DE102008033465A1 - Halbleiterbaugruppe mit einem Gehäuse - Google Patents
Halbleiterbaugruppe mit einem Gehäuse Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008033465A1 DE102008033465A1 DE102008033465A DE102008033465A DE102008033465A1 DE 102008033465 A1 DE102008033465 A1 DE 102008033465A1 DE 102008033465 A DE102008033465 A DE 102008033465A DE 102008033465 A DE102008033465 A DE 102008033465A DE 102008033465 A1 DE102008033465 A1 DE 102008033465A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- housing
- electrically insulating
- inner housing
- insulating substrate
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 21
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 21
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 21
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32153—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/32175—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
- H01L2224/32188—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
Es werden eine Halbleiterbaugruppe, ein Leistungshalbleitermodul, ein Gehäuse und Verfahren zum Zusammenbauen des Leistungshalbleitergehäuses offenbart. Eine Ausführungsform mit einem elektrisch isolierenden Substrat besitzt ein inneres Gehäuse mit einer Abdeckung und einer Randzone und mindestens ein neben einer Seitenfläche der Randzone angeordnetes Druckelement. Das Druckelement wird elastisch mit dem inneren Gehäuse gekoppelt.
Description
- Stand der Technik
- Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Leistungshalbleitermodul und ein Gehäuse für ein Leistungshalbleitermodul.
- Ein Leistungshalbleitermodul stellt mindestens zwei Leistungshalbleiterkomponenten bereit, wie zum Beispiel Leistungstransistoren, die im Betrieb Wärme erzeugen. Die Leistungshalbleiterkomponenten sind auf einem elektrisch isolierenden Substrat, zum Beispiel einem keramischen Substrat, in dem Modul angebracht. Das Modul enthält außerdem typischerweise ein Gehäuse, das so angeordnet ist, dass es die Leistungshalbleiterkomponenten umgibt und sie vor Beschädigung schützt. Aufgrund der durch Leistungshalbleiterkomponenten im Betrieb erzeugten Wärme wird das isolierende Substrat des Leistungshalbleitermoduls in der Regel an einem Kühlkörper angebracht. Das Modul kann an dem Kühlkörper durch Druckkontakt angebracht werden, der durch eine auf das Gehäuse durch ein Befestigungsmittel, wie etwa eine Schraube, ausgeübte Kraft produziert wird. Auf das Gehäuse muss eine beträchtliche Kraft ausgeübt werden, um die Wärmeleitung von dem isolierenden Substrat zu dem Kühlkörper sicherzustellen. Eine zu große Kraft auf das Gehäuse kann das isolierende Substrat irreversibel beschädigen.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Die beigefügten Zeichnungen sollen ein weiteres Verständnis von Ausgestaltungen geben und sind in die vorliegende Beschreibung integriert und bilden einen Teil dieser. Die Zeichnungen zeigen Ausgestaltungen und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung von Prinzipien von Ausgestaltungen. Andere Ausgestaltungen und viele der angestrebten Vorteile von Ausgestaltungen sind ohne weiteres erkennbar, da sie durch Bezugnahme auf die folgende ausführliche Beschrei bung besser verständlich werden. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht unbedingt maßstabsgetreu zueinander. Gleiche Bezugszeichen kennzeichnen entsprechende ähnliche Teile.
-
1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Gehäuses für ein Leistungshalbleitermodul. -
2 zeigt eine Draufsicht des Gehäuses von1 . -
3 zeigt eine Querschnittsansicht einer Baugruppe eines Leistungshalbleitermoduls mit dem Gehäuse von1 und2 . -
4 zeigt eine detaillierte Querschnittsansicht der Baugruppe eines in3 abgebildeten Leistungshalbleitermoduls. -
5 zeigt eine Querschnittsansicht der Baugruppe des Leistungshalbleitermoduls von3 im zusammengebauten Zustand. - Ausführliche Beschreibung
- In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausgestaltungen gezeigt sind, auf welche Weise die Erfindung genutzt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa "oben", "unten", "vorne", "hinten", "vorderes", "hinteres" usw. in Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausgestaltungen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie lediglich zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausgestaltungen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne dadurch den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht im einschränken den Sinne aufzufassen und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
- Es versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hier beschriebenen beispielhaften Ausgestaltungen – sofern nicht anders angegeben – miteinander kombiniert werden können.
- Eine oder mehrere Ausgestaltungen stellen ein Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse für ein Leistungshalbleitermodul bereit. Bei einer Ausgestaltung umfasst das Gehäuse ein elektrisch isoliertes Substrat, wobei das Gehäuse ein inneres Gehäuse mit einer Abdeckung und eine Randzone aufweist, und mindestens ein neben einer Seitenfläche der Randzone angeordnetes Druckelement. Das Druckelement ist elastisch mit dem inneren Gehäuse gekoppelt.
- Bei einer anderen Ausgestaltung wird ein Leistungshalbleitermodul offenbart, wobei das Leistungshalbleitermodul ein elektrisch isolierendes Substrat aufweist, das einen elektrisch isolierenden Körper mit einer ersten primären Oberfläche und einer zweiten primären Oberfläche, mindestens eine auf der ersten primären Oberfläche des elektrisch isolierenden Substrats angebrachte Leistungshalbleiterkomponente, und ein Gehäuse mit einem inneren Gehäuse umfasst, welches eine Abdeckung und eine Randzone enthält, und mindestens ein neben einer Seitenfläche der Randzone angeordnetes Druckelement. Das Druckelement ist elastisch mit dem inneren Gehäuse gekoppelt.
