KR100693920B1 - 히트 스프레더, 이를 갖는 반도체 패키지 모듈 및 메모리모듈 - Google Patents

히트 스프레더, 이를 갖는 반도체 패키지 모듈 및 메모리모듈 Download PDF

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Abstract

히트 스프레더는 피냉각체의 열을 방출하는 방열부재 및 방열부재를 피냉각체에 고정시키기 위한 고정부재를 포함한다. 고정부재는 방열부재 상에 배치된 누름부, 누름부의 측면들로부터 연장되어 피냉각체에 맞대어진 지지부, 및 누름부의 양단으로부터 연장되어 피냉각체에 지지되는 후크부를 포함한다. 또한, 고정부재는 상기 누름부와 상기 후크부 사이를 연결하는 다리부를 더 포함한다. 누름부는 방열부재로부터 이격되어, 누름부와 방열 부재 사이에 벤딩 공간이 형성된다. 따라서, 히트 스프레더를 원-터치 방식으로 간단하게 피냉각체에 조립할 수가 있다. 또한, 다리부의 길이를 조절하여 상기 누름부 및 상기 지지부에 의한 상기 벤딩 공간의 높이를 조절함으로써 상기 누름부와 상기 방열부재와의 높이를 감소시킬 수 있다.

Description

히트 스프레더, 이를 갖는 반도체 패키지 모듈 및 메모리 모듈{HEAT SPREADER, SEMICONDUCTOR PACKAGE MODULE AND MEMORY MODULE HAVING THE HEAT SPREADER}
도 1은 종래의 히트 스프레더가 구비된 FBDIMM을 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 히트 스프레더가 결합된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3의 히트 스프레더를 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 3의 히트 스프레더를 제1 방향으로 바라본 정면도이다.
도 6은 도 3의 히트 스프레더를 제2 방향으로 바라본 측면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 사시도이다.
도 11은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 사시도이다.
도 12는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 분해 사시도이다.
도 13은 도 11의 반도체 패키지 모듈이 결합된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 14는 도 13의 ⅩⅣa-ⅩⅣb 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 15는 도 13의 ⅩⅤa-ⅩⅤb 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 16은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 메모리 모듈을 나타낸 분해 사시도이다.
도 17은 도 16의 메모리 모듈이 결합된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 18은 도 17의 메모리 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 19는 도 17의 ⅩⅨa-ⅩⅨb 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 20은 도 17의 ⅩⅩa-ⅩⅩb 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 21은 도 1의 메모리 모듈의 각 지점의 온도를 나타낸 그래프이다.
도 22는 도 17의 XXa-XXb 라인상을 따라서 메모리 모듈의 각 지점의 온도를 나타낸 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 히트 스프레더 110 : 방열 부재
120 : 고정 부재 131, 132, 133, 1340 : 지지부
135 : 누름부 141, 142 : 다리부
151, 152 : 후크부 160 : 열전도층
171, 172 : 걸림턱 181, 182 : 받침돌기
200 : 반도체 패키지 모듈 300 : 메모리 모듈
310 : AMB 패키지
본 발명은 히트 스프레더, 이를 갖는 반도체 패키지 모듈 및 메모리 모듈에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 풀리버퍼드 DIMM(Fully Buffered DIMM, FBDIMM)에 적용될 수 있는 히트 스프레더, 이러한 히트 스프레더를 갖는 반도체 패키지 모듈 및 메모리 모듈에 관한 것이다.
CPU의 속도가 증가함에 따라, CPU를 포함하는 시스템의 성능을 향상시키기 위해 메인 메모리의 속도와 집적도를 증가시키기 위한 노력이 지속적으로 이루어지고 있다.
메인 메모리의 데이터 입출력 속도의 증가를 위해 CPU와 메모리 사이에는 고속의 패킷 송수신이 가능한 버스 구조가 채용되며, 메인 메모리의 기억 용량의 증가를 위해 소정의 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB) 상에 복수의 메모리를 탑재한 메모리 모듈이 사용되고 있다.
메모리 모듈의 종류는 크게 싱글 인-라인 메모리 모듈(SIMM, Single In-lined Memory Module)과 듀얼 인-라인 메모리 모듈(DIMM, Dual In-lined Memory Module)로 나누어진다. SIMM은 인쇄회로기판)의 한쪽 면에만 메모리 칩으로 이루어지는 반도체 패키지들을 탑재한 것이며, DIMM은 인쇄회로기판의 양쪽 면 모두에 반도체 패키지들을 탑재한 것이다.
메모리 모듈의 사용으로 인해 메인 메모리의 기억 용량은 증가하게 된다.
또한, 메모리의 데이터 입출력 속도를 향상시키기 위해 메모리의 클럭 주파수를 상승시켜서 데이터의 전송 속도를 상승시켜야 한다. 또한, 메모리의 용량을 늘리기 위해서는 메모리 모듈에 탑재되는 메모리 칩의 수를 늘리거나 마더보드의 슬롯의 수를 증가시켜서 많은 메모리 모듈들을 마더보드에 실장한다.
그러나, 메모리의 클럭 주파수를 증가시키면, 메모리가 가지는 타이밍 마진이 줄어들고, 슬롯의 수를 증가시키면 전송 경로상에 로드(load)가 많이 발생하여 신호의 전송이 취약하게 된다. 이러한 로드의 발생을 보상하기 위한 DIMM이 레지스터드 DIMM(Registered DIMM)이다.
레지스터드 DIMM은 위상 동기 루프(Phase Locked Loop, PLL), 레지스터(103) 및 다수의 메모리들을 가진다. 레지스터드 DIMM은 마더보드에 실장되어 로드의 발생을 보상하는 장점을 가진다. 그러나, 슬롯이 많거나 클럭 주파수가 높은 경우, 전송 선로 상에서 반사파가 발생되어 전송 효율을 떨어뜨리는 단점을 가진다.
이러한 단점을 극복하기 위한 DIMM이 풀리버퍼드 DIMM(Fully Buffered DIMM, FBDIMM)이다. FBDIMM은 메모리 모듈 중앙에 에이엠비(Advanced Memory Buffer:AMB) 로직 칩과 같은 허브(Hub)를 진다.
