DE102017209119B4 - Halbleitermodul und Leistungswandler - Google Patents
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Abstract
Halbleitermodul, aufweisend:
ein isolierendes Substrat (12), das eine isolierende Schicht (12a), ein erstes Metallmuster (12b), das auf einer oberen Oberfläche der isolierenden Schicht (12a) ausgebildet ist, und ein zweites Metallmuster (12c), das auf einer unteren Oberfläche der isolierenden Schicht (12a) ausgebildet ist, aufweist;
einen Halbleiter-Chip (18, 22), der aus SiC ausgebildet und mit einem ersten Metallverbindungsteil (16, 20) an dem ersten Metallmuster (12b) befestigt ist; und
einen Kühlkörper (10), der mit einem zweiten Metallverbindungsteil (14) an dem zweiten Metallmuster (12c) befestigt ist,
ein Gehäuse (50), welches das isolierende Substrat (12) und den Halbleiter-Chip (18, 22) aufnimmt und an dem Kühlkörper (10) befestigt ist; und
einen Steuerungs-IC (64), in welchem eine Treiberschaltung, die den Halbleiter-Chip (18, 22) treibt, und eine Schutzschaltung für den Halbleiter-Chip (18, 22) integriert sind, wobei
der Steuerungs-IC (64) in dem Gehäuse (50) untergebracht ist,
der Halbleiter-Chip (18, 22) eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 0,25 mm und gleich oder kleiner als 0,35 mm ist, und
die isolierende Schicht (12a) eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 0,8 mm und gleich oder kleiner als 1,0 mm ist.
ein isolierendes Substrat (12), das eine isolierende Schicht (12a), ein erstes Metallmuster (12b), das auf einer oberen Oberfläche der isolierenden Schicht (12a) ausgebildet ist, und ein zweites Metallmuster (12c), das auf einer unteren Oberfläche der isolierenden Schicht (12a) ausgebildet ist, aufweist;
einen Halbleiter-Chip (18, 22), der aus SiC ausgebildet und mit einem ersten Metallverbindungsteil (16, 20) an dem ersten Metallmuster (12b) befestigt ist; und
einen Kühlkörper (10), der mit einem zweiten Metallverbindungsteil (14) an dem zweiten Metallmuster (12c) befestigt ist,
ein Gehäuse (50), welches das isolierende Substrat (12) und den Halbleiter-Chip (18, 22) aufnimmt und an dem Kühlkörper (10) befestigt ist; und
einen Steuerungs-IC (64), in welchem eine Treiberschaltung, die den Halbleiter-Chip (18, 22) treibt, und eine Schutzschaltung für den Halbleiter-Chip (18, 22) integriert sind, wobei
der Steuerungs-IC (64) in dem Gehäuse (50) untergebracht ist,
der Halbleiter-Chip (18, 22) eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 0,25 mm und gleich oder kleiner als 0,35 mm ist, und
die isolierende Schicht (12a) eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 0,8 mm und gleich oder kleiner als 1,0 mm ist.
Description
- Hintergrund der Erfindung
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleitermodul, das zum Beispiel zum Schalten eines hohen Stroms oder für andere ähnliche Zwecke verwendet wird, und einen Leistungswandler, der das Halbleitermodul verwendet.
- Stand der Technik
- Die
JP 2014 - 130 875 A - Ein Halbleitermodul, das für eine Leistungssteuerung verwendet wird, weist einen darauf angebrachten Halbleiter-Chip auf. Solch ein Halbleiter-Chip weist einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), einen Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) und eine Freilaufdiode (FWDi) auf. Das Halbleitermodul ist als ein Leistungsmodul bekannt. Das Leistungsmodul weist auf: ein isolierendes Substrat, das auf einen Kühlkörper gelötet ist; und einen Halbleiter-Chip, der auf ein Metallmuster auf dem isolierenden Substrat gelötet ist.
- Eine Inverter-Vorrichtung als ein Produkt, welches das Leistungsmodul einsetzt, muss einen geringeren Verlust erzielen und verkleinert werden. Folglich muss das Halbleitermodul ebenfalls einen geringeren Verlust erzielen und verkleinert werden. Der geringere Verlust kann mit einem dünneren Halbleiter-Chip und einer optimierten Halbleiter-Chip-Struktur erzielt werden. Das Verkleinern wird mit einem optimierten Gehäuseaufbau erzielt. In dem verkleinerten Halbleitermodul sind jedoch Halbleiter-Chips dicht angeordnet, sodass eine Wärmeableitungsfläche klein gestalten wird. Somit kann die Wärmeableitung beeinträchtigt werden. Das isolierende Substrat kann eine dünnere isolierende Schicht aufweisen, um eine Beeinträchtigung der Wärmeableitung zu verhindern.