- Bei einer anderen Ausgestaltung wird ein Verfahren mit den folgenden Schritten offenbart: Bereitstellen eines elektrisch isolierenden Substrats, das einen elektrisch isolierenden Körper mit einer ersten primären Oberfläche und einer zweiten primären Oberfläche und mindestens eine an der ersten primären Oberfläche angebrachte Leistungshalbleiterkomponente umfasst;
Bereitstellen eines Gehäuses, das ein inneres Gehäuse, eine Abdeckung und eine Randzone enthält, und mindestens ein neben einer Seitenfläche der Randzone angeordnetes Druckelement umfasst, wobei das Druckelement elastisch mit dem inneren Gehäuse gekoppelt ist;
Anordnen des Gehäuses dergestalt, dass die untere Oberfläche der Randzone des inneren Gehäuses in Kontakt mit der ersten primären Oberfläche des elektrisch isolierenden Substrats angeordnet ist und dass das mindestens eine Druckelement neben einer Seitenfläche des elektrisch isolierenden Substrats angeordnet und in einem Abstand von einer Oberfläche beabstandet ist, an der das Gehäuse und das elektrisch isolierende Substrat anzubringen ist;
Anwenden von Druck auf die obere Oberfläche des Druckelements des Gehäuses dergestalt, dass die untere Oberfläche des Druckelements mit der Oberfläche in Kontakt kommt und dergestalt, dass als Ergebnis der elastischen Kopplung zwischen dem Druckelement und dem inneren Gehäuse Druck auf die Randzone des inneren Gehäuses ausgeübt wird, um so das Gehäuse und die zweite primäre Oberfläche des elektrisch isolierenden Substrats an der Oberfläche anzubringen. - Bei einer anderen Ausgestaltung wird ein Verfahren offenbart, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines elektrisch isolierenden Substrats, umfassend einen elektrisch isolierenden Körper mit einer ersten primären Oberfläche und einer zweiten primären Oberfläche und mindestens eine an der ersten primären Oberfläche angebrachte Leistungshalbleiterkomponente, mehrere Anschlüsse, die jeweils eine Druckkontaktregion aufweisen, die sich im allgemeinen senkrecht von der ersten primären Oberfläche des elektrisch isolierenden Substrats erstreckt; Bereitstellen eines Gehäuses, das ein inneres Gehäuse, das eine Abdeckung und eine Randzone aufweist, und mindestens ein neben einer Seitenfläche der Randzone angeordne tes Druckelement, wobei das Druckelement elastisch mit dem inneren Gehäuse gekoppelt ist;
Bereitstellen einer Umverdrahtungsplatte, die mehrere Durchgangslöcher enthält, wobei jedes Durchgangsloch dafür ausgelegt ist, einen Druckkontakt mit einem Druckkontaktstift zu bewirken, Anordnen des Gehäuses dergestalt, dass die untere Oberfläche der Randzone des inneren Gehäuses in Kontakt mit der ersten primären Oberfläche des elektrisch isolierenden Substrats angeordnet wird und das mindestens eine Druckelement neben einer Seitenfläche des elektrisch isolierenden Substrats angeordnet und in einem Abstand von einer Oberfläche beabstandet wird, an der das Gehäuse und das elektrisch isolierende Substrat anzubringen sind;
Anordnen der Umverdrahtungsplatte auf einer oberen Oberfläche des Druckelements dergestalt, dass in jedem der Durchgangslöcher ein Druckkontaktstift angeordnet wird, um einen Druckkontakt zwischen der Umverdrahtungsplatte und dem Druckkontaktstift zu bewirken;
Anwenden von Druck auf die obere Oberfläche des Druckelements des Gehäuses dergestalt, dass die untere Oberfläche des Druckelements mit der Oberfläche in Kontakt kommt und dergestalt, dass als Ergebnis der elastischen Kopplung zwischen dem Druckelement und dem inneren Gehäuse Druck auf die Randzone des inneren Gehäuses ausgeübt wird, um so das Gehäuse und die zweite primäre Oberfläche des elektrisch isolierenden Substrats an der Oberfläche anzubringen. -
1 zeigt einen Querschnitt einer Halbleiterbaugruppe mit einem Gehäuse10 für ein Leistungshalbleitermodul. Eine Draufsicht des Gehäuses10 von1 ist in2 dargestellt. Das Gehäuse10 umfasst ein inneres Gehäuse12 und ein Druckelement13 . Das innere Gehäuse12 umfasst eine Abdeckung14 und eine Randzone15 , die sich von einer unteren Oberfläche16 der Abdeckung14 aus erstreckt. Die Randzone15 kann die Form eines geschlossenen Rahmens oder eines offenen Zylinders aufweisen. Wie in der Draufsicht von2 dargestellt, weist eine obere Oberfläche27 der Abdeckung14 eine rechteckige Form auf, und eine obere Oberfläche27 der Randzone15 weist die Form eines rechteckigen Rahmens auf. Es sind auch andere Formen für die Abdeckung14 und die Randzone15 möglich. - Das innere Gehäuse
12 enthält ferner ein Durchgangsloch17 , das durch eine zylindrische Wand18 begrenzt wird, die eine Höhe und Dicke aufweist, die im allgemeinen der Höhe bzw. der Dicke der Randzone15 entsprechen. Die zylindrische Wand18 kann wie in1 dargestellt Teil der Randzone15 sein. Als Alternative kann die zylindrische Wand18 an der Randzone15 angebracht sein. Das Durchgangsloch17 und die zylindrische Wand18 sind in ungefähr dem lateralen Zentrum der Abdeckung14 positioniert. - Das innere Gehäuse
12 stellt ein eingeschlossenes Volumen bereit, wenn die untere Oberfläche19 der Randzone15 und die zylindrische Wand18 mit einer Oberfläche eines Substrats30 , die dem inneren Gehäuse12 zugewandt ist, in Kontakt gebracht werden. - Das Gehäuse
10 enthält außerdem ein Druckelement13 , das konzentrisch neben äußeren Seitenflächen20 des inneren Gehäuses12 angeordnet ist. Das Druckelement13 ist in einem Abstand von den äußeren Seitenflächen20 des inneren Gehäuses12 beabstandet und durch mehrere elastische Koppelglieder21 elastisch mit dem inneren Gehäuse12 gekoppelt. Das Koppelglied21 kann wie in1 dargestellt durch einen elastischen Streifen bereitgestellt werden. - Das Druckelement
13 enthält einen Rahmen11 mit lateralen Abmessungen, die etwas größer als die lateralen Abmessungen der Abdeckung14 und der Randzone15 des inneren Gehäuses12 sind. Das Druckelement13 enthält außerdem mindestens einen Zylinder22 , der konzentrisch in dem in dem inneren Gehäuse12 bereitgestellten Durchgangsloch17 positioniert ist. Es ist auch möglich, für eine konzentrische Positionierung in dem Durchgangsloch17 Elemente zu verwenden, die eine andere Form als der Zylinder22 aufweisen. Der Zylinder22 stellt ein erstes Durchgangsloch23 bereit, das als Führung für eine in den1 und2 nicht dargestellt Schraube wirkt, mit der das Gehäuse10 an einer Oberfläche, zum Beispiel eines Kühlkörpers, befestigt werden kann. - Der Zylinder