AMB에서는 외부의 호스트-예를 들어 메모리 컨트롤러-로부터의 메모리 커맨드 및/또는 데이터를 포함하는 패킷 형태의 신호들을 제공받아 각 메모리 칩으로 제공하고, 상기 복수의 메모리 칩으로부터 출력된 데이터를 패킷화하여 상기 메모리 컨트롤러로 제공한다. 즉, FBDIMM에서는, 외부로부터의 신호들이 AMB를 경유해서 각 메모리 칩으로 전송된다. 따라서, 상기 신호들이 흐르게 되는 신호선들이 모 두 AMB에 연결된다. 이로 인하여, AMB에 높은 부하가 집중되므로 AMB에서 고열이 발생된다.
고열은 AMB의 수명을 단축시키고 AMB의 주변 회로의 동작 신뢰성에 악영향을 미치므로, AMB로부터 고열을 신속하게 외부로 방출시킬 것이 요구된다.
따라서, 종래의 FBDIMM은 AMB의 열방출을 위한 히트 스프레더(heat spreader)를 구비한다.
도 1은 종래의 히트 스프레더가 구비된 FBDIMM을 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, FBDIMM(10)은 PCB(1), PCB(1)의 양면 상에 실장된 복수개의 반도체 패키지(2)들, PCB(1)의 일면 상에 실장된 AMB(미도시) 및 AMB를 덮는 히트 스프레더(3)를 포함한다. 종래의 히트 스프레더(3)는 AMB 상에 고정된 박판 형상을 가지며, AMB와 일체로 되어 있다.
그러나, 종래의 히트 스프레더(3)는 방열 효과가 낮아서 AMB로부터 방출되는 열을 방열시키기 위한 열 특성(thermal characteristics)이 떨어지는 문제점이 있었다.
또한, 메모리 모듈에 사용되는 히트 스프레더는 원-터치 방식으로 히트 스프레더를 메모리 모듈에 체결하는 체결 공정을 단순화하여 히트 스프레더 체결 공정을 자동화할 필요가 있다.
본 발명은 개선된 방열 효과를 가지면서 원-터치(one-touch) 방식으로 피냉 각체와의 체결 공정을 자동화할 수 있는 히트 스프레더를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 히트 스프레더를 갖는 반도체 패키지 모듈을 제공한다.
아울러, 본 발명은 상기 히트 스프레더를 갖는 메모리 모듈을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 히트 스프레더는 피냉각체의 열을 방출하는 방열부재 및 방열부재를 피냉각체에 고정시키기 위한 고정부재를 포함한다. 고정부재는 상기 방열부재 상에 배치된 누름부와, 상기 누름부의 양단으로부터 연장되어 상기 피냉각체에 지지되는 후크부와, 상기 누름부의 측면들로부터 연장되어 상기 방열부재에 맞대어진 지지부를 포함한다. 상기 누름부는 상기 방열부재로부터 이격되어, 상기 누름부와 상기 방열 부재 사이에 벤딩 공간이 형성된다. 상기 고정부재는 탄성 재질로 이루어진다. 상기 고정부재는 상기 누름부와 상기 후크부 사이를 연결하는 다리부를 더 포함한다. 상기 다리부의 길이를 조절하여 상기 누름부 및 상기 지지부에 의한 상기 벤딩 공간의 높이를 조절함으로써 상기 누름부와 상기 방열부재와의 간격을 조절한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 히트 스프레더는 피냉각체의 열을 방출하는 방열부재와, 상기 방열부재와의 사이에 벤딩 공간을 형성하는 탄성 재질의 고정부재를 포함한다. 상기 히트 스프레더는 상기 피냉각체에 원-터치 방식으로 결합된다. 상기 고정부재는 상기 방열부재로부터 이격되어 상기 벤딩 공간을 형성하는 누름부와, 상기 누름부의 양측면들로부터 연장되어 상기 방열부재에 맞대어진 지지부 와, 상기 누름부의 양단들로부터 상기 피냉각체를 향해 연장된 다리부들와, 상기 다리부들에 형성되어, 상기 피냉각체에 지지되는 후크부를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 히트 스프레더는 피냉각체의 열을 방출하는 방열부재, 방열부재를 피냉각체에 고정시키기 위한 고정부재 및 방열부재와 피냉각체 사이에 개재된 열전도층을 포함한다. 방열부재는 제 1 표면과, 상기 제 1 표면과 반대측인 피냉각체를 향하는 제 2 표면과, 수용홈들이 형성된 측면들을 갖는다. 고정부재는 상기 방열부재의 상기 제 1 표면과의 사이에 벤딩 공간을 형성하도록 상기 방열부재에 결합되어, 상기 피냉각체에 원-터치 방식으로 결합된다. 상기 고정 부재는 상기 방열부재의 제 1 표면으로부터 이격되어 상기 벤딩 공간을 형성하는 누름부와, 상기 누름부의 양측면들로부터 연장되어 상기 방열부재의 제 1 표면에 맞대어진 제 1 내지 제 4 지지부들과, 상기 누름부의 양단들로부터 상기 수용홈들을 통해서 상기 피냉각체를 향해 연장되어, 상기 방열부재의 제 2 표면으로부터 노출된 제 1 및 제 2 다리부들과, 상기 제 1 및 제 2 다리부들에 형성되어, 상기 피냉각체에 지지되는 제 1 및 제 2 후크부들을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈은 걸림홈을 갖는 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 열을 방출시키기 위한 히트 스프레더를 포함한다. 히트 스프레더는 상기 반도체 패키지에 맞대어진 방열부재와, 상기 방열부재에 결합되고 상기 걸림홈을 통해서 상기 반도체 패키지에 걸려 지지되는 고정부재를 포함한다. 고정부재는 상기 방열부재 상에 이격되어 배치된 누름부와, 상기 방열부재의 양측면들로부터 연장되어 상기 방열부재에 맞대어진 지지부와, 상기 누름부의 양단부들로부터 연장되어 상기 피냉각체에 지지되는 후크부를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 메모리 모듈은 걸림홈을 갖는 인쇄회로기판과, 상기 인쇄회로기판의 제 1 표면 상에 실장된 복수개의 메모리 칩을 가지는 제 1 반도체 패키지들과, 상기 인쇄회로기판의 제 1 표면 상에 실장되고 복수의 신호라인을 통하여 메모리 컨트롤러로부터 제공된 메모리 커맨드 및 데이터를 상기 복수의 메모리 칩으로 제공하고 상기 복수의 메모리 칩으로부터 출력된 데이터를 패킷화하여 상기 메모리 컨트롤러로 제공하는 허브와, 상기 허브의 열을 방출하기 위한 히트 스프레더를 포함한다. 히트 스프레더는 상기 허브에서 발생되는 열을 방출하는 방열부재와, 상기 방열부재에 결합되어 상기 걸림홈을 통해서 상기 인쇄회로기판에 걸려 지지되며 상기 방열부재와의 사이에 벤딩 공간을 형성하는 탄성 재질의 고정부재를 포함한다. 고정부재는 상기 방열부재 상에 이격되어 배치된 누름부와, 상기 누름부의 양측면들로부터 연장되어 상기 방열부재에 맞대어진 지지부와, 상기 누름부의 양단부들로부터 연장되어 상기 인쇄회로기판에 지지되는 후크부를 포함한다.