- Somit besteht ein jüngster Trend, dass die Halbleiter-Chips so gestaltet werden, dass sie dünner sind, um das Halbleitermodul mit einem geringeren Verlust zu erzielen, und dass die isolierende Schicht des isolierenden Substrats so gestaltet wird, dass sie dünner ist, um eine höhere Wärmeableitung zu erzielen.
- Die Halbleiter-Chips und das isolierende Substrat sind mit einem ersten Lötmittel miteinander verbunden. Das isolierende Substrat und der Kühlkörper sind mit einem zweiten Lötmittel miteinander verbunden. Wenn das Halbleitermodul verwendet wird, um in einem Muster zu arbeiten, das eine große Differenz zwischen einer Verbindungstemperatur für die Halbleiter-Chips und einer Gehäusetemperatur bedingt, verursacht der Unterschied in einem linearen Ausdehnungskoeffizienten zwischen den Halbleiter-Chips, dem isolierenden Substrat und dem Kühlkörper eine thermische Ermüdung in dem ersten Lötmittel und dem zweiten Lötmittel. Die thermische Ermüdung kann zu einem Riss in dem ersten Lötmittel und dem zweiten Lötmittel führen, welcher zu einer Verschlechterung der Wärmeableitung führt, was in einer kürzeren Betriebslebensdauer resultiert.
- Das erste Lötmittel erfährt eine hohe Beanspruchung aufgrund einer Temperaturänderung, wenn der Halbleiter-Chip aus einem Material wie SiC mit einer physikalischen Eigenschaft, dass es härter ist als Si, ausgebildet ist. Die Beanspruchung des ersten Lötmittels wird sogar noch stärker, wenn die isolierende Schicht dünn ist, was zu einer kürzeren Betriebslebensdauer des Halbleitermoduls führt.
- Die Halbleiter-Chips können so gestaltet sein, dass sie dünner sind, um eine Beanspruchung des ersten Lötmittels zu reduzieren. Unglücklicherweise bedingt ein Verdünnen eines Wafers, der aus SiC besteht, was ein härteres Material als Si ist, ein starkes Abnutzen eines verwendeten Polierwerkzeugs, was zu einer geringen Massenproduktionseffizienz führt.
- Die
US 2013/0240909 A1 - Die
US 2011/0180809 A1 - US 2002 / 0 037 435 A1 offenbart ein Schaltungssubstrat, das ein Keramiksubstrat und eine Al-Schaltung aus Al oder einer Al-Legierung aufweist, die über eine Schicht aus Al und Cu an das Keramiksubstrat gebunden ist.
- Zusammenfassung der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung ist angesichts der vorstehend beschriebenen Situation entwickelt worden, und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, ein Halbleitermodul und einen Leistungswandler zur Verfügung zu stellen, in welchen eine hohe Wärmeableitung für Halbleiter-Chips sichergestellt werden kann.
- Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche haben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung zum Inhalt.
- Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung ersichtlicher.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
-
1 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß einem ersten Beispiel zur Erläuterung der anspruchsgemäßen Erfindung; -
2 ist eine Querschnittsansicht und eine Draufsicht des Halbleitermoduls; -
3 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß einem zweiten Beispiel; -
4 ist ein Diagramm, das ein Verhältnis zwischen der Dicke der isolierenden Schicht und der Beanspruchung auf die ersten Metallverbindungsteile und das zweite Metallverbindungsteil darstellt; -
5 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß einer ersten Ausführungsform der anspruchsgemäßen Erfindung; und -
6 ist ein Diagramm, das einen Leistungswandler gemäß einer zweiten Ausführungsform darstellt. - Detaillierte Beschreibung der Beispiele und der bevorzugten Ausführungsformen
- Halbleitermodule und ein Leistungswandler gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Die gleichen oder korrespondierende Komponenten werden durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und eine redundante Beschreibung kann geeignet weggelassen sein.