22 wird durch mehrere elastische Koppelglieder21 , die jeweils die Form eines Streifens aufweisen, elastisch mit der zylindrischen Wand18 des inneren Gehäuses12 gekoppelt. Als Alternative kann ein einziges Koppelglied21 den Zylinder22 elastisch mit der zylindrischen Wand18 koppeln. - Jedes Koppelglied
21 erstreckt sich zwischen einer äußeren Seitenfläche20 der zylindrischen Wand18 der Randzone15 des inneren Gehäuses12 und einer inneren Seitenfläche24 des Zylinders22 bzw. des Rahmens11 des Druckelements13 . - Bei der in
1 dargestellten Ausgestaltung sind die beiden Enden25 der elastischen Streifen21 an Stellen der äußeren Seitenfläche20 des inneren Gehäuses12 bzw. der inneren Seitenfläche24 des Druckelements13 angebracht, die lateral voneinander beabstandet sind. Jeder elastische Streifen21 weist wie in2 dargestellt eine Z-Form auf. Es sind auch andere Formen für den elastischen Streifen21 möglich. - Das Druckelement
13 weist eine Höhe auf, die etwas größer als die Höhe der Randzone15 und der zylindrischen Wand18 des inneren Gehäuses12 ist. Die Höhe des Druckelements13 bestimmt die Höhe des zusammengebauten Gehäuses10 , wie in5 dargestellt. Die Höhendifferenz zwischen der Randzone15 und der zylindrischen Wand18 des inneren Gehäuses12 kann einige Zehntel Millimeter betragen. Es sind auch andere Werte möglich. - Die obere Oberfläche
26 des Druckelements13 ist in einer Ebene über der obere Oberfläche27 der Abdeckung14 des inneren Gehäuses10 positioniert. Die obere Oberfläche26 des Druckelements13 stellt eine Druckoberfläche bereit. An die obere Oberfläche26 des Druckelements13 kann eine Kraft angelegt werden, zum Beispiel über ein im Allgemeinen plattenartiges Teil, das sich zwischen gegenüberliegenden Seiten des Rahmens11 des Druckelements13 erstreckt, ohne dass die Platte mit der Abdeckung14 des inneren Gehäuses12 in Kontakt kommt. Als Alternative kann Kraft selektiv nur auf den Zylinder22 oder nur im Rahmen11 des Druckelements13 des Gehäuses10 angewandt werden. - Der Rahmen
11 des Druckelements13 besitzt eine Dicke, die größer als die Dicke des inneren Gehäuses12 ist, um so ein formstabiles Element bereitzustellen. Die größere Wanddicke des Rahmens11 relativ zur Dicke des inneren Gehäuses12 ermöglicht die Anwendung einer nach unten gerichteten Kraft, d. h., parallel zu einer vertikalen Achse des Rahmens11 , die die Höhe des Rahmens11 angibt, die über einen großen Kontaktbereich zwischen der unteren Oberfläche19 des Rahmens11 und einer Oberfläche, auf die er aufgepresst wird, verteilt wird. Auf diese Weise kann ein zuverlässiger und homogener Kontakt zwischen dem Rahmen11 und der Oberfläche, auf die der Rahmen11 aufgepresst wird, bereitgestellt werden. - Die Abdeckung
14 des inneren Gehäuses12 enthält außerdem mehrere zweite Durchgangslöcher28 , wie in2 dargestellt, die einen Durchmesser aufweisen, der dafür ausgelegt ist, einen Kontaktstift29 aufzunehmen und zu führen. - Das Druckelement
13 , das innere Gehäuse12 und die elastischen Koppelstreifen21 werden in Form eines einzigen Kunststoffteils bereitgestellt, das in einem einzigen Pro zessschritt durch Spritzguss hergestellt werden kann. Durch Verwendung von Spritzguss ist das Gehäuse10 einfach und kosteneffektiv herzustellen. Das Druckelement13 , das innere Gehäuse12 und die elastischen Koppelstreifen21 können durch separate Teile bereitgestellt werden. Die elastischen Koppelstreifen21 können entweder zusammen mit dem Druckelement13 oder dem inneren Gehäuse12 aufgebaut werden. In diesem Fall können das Druckelement13 , das innere Gehäuse12 und die elastischen Koppelstreifen21 zwei Teile aufweisen. -
1 zeigt außerdem weitere Ausgestaltungen des Leistungshalbleitermoduls100 . Das Leistungshalbleitermodul100 enthält außerdem ein elektrisch isolierendes Substrat30 mit einer ersten primären Oberfläche31 und einer zweiten primären Oberfläche32 , die der ersten primären Oberfläche31 gegenüberliegt. Bei der Ausgestaltung von1 ist das elektrisch isolierende Substrat30 ein DCB-Substrat (DCB = Direct Copper Bonding), umfassend einen elektrisch isolierenden keramischen Körper33 aus Aluminiumoxid, mehrere strukturierte Kupferleiterbahnen (in1 nicht dargestellt), die auf einer ersten primären Oberfläche31 angeordnet sind, welche eine Umverdrahtungsplatte oder eine leitfähige Verteilungsstruktur darstellt, und eine geschlossene Kupferschicht, die die zweite primäre Oberfläche32 im allgemeinen abdeckt. Das keramische Substrat30 enthält außerdem ein Durchgangsloch36 in ungefähr dem lateralen Zentrum des Substrats30 . - Das Leistungshalbleitermodul
100 enthält ferner mehrere Leistungshalbleiterkomponenten34 , die bei der in1 dargestellten Ausgestaltung als Leistungstransistorbauelemente ausgebildet sind. Die Leistungstransistorbauelemente34 sind auf der ersten primären Oberfläche31 des keramischen Substrats30 angebracht und durch (nicht dargestellte) Bonddrähte35 elektrisch mit Leiterbahnen verbunden. Mehrere Kontaktstifte26 sind auf Leiterbahnen (nicht dargestellt) angeordnet und können senkrecht zu der ersten primären Oberfläche31 angeordnet sein. - Das Gehäuse
10 ist in Bezug auf das elektrisch isolierende Substrat30 , mehrere Leistungshalbleiterkomponenten34 und Kontaktstifte29 so angeordnet, dass die Kontaktstifte29 in den zweiten Durchgangslöchern28 aufgenommen werden, und dergestalt, dass die untere Oberfläche19 der Randzone15 und der zylindrischen Wand18 des inneren Gehäuses12 auf der ersten primären Oberfläche31 des keramischen Substrats30 positioniert wird. Die mehreren Leistungshalbleiterkomponenten34 werden in dem durch das innere Gehäuse12 und die erste primäre Oberfläche31 des keramischen Substrats30 erzeugte Volumen eingeschlossen. Das Druckelement13 ist neben dem keramischen Substrat30 angeordnet. Der Zylinder22 des Druckelements13 ist in dem Durchgangsloch36 des keramischen Substrats30 angeordnet und liegt neben dem keramischen Substrat30 . Das Druckelement13 des Gehäuses10 ist räumlich von dem keramischen Substrat30 des Leistungshalbleitermoduls100 getrennt. -
3 zeigt die Baugruppe des Leistungshalbleitermoduls100 und seine Befestigung an einen Kühlkörper37 durch eine Schraube38 . Wie in3 dargestellt ist, enthält das Leistungshalbleitermodul100 ferner eine Umverdrahtungsplatte39 und eine Druckplatte40 . Die Umverdrahtungsplatte39 kann eine Leiterplatte sein. - Die Umverdrahtungsplatte