상기 본 발명에 따르면, 고정부재는 방열부재 상에 배치된 누름부와 상기 누름부의 측면들로부터 연장되어 상기 방열부재의 표면에 맞대어진 지지부를 구비하며, 상기 방열 부재의 표면과 맞대어진 상태의 고정 부재를 인쇄회로기판의 걸림홈에 삽입시키면, 고정부재의 후크부가 인쇄회로기판에 걸려 지지된다. 따라서, 히트 스프레더를 원-터치 방식으로 간단하게 인쇄회로기판에 조립할 수가 있게 되어, 메모리 모듈의 조립 공정을 자동화시킬 수가 있게 된다.
또한, 고정부재는 누름부와 상기 누름부의 측면들로부터 연장되어 상기 방열부재에 맞대어진 지지부를 구비하며, 피냉각체의 열을 방출시키는 방열부재와 고정부재와의 사이에 소정의 벤딩 공간이 형성되고, 상기 고정 부재의 다리부의 길이를 조절하여 상기 방열부재와 상기 고정 부재간의 텐션(tension)을 유지하면서 상기 방열부재와 상기 고정 부재간의 상기 벤딩 공간의 높이를 조절함으로써 상기 히트 스프레더의 상기 인쇄회로 기판에 대한 두께를 줄일 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
히트 스프레더
실시예 1
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 분해 사시도이고, 도 3은 도 2의 히트 스프레더가 결합된 상태를 나타낸 사시도이며, 도 4는 도 3의 히트 스프레더를 나타낸 평면도이고, 도 5는 도 3의 히트 스프레더를 제1 방향으로 바라본 정면도이고, 도 6은 도 3의 히트 스프레더를 제2 방향으로 바라본 측면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 히트 스프레더(100)는 피냉각체(미도시)와 접촉하는 방열부재(110) 및 방열판(110)을 피냉각체에 고정시키기 위한 고정부재(120)를 포함한다. 여기서, 피냉각체는 예를 들어, 일반적인 반도체 패키지, FBDIMM의 에이엠비(AMB) 패키지(도 16 참조), 또는 에이엠비(AMB) 패키지가 실 장된 FBDIMM의 인쇄회로기판이 될 수 있다.
방열부재(110)는 제 1 표면(111a) 및 제 1 표면과 반대측인 피냉각체와 접촉하는 제 2 표면(111b)을 갖는 얇은 박판 형상을 갖는다. 방열부재(110)는 피냉각체의 상부에 위치하는 것이 일반적이므로, 제 1 표면(111a)이 상부에 위치하고 제 2 표면(111b)이 하부에 위치한다.
방열부재(110)는 피냉각체로부터 열을 전달받아 외부로 방출한다. 따라서, 방열부재(110)는 열전도율이 우수한 재질, 예를 들어서 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 또한, 방열부재(110)의 방열 면적을 확장시키기 위해서, 굴곡부(112)가 방열부재(110)의 제 1 표면에 형성될 수 있다. 방열부재(110)의 제1 표면에는 방열 면적을 확장시키기 위해서라면 상기 굴곡부(112)의 형태와 다른 형태의 요철부를 가질 수도 있음은 물론이다.
아울러, 2개의 수용홈(114)들이 제 1 방향을 향하는 방열부재(110)의 양측면에 형성된다. 수용홈(114)들의 기능에 대해서는 후술한다.
또한, 제 1 및 제 2 받침돌기부(181, 182)들이 방열부재(110)의 제 1 표면에 형성될 수도 있다. 제 1 및 제 2 받침돌기부(181, 182)들의 기능에 대해서는 후술한다.
고정부재(120)는 방열부재(110)의 제 1 표면(111a) 상부에 배치된 누름부(135), 누름부(135)의 양측면들로부터 연장되어 방열부재(110)의 제 1 표면(111a)에 맞대어진 제 1 내지 제 4 지지부(131, 132, 133, 134)들, 누름부(135)의 양단으로부터 피냉각체를 향해서 하방으로 연장된 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들, 그 리고 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 하단부 각각에 형성된 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들을 포함한다. 본 실시예에서는, 고정부재(120)는 탄성 재질-예를 들어 구리 재질-로 이루어질 수 있다.
도 3을 참조하면, 누름부(135)는 방열부재(110)의 제 1 표면(111a)으로부터 이격된 상태로 제 1 방향을 따라 연장된다. 즉, 누름부(135)와 방열부재(110)의 제 1 표면(111a) 사이에는 벤딩 공간(S)이 형성된다.
여기서, 제 1 및 제 2 받침돌기부(181, 182)들은 벤딩 공간(S) 내에서 누름부(135)의 길이 방향을 따라 서로 소정 거리만큼 이격되도록 위치한다. 특히, 제 1 및 제 2 받침돌기부(181, 182)들은 누름부(135) 아래의 제 1 표면(111a) 중앙부 양측에 위치한다.
따라서, 고정 부재(100)를 피냉각체에 결합하는 과정에서 누름부(135)의 중앙부가 눌려지면, 누름부(135)의 양측 밑면이 제 1 및 제 2 받침돌기부(181, 182)들에 의해 받쳐지게 된다. 즉, 누름부(135)가 눌려지면 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들이 피냉각체의 양측벽으로부터 약간 벌어진 상태로 하강하게 된다. 그런 다음, 복원력에 의해 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들이 안쪽으로 오므려지게 되어, 피냉각체에 걸려 지지된다.
