Ecken auf einer oberen Oberfläche
des Halbleitergehäuses
bereitzustellen. Der Spannungsversorgungsanschluss oder der Masseanschluss
kann durch das als Wärmesenke
zum Kühlen
dienende Metallsubstrat 6 und dessen Befestigungsmetallhilfsmittel,
d.h. das Befestigungselement 7, mit dem vierten Anschluss 5,
der ein Masseanschluss oder ein Spannungsversorgungsanschluss am
Substrat 4 darstellt, verbunden werden, und dementsprechend
kann ein stabiles Spannungsversorgungspotential oder Massepotential
bereitgestellt werden. Zusätzlich
muß kein
Spannungsversorgungsanschluss oder Masseanschluss dem ersten Anschluss 2 zugeordnet
werden, der ein "ball"-Anschluss (Kugelanschluss)
ist. Daher kann eine Signalleitung dem ersten Anschluss 2 zugeordnet
werden. Folglich wird insbesondere bei einer Vorrichtung mit hoher
Leistungsaufnahme die Verkleinerung des Gehäuses oder ein Gehäuse mit
mehr Signalleitungen in einer einzelnen Halbleitervorrichtung erreicht.
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Zweite Ausführungsform
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Mit Bezug auf 7 beinhaltet ein Halbleitergehäuse 1 einen
ersten Anschluss 2, der auf einer ersten Hauptoberfläche 1a vorgesehen
ist, einen zweiten Anschluss 8; der auf einer zweiten Hauptoberfläche 1b vorgesehen
ist, ein Halbleiterelement 10, das auf einer zweiten Hauptoberfläche 1b vorgesehen
ist, und eine Verbindungsleitung 11, die das Halbleiterelement 10 mit
dem zweiten Anschluss 8 verbindet.
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Bei dem in 7 gezeigten Halbleitergehäuse 1 wird
ein Spannungsversorgungspotential oder ein Massepotential von dem
zweiten Anschluss 8 an einem der vier Ecken des Halbleitergehäuses 1 über Verbindungsleitungen 11 innerhalb
des Halbleitergehäuses 1 dem
Halbleiterelement 10 bereitgestellt. Das Halbleitergehäuse in 7 ist eine in einem Flip-Chip-Verfahren verpackte
Halbleitervorrichtung.
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Die Halbleitervorrichtung gemäß einer
zweiten Ausführungsform
hat einen ähnlichen
Effekt wie die Halbleitervorrichtung nach der ersten Ausführungsform.
Zusätzlich
muß bei
dem Halbleitergehäuse
vom Flip-Chip-Typ aufgrund der Bereitstellung des Spannungsversorgungsanschlusses
oder des Masseanschlusses an den Vierecken auf der oberen Oberfläche des
Gehäuses
kein Spannungsversorgungspotential oder kein Massepotential dem
ersten Anschluss 2, der ein "ball"-Anschluss
(Kugelanschluß)
ist, auf der gegenüberliegenden
Seite zugeordnet werden. Folglich kann eine Signalleitung dem ersten
Anschluss 2 zugeordnet werden. Daher wird bei einer Vorrichtung,
insbesondere mit hoher Leistungsaufnahme, eine Verkleinerung eines
Gehäuses oder
ein Gehäuse
mit mehr Signalleitungen in einem einzelnen Gehäuse erreicht.
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Eine leitende Paste zum Verbessern
eines Kontakts wird auf den Spannungsversorgungsanschluss oder den
Masseanschluss auf dem Halbleitergehäuse 1 und der Unterseite
der Halbleitervorrichtung aufgebracht. Folglich ist es möglich, einen zuverlässigen Kontakt
zwischen dem Spannungsversorgungsanschluss oder dem Masseanschluss
und dem als Wärmeabstrahlungsbauteil
dienenden Metallsubstrat sicherzustellen. Außerdem kann dem ersten Anschluss 2 ein
Potential des Substrats 4 bereitgestellt werden. Folglich
kann der Betrieb des Halbleiterelements 10 stabilisiert
werden. Zusätzlich kann
durch die Angleichung der Höhe
der an den Vierecken des Halbleitergehäuses 1 bereitgestellten zweiten
Anschlüsse 8 und
des auf dem Halbleitergehäuse 1 bereitgestellten
Halbleiterelements 10 eine Verringerung der an dem Halbleiterelement 10 nach dem
Anbringen des Metallsubstrats 6 anliegenden Spannung erreicht
werden. Folglich kann das Halbleiterelement 10 geschützt werden.