39 und die Druckplatte40 enthalten jeweils ein Durchgangsloch41 bzw.42 mit einem Durchmesser, der ungefähr gleich dem Durchmesser des Zylinders22 des Druckelements13 des Gehäuses10 und mindestens dem der Schraube38 ist. Der Durchmesser der Durchgangslöcher41 ,42 ist so ausgelegt, dass die Schraube38 geführt wird. Der Kühlkörper37 besitzt eine obere Oberfläche43 , auf der das Leistungshalbleitermodul100 angebracht wird. Die obere Oberfläche43 enthält ein Gewindeloch44 mit geschlossenem Ende, das einen Durchmesser und einen Gewindegang aufweist, die für eine Verbindung mit dem Gewinde der Schraube38 ausgelegt sind. - Das keramische Substrat
30 und das Gehäuse10 mit der in2 dargestellten Anordnung werden dergestalt auf der oberen Oberfläche43 des Kühlkörpers37 positioniert, dass das Durchgangsloch36 des keramischen Substrats30 und das Durchgangsloch23 des Druckelements13 koaxial mit dem Gewindeloch44 mit geschlossenem Ende ausgerichtet werden. - Die Umverdrahtungsplatte
39 enthält eine Anzahl von Durchgangslöchern45 an lateralen Positionen, die mit den lateralen Positionen der Kontaktstifte29 korrespondieren. Die Anzahl der Durchgangslöcher45 besitzt einen Durchmesser, der so angepasst ist, dass er mit einem Druckkontakt46 zusammen passt, der in Richtung der nach oben zeigenden Endteile jedes der Kontaktstifte29 positioniert ist, wenn die Umverdrahtungsplatte39 auf der oberen Oberfläche26 des Druckelements13 positioniert wird. - Da die obere Oberfläche
26 des Druckelements13 in einer Ebene positioniert ist, die in Bezug auf die obere Oberfläche43 des Kühlkörpers37 höher ist als die obere Oberfläche27 des inneren Gehäuses, wohingegen die untere Oberfläche47 der Umverdrahtungsplatte39 in einem Abstand von der oberen Oberfläche27 der Abdeckung14 des inneren Gehäuses12 beabstandet ist. -
5 zeigt das Leistungshalbleitermodul100 im zusammengebauten Zustand, wobei die Umverdrahtungsplatte39 in Kontakt mit der oberen Oberfläche26 des Druckelements13 positioniert ist, so dass die Druckkontakte46 der Kontaktstifte29 in die jeweiligen Löcher45 der Umverdrahtungsplatte39 gedrückt werden, um so einen Kontakt zur Übertragung von elektrischem Strom zwischen den Kontaktstiften29 und den Leiterbahnen (nicht dargestellt) der Umverdrahtungsplatte39 zu erzeugen. - Die Umverdrahtungsplatte
39 erstreckt sich in mindestens einer Richtung über die äußere Seitenfläche50 des Gehäuses10 , um so frei zugängliche Kontaktbereiche in einer Randregion der Umverdrahtungsplatte39 bereitzustellen. Die Halbleiterbauelemente34 in dem Gehäuse10 sind elektrisch über die Leiterbahnen des keramischen Substrats30 , die Kontaktstifte29 und die Umverdrahtungsplatte39 zugänglich. - Das Leistungshalbleitermodul
100 weist ferner eine Druckplatte40 auf. Die Druckplatte40 enthält eine Anzahl von Löchern48 mit geschlossenem Ende in ihrer unteren, der Umverdrahtungsplatte39 zugewandten Oberfläche49 . Die Anzahl von Löchern48 mit geschlossenem Ende besitzen laterale Positionen, die mit den lateralen Positionen der Kontaktstifte29 korrespondieren. Jedes aus der Anzahl der Löcher48 mit geschlossenem Ende besitzt einen Durchmesser, dessen Größe dazu angepasst ist, die Endteile der Kontaktstifte29 dergestalt aufzunehmen, dass der Endteil nicht mit der Druckplatte40 in Kontakt kommt. - Nachdem die Umverdrahtungsplatte
39 auf der oberen Oberfläche62 des Druckelements13 unter Ausbildung der elektrischen Verbindungen zwischen den Druckkontakten46 der Kontaktstifte29 und der Umverdrahtungsplatte39 platziert wurde, wird die Druckplatte40 so auf der oberen Oberfläche50 der Umverdrahtungsplatte39 positioniert, dass die untere Oberfläche49 der Druckplatte die obere Oberfläche50 der Umverdrahtungsplatte kontaktiert und die Endteile der Kontaktstifte29 in den Durchgangslöchern48 der Druckplatte40 aufgenommen werden. - In dieser Phase des Herstellungsprozesses wurde durch die Befestigungsmittel, bei denen es sich bei der in
3 dargestellten Ausführungsform um die Schraube38 handelt, kein Druck auf das Gehäuse10 ausgeübt. Es sind auch andere Befestigungsmittel wie etwa ein Clip möglich. Die Anordnung der unteren Oberfläche51 des Druckelements13 des Gehäuses10 in Bezug auf die obere Oberfläche43 des Kühlkörpers37 ist in der vergrößerten Detailansicht von4 dargestellt. - Wie in
4 gezeigt ist die untere Oberfläche51 des Druckelements13 in einem Abstand von der oberen Oberfläche43 des Kühlkörpers37 beabstandet. Dieser Abstand kann in der Größenordnung von einigen Zehntel Millimeter liegen. Die zweite primäre Oberfläche32 des keramischen Substrats30 befindet sich in Kontakt mit der oberen Oberfläche43 des Kühlkörpers37 , ist aber noch nicht an dem Kühlkörper37 angebracht. In der vergrößerten Ansicht von4 sind Leiterbahnen52 auf der ersten primären Oberfläche31 und die geschlossene Schicht53 auf der zweiten primären Oberfläche32 des keramischen Substrats30 dargestellt. -
5 zeigt das Leistungshalbleitermodul100 im zusammengebauten Zustand. Die Schraube38 ist in den jeweiligen Durchgangslöchern42 ,41 ,23 ,36 der Druckplatte40 , der Umverdrahtungsplatte39 , des Gehäuses10 und des keramischen Substrats30 des Leistungshalbleitermoduls100 positioniert und greift in das das geschlossene Ende aufweisende Gewindeloch44 des Kühlkörpers37 ein. Die Kontaktstifte29 werden frei in den Löchern48 mit geschlossenem Ende der Druckplatte40 aufgenommen. Ohne Kontakt zwischen der Druckplatte40 und den Kontaktstiften29 bleiben die Kontaktstifte29 von der an die Druckplatte40 angelegten Kraft unbeeinflusst, so dass die elektrische Verbindung zwischen den Kontaktstiften29 und der Umverdrahtungsplatte39 nicht beeinträchtigt wird. - In dem in
5 dargestellten zusammengebauten Zustand befindet sich die untere Oberfläche51 des Druckelements13 als Ergebnis des durch die angezogene Schraube38 ausgeübten Drucks nach unten in Kontakt mit der oberen Oberfläche43 des Kühlkörpers37 . Die durch die Schraube38 ausgeübte Kraft kann zum Beispiel durch Begrenzen des durch einen Schrauben schlüssel auf die Schraube38 angewandten Drehmoments kontrolliert werden. - Die untere Oberfläche
49 der Druckplatte40 befindet sich in Kontakt mit der oberen Oberfläche50 der Umverdrahtungsplatte39 . Die von der Schraube38 auf die obere Oberfläche54 der Druckplatte40 ausgeübte Kraft wird über die Umverdrahtungsplatte39 , die sich sowohl mit der Druckplatte40 als auch mit dem Druckelement13 des Gehäuses10 in Kontakt befindet, auf das Druckelement13 des Gehäuses10 übertragen. Diese nach unten gerichtete Kraft verbindet das Druckelement13 mit dem Kühlkörper37 . - Außerdem wird eine nach unten gerichtete Kraft (siehe die Pfeile in