제 1 및 제 2 지지부(131, 132)들은 누름부(135)의 좌측면에 해당하는 제 1 측면으로부터 연장되어서, 방열부재(110)의 제 1 표면(111a)의 좌측 부분 상에 맞대어져 고정된다. 제 1 및 제 2 지지부(131, 132)들은 실질적으로 평행하게 연장된다. 또한, 제 3 및 제 4 지지부(133, 134)들은 누름부(135)의 우측면에 해당하는 제 2 측면으로부터 연장되어서, 방열부재(110)의 제 1 표면(111a)의 우측 부분 상에 맞대어지도록 고정된다. 제 3 및 제 4 지지부(133, 134)들로 실질적으로 평행을 이룬다. 특히, 제 1 및 제 3 지지부(131, 133)들은 제 1 라인 상에 위치하고, 제 2 및 제 4 지지부(132, 134)들은 제 1 라인과 실질적으로 평행한 제 2 라인 상에 위치한다. 제 1 및 제 2 라인들은 누름부(135)의 길이 방향과 실질적으로 직교를 이룬다. 따라서, 제 1 내지 제 4 지지부(131, 132, 133, 134)들은 누름부(135)와 실질적으로 직교를 이룬다. 즉, 제 1 내지 제 4 지지부(131, 132, 133, 134)들과 방열부재(110)의 제 1 표면(111a) 사이에는 벤딩 공간(S)이 형성된다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들은 누름부(135)의 양단으로부터 연직 하방을 향해서 연장된다. 특히, 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들은 방열부재(110)의 양측면 외곽을 통해서 연장되어, 방열부재(110)의 제 2 표면(111b)으로부터 노출된다. 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 유동을 방지하기 위해서, 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들은 방열부재(110)의 수용홈(114)들에 수용되어, 수용홈(114)들의 내벽에 밀착된다. 또한, 방열부재(110)의 제 2 표면(111b)에 걸려 지지되는 제 1 및 제 2 걸림턱(171, 172)들이 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)의 내측면에 형성된다.
제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들은 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 각 하단에 형성된다. 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들은 피냉각체의 걸림홈(미도시)들에 삽입되어 피냉각체에 걸려 지지됨으로써, 히트 스프레더(100)를 피냉각체에 원-터치 방식으로 조립시킬 수 있도록 하는 역할을 한다. 제 1 및 제 2 후크부 (151, 152)들은 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 길이 방향에 대해서 예각을 이룬다. 본 실시예에서는, 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들이 방열부재(110)의 중앙을 향해서 절곡된 형상을 갖는다. 한편, 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들의 절곡 각도와 형상은 피냉각체의 걸림홈에 형상에 따라 변경될 수 있다.
도 5의 제 1 내지 제 4 지지부(131, 132, 133, 134)들은 방열부재의 제1 표면(111a)과 α 각도를 이룬다. 상기 α 각도는 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 길이를 조절함으로써 조절된다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 길이가 짧아지면 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들이 피냉각체의 걸림홈에 삽입되면서 α 각도가 감소하여 누름부(135) 및 제 1 내지 제 4 지지부(131, 132, 133, 134)들의 텐션(tension)이 증가하고, 그 결과, 누름부와 상기 방열부재와의 간격(Ta)을 줄일 수 있다.
부가적으로, 피냉각체의 열을 방열부재(110)로 신속하게 전달하기 위해서, 열전도층(160:thermal interface layer)이 방열부재(110)의 제 2 표면과 피냉각체 사이에 개재될 수 있다. 예를 들어, 열전도층(160)은 구리와 같은 열전도성 물질로 이루어질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 방열 부재(110)의 제1 표면(110a)과 맞대어진 지지부재(131,132,133,134)를 가지는 고정 부재(100)의 후크부(151, 152)를 피냉각체의 걸림홈에 삽입되도록 누름부(135)를 누르는 동작만으로 고정부재(100)의 후크부가 피냉각체의 걸림홈에 걸려 지지된다. 따라서, 히트 스프레더를 원-터치 방식으로 간단하게 피냉각체에 조립할 수가 있다.
실시예 2
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 평면도이다.
본 실시예에 따른 히트 스프레더(100a)는 지지부를 제외하고는 실시예 1에 따른 히트 스프레더(100)와 실질적으로 동일한 구성요소들로 이루어진다. 따라서, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 부재들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 제 1 보조 지지부(136)가 제 1 및 제 2 지지부(131, 132)들의 하단들 사이에 연결되어, 방열부재(110)의 제 1 표면에 맞대어진다. 제 2 보조 지지부(137)가 제 3 및 제 4 지지부(133, 134)들의 하단들 사이에 연결되어, 방열부재(110)의 제 1 표면에 맞대어진다. 제 1 및 제2 보조 지지부(136, 137)는 상기 제 1 및 제 2 지지부(131, 132)들의 하단들과 연결된 부분에서 방열부재(110)의 제 1 표면에 맞대어지고, 나머지 부분에서는 방열 부재(110)의 제1 표면(111a)과의 사이에 벤딩 공간이 존재할 수도 있다.
따라서, 제 1 및 제 2 보조 지지부(136, 137)들은 누름부(135)의 길이 방향과 실질적으로 평행을 이룬다. 제 1 및 제 2 보조 지지부(136, 137)들은 누름부(135)를 보다 견고하게 지지하는 역할을 한다.
실시예 3
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 평면도이다.
본 실시예에 따른 히트 스프레더(100b)는 지지부를 제외하고는 실시예 1에 따른 히트 스프레더(100)와 실질적으로 동일한 구성요소들로 이루어진다. 따라서, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 부재들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 제 1 및 제 4 지지부(131b, 134b)들은 누름부(135)의 길이 방향과 예각을 이루는 제 1 경사선 상에 위치한다. 제 2 및 제 3 지지부(132b, 133b)들은 누름부(135)의 길이 방향과 예각을 이루는 제 2 경사선 상에 위치한다. 제 1 및 제 2 경사선들은 서로 교차하여, 대략 십자형상을 이룬다. 즉, 제 1 및 제 4 지지부(131b, 134b)들과 제 2 및 제 3 지지부(132b, 133b)들이 십자 형태로 교차한다.
실시예 4
도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 사시도이다.
본 실시예에 따른 히트 스프레더(100c)는 후크부를 제외하고는 실시예 1에 따른 히트 스프레더(100)와 실질적으로 동일한 구성요소들로 이루어진다. 따라서, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 부재들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 제 1 후크부(미도시)와 제 2 후크부(152c)는 방열부재(110)의 중앙의 반대측, 즉 방열부재(110)의 외곽을 향해서 절곡된 형상을 갖는다. 제 1 후크부와 제 2 후크부(152c)는 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들에 대해서 예 각을 이루는 것은 실시예 1과 동일하다.