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Dritte Ausführungsform
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Mit Bezug auf 8 beinhaltet ein Halbleitergehäuse 1 gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung einen auf der ersten Hauptoberfläche 1a als
einen "ball"-Anschluss (Kugelanschluss)
bereitgestellten ersten Anschluss 2, an vier Ecken des
Halbleitergehäuses 1 als
Spannungsversorgungsanschluss oder ein Masseanschluss bereitgestellte
zweite Anschlüsse 8,
ein in dem Halbleitergehäuse
durch ein Drahtkontaktierungsverfahren verpacktes Halbleiterelement 10,
eine innerhalb des Halbleitergehäuses 1 für die Bereitstellung
eines Spannungsversorgungspotentials oder eines Massepotentials
vorgesehene Verbindungsleitung 11, einen Draht für eine mit
dem Halbleiterelement 10 verbundene Signalleitung 12,
einen Draht 13, der das Halbleiterelement 10 mit
einem Spannungsversorgungspotential oder einem Massepotential versorgt,
und ein Chip-Kontaktfleck 14, der das Halbleiterelement 10 an
das Halbleitergehäuse 1 befestigt
und ein Substratpotential bereitstellt.
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Bei dem Halbleitergehäuse 1 in 8 wird ein Spannungsversorgungspotential
oder ein Massepotential von dem zweiten Anschluss 8 an
einem der vier Ecken auf der zweiten Hauptoberfläche 1b des Halbleitergehäuses 1 über die
Verbindungsleitung 11 innerhalb des Halbleitergehäuses 1 zum
Liefern eines Spannungsversorgungspotentials oder eines Massepotentials
und über
den Draht 13, der für
ein Spannungsversorgungspotential oder ein Massepotential mit dem
Halbleiterelement 10 verbunden ist, an das Halbleiterelement 10 geliefert.
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Die Halbleitervorrichtung, die das
gemäß der dritten
Ausführungsform
ausgeführte
Halbleitergehäuse
verwendet, besitzt einen ähnlichen
Effekt wie die Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
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Zusätzlich muß bei dem Halbleitergehäuse 1 vom
Drahtkontaktierungstyp aufgrund der Bereitstellung des zweiten Anschlusses 8,
der ein Anschluss für
eine Spannungsversorgung oder eine Masse oder dergleichen ist, an
vier Ecken auf der oberen Oberfläche
des Halbleitergehäuses 1 dem
ersten Anschluss 2, der ein "ball"-Anschluss
(Kugelanschluss) ist, kein Spannungsversorgungsanschluss oder Masseanschluss
zugeordnet werden. Folglich kann dem ersten Anschluss 2 auf
der Unterseite eine Signalleitung zugeordnet werden. Daher wird
bei einer Vorrichtung, insbesondere einer Vorrichtung mit hoher
Leistungsaufnahme eine Verkleinerung des Gehäuses oder ein Gehäuse mit
mehr Signalleitungen innerhalb eines einzelnen Halbleitergehäuses erreicht.
Zusätzlich
wird eine leitende Paste zum Verbessern eines Kontakts auf den zweiten
Anschluss 8 des Halbleitergehäuses 1 für eine Spannungsversorgung
oder eine Masse aufgebracht. Folglich ist es möglich, einen zuverlässigen Kontakt
zwischen dem zweiten Anschluss 8 für ein Spannungsversorgungspotential oder
ein Massepotential und dem Metallsubstrat 6 sicherzustellen.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung
kann ein zuverlässiger
elektrischer Kontakt sichergestellt werden, wodurch eine Halbleitervorrichtung
von hoher Zuverlässigkeit
bereitgestellt werden kann.