5 ) über das Druckelement13 und die elastischen Koppelglieder21 auf die Randzone15 und die zylindrische Wand18 des inneren Gehäuses12 des Gehäuses10 ausgeübt. Die durch das innere Gehäuse12 auf das keramische Substrat30 ausgeübte nach unten gerichtete Kraft verbindet das keramische Substrat30 mit dem Kühlkörper37 . - Die elastischen Koppelglieder
21 wirken zur Begrenzung der Kraft, die das innere Gehäuse12 auf das keramische Substrat30 ausübt. Die elastischen Koppelglieder21 werden mit der gewünschten Elastizität versehen, um so die gewünschte Übertragung des Drucks von dem Druckelement13 auf das innere Gehäuse12 bereitzustellen. Dies kann durch Auswahl des Materials der elastischen Koppelglieder21 oder durch entsprechendes Anpassen ihrer Formen und/oder Abmessungen und/oder ihrer Position zwischen dem Druckelement13 und dem inneren Gehäuse12 erreicht werden. - Die Anordnung eines Druckelements
13 neben den äußeren Seitenflächen15 des inneren Gehäuses12 und neben dem keramischen Substrat30 zusammen mit der elastischen Kopplung des Druckelements13 mit dem inneren Gehäuse12 ermöglicht ein festes Anbringen des Gehäuses10 an der oberen Oberfläche43 des Kühlkörpers37 durch den durch die Schraube38 ausgeübten Druck, während der auf das keramische Substrat30 ausgeübte Druck begrenzt wird. Eine solche Anordnung verringert die Wahrscheinlichkeit eines Bruchs eines Substrats30 aufgrund einer zu großen Kraft, während ein guter Kontakt zwischen dem keramischen Substrat30 und dem Kühlkörper37 gewährleistet wird, der eine effiziente Wärmeableitung von dem Leistungshalbleitermodul100 in den Kühlkörper37 ermöglicht. - Die in
5 dargestellte Ausführungsform ist eine abnehmbare Anordnung des Gehäuses10 und des elektrisch isolierenden Substrats32 auf dem Kühlkörper37 . Falls jedoch eine feste Anbringung erwünscht sein sollte, kann ein Klebstoff zwischen der oberen Oberfläche43 des Kühlkörpers37 und der zweiten primären Oberfläche32 des keramischen Substrats30 und der unteren Oberfläche51 des Druckelements13 des Gehäuses10 vorgesehen werden. - Das Druckelement
13 ist in1 bis5 mit der Form eines geschlossenen Rahmens11 und eines geschlossenen Zylinders22 neben äußeren Seitenflächen20 des inneren Gehäuses12 positioniert dargestellt. Das Druckelement13 kann auch mit mehreren Druckgliedern ausgestattet sein, die nicht direkt miteinander verbunden sind, die aber elastisch mit dem inneren Gehäuse12 gekoppelt sind. Zum Beispiel kann der Rahmen11 durch vier Glieder ersetzt werden, die nicht direkt miteinander verbunden sind und die eine im allgemeinen rechteckige Anordnung aufweisen. Diese vier Glieder können konzentrisch neben den äußeren Seitenflächen20 der Randzone15 des inneren Gehäuses12 positioniert werden. Mit solchen Anordnungen kann Inhomogenitäten der Oberfläche Rechnung getragen werden, an der das Gehäuse anzubringen ist. - Das Leistungshalbleitermodul
100 kann anders als mittels einer einzigen Schraube an einer Oberfläche befestigt werden. Zum Beispiel können mehrere Schrauben, zum Beispiel vier Schrauben, vorgesehen sein. In diesem Fall enthalten die Ab deckung14 , das Gehäuse12 , das Substrat30 , die Umverdrahtungsplatte39 und die Druckplatte40 mehrere Durchgangslöcher, die jeweils dafür ausgelegt sind, eine Schraube aufzunehmen. Zum Beispiel kann in Richtung jeder Ecke des Gehäuses10 eine Schraube positioniert werden. - Die Befestigungsmittel können auch in Form eines Clips bereitgestellt werden, der sich zwischen der oberen Oberfläche
54 der Druckplatte und der Oberfläche43 des Kühlkörpers37 oder einer Oberfläche neben dem Leistungshalbleitermodul100 erstreckt. In diesem Fall müssen das Gehäuse10 und die Umverdrahtungsplatte und die Druckplatte keine Durchgangslöcher enthalten, die die Befestigungsmittel, zum Beispiel eine Schraube, führen sollen. Das Gehäuse10 kann in diesem Fall ein einziges Druckelement13 in Form eines neben den äußeren Seitenflächen20 der Randzone15 des inneren Gehäuses10 positionierten Rahmens enthalten. - Das Gehäuse kann auch eine oder mehrere Kerben in der Randzone
15 des inneren Gehäuses enthalten, um den Eintritt eines Kühlmediums in das Gehäuse zu ermöglichen. Das Kühlmedium kann zum Beispiel eine erzwungene Luftströmung oder ein Flüssigkeitskühlmedium sein. - Bei anderen Ausgestaltungen (nicht dargestellt) des Leistungshalbleitermoduls
100 kann der elektrische Kontakt zwischen den Kontaktstiften29 und der Umverdrahtungsplatte39 nicht durch Druckkontaktverbindungen, sondern durch Löt- oder Drahtbondverbindungen bereitgestellt werden. - Die Umverdrahtungsplatte
39 kann die Form einer Adapterplatte mit entsprechenden Verbindungen auf einer oder mehreren Seiten zur Verbindung mit einer Leiterplatte höherer Ordnung aufweisen. - Das Leistungshalbleitermodul
100 kann ferner passive elektronische Komponenten und weitere Halbleiterkomponenten enthal ten, wie zum Beispiel Steuerchips, die auch auf der ersten primären Oberfläche31 des keramischen Substrats30 positioniert werden. - Das elektrisch isolierende Substrat kann ein keramisches Substrat wie etwa IMS (Aluminiumpolyimidkupfer) oder Aluminiumnitrid sein.
- Die Druckplatte
40 kann mehrere Ausschnitte in Form eines Lochs mit geschlossenem Ende oder eines Durchgangslochs enthalten, um die Endteile der Kontaktstifte29 aufzunehmen. Die Druckplatte40 kann mit einer Randzone versehen werden, die sich von der unteren Oberfläche der Druckplatte40 erstreckt und deren Abmessungen so ausgelegt sind, dass sie mit dem Druckelement13 des Gehäuses10 korrespondieren. Die Endteile der Kontaktstifte29 können zwischen gegenüberliegenden Seiten dieser Randzone aufgenommen werden, so dass sie die Druckplatte40 nicht kontaktieren. - Obwohl hier spezifische Ausgestaltungen dargestellt und beschrieben wurden, ist für Durchschnittsfachleute erkennbar, dass vielfältige alternative und/oder äquivalente Implementierungen die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausgestaltungen ersetzen können, ohne dabei den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen. Die vorliegende Anmeldung soll jegliche Anpassungen oder Varianten der hier besprochenen spezifischen Ausgestaltungen abdecken. Es ist deshalb beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung nur durch die Ansprüche und ihre Äquivalente beschränkt wird.