실시예 5
도 10은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 사시도이다.
본 실시예에 따른 히트 스프레더(100d)는 후크부를 제외하고는 실시예 1에 따른 히트 스프레더(100)와 실질적으로 동일한 구성요소들로 이루어진다. 따라서, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 부재들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 10을 참조하면, 제 1 후크부(미도시)와 제 2 후크부(152d) 각각은 방열부재(110)의 중앙을 향해서 절곡된 내측 절곡부(153d), 및 방열부재(110)의 외곽을 향해서 절곡된 외측 절곡부(154d)들을 포함한다. 즉, 본 실시예에 따른 제 1 후크부와 제 2 후크부(152d)들은 제 1 및 제 4 실시예들의 후크부들이 합쳐진 형상을 갖는다.
따라서, 본 실시예에 따르면, 내외측 절곡부(153d, 154d)들이 피냉각체에 걸려 지지되므로, 히트 스프레더(100d)를 피냉각체에 보다 견고하게 고정시킬 수가 있다.
실시예 6
도 11은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 히트 스프레더를 나타낸 사시도이다.
본 실시예에 따른 히트 스프레더(100e)는 후크부를 제외하고는 실시예 1에 따른 히트 스프레더(100)와 실질적으로 동일한 구성요소들로 이루어진다. 따라서, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 부재들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 제 1 후크부(미도시)와 제 2 후크부(152e)는 삼각뿔 형상을 갖는다. 삼각뿔 형상의 제 1 후크부와 제 2 후크부(152e)는 피냉각체의 걸림홈이 원형일 경우에 유용하게 적용될 수 있다. 즉, 피냉각체의 걸림홈이 원형 형상을 갖는다면, 원형의 걸림홈을 통해 삽입된 삼각뿔 형상의 제 1 후크부와 제 2 후크부(152e)의 평평한 상부면이 피냉각체에 전체적으로 걸려 지지될 수 있게 된다.
반도체 패키지 모듈
실시예 7
도 12는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 분해 사시도이고, 도 13은 도 12의 반도체 패키지 모듈이 결합된 상태를 나타낸 사시도이고, 도 14는 도 13의 ⅩⅣa-ⅩⅣb 선을 따라 절단한 단면도이며, 도 15는 도 13의 ⅩⅤa-ⅩⅤb 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 12 내지 도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈(200)은 반도체 패키지(210), 반도체 패키지(210)에서 발생하는 열을 방출하기 위한 히트 스프레더(100)를 포함한다.
히트 스프레더(100)는 열전도층(160)을 매개로 반도체 패키지(210)의 표면에 부착된다. 여기서, 히트 스프레더(100)는 실시예 1에서 상세히 설명되었으므로, 여 기에서는 반복하여 설명하지 않는다. 한편, 실시예 1에 따른 히트 스프레더(100) 뿐만 아니라 제 2 내지 제 6 실시예들에 따른 히트 스프레더들도 반도체 패키지 모듈(200)에 채용될 수 있다.
반도체 패키지(210)는 반도체 칩(220, 도 14), 반도체 칩(220)을 둘러싸는 몰드(230) 및 반도체 칩(220)과 전기적으로 연결되어 몰드(230)의 밑면에 배열된 솔더 볼(240)들을 포함한다. 몰드(230)는 열전도층(160)을 매개로 히트 스프레더(100)의 방열부재(110)에 맞대어진다.
한편, 본 실시예에 적용된 반도체 패키지(210)는 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array; BGA) 패키지이다. 본 실시예들은 BGA 패키지뿐만 아니라 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package: CSP), 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package: WLP) 등과 같은 다른 유형의 패키지들에도 적용될 수 있다.
제 1 및 제 2 걸림홈(231, 232)들이 몰드(230)의 양측면에 형성된다. 히트 스프레더(100)의 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들이 제 1 및 제 2 걸림홈(231, 232)에 삽입되어, 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들이 몰드(230)의 밑면에 걸려 지지된다. 한편, 제 1 걸림홈(231)은 몰드(230)의 일측면에 형성되고, 제 2 걸림홈(232)은 몰드(230)의 타측면과 인접한 부위에 관통 형성될 수도 있다.
즉, 히트 스프레더(100)를 몰드(230)의 표면상에 배치한 상태에서 누름부(135)의 중앙 부위를 누르게 되면, 벤딩 공간(S)으로 누름부(135)가 눌려지게 된다. 이때, 제 1 및 제 2 받침돌기부(181, 182)들이 누름부(135)를 지지하게 되어, 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들이 양측으로 약간 벌어진 상태로 제 1 및 제 2 걸 림홈(231, 232)들로 삽입된다. 이어서, 누름부(135)를 누르던 외력을 제거하면, 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들이 탄성력에 의해 원위치로 복귀하면서 몰드(230)의 밑면에 견고하게 걸려 지지된다.
이와 같이, 본 실시예에 따르면, 누름부(135)를 한 번 누르는 원-터치 방식으로 히트 스프레더(100)를 반도체 패키지(210)에 손쉽게 조립시킬 수가 있다.
도 15의 제 1 내지 제 4 지지부들(131,132,133,134)은 방열부재의 제1 표면(111a)과 α 각도를 이룬다. 상기 α 각도는 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 길이를 조절함으로써 조절된다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 길이가 짧아지면 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들이 반도체 패키지(210)의 걸림홈(231, 232)에 삽입되면서 α 각도가 감소하여 누름부(135) 및 제 1 내지 제 4 지지부(131, 132, 133, 134)들의 텐션(tension)이 증가하고, 그 결과, 누름부(135)와 상기 방열부재(100)와의 간격(Tb)을 줄일 수 있다.