- Erstes Beispiel
-
1 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß einem ersten Beispiel zur Erläuterung der anspruchsgemäßen Erfindung. Das Halbleitermodul weist ein isolierendes Substrat 12 auf. Das isolierende Substrat 12 weist auf: eine isolierende Schicht 12a; ein erstes Metallmuster 12b, das auf einer oberen Oberfläche der isolierenden Schicht 12a ausgebildet ist; und ein zweites Metallmuster 12c, das auf einer unteren Oberfläche der isolierenden Schicht 12a ausgebildet ist. Ein Material der isolierenden Schicht 12a ist zum Beispiel AlN, Al2O3 oder SiN. - Halbleiter-Chips 18 und 22 sind mit ersten Metallverbindungsteilen 16 und 20 auf dem ersten Metallmuster 12b befestigt. Die Halbleiter-Chips 18 und 22 sind aus SiC ausgebildet. Zum Beispiel ist der Halbleiter-Chip 18 ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) und der Halbleiter-Chip 22 ist eine Freilaufdiode. Allgemein sind Halbleiter-Chips oder Wafer, die aus SiC ausgebildet sind, so gestaltet, dass sie eine Dicke von 0,25 mm bis 0,35 mm aufweisen. Zum Beispiel wird ein n-Typ-SiC-Wafer, der eine Dicke von 350 µm aufweist, in dem Paragraph 0005 in der
JP 2014 - 82 361 A - Ein Kühlkörper 10 ist mit einem zweiten Metallverbindungsteil 14 an einem zweiten Metallmuster 12c befestigt. Der Kühlkörper 10 ist aus einem Material ausgebildet, das eine hohe Wärmeableitung aufweist wie Metall. Zum Beispiel sind die ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 und das zweite Metallverbindungsteil 14 Lötmittel. Das zweite Metallverbindungsteil 14 weist auf: sich direkt unterhalb befindliche Abschnitte 14a, die direkt unterhalb der Halbleiter-Chips 18 und 22 angeordnet sind; und einen sich nicht direkt unterhalb befindlichen Abschnitt 14b, der sich zu den sich direkt unterhalb befindlichen Abschnitten 14a erstreckt und nicht direkt unterhalb der Halbleiter-Chips 18 und 22 angeordnet ist. Eine Fläche, in welcher das zweite Metallverbindungsteil 14 ausgebildet ist, ist größer als eine Fläche, in welcher jedes der ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 ausgebildet ist.
- Die isolierende Schicht 12a und die Halbleiter-Chips 18 und 22 erfüllen das folgende Verhältnis im Sinne einer physikalischen Eigenschaft und eines linearen Ausdehnungskoeffizienten. Genauer führt die dickere isolierende Schicht 12a zu einer geringeren Beanspruchung auf die ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 unter den Halbleiter-Chips 18 und 22 und zu einer größeren Beanspruchung auf das zweite Metallverbindungsteil 14 unter dem isolierenden Substrat 12. Ein solches Verhältnis wird auch in allgemeinen anderen Fällen als einem Fall erfüllt, in welchem die isolierende Schicht 12a aus AIN ausgebildet ist und die Halbleiter-Chips 18 und 22 aus SiC ausgebildet sind.
- Wenn sich die Teile des Halbleitermoduls wiederholt in einem Wärmezyklus ausdehnen und zusammenziehen, wird ein Riss in einem Endteil jedes der ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 und in einem Endteil des zweiten Metallverbindungsteils 14 ausgebildet.
1 stellt einen Riss 20a, der in dem ersten Metallverbindungsteil 20 ausgebildet ist, und einen Riss 14c, der in dem zweiten Metallverbindungsteil 14 ausgebildet ist, dar. -
2 ist eine Querschnittsansicht und eine Draufsicht des Halbleitermoduls. In2 sind der Riss 14c, der in dem zweiten Metallverbindungsteil 14 ausgebildet ist, und der Riss 20a, der in dem ersten Metallverbindungsteil 20 ausgebildet ist, zum Zweck der Beschreibung dargestellt. Der Riss 20a an dem ersten Metallverbindungsteil 20 führt direkt zu der Verschlechterung der Wärmeableitung für den Halbleiter-Chip 22. Der Riss 14c, der in dem zweiten Metallverbindungsteil 14 ausgebildet ist, ist in dem sich nicht direkt unterhalb befindlichen Abschnitt 14b ausgebildet und beeinflusst die Wärmeableitung für den Halbleiter-Chip 22 somit weniger wahrscheinlich negativ. - Die Größen der Risse 20a und 14c können mit der Dicke der isolierenden Schicht 12a kontrolliert werden, wie vorstehend beschrieben. In dem ersten Beispiel weist die isolierende Schicht 12a eine Dicke Z1 auf, die um einen Faktor von einschließlich 2,66 bis einschließlich 5 größer ist als die Dicke Z2 jedes der Halbleiter-Chips 18 und 22. Somit ist die isolierende Schicht 12a so gestaltet, dass sie so dick ist, dass sich der Riss in den ersten Metallverbindungsteilen 16 und 20 unter den Halbleiter-Chips 18 und 22 verkleinert und in dem zweiten Metallverbindungsteil 14 unter dem isolierenden Substrat 12 vergrößert.