Claims (25)
- Halbleiterbaugruppe, umfassend: ein Gehäuse (
10 ), das ein inneres Gehäuse (12 ) umfasst, das eine Abdeckung (14 ) und eine Randzone (15 ) aufweist; und mindestens ein neben einer Seitenfläche (20 ) der Randzone (15 ) angeordnetes Druckelement (13 ), wobei das Druckelement (13 ) mit dem inneren Gehäuse (12 ) elastisch gekoppelt ist. - Baugruppe nach Anspruch 1 mit einem elektrisch isolierenden Substrat (
30 ). - Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, bei der das Druckelement (
13 ) durch mehrere elastische Koppelglieder (21 ) elastisch mit dem inneren Gehäuse (12 ) gekoppelt ist. - Baugruppe nach Anspruch 3, bei der die elastischen Koppelglieder (
21 ) als elastische Elemente, Streifen, Ausleger oder hohle Teile bereitgestellt werden. - Baugruppe nach einem der Ansprüche 3 oder 4, bei der das Druckelement (
13 ), das innere Gehäuse (12 ) und die elastischen Koppelglieder (21 ) als separate Teile oder als ein einziges Teil, umfassend Kunststoff, ausgebildet sind. - Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der eine obere Oberfläche (
26 ) des Druckelements (13 ) über eine obere Oberfläche (27 ) des inneren Gehäuses (12 ) hervorsteht. - Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der das Druckelement (
13 ) ein Rahmen ist. - Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der das Druckelement (
13 ) ein im allgemeinen konzentrisch außerhalb einer äußeren Seitenfläche (20 ) der Randzone (15 ) des inneren Gehäuses (12 ) angeordneter Rahmen ist und in einem Abstand von der äußeren Seitenfläche (20 ) des inneren Gehäuses (12 ) beabstandet ist. - Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Abdeckung (
14 ) ferner ein erstes Durchgangsloch (17 ) als Führung für eine Schraube (38 ) aufweist, mit der das Gehäuse (10 ) an einem Kühlkörper (37 ) befestigt werden kann. - Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Abdeckung ferner mehrere zweite Durchgangslöcher (
28 ) als Führung für einen Kontaktstift (29 ) zur Herstellung einer Presspassverbindung umfasst. - Leistungshalbleitermodul, umfassend: ein elektrisch isolierendes Substrat (
30 ), das einen elektrisch isolierenden Körper (33 ) mit einer ersten primären Oberfläche (31 ) und einer zweiten primären Oberfläche (32 ) umfasst; mindestens eine auf der ersten primären Oberfläche (31 ) des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) angebrachte Leistungshalbleiterkomponente (34 ), und ein Gehäuse (10 ), das ein inneres Gehäuse (12 ) umfasst, das eine Abdeckung (14 ) und eine Randzone (15 ) aufweist, und mindestens ein neben einer Seitenfläche der Randzone (15 ) angeordnetes Druckele ment (13 ), wobei das Druckelement (13 ) elastisch mit dem inneren Gehäuse (12 ) gekoppelt ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 11, bei dem das Gehäuse (
10 ) so ausgelegt ist, dass in einem unmontierten Zustand eine untere Oberfläche (19 ) der Randzone (15 ) des inneren Gehäuses (12 ) in Kontakt mit einer ersten primären Oberfläche (31 ) des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) angeordnet ist, und dass das mindestens eine Druckelement (13 ) neben einer Seitenfläche des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) angeordnet ist und sich neben und in einem Abstand von einer Oberfläche (43 ) beabstandet befindet, an der das Gehäuse (10 ) und das elektrisch isolierende Substrat (30 ) ablösbar angebracht werden kann. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 11 oder 12, bei dem das Gehäuse (
10 ) so ausgelegt ist, dass in einem angebrachten Zustand die untere Oberfläche (19 ) der Randzone (15 ) des inneren Gehäuses (12 ) sich in Kontakt mit der ersten primären Oberfläche (31 ) des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) befindet und das mindestens eine Druckelement (13 ) neben einer Seitenfläche des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) und in Kontakt mit einer Oberfläche (43 ) angeordnet ist, an der das Gehäuse (10 ) und eine zweite primäre Oberfläche (32 ) des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) als Ergebnis eines auf die obere Oberfläche (26 ) des Druckelements (13 ) ausgeübten Drucks angebracht werden. - Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem das Druckelement (
13 ) mittels mehrerer elastischer Streifen elastisch mit dem inneren Gehäuse (12 ) gekoppelt wird. - Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 14, bei dem das Druckelement (
13 ) ein im allgemeinen konzentrisch außerhalb einer äußeren Seitenfläche (20 ) der Randzone (15 ) des inneren Gehäuses (12 ) angeordneter Rahmen ist und in einem Abstand von der äußeren Seitenfläche (20 ) des inneren Gehäuses (12 ) beabstandet ist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 15, das ferner eine Druckplatte (
40 ) und einen Befestigungsmechanismus umfasst. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 16, bei dem die Druckplatte (
40 ) auf einer oberen Oberfläche (26 ) des Druckelements (13 ) des Gehäuses (10 ) angeordnet ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 16, bei dem der Befestigungsmechanismus so ausgelegt bei dem die Druckplatte (
40 ) eine Kraft auf das Druckelement (13 ) ausübt, um so das Gehäuse (10 ) und das elektrisch isolierende Substrat (30 ) an einer Oberfläche (43 ) anzubringen. - Leistungshalbleitermodul mit: einem elektrisch isolierenden Substrat (
30 ); mindestens einer auf dem elektrisch isolierenden Substrat (30 ) angeordneten Leistungshalbleiterkomponente (34 ); einem Gehäuse (10 ), das ein inneres Gehäuse (12 ) mit einer Abdeckung (14 ) und mit einer Randzone (15 ) aufweist, und mindestens ein neben einer Seitenfläche (20 ) der Randzone (15 ) angeordnetes Druckelement (13 ), wobei das Druckelement (13 ) elastisch mit dem inneren Gehäuse (12 ) gekoppelt ist; einer Druckplatte (40 ), die auf einer Leiterplatte (39 ) wenigstens in Bereichen direkt über dem Druckelement (13 ) angeordnet ist; und einem Befestigungsmittel (38 ) zum Ausüben von Druck auf das Druckelement (13 ), um so das Gehäuse (10 ) und das elektrisch isolierende Substrat (30 ) an einer Oberfläche (43 ) anzubringen. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 19, bei dem das Druckelement (
13 ) durch mehrere verschiedene elastisch Elemente (21 ) oder Streifen (21 ) elastisch mit dem inneren Gehäuse (12 ) gekoppelt ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 19 oder 20, bei dem das Druckelement (
13 ) ein im allgemeinen konzentrisch außerhalb einer äußeren Seitenfläche (20 ) der Randzone (15 ) des inneren Gehäuses (12 ) angeordneter Rahmen ist und in einem Abstand von der äußeren Seitenfläche (20 ) des inneren Gehäuses (12 ) beabstandet ist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 19 bis 21, bei dem die Leiterplatte (
39 ) durch sich zwischen dem elektrisch isolierenden Substrat (30 ) erstreckende Kontaktstifte (29 ) elektrisch mit der mindestens einen Leistungshalbleiterkomponente (34 ) verbunden ist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 19 bis 22, bei dem die Druckplatte (
40 ) ferner mehrere Ausschnitte (48 ) umfasst, wobei jeder Ausschnitt (48 ) dafür ausgelegt ist, das Kontaktstiftende (46 ) aufzunehmen. - Verfahren mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines elektrisch isolierenden Substrats (