메모리 모듈
실시예 8
도 16은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 메모리 모듈을 나타낸 분해 사시도이고, 도 17은 도 16의 메모리 모듈이 결합된 상태를 나타낸 사시도이고, 도 18은 도 17의 메모리 모듈을 나타낸 평면도이며, 도 19는 도 17의 ⅩⅨa-ⅩⅨb 선을 따라 절단한 단면도이며, 도 20은 도 17의 ⅩⅩa-ⅩⅩb 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 16 내지 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 메모리 모듈(300)은 인쇄회로기판(340), 인쇄회로기판(340)의 제 1 표면 중앙에 실장된 AMB 패키지(310), 인쇄회로기판(340)의 제 1 표면 양측에 실장된 복수개의 제 1 반도체 패키지(320)들, 제 1 표면과 반대되는 인쇄회로기판(340)의 제 2 표면에 실장된 복수개의 제 2 반도체 패키지(330)들 및 인쇄회로기판(340)의 AMB 패키지(310) 상에 설치되어 AMB 패키지(310)의 열을 방출하기 위한 히트 스프레더(100)를 포함한다.
여기서, 히트 스프레더(100)는 실시예 1에서 상세히 설명되었으므로, 여기에서는 반복하여 설명하지 않는다. 한편, 실시예 1에 따른 히트 스프레더(100) 뿐만 아니라 제 2 내지 제 6 실시예들에 따른 히트 스프레더들도 메모리 모듈(300)에 채용될 수 있다.
또한, 제 1 및 제 2 반도체 패키지(320, 330)들은 걸림홈을 제외하고는 실시예 7의 반도체 패키지(200)와 실질적으로 동일한 구성요소들로 이루어지므로, 제 1 및 제 2 반도체 패키지(320, 330)들에 대한 설명은 생략한다.
AMB 패키지(310)는 솔더 볼을 매개로 인쇄회로기판(340)의 제 1 표면상에 실장된 AMB 기판(312), 솔더 볼을 매개로 AMB 기판(312)의 표면 중앙 상에 실장된 AMB 칩(314), 및 AMB 기판(312)의 제 1 표면 양측 상에 실장된 수동 소자 반도체 칩(316)들을 포함한다. AMB 칩(314)이 열전도층(160)을 매개로 히트 스프레더(100)의 방열부재(110)에 접촉된다. AMB 칩(314)은 메모리 컨트롤러(미도시)와 각 메모리들간에 허브(Hub) 기능을 수행하며, AMB 칩(314)에는 인쇄회로기판(340)의 제 1 표면상에 형성된 복수개의 외부 신호선(345)들이 연결된다. AMB 칩(314)은 외부 신 호선(345)을 통해 입력된 호스트-예를 들어 메모리 컨트롤러-로부터 제공된 메모리 커맨드 및 데이터를 상기 각 반도체 패키지(320, 330)들 내의 메모리로 선택적으로 전송하고, 상기 복수의 메모리로부터 출력된 데이터를 패킷화하여 호스트로 전송한다.
인쇄회로기판(340)은 제 1 및 제 2 걸림홈(341, 342)들을 갖는다. 제 1 걸림홈(341)은 인쇄회로기판(340)의 일측면으로부터 형성된다. 제 2 걸림홈(342)은 인쇄회로기판(340)의 타측면과 인접한 부위에 관통 형성된다. 히트 스프레더(100)의 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들이 제 1 및 제 2 걸림홈(341, 342)들에 삽입되어, 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들이 인쇄회로기판(340)의 제 2 표면에 걸려 지지된다. 또는, 제 1 및 제 2 걸림홈(341, 342)들은 인쇄회로기판(340)의 양측면으로부터 형성될 수도 있고, 인쇄회로기판(340)에 관통 형성될 수도 있다.
히트 스프레더(100)의 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들을 상기 제 1 및 제 2 걸림홈(341, 342)들에 대응하는 AMB 패키지(310)의 표면 상에 위치시킨 상태에서 누름부(135)의 중앙 부위를 누르게 되면, 벤딩 공간(S)으로 누름부(135)가 눌려지게 된다. 이때, 제 1 및 제 2 받침돌기부(181, 182)들이 누름부(135)를 지지하게 되어, 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들이 양측으로 약간 벌어진 상태로 제 1 및 제 2 걸림홈(341, 342)들로 삽입된다. 이어서, 누름부(135)를 누르던 외력을 제거하면, 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들이 탄성력에 의해 원위치로 복귀하면서 인쇄회로기판(340)의 밑면에 걸려 지지된다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 누름부(135)를 한 번 누르는 원-터치 방식으 로 히트 스프레더(100)를 인쇄회로기판(340)에 손쉽게 조립시킬 수가 있다.
도 20을 참조하면, 제 1 내지 제 4 지지부(131, 132, 133, 134)들은 방열부재(110)의 제1 표면(111a)과 α 각도를 이룬다. 상기 α 각도는 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 길이를 조절함으로써 조절된다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 길이가 짧아지면 제 1 및 제 2 다리부(141, 142)들의 제 1 및 제 2 후크부(151, 152)들이 인쇄회로기판(340)의 걸림홈(341, 342)에 삽입되면서 α 각도가 감소하여 누름부(135) 및 제 1 내지 제 4 지지부(131, 132, 133, 134)들의 텐션(tension)이 증가하고, 그 결과, 누름부(135)와 상기 방열부재(110)와의 간격(T5)을 줄일 수 있다.
한편, 본 실시예에서는, 인쇄회로기판(340)의 양면에 반도체 패키지(320, 330)들이 실장된 구조를 갖는 FBDIMM에 히트 스프레더(100)가 적용된 것으로 예시적으로 설명하였으나, 히트 스프레더(100)는 인쇄회로기판의 일면에만 반도체 패키지들이 실장된 구조를 갖는 SIMM 등과 같은 다른 메모리 모듈에도 적용될 수 있다.
메모리 모듈의 두께 측정
도 20에 도시된 본 발명에 따른 메모리 모듈(300)과 히트 스프레더에서의 각 지점들에서의 두께들을 측정한 결과가 하기 표1에 나타나 있다.
두께(mm) T1 T2 T3 T4
JEDEC 8.20 6.80 5.20 1.40
본 발명 7.70 6.242 4.596 1.40
상기 표1에서, JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)은 메모리 모듈의 국제표준규격을 제정하는 기구로서, 각 제조사들은 JEDEC에서 제정한 국제표준규격에 부합하도록 메모리 모듈을 제조해야 한다.
T1은 히트 스프레더(100)의 누름부(315)의 표면으로부터 제 2 패키지(330)의 밑면까지의 두께이고, T2는 히트 스프레더(100)의 누름부(315)의 표면으로부터 인쇄회로기판(340)의 밑면까지의 두께이며, T3은 방열 부재(110)의 표면으로부터 인쇄회로기판(340)의 밑면까지의 두께이고, T4는 제 2 패키지(330)의 두께이며, T5는히트 스프레더(100)의 누름부(315)의 표면으로부터 방열 부재(110)의 표면까지의 두께이다.