- Somit wird verhindert, dass der Riss in den ersten Metallverbindungsteilen 16 und 20 ausgebildet wird, so dass er die Wärmeableitung für die Halbleiter-Chips 18 und 22 nicht wesentlich verschlechtert, sondern dass er in dem sich nicht direkt unterhalb befindlichen Abschnitt 14b des zweiten Metallverbindungsteils 14 ausgebildet wird, weil der Riss, der in solch einem Abschnitt ausgebildet ist, die Wärmeableitung für die Halbleiter-Chips 18 und 22 weniger wahrscheinlich nachteilig beeinflusst. Somit kann eine hohe Wärmeableitung für die Halbleiter-Chips sichergestellt werden. Der Riss wird wahrscheinlich in den ersten Metallverbindungsteilen 16 und 20 ausgebildet, insbesondere wenn die Halbleiter-Chips 18 und 22 aus einem harten Material wie SiC ausgebildet sind. Alles in allem kann mit der kontrollierten Bildung des Risses, wie vorstehend beschrieben, der Riss, der in den ersten Metallverbindungsteilen 16 und 20 aufgrund der thermischen Ermüdung ausgebildet wird, verhindert oder reduziert werden.
- Wie vorstehend beschrieben, sind in dem Halbleitermodul gemäß dem ersten Beispiel die Risse, die in den ersten Metallverbindungsteilen 16 und 20 ausgebildet sind, kleiner als der Riss, der in dem zweiten Metallverbindungsteil 14 ausgebildet ist. Somit wird ein relativ großer Riss in dem zweiten Metallverbindungsteil 14 ausgebildet. Dennoch sind die Halbleiter-Chips 18 und 22 in einer Draufsicht in Mittenbereichen des isolierenden Substrats 12 ausgebildet. Somit kann der Riss in dem sich nicht direkt unterhalb befindlichen Abschnitt 14b ausgebildet sein aber ist nicht in dem sich direkt unterhalb befindlichen Abschnitt 14a ausgebildet. Alles in allem wird die Wärmeableitung für die Halbleiter-Chips 18 und 22 nicht wesentlich beeinträchtigt.
- Das isolierende Substrat 12 mit den aus SiC ausgebildeten Halbleiter-Chips 18 und 22 kann einem hohen Strom widerstehen und ist somit so gestaltet, dass es groß ist. Mit einer solchen Gestaltung weist der sich nicht direkt unterhalb befindliche Abschnitt 14b des zweiten Metallverbindungsteils 14 eine große Fläche auf, und somit erreicht der Riss, der in dem sich nicht direkt unterhalb befindlichen Abschnitt 14b ausgebildet ist, weniger wahrscheinlich den sich direkt unterhalb befindlichen Abschnitt 14a.
- Das Halbleitermodul gemäß einem ersten Beispiel zur Erläuterung der anspruchsgemäßen Erfindung kann auf verschiedene Weisen modifiziert werden, ohne das vorstehend beschriebene Merkmal zu beeinträchtigen. Zum Beispiel kann jede Zahl von Halbleiter-Chips auf dem isolierenden Substrat 12 befestigt sein. Das Gleiche gilt für Halbleitermodule und einen Leistungswandler gemäß nachfolgend beschriebenen Beispielen und Ausführungsformen. Die Halbleitermodule und der Leistungswandler gemäß den nachfolgend beschriebenen Beispielen und Ausführungsformen sind denen gemäß dem ersten Beispiel ähnlich, und somit werden hauptsächlich ihre Unterschiede von dem ersten Beispiel beschrieben.
- Zweites Beispiel
-
3 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß einem zweiten Beispiel. Die Dicke Z2 des Halbleiter-Chips ist gleich oder größer als 0,25 mm und gleich oder kleiner als 0,35 mm. Die Dicke Z3 der isolierenden Schicht 12a ist gleich oder größer als 0,8 mm.4 ist ein Diagramm, das ein Verhältnis zwischen der Dicke der aus AIN ausgebildeten isolierenden Schicht 12a und der Beanspruchung der ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 sowie dem zweiten Metallverbindungsteil 14 darstellt. Ein Abschnitt A in4 stellt eine unelastische Beanspruchung der ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 sowie des zweiten Metallverbindungsteils 14 unter einer Bedingung, in welcher der Halbleiter-Chip aus Si ausgebildet ist und die isolierende Schicht aus AIN eine Dicke von 0,653 mm aufweist, als eine Referenz eines erhöhten Betrags dar. - Hierbei wirkt die größere Beanspruchung auf das zweite Metallverbindungteil 14 unter dem isolierenden Substrat 12 als auf die ersten Metallverbindungsteile 16 und 20. Wenn jedoch der Halbleiter-Chip aus SiC ausgebildet ist, wie in Abschnitt B in
4 gezeigt, wirkt die größere Verformung auf die ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 unter den Halbleiter-Chips, selbst wenn die Dicke der aus AIN ausgebildeten isolierenden Schicht 12a von 0,653 mm unverändert ist. Dies gilt, weil SiC ein Material ist, das härter ist als Si. Wie vorstehend beschrieben, wirkt, wenn der Halbleiter-Chip aus SiC ausgebildet ist, eine große Beanspruchung wahrscheinlich auf die ersten Metallverbindungsteile 16 und 20. - Wie in den Abschnitten C, D und E in
4 dargestellt, nimmt die Beanspruchung auf die ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 ab und die Beanspruchung auf das zweite Metallverbindungsteil 14 nimmt zu, wenn die Dicke der isolierenden Schicht 12a auf 0,8 mm, 1,0 mm und 1,5 mm zunimmt. In dem zweiten Beispiel ist die Dicke Z3 der isolierenden Schicht 12a nicht kleiner als 0,8 mm. Somit ist die Beanspruchung auf die ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 immer kleiner als die Beanspruchung auf das zweite Metallverbindungsteil 14. Mit anderen Worten übersteigt die Beanspruchung auf die ersten Metallverbindungsteile 16 und 20 nicht die Beanspruchung in einem Fall, in welchem die isolierende Schicht aus Si gebildet ist, wie in dem Abschnitt A in4 gezeigt. Alles in allem kann eine hohe Wärmeableitung für den Halbleiter-Chip sichergestellt werden. - Erste Ausführungsform
-
5 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß einer ersten Ausführungsform der anspruchsgemäßen Erfindung. Das isolierende Substrat 12 und der Halbleiter-Chip 18 sind in einem Gehäuse 50 untergebracht. Das Gehäuse 50 ist an dem Kühlkörper 10 befestigt. Ein Anschluss 52 ist auf dem Gehäuse befestigt. Eine gedruckte Schaltungsplatine 54 ist an dem Anschluss 52 befestigt. Die gedruckte Schaltungsplatine 54 ist direkt über dem isolierenden Substrat 12 in dem Gehäuse 50 angeordnet. Anschlussflächen 60 aus einem leitfähigen Material sind auf der gedruckten Schaltungsplatine 54 ausgebildet. Anschlüsse 64a eines integrierten Schaltkreises (IC) 64 zur Steuerung sind mit einem Lötmittel 62 an den Anschlussflächen 60 befestigt. In dem Steuerungs-IC 64 sind eine Treiberschaltung, die den Halbleiter-Chip 18 treibt, und eine Schutzschaltung für den Halbleiter-Chip 18 integriert. Der Steuerungs-IC 64 ist in dem Gehäuse untergebracht. - Ein Anschluss 56, der sich aus dem Gehäuse 50 erstreckt, ist mit der gedruckten Schaltungsplatine 54 verbunden. Der Anschluss 56 fungiert als ein Signalanschluss. Ein Hauptanschluss 70, der sich aus dem Gehäuse 50 erstreckt, ist an dem Gehäuse 50 befestigt. Eine Abdeckung 74 ist an dem Gehäuse 50 befestigt. Dieses Halbleitermodul mit dem Gehäuse 50, das den Steuerungs-IC 64 einschließt, in welchem die Treiberschaltung und die Schutzschaltung für den Halbleiter-Chip 18 integriert sind, wird als ein intelligentes Leistungsmodul (IPM) bezeichnet. Das IPM muss mehr verkleinert werden als die Halbleitermodule. Wenn die Chips wegen des Verkleinerns des Gehäuses dicht angeordnet sind, wird eine Wärmedichte in dem IPM hoch, und somit ändert sich die Chip-Verbindungstemperatur wesentlich, während sich das IPM in einem Betriebszustand befindet. In einer solchen Situation kann die Anordnung, die in dem ersten oder zweiten Beispiel beschrieben ist, eingesetzt werden, sodass eine hohe Wärmeableitung für den Halbleiter-Chip sichergestellt werden kann.
- Zweite Ausführungsform
-
6 ist ein Diagramm, das einen Leistungswandler gemäß einer zweiten Ausführungsform darstellt. Der Leistungswandler weist mindestens ein Halbleitermodul gemäß der Ausführungsform auf. Somit sind die isolierende Schicht 12a und die Halbleiter-Chips mit den Dicken, die vorstehend beschrieben sind, in mindestens einem Teil des Leistungswandlers ausgebildet. Der in6 dargestellte Leistungswandler weist sechs Schaltvorrichtungen und sechs Freilaufdioden als Halbleiter-Chips auf, die insgesamt eine Drei-Phasen-Inverter-Schaltung bilden. Der Leistungswandler ist jedoch nicht auf die Inverter-Schaltung beschränkt, und ein Konverter, ein Servo-Verstärker oder eine Leistungsversorgungseinheit können ausgebildet sein. - Ein Leistungswandler kann das Halbleitermodul gemäß einer der vorstehenden Beispiele oder Ausführungsform aufweisen, das eine kleine Größe, eine dichte Anordnung und eine lange Lebensdauer aufweisen. Somit kann der Leistungswandler eine kleinere Gehäusegröße mit geringerer Gestaltungseinschränkung, die einem Gehäuse und einer Sammelschiene des Leistungswandlers auferlegt wird, aufweisen. Herkömmlicherweise ist die Zahl von Steuerungsleistungsvorrichtungen eines Inverters beschränkt gewesen, weil die Anordnung der anzubringenden Halbleitermodule wegen der Gehäusegröße des Inverters begrenzt gewesen ist. Diesbezüglich kann das Halbleitermodul gemäß der vorliegenden Erfindung in dem Leistungswandler freier angeordnet werden, wodurch eine höhere Zahl von Steuerungsleistungsvorrichtungen angebracht werden kann. Alles in allem kann ein Inverter mit verbesserter Funktionalität erzielt werden.
- Die technischen Merkmale, die in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beschrieben sind, können geeignet kombiniert werden, um verwendet zu werden.
- In der vorliegenden Erfindung wird eine Bildung eines Risses in einem ersten Metallverbindungsteil, das direkt unter einem Halbleiter-Chip ausgebildet ist, verhindert, aber wird in einem zweiten Metallverbindungsteil unter einem isolierenden Substrat toleriert, das groß ausgebildet ist, wenn ein SiC-Halbleiter-Chip verwendet wird, und somit kann eine hohe Wärmeableitung für den Halbleiter-Chip sichergestellt werden.
- Zusammengefasst weist ein Halbleitermodul ein isolierendes Substrat, das eine isolierende Schicht, ein erstes Metallmuster, das auf einer oberen Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist, und ein zweites Metallmuster, das auf einer unteren Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist, aufweist, einen Halbleiter-Chip, der aus SiC ausgebildet ist und mit einem ersten Metallverbindungsteil an dem ersten Metallmuster befestigt ist, und einen Kühlkörper, der mit einem zweiten Metallverbindungsteil an dem zweiten Metallmuster befestigt ist, auf, wobei der Halbleiter-Chip eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 0,25 mm und gleich oder kleiner als 0,35 mm ist, und die isolierende Schicht eine Dicke aufweist, die um einen Faktor von einschließlich 2,66 bis einschließlich 5 größer ist als die Dicke des Halbleiter-Chips.
- Bezugszeichenliste
-
- 10
- Kühlkörper
- 12
- isolierendes Substrat
- 12a
- isolierende Schicht
- 12b
- erstes Metallmuster
- 12c
- zweites Metallmuster
- 14
- Metallverbindungsteil
- 14a
- direkt unterhalb befindlicher Abschnitt
- 14b
- nicht direkt unterhalb befindlicher Abschnitt
- 14c
- Riss
- 16
- Metallverbindungsteil
- 18
- Halbleiter-Chip
- 20
- Metallverbindungsteil
- 20a
- Riss
- 22
- Halbleiter-Chip
- 50
- Gehäuse
- 52
- Anschluss
- 54
- gedruckte Schaltungsplatine
- 56
- Anschluss
- 60
- Anschlussfläche
- 62
- Lötmittel
- 64
- integrierter Schaltkreis, IC
- 64a
- Anschluss
- 70
- Hauptanschluss
Claims (4)
- Halbleitermodul, aufweisend: ein isolierendes Substrat (12), das eine isolierende Schicht (12a), ein erstes Metallmuster (12b), das auf einer oberen Oberfläche der isolierenden Schicht (12a) ausgebildet ist, und ein zweites Metallmuster (12c), das auf einer unteren Oberfläche der isolierenden Schicht (12a) ausgebildet ist, aufweist; einen Halbleiter-Chip (18, 22), der aus SiC ausgebildet und mit einem ersten Metallverbindungsteil (16, 20) an dem ersten Metallmuster (12b) befestigt ist; und einen Kühlkörper (10), der mit einem zweiten Metallverbindungsteil (14) an dem zweiten Metallmuster (12c) befestigt ist, ein Gehäuse (50), welches das isolierende Substrat (12) und den Halbleiter-Chip (18, 22) aufnimmt und an dem Kühlkörper (10) befestigt ist; und einen Steuerungs-IC (64), in welchem eine Treiberschaltung, die den Halbleiter-Chip (18, 22) treibt, und eine Schutzschaltung für den Halbleiter-Chip (18, 22) integriert sind, wobei der Steuerungs-IC (64) in dem Gehäuse (50) untergebracht ist, der Halbleiter-Chip (18, 22) eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 0,25 mm und gleich oder kleiner als 0,35 mm ist, und die isolierende Schicht (12a) eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 0,8 mm und gleich oder kleiner als 1,0 mm ist.
- Halbleitermodul gemäß
Anspruch 1 , wobei ein Material der isolierenden Schicht (12a) AIN, Al2O3 oder SiN ist. - Halbleitermodul gemäß
Anspruch 1 oder2 , wobei das zweite Metallverbindungsteil (14) einen sich direkt unterhalb befindlichen Abschnitt (14a), der direkt unterhalb des Halbleiter-Chips (18, 22) angeordnet ist, und einen sich nicht direkt unterhalb befindlichen Abschnitt (14b), der sich zu dem sich direkt unterhalb befindlichen Abschnitt (14a) erstreckt und nicht direkt unterhalb des Halbleiter-Chips (18, 22) angeordnet ist, aufweist, und ein Riss (20a), der in dem ersten Metallverbindungsteil (20) ausgebildet ist, kleiner ist als ein Riss (14c), der in dem sich nicht direkt unterhalb befindlichen Abschnitt (14b) ausgebildet ist. - Leistungswandler, der mindestens ein Halbleitermodul umfasst, das aufweist: ein isolierendes Substrat (12), das eine isolierende Schicht (12a), ein erstes Metallmuster (12b), das auf einer oberen Oberfläche der isolierenden Schicht (12a) ausgebildet ist, und ein zweites Metallmuster (12c), das auf einer unteren Oberfläche der isolierenden Schicht (12a) ausgebildet ist, aufweist; einen Halbleiter-Chip (18, 22), der aus SiC ausgebildet und mit einem ersten Metallverbindungsteil (16, 20) an dem ersten Metallmuster (12b) befestigt ist; einen Kühlkörper (10), der mit einem zweiten Metallverbindungsteil (14) an dem zweiten Metallmuster (12c) befestigt ist, ein Gehäuse (50), welches das isolierende Substrat (12) und den Halbleiter-Chip (18, 22) aufnimmt und an dem Kühlkörper (10) befestigt ist; und einen Steuerungs-IC (64), in welchem eine Treiberschaltung, die den Halbleiter-Chip (18, 22) treibt, und eine Schutzschaltung für den Halbleiter-Chip (18, 22) integriert sind, wobei der Steuerungs-IC (64) in dem Gehäuse (50) untergebracht ist, der Halbleiter-Chip (18, 22) eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 0,25 mm und gleich oder kleiner als 0,35 mm ist, und die isolierende Schicht (12a) eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 0,8 mm und gleich oder kleiner als 1,0 mm ist.
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