30 ), das einen elektrisch isolierenden Körper (33 ) mit einer ersten primären Oberfläche (31 ) und einer zweiten primären Oberfläche (32 ) und mindestens eine auf der ersten primären Oberfläche (31 ) angebrachte Leistungshalbleiterkomponente (34 ) umfasst; Bereitstellen eines Gehäuses (10 ), das ein inneres Gehäuse (12 ) mit einer Abdeckung (14 ) und mit einer Randzone (15 ) umfasst, und mindestens eines neben einer Seitenfläche (20 ) der Randzone (15 ) angeordneten Druckelements (13 ), wobei das Druckelement (13 ) elastisch mit dem inneren Gehäuse (12 ) gekoppelt wird; Anordnen des Gehäuses (10 ) derart, dass die untere Oberfläche (19 ) der Randzone (15 ) des inneren Gehäuses (12 ) in Kontakt mit der ersten primären Oberfläche (31 ) des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) angeordnet wird und das mindestens eine Druckelement (13 ) neben einer Seitenfläche des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) und in einem Abstand von einer Oberfläche (43 ), an der das Gehäuse (10 ) und das elektrisch isolierende Substrat (30 ) anzubringen sind, beabstandet angeordnet wird; und Anwenden von Druck auf die obere Oberfläche (26 ) des Druckelements (13 ) des Gehäuses (10 ) derart, dass die untere Oberfläche (51 ) des Druckelements (13 ) mit der Oberfläche (43 ) in Kontakt kommt und derart, dass als Ergebnis der elastischen Kopplung zwischen dem Druckelement (13 ) und dem inneren Gehäuse (12 ) Druck auf die Randzone (15 ) des inneren Gehäuses (12 ) ausgeübt wird, um so das Gehäuse (10 ) und die zweite primäre Oberfläche (32 ) des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) an der Oberfläche (43 ) anzubringen. - Verfahren mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines elektrisch isolierenden Substrats (
30 ), das einen elektrisch isolierenden Körper (33 ) mit einer ersten primären Oberfläche (31 ) und einer zweiten primären Oberfläche (32 ) umfasst, und mindestens einer auf der ersten primären Oberfläche (31 ) angebrachten Leistungshalbleiterkomponente (34 ), wobei mehrere Stifte (29 ) jeweils eine Druckkontaktregion (46 ) aufweisen, die sich im allgemeinen senkrecht von der ersten primären Oberfläche (31 ) des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) erstrecken; Bereitstellen eines Gehäuses (10 ), das ein inneres Gehäuse (12 ) mit einer Abdeckung (14 ) und einer Randzone (15 ) aufweist, und mindestens eines neben einer Seitenfläche (20 ) der Randzone (15 ) angeordneten Druckelements (13 ), wobei das Druckelement (13 ) elastisch mit dem inneren Gehäuse (12 ) gekoppelt wird; Anordnen des Gehäuses derart, dass die untere Oberfläche (19 ) der Randzone (15 ) des inneren Gehäuses (12 ) in Kontakt mit der ersten primären Oberfläche (31 ) des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) angeordnet wird und das mindestens eine Druckelement (13 ) neben einer Seitenfläche des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) und in einem Abstand von einer Oberfläche (43 ), an der das Gehäuse (10 ) und das elektrisch isolierende Substrat (30 ) anzubringen sind, beabstandet angeordnet wird; Anordnen einer Leiterplatte (39 ) auf einer oberen Oberfläche (26 ) des Druckelements (13 ) dergestalt, dass ein pressgepasster Kontaktstift (29 ) in Durchgangsloch (45 ) der Leiterplatte (39 ) angeord net wird, um einen pressgepassten Kontakt mit der Leiterplatte (39 ) und dem Kontaktstift (29 ) zu bewirken; und Anwenden von Druck auf die obere Oberfläche (26 ) des Druckelements (13 ) des Gehäuses (10 ) derart, dass die untere Oberfläche (51 ) des Druckelements (13 ) mit der Oberfläche (43 ) in Kontakt kommt undn derart, dass als Ergebnis der elastischen Kopplung zwischen dem Druckelement (13 ) und dem inneren Gehäuse (12 ) Druck auf die Randzone (15 ) des inneren Gehäuses (12 ) ausgeübt wird, um so das Gehäuse (10 ) und die zweite primäre Oberfläche (32 ) des elektrisch isolierenden Substrats (30 ) an der Oberfläche (43 ) anzubringen.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/780,790 US9373563B2 (en) | 2007-07-20 | 2007-07-20 | Semiconductor assembly having a housing |
US11/780,790 | 2007-07-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008033465A1 true DE102008033465A1 (de) | 2009-01-29 |
DE102008033465B4 DE102008033465B4 (de) | 2013-06-20 |
Family
ID=40157608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008033465A Expired - Fee Related DE102008033465B4 (de) | 2007-07-20 | 2008-07-16 | Leistungshalbleitermodulsystem und leistungshalbleitermodul mit einem gehause sowie verfahren zur herstellung einer leis- tungshalbleiteranordnung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9373563B2 (de) |
KR (1) | KR101048609B1 (de) |
CN (1) | CN101350334B (de) |
DE (1) | DE102008033465B4 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7919854B2 (en) | 2008-08-15 | 2011-04-05 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module with two cooling surfaces and method |
US8159822B2 (en) | 2009-05-28 | 2012-04-17 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module featuring resiliently supported substrates and method for fabricating a power semiconductor module |
US8446726B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-05-21 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module having an insert and method for producing a semiconductor module having an insert |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009002993B4 (de) * | 2009-05-11 | 2012-10-04 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul mit beabstandeten Schaltungsträgern |
DE102009024385B4 (de) * | 2009-06-09 | 2011-03-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung |
DE102010038723B4 (de) * | 2010-07-30 | 2014-08-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit mindestens einer Positioniervorrichtung für ein Substrat |
CN102082132B (zh) * | 2010-11-03 | 2015-11-11 | 北京航天万方科技有限公司 | 一种大功率半导体模块 |
US8586420B2 (en) * | 2011-09-29 | 2013-11-19 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor arrangement and method for producing a power semiconductor arrangement |
KR101228841B1 (ko) * | 2011-10-04 | 2013-02-04 | 엘에스산전 주식회사 | 일체형 탄성클립을 이용한 전력용반도체 고정장치 |
DE102012213573B3 (de) * | 2012-08-01 | 2013-09-26 | Infineon Technologies Ag | Halbleitermodulanordnung und verfahren zur herstellung und zum betrieb einer halbleitermodulanordnung |
KR101443985B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2014-11-03 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 패키지 |
KR101477357B1 (ko) | 2012-12-20 | 2014-12-29 | 삼성전기주식회사 | 반도체 모듈 및 그 제조 방법 |
EP2992551B1 (de) | 2013-04-29 | 2017-03-29 | ABB Schweiz AG | Modulanordnung für leistungshalbleitervorrichtungen |
CN103606526B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-03-09 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 用于大功率半导体器件的紧固装置及其紧固方法 |
CN104682670B (zh) * | 2013-11-26 | 2017-12-12 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 电源转换装置与其电源转换板组件 |
CN104701277B (zh) * | 2013-12-10 | 2017-12-05 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 功率模块的封装结构 |
CN106298688B (zh) | 2015-05-28 | 2018-11-06 | 台达电子工业股份有限公司 | 封装型功率电路模块 |
DE102015120156B4 (de) * | 2015-11-20 | 2019-07-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur materialschlüssigen Verbindung von Verbindungspartnern eines Leistungselekronik-Bauteils und Verwendung einer solchen Vorrichtung |
US10231340B2 (en) * | 2016-05-26 | 2019-03-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Single reflow power pin connections |