본 발명의 실시예들에서는 히트 스프레더의 다리부(141, 142)의 길이를 조절하여 T5 두께를 감소시킴으로써 두께 T2 및 T3을 줄일 수 있다.
상기 표1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 메모리 모듈(300)이 갖는 두께 T1, T2 및 T3은 JEDEC에서 규정한 두께들보다 얇아서, JEDEC의 국제표준규격을 만족한다.
메모리 모듈의 온도 측정
도 1에 도시된 종래의 메모리 모듈과 도 18에 도시된 본 발명의 메모리 모듈에 대해서 인쇄회로기판의 길이 방향을 따라 온도들을 측정하였다.
도 21은 히트 스프레더(3)가 인쇄회로기판(1)에 장착된 상태에서 도 1의 인쇄회로기판의 길이 방향에 따라 메모리 모듈의 각 지점의 온도를 나타낸 그래프이다.
도 21을 참조하면, S11 구간은 히트 스프레더(3)가 배치된 메모리 모듈의 제1 표면을 따라 메모리 모듈의 각 지점의 온도를 측정한 결과를 나타내고, S12 구간은 제1 표면의 반대면인 메모리 모듈의 밑면을 따라 메모리 모듈의 각 지점의 온도를 측정한 결과를 나타낸다. 또한, S13 구간은 AMB에서 측정한 온도를 나타낸다. 특히, P11 점은 메모리 모듈의 제1 표면상의 AMB에 대응하는 위치의 인쇄회로기판(1)에서 측정한 온도를 나타내고, P12 점은 메모리 모듈의 제1 표면의 반대면의 AMB에 대응하는 위치의 인쇄회로기판(1)에서 측정한 온도를 나타내고, P13점은 메모리 모듈의 제1 표면상의 AMB에서 직접 측정한 온도를 나타낸다.
도 21에 나타난 바와 같이, AMB가 위치한 부분들(P11, P12, P13)의 온도가 다른 부분들의 온도보다 높은 것으로 나타났다. 특히, AMB 자체에서 측정된 최고 온도는 약 111℃인 것으로 나타났다.
도 22는 히트 스프레더(100)가 인쇄회로기판(340)에 장착된 상태에서 도 17의 XXa-XXb 라인상을 따라서 메모리 모듈의 각 지점의 온도를 나타낸 그래프이다. 도 22에서, S21 구간은 히트 스프레더(100)가 배치된 메모리 모듈의 제1 표면을 따라 메모리 모듈의 각 지점의 온도를 측정한 결과를 나타내고, S22 구간은 제1 표면의 반대면인 메모리 모듈의 밑면을 따라 메모리 모듈의 각 지점의 온도를 측정한 결과를 나타낸다. 또한, S23 구간은 AMB(310)에서 측정한 온도를 나타낸다. 특히, P21 점은 메모리 모듈의 제1 표면상의 AMB(310)에 대응하는 위치의 인쇄회로기판(340)에서 측정한 온도를 나타내고, P22 점은 메모리 모듈의 제1 표면의 반대면의 AMB(310)에 대응하는 위치의 인쇄회로기판에서 측정한 온도를 나타내고, P13점은 메모리 모듈의 제1 표면상의 AMB(310)에서 직접 측정한 온도를 나타낸다.
도 22에 나타난 바와 같이, AMB가 위치한 부분들(P11, P12, P13)의 온도가 다른 부분들의 온도보다 높은 것으로 나타났다. 특히, AMB 자체에서 측정된 최고 온도는 종래의 메모리 모듈의 최고 온도인 111℃보다 16℃가 낮은 95℃인 것으로 나타났다.
이와 같이, 본 발명에 따른 히트 스프레더는 종래의 히트 스프레더보다 개선된 방열특성을 갖는다는 것을 알 수 있었다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 히트 스프레더를 원-터치 방식으로 인쇄회로기판에 간단하게 조립할 수가 있다. 따라서, 메모리 모듈의 조립 공정을 자동화시킬 수가 있게 된다.
또한, 본 발명의 히트 스프레더는 개선된 방열 특성을 가짐으로써, FBDIMM 메모리 모듈의 신호라인들이 집중 배선된 AMB에서 발생된 고열을 외부로 신속하게 배출시킬 수가 있다.
아울러, 본 발명의 히트 스프레더는 상대적으로 얇은 두께를 가져서, JEDEC의 국제표준규격을 만족한다.
이상에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (43)

  1. 피냉각체의 열을 방출하는 방열부재; 및
    상기 방열부재의 상면에 배치된 누름부와, 상기 누름부의 양단으로부터 연장되어 상기 피냉각체에 지지되고 상기 누름부의 복원에 의해 상기 피냉각체를 상기 방열부재의 하면에 결합시키는 후크부와, 상기 누름부의 측면들로부터 연장되어 상기 누름부가 지지될 수 있도록 상기 방열부재에 맞대어진 지지부로 이루어지는 고정부재를 포함하는 히트 스프레더.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 누름부는 상기 방열부재로부터 이격되어, 상기 누름부와 상기 방열 부재 사이에 벤딩 공간이 형성된 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 지지부는
    상기 누름부의 제 1 측면으로부터 연장되어 상기 방열부재에 맞대어진 제 1 지지부;
    상기 제1 지지부와 소정 간격을 두고 상기 누름부의 제 1 측면으로부터 연장되어 상기 방열부재에 맞대어진 제 2 지지부;
    상기 누름부의 제 2 측면으로부터 연장된 제 3 지지부; 및
    상기 제3 지지부와 소정 간격을 두고 상기 누름부의 제 2 측면으로부터 연장되어 상기 방열부재에 맞대어진 제 4 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 3 지지부들은 제 1 라인 상에 위치하고, 상기 제 2 및 제 4 지지부들은 제 1 라인과 다른 제 2 라인 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 라인들은 실질적으로 서로 평행한 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 라인들은 서로 교차하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 지지부는
    상기 제 1 및 제 2 지지부들 사이에 연결되어, 상기 방열부재에 고정되는 제 1 보조 지지부; 및
    상기 제 3 및 제 4 고정부들 사이에 연결되어, 상기 방열부재에 고정되는 제 2 보조 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 후크부는 상기 방열부재의 중앙을 향해서 절곡된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 후크부는 상기 방열부재의 외곽을 향해서 절곡된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 후크부는 상기 방열부재의 중앙과 외곽을 향해서 각각 절곡된 내외측 절곡부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 후크부들은 삼각뿔 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 고정부재는 탄성 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 고정부재는 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 고정부재는 상기 누름부와 상기 후크부 사이를 연결하는 다리부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 다리부를 수용하는 수용홈이 상기 방열부재의 측면에 형성된 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 다리부는 상기 방열부재에 걸려 지지되는 걸림턱을 갖는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 다리부의 길이를 조절하여 상기 누름부 및 상기 지지부에 의한 상기 벤딩 공간의 높이를 조절함으로써 상기 누름부와 상기 방열부재와의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  18. 제 1 항에 있어서, 상기 방열부재는 상기 누름부를 받치는 적어도 하나의 받침돌기를 갖는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 방열부재는 상기 누름부의 길이 방향을 따라 이격된 제 1 및 제 2 돌기부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 방열부재는 굴곡부를 갖는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 굴곡부는 상기 피냉각체의 반대쪽에 위치하는 상기 방열부재의 일면에 형성된 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  22. 제 1 항에 있어서, 상기 방열부재는 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  23. 제 1 항에 있어서, 상기 방열부재와 상기 피냉각체 사이에 개재된 열전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  24. 제 1 항에 있어서, 상기 피냉각체에 원-터치 방식으로 결합되는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 제 1 표면과, 상기 제 1 표면과 반대측인 피냉각체를 향하는 제 2 표면과, 수용홈들이 형성된 측면들을 갖는 방열부재;
    상기 방열부재의 상기 제 1 표면과의 사이에 벤딩 공간을 형성하도록 상기 방열부재에 결합되어, 상기 피냉각체에 원-터치 방식으로 결합되는 고정부재; 및
    상기 방열판의 상기 제 2 표면과 상기 피냉각체 사이에 개재된 열전도층을 포함하고,
    상기 고정부재는
    상기 방열부재의 제 1 표면으로부터 이격되어 상기 벤딩 공간을 형성하는 누름부;
    상기 누름부의 양측면들로부터 연장되어 상기 방열부재의 제 1 표면에 맞대어진 제 1 내지 제 4 지지부들;
    상기 누름부의 양단들로부터 상기 수용홈들을 통해서 상기 피냉각체를 향해 연장되어, 상기 방열부재의 제 2 표면으로부터 노출된 제 1 및 제 2 다리부들; 및
    상기 제 1 및 제 2 다리부들에 형성되어, 상기 피냉각체에 지지되는 제 1 및 제 2 후크부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 고정부재는
    상기 제 1 및 제 2 지지부들 사이에 연결되어, 상기 방열부재의 제 1 표면에 맞대어진 제 1 보조 지지부; 및
    상기 제 3 및 제 4 고정부들 사이에 연결되어, 상기 방열부재의 제 1 표면에 맞대어진 제 2 보조 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  34. 제 32 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 다리부들은 상기 방열부재의 제 2 표면에 걸려 지지되는 걸림턱들을 각각 갖는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  35. 제 32 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 후크부들은 상기 방열판의 제 2 표면의 중앙을 향해서 절곡된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 히트 스프레더.
  36. 걸림홈을 갖는 반도체 패키지; 및
    상기 반도체 패키지에 맞대어진 방열부재와, 상기 방열부재에 결합되고 상기 걸림홈을 통해서 상기 반도체 패키지에 걸려 지지되는 고정부재로 이루어진 히트 스프레더를 포함하고,
    상기 고정부재는
    상기 방열부재의 상면에 이격되어 배치된 누름부;
    상기 누름부의 양측면들로부터 연장되어 상기 누름부가 지지될 수 있도록 상기 방열부재에 맞대어진 지지부; 및
    상기 누름부의 양단부들로부터 연장되어 상기 피냉각체에 지지되고 상기 누름부의 복원에 의해 상기 피냉각체를 상기 방열부재의 하면에 결합시키는 후크부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 반도체 패키지는
    반도체 칩;
    상기 반도체 칩을 둘러싸고, 상기 방열부재에 맞대어지며, 상기 걸림홈이 형성된 몰드; 및
    상기 몰드에 부착되고, 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결된 솔더 볼을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  38. 제 36 항에 있어서, 상기 누름부는 상기 방열부재로부터 이격되어, 상기 누름부와 상기 방열 부재 사이에 벤딩 공간이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  39. 제 36 항에 있어서, 상기 방열부재와 상기 반도체 패키지 사이에 개재된 열전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  40. 걸림홈을 갖는 인쇄회로기판;
    상기 인쇄회로기판의 제 1 표면 상에 실장된 복수개의 메모리 칩을 가지는 제 1 반도체 패키지들;
    상기 인쇄회로기판의 제 1 표면 상에 실장되고, 복수의 신호라인을 통하여 메모리 컨트롤러로부터 제공된 메모리 커맨드 및 데이터를 상기 복수의 메모리 칩으로 제공하고 상기 복수의 메모리 칩으로부터 출력된 데이터를 패킷화하여 상기 메모리 컨트롤러로 제공하는 허브; 및
    상기 허브에서 발생되는 열을 방출하는 방열부재와, 상기 방열부재에 결합되어 상기 걸림홈을 통해서 상기 인쇄회로기판에 걸려 지지되며 상기 방열부재와의 사이에 벤딩 공간을 형성하는 탄성 재질의 고정부재로 이루어진 히트 스프레더를 포함하고,
    상기 고정 부재는
    상기 방열부재 상면에 이격되어 배치된 누름부;
    상기 누름부의 양측면들로부터 연장되어 상기 누름부가 지지될 수 있도록 상기 방열부재에 맞대어진 지지부; 및
    상기 누름부의 양단부들로부터 연장되어 상기 인쇄회로기판에 지지되고 상기 누름부의 복원에 의해 상기 인쇄회로기판을 상기 방열부재의 하면에 결합시키는 후크부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  41. 삭제
  42. 제 40 항에 있어서, 상기 인쇄회로기판의 제 2 표면 상에 실장된 복수의 메모리칩을 가지는 복수개의 제 2 반도체 패키지들을 더 포함하는 것을 특징으로 하 는 메모리 모듈.
  43. 제 40 항에 있어서, 상기 방열부재와 상기 허브 사이에 개재된 열전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
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