CN108447827B (zh) * | 2018-03-17 | 2020-04-17 | 临沂金霖电子有限公司 | 一种电力转换电路的封装模块 |
EP3627978A1 (de) * | 2018-09-19 | 2020-03-25 | Infineon Technologies AG | Leistungshalbleitermodulanordnung und gehäuse für eine leistungshalbleiteranordnung |
JP7045978B2 (ja) * | 2018-12-07 | 2022-04-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
EP3929973B1 (de) * | 2020-06-22 | 2022-10-26 | Infineon Technologies AG | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung eines leistungshalbleitermoduls |
US11444002B2 (en) * | 2020-07-29 | 2022-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package structure |
EP4012759B8 (de) * | 2020-12-10 | 2024-01-03 | Hitachi Energy Ltd | Leistungshalbleitermodul, leistungshalbleiteranordnung und verfahren zur herstellung eines leistungshalbleitermoduls |
CN112582352B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-08-30 | 江西龙芯微科技有限公司 | 一种集成电路封装外壳 |
DE102022212371A1 (de) | 2022-11-18 | 2024-05-23 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Komponentenanordnung für eine Leistungselektronik und Verfahren zum Bereitstellen einer Komponentenanordnung für eine Leistungselektronik |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4546410A (en) * | 1983-10-31 | 1985-10-08 | Kaufman Lance R | Circuit package with membrane, containing thermoconductive material, ruptured against a heat sink |
US5297001A (en) * | 1992-10-08 | 1994-03-22 | Sundstrand Corporation | High power semiconductor assembly |
US5881453A (en) * | 1994-05-17 | 1999-03-16 | Tandem Computers, Incorporated | Method for mounting surface mount devices to a circuit board |
US5724229A (en) * | 1996-03-27 | 1998-03-03 | Unisys Corporation | Electromechanical assembly having a lid which protects IC chips and holds contact springs |
US6779204B1 (en) * | 2000-11-17 | 2004-08-24 | Egor Ciotic | Portable venting commode |
JP4130527B2 (ja) * | 2000-12-13 | 2008-08-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
DE10064194B4 (de) * | 2000-12-22 | 2006-12-07 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiter-Modul und Kühlkörper zur Aufnahme des Leistungshalbleiter-Moduls |
JP4177571B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2008-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
DE10149886A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-30 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistunghalbleitermodul |
DE10306643B4 (de) * | 2003-02-18 | 2005-08-25 | Semikron Elektronik Gmbh | Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul |
JP2004356492A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toshiba Corp | 電子機器 |
DE10326176A1 (de) * | 2003-06-10 | 2005-01-05 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Leistungshalbleitermodul |
DE102004037656B4 (de) | 2004-08-03 | 2009-06-18 | Infineon Technologies Ag | Elektronikmodul mit optimierter Montagefähigkeit und Bauteilanordnung mit einem Elektronikmodul |
DE102004043019A1 (de) | 2004-09-06 | 2006-03-23 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Baugruppe |
DE102006006425B4 (de) * | 2006-02-13 | 2009-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
DE102006021412B3 (de) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
DE102006022807A1 (de) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Robert Bosch Gmbh | Chipgehäuse mit reduzierter Schwingungseinkopplung |
DE102006025453B4 (de) * | 2006-05-31 | 2009-12-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterschaltungsanordnung |
-
2007
- 2007-07-20 US US11/780,790 patent/US9373563B2/en active Active
-
2008
- 2008-07-08 KR KR1020080066076A patent/KR101048609B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-16 DE DE102008033465A patent/DE102008033465B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-18 CN CN200810137776.2A patent/CN101350334B/zh active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7919854B2 (en) | 2008-08-15 | 2011-04-05 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module with two cooling surfaces and method |
US8159822B2 (en) | 2009-05-28 | 2012-04-17 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module featuring resiliently supported substrates and method for fabricating a power semiconductor module |
US8446726B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-05-21 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module having an insert and method for producing a semiconductor module having an insert |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101350334A (zh) | 2009-01-21 |
KR101048609B1 (ko) | 2011-07-12 |
US20090021916A1 (en) | 2009-01-22 |
CN101350334B (zh) | 2014-03-12 |
DE102008033465B4 (de) | 2013-06-20 |
US9373563B2 (en) | 2016-06-21 |
KR20090009708A (ko) | 2009-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102008033465B4 (de) | Leistungshalbleitermodulsystem und leistungshalbleitermodul mit einem gehause sowie verfahren zur herstellung einer leis- tungshalbleiteranordnung | |
DE112007002446B4 (de) | Elektronische Schaltungsvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE4430047C2 (de) | Leistungs-Halbleitermodul mit verbessertem Wärmehaushalt | |
DE102006025453B4 (de) | Halbleiterschaltungsanordnung | |
DE102009055882B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
DE102006008807B4 (de) | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil | |
DE4128603A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE102005024900A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE102008048420A1 (de) | Chip-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Chip-Anordnung | |
DE102008052029A1 (de) | Halbleitermodul mit Schaltbauteilen und Treiberelektronik | |
DE4021871A1 (de) | Hochintegriertes elektronisches bauteil | |
DE102011088322A1 (de) | Verbindungssystem zum elektrischen Anschließen elektrischer Geräte und Verfahren zum Verbinden eines elektrisch leitenden ersten Anschlusses und eines elektrisch leitenden zweiten Anschlusses | |
DE112004002702B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterbaugruppe und Matrixbaugruppe | |
DE10393769T5 (de) | Halbleitervorrichtung mit Klemmen zum Verbinden mit externen Elementen | |
DE102018103979B4 (de) | Baugruppe mit einer Trägereinrichtung mit einem Chip und einer Komponente, die durch eine Öffnung montiert ist, und Verfahren zur Herstellung und zur Verwendung | |
WO1995011580A1 (de) | Anordnung bestehend aus einer leiterplatte | |
DE4332115A1 (de) | Anordnung zur Entwärmung einer mindestens einen Kühlkörper aufweisenden Leiterplatte | |
DE3687208T2 (de) | Montage eines hybriden schaltkreises auf einer leiterplatte. | |
DE2536957C2 (de) | Elektronisches Bauelement | |
DE102008015785B4 (de) | Elektroniksubstrat-Montagestruktur | |
DE60315469T2 (de) | Wärmeableiteinsatz, Schaltung mit einem solchen Einsatz und Verfahren zur Herstellung | |
DE3829117A1 (de) | Metallkern-leiterplatte | |
EP0938252A2 (de) | Elektrische Schaltungsanordnung | |
DE69219531T2 (de) | Verfahren und Apparat für Verbindungsanordnungen wobei die automatische Bandmontage-Technik angewendet wird | |
EP0652694B1 (de) | Steuergerät für ein Kraftfahrzeug |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023480000 Ipc: H01L0025070000 Effective date: 20121112 |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R082 | Change of representative | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20130921 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |