DE4021871A1 - Hochintegriertes elektronisches bauteil - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein hochintegriertes elektronisches
Bauteil mit einem in eine Kunststoffumhüllung eingegossenen
Halbleiterkörper, einer Vielzahl von metallischen Anschlüssen,
die aus der Kunststoffumhüllung herausragen sowie mit einem in
die Kunststoffumhüllung eingegossenen Wärmeleitblech, das im
flächigen Kontakt mit einer Unterseite des Halbleiterkörpers
steht.
Die Fertigung von hochintegrierten elektronischen Bauteilen
führt zu einer immer höheren Integrationsdichte, also zu einer
immer höheren Anzahl von auf einem Kunststoffkörper reali
sierten elektronischen Bauelementen. Mit der Zunahme der
Bauelemente nimmt die Anzahl der aus dem Halbleiterkörper
herausgeführten Anschlüsse zu. Anschlußzahlen von über 200
sind gegenwärtig bereits realisierbar. Üblicherweise werden
die Anschlüsse mit Lead Frames hergestellt, also mit aus einem
flächigen Material herausgearbeiteten Leitern, deren Ver
bindung mit den entsprechenden Anschlußflächen des Halb
leiterkörpers im allgemeinen mit Hilfe von Bonddrähtchen
hergestellt wird. Nach Abtrennen des die freien Enden
der Anschlußleiter verbindenden Rahmens werden die
Anschlüsse regelmäßig um 90o abgebogen, um dann automatisch in
eine Platine o. ä. einlötbar zu sein. Die mechanische Stabi
lität wird durch die Kunststoffumhüllung hergestellt. Mit der
zunehmenden Anzahl von in dem Kunststoffkörper integrierten
elektronischen Bauelementen nimmt die in dem Halbleiterkörper
verbrauchte Energie zu. Es ist deshalb bekannt, das fertige
hochintegrierte elektronische Bauteil mit Wärmeleitblechen in
Kontakt zu bringen. Die dabei erzielte Wärmeableitung ist
naturgemäß gering.
Es ist ferner bekannt, ein aus einem Halbleiterkörper und
einer Kunststoffhüllung bestehendes Bauteil mit einem
integrierten Wärmeleitblech zu versehen. Das Wärmeleitblech
ist dabei so geformt, daß der Halbleiterkörper auf seiner
Unterseite im Kontakt mit dem Wärmeleitblech steht. Die
Anschlüsse erstrecken sich dabei von dem Halbleiterkörper in
einem Winkel nach oben und verlaufen dann waagerecht bis zur
Außenseite der Kunststoffumhüllung. Das Wärmeleitblech ist von
der Unterseite des Halbleiterkörpers schräg nach unten abge
bogen, um dann in einem gewissen Abstand parallel zu den An
schlüssen horizontal in der Kunststoffumhüllung zu verlaufen.
Durch diese Formgebung ist sichergestellt, daß kein elektri
scher Kontakt zwischen den Anschlüssen und dem Wärmeleitblech
erfolgt.
Zur Verbesserung eines derartigen hochintegrierten elektroni
schen Bauteils der eingangs erwähnten Art sieht die vorliegen
de Erfindung vor, daß das Wärmeleitblech im wesentlichen eben
ausgebildet ist und sowohl an der Unterseite des Halbleiter
körpers als auch an der Unterseite der Anschlüsse anliegt und
daß die Oberseite des Wärmeleitbleches eine dünne, elektrisch
isolierende Schicht aufweist.
Der Erfindung liegt daher die Problemstellung zugrunde, das
Wärmeleitblech so auszubilden, daß insbesondere für hochinte
grierte elektronische Bauteile mit einer hohen Anzahl von
Anschlüssen das Wärmeleitblech nicht nur für eine gute Wärme
ableitung sondern auch für eine Unterstützung der mechanischen
Stabilität der Anschlüsse sorgt. Hierzu ist das Wärmeleitblech
an seiner Oberseite mit einer dünnen, elektrisch isolierenden
Schicht versehen, die naturgemäß die Wärmeleitfähigkeit nicht
oder nicht merklich beeinträchtigen sollte.
Eine solche elektrische isolierende, die Wärmeleitfähigkeit
aber nicht merklich verschlechternde Schicht kann durch
Eloxieren des Wärmeleitbleches gebildet sein. Die Eloxierung
sollte dabei eine Mindestdicke von 30 µ aufweisen.
Die Fertigung des hochintegrierten elektronischen Bauteils
gestaltet sich einfach, wenn das Wärmeleitblech mit geprägten
Füßen versehen ist, mit denen es in die Spritzform für die
Kunststoffumhüllung hineinstellbar ist. Am fertigen Bauelement
ragen die geprägten Füße somit auf die Unterseite der Kunst
stoffumhüllung.
Für eine einwandfreie Herstellung der Kunststoffumhüllung hat
sich bei einem rechteckigen hochintegrierten elektronischen
Bauteil eine Formgebung des Wärmeleitbleches bewährt, nach der
das Wärmeleitblech im wesentlichen eine mit der rechteckigen
Form der Kunststoffumhüllung übereinstimmende rechteckige Au
ßenkontur aufweist, jedoch in den Ecken mit diagonal verlau
fenden Einschnitten versehen ist. Diese Einschnitte sollten
sich bis nahe an den Halbleiterkörper heran erstrecken, wobei
der verbleibende Rest noch eine ausreichende Stabilität des
Wärmeleitbleches gewährleisten sollte. Die diagonalen Ein
schnitte sorgen für einen guten und gleichmäßigen Kunststoff
transport beim Einspritzen des Kunststoffes für die Kunst
stoffumhüllung durch die Ebenen des Wärmeleitbleches hindurch,
so daß auf beiden Seiten eine lunkerfreie, ungestörte Kunst
stoffumhüllung entstehen kann. In einer speziellen Formgebung
hat es sich als zweckmäßig herausgestellt, daß an zwei dia
gonal gegenüberliegenden Ecken das Wärmeleitblech mit zwei die
Einschnitte begrenzenden Stegen bis an die Seitenkanten der
Kunststoffumhüllung erstreckt ist, während es an den beiden
anderen Ecken einen Abstand von den Seitenkanten der Kunst
stoffumhüllung wahrt.
Insbesondere für größere Bauelemente, die somit auch ein
größeres Wärmeleitblech benötigen, ist es für die Spritz
barkeit der Kunststoffumhüllung vorteilhaft, wenn um den
Halbleiterkörper herum Durchgangsöffnungen des Wärmeleit
bleches angeordnet sind. Diese Durchgangsöffnungen können
vorzugsweise länglich ausgebildet und radial erstreckt sein.
Mit den erfindungsgemäßen Wärmeleitblechen lassen sich bisher
nicht erzielbare Integrationsgrade der hochintegrierten elek
tronischen Bauelemente in Kunststoffgehäusen realisieren,
wobei die dabei erzeugte Wärme zuverlässig abgeführt und die
Stabilität der Anschlußanordnungen durch das Wärmeleitblech
wesentlich erhöht wird. Darüber hinaus erlaubt die ebene
Ausbildung des Wärmeleitbleches den Einsatz der verschiedenen
Chipgrößen ohne eine Veränderung der Konfiguration des Wärme
leitbleches.
Die Erfindung soll im folgenden anhand von der in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Es
zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform
eines hochintegrierten elektronischen Bauelementes,
Fig. 2 eine Draufsicht auf das Bauteil gemäß Fig. 1 mit
eingezeichnetem Wärmeleitblech und teilweise ent
fernter Kunststoffumhüllung,
Fig. 3 eine Draufsicht gemäß Fig. 2 mit einem deutlich
größeren Halbleiterkörper,
Fig. 4 einen Querschnitt durch eine zweite Ausführungs
form eines hochintegrierten elektronischen Bau
elementes,
Fig. 5 eine Draufsicht auf das bei dem Bauelement gemäß
Fig. 4 verwendete Wärmeleitblech.
Das in den Fig. 1 und 2 dargestellte hochintegrierte
elektronische Bauelement hat eine etwa quadratische Grundform
und besteht aus einem Halbleiterkörper 1, dessen Anschluß
flächen mit Bonddrähtchen 2 mit Anschlüssen 3 verbunden sind,
die sich in dem Bauelement zunächst mit einem horizontalen
Abschnitt 4 bis zu den Seitenrändern einer Kunststoffumhüllung
5 erstrecken und außerhalb der Kunststoffumhüllung 5 abgebo
gene Enden 6 aufweisen.
Der Halbleiterkörper 1 liegt mit seiner Unterseite flächig auf
einem Wärmeleitblech 7 auf, das im wesentlichen eben ausge
bildet ist und somit auch die horizontalen Abschnitte 4 der
Anschlüsse 3 abstützt.
Das Wärmeleitblech ist mit vier eingeprägten Füßen 8
versehen, die sich bis zur Unterseite der Kunststoffumhüllung
5 erstrecken.
Fig. 2 verdeutlicht die Kontur des Wärmeleitbleches 7, die im
wesentlichen der Außenkontur des Bauelementes entspricht. Im
Bereich der Ecken ist das Wärmeleitblech jedoch mit diagonal
verlaufenden Einschnitten 9 versehen, die seitlich von jeweils
zwei Stegen 10 begrenzt sind, die sich praktisch bis zu den
Seitenkanten der Kunststoffumhüllung 5 erstrecken.
Fig. 2 läßt erkennen, daß vier Füße 8 vorgesehen sind, die
jeweils nahe des Randes des Wärmeleitbleches 7 mittig zwischen
den diagonal verlaufenden Einschnitten 9 angeordnet sind. Die
Einschnitte 9 erstrecken sich bis nahe an den Halbleiterkörper
1 heran, um einen großen Durchtrittsquerschnitt für den
Kunststoff beim Spritzen der Kunststoffumhüllung 5 zu
gewährleisten. Zu diesem Zweck sind ferner zwischen den
diagonal verlaufenden Einschnitten 9 jeweils zwei Durchtritts
öffnungen 11 vorgesehen, die länglich ausgebildet und etwa
radial ausgerichtet sind. Die so bestehenden acht Durch
gangsöffnungen 11 sind um den Halbleiterkörper 1 herum etwa
gleichmäßig verteilt.
Fig. 2 läßt erkennen, daß das Wärmeleitblech 7 die Anschlüsse
3 unterstützt und mit ihnen in Kontakt steht. Da das Wärme
leitblech regelmäßig aus elektrisch leitendem Material
besteht, muß es an der Oberseite, die in Kontakt mit den
Anschlüssen 3 kommt, elektrisch isoliert ausgebildet sein. Zu
diesem Zweck weist das erfindungsgemäße Wärmeleitblech 7 eine
dünne isolierende Schicht an der Oberseite auf, die
vorzugsweise durch Eloxieren mit einer Mindestdicke von 30 µ
gebildet ist.
Fig. 3 verdeutlicht, daß das Wärmeleitblech 7 unverändert
auch mit einem wesentlich größeren Halbleiterkörper 1′
einsetzbar ist.
In den Fig. 4 und 5 ist eine weitere Ausführungsform darge
stellt, bei der die der Ausführungsform gemäß den Fig. 1
und 2 entsprechenden Teile mit den gleichen, jedoch mit einem
′ gekennzeichneten Bezugsziffern versehen ist.
Fig. 4 unterscheidet sich von der Darstellung der Fig. 1 nur
unwesentlich. Da das Bauelement, wie insbesondere Fig. 5 ver
deutlicht, nicht quadratisch sondern rechteckig mit zwei lan
gen und zwei kurzen Seiten ausgebildet ist, sind die Füße 8′
jeweils nebeneinander an den langen Seiten des Wärmeleitblechs
7′ angeordnet. Die diagonalen Einschnitte 9′ sind nur an zwei
diagonal gegenüberliegenden Ecken durch die Stege 10′ be
grenzt, die sich bis an die Seitenkanten der Kunststoff
umhüllung 5′ erstrecken, während an den beiden anderen Ecken
diese Stege 10′ fehlen. Das Wärmeleitblech 7′ ist nicht mit
weiteren Durchgangsöffnungen versehen, da seine geringere
Größe einen ausreichenden Fluß des Kunststoffes von der einen
Seite des Wärmeleitbleches 7′ auf die andere durch die
Einschnitte 9′ sowie den Abstand zu den Seitenkanten der
Kunststoffumhüllung 5′ erlaubt.
Die diagonalen Einschnitte 9, 9′, die von den Ecken des Wärme
leitbleches 7, 7′ ausgehen, stellen die günstigste Anordnung
dar, um einen hohen Materialdurchtritt bei möglichst geringer
Schwächung der stützenden Unterlage für die Anschlüsse 3
gewährleistet.
Die dargestellten Wärmeleitbleche 7, 7′ erlauben daher ein
problemloses Spritzen der Kunststoffumhüllung 5, 5′, eine gute
Ableitung der in dem Halbleiterkörper 1 entstehenden Wärme
sowie eine gute mechanische Unterstützung der dünnen
Anschlüsse 3 im Bereich der horizontalen Abschnitte 4.
Claims (10)
1. Hochintegriertes elektronisches Bauteil mit einem in eine
Kunststoffumhüllung (5, 5′) eingegossenen Halbleiterkör
per (1, 1′), einer Vielzahl von metallischen Anschlüssen
(3, 3′), die aus der Kunststoffumhüllung (5, 5′) heraus
ragen sowie mit einem in die Kunststoffumhüllung (5, 5′)
eingegossenen Wärmeleitblech (7, 7′), das im flächigen
Kontakt mit einer Unterseite des Halbleiterkörpers (1, 1′)
steht, dadurch gekennzeichnet, daß das Wärmeleitblech (7, 7′)
im wesentlichen eben ausgebildet ist und sowohl an der
Unterseite des Halbleiterkörpers (1, 1′) als auch an der
Unterseite der Anschlüsse (3, 3′) anliegt und daß die Ober
seite des Wärmeleitbleches (7, 7′) eine dünne, elektrisch
isolierende Schicht aufweist.
2. Hochintegriertes elektronisches Bauteil nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Schicht durch Eloxie
ren des Wärmeleitbleches (7, 7′) gebildet ist.
3. Hochintegriertes elektronisches Bauteil nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Eloxierung eine Mindest
dicke von 30 µ aufweist.
4. Hochintegriertes elektronisches Bauteil nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das
Wärmeleitblech (7, 7′) mit geprägten Füßen (8, 8′) auf die
Unterseite der Kunststoffumhüllung (5, 5′) ragt.
5. Hochintegriertes elektronisches Bauteil nach einem der
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Wärme
leitblech (7, 7′) eine im wesentlichen mit einer recht
eckigen Form der Kunststoffumhüllung (5, 5′) überein
stimmende rechteckige Außenkontur aufweist, jedoch in den
Ecken mit diagonal verlaufenden Einschnitten (9, 9′) ver
sehen ist.
6. Hochintegriertes elektronisches Bauteil nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß an diagonal gegenüberliegenden
Ecken das Wärmeleitblech (7, 7′) mit zwei die Einschnit
te (9, 9′) begrenzenden Stegen (10, 10′) bis an die Seiten
kanten der Kunststoffumhüllung (5, 5′) erstreckt ist.
7. Hochintegriertes elektronisches Bauteil nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stege (10, 10′) an zwei
diagonal gegenüberliegenden Ecken vorhanden sind, während
das Wärmeleitblech (7, 7′) an den beiden anderen Ecken einen
Abstand von den Seitenkanten der Kunststoffumhüllung (5, 5′)
aufweist.
8. Hochintegriertes elektronisches Bauteil nach einem der
Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch um den Halbleiter
körper (1) herum angeordnete Durchgangsöffnungen (11) des
Wärmeleitbleches (7).
9. Hochintegriertes elektronisches Bauteil nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Durchgangsöffnungen (11)
länglich ausgebildet und radial erstreckt sind.
10. Hochintegriertes elektronisches Bauteil nach Anspruch 8 oder
9, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchgangsöffnungen (11)
etwa gleichmäßig verteilt um den Halbleiterkörper (1) herum
angeordnet sind.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4021871A DE4021871C2 (de) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Hochintegriertes elektronisches Bauteil |
JP3193494A JP2815252B2 (ja) | 1990-07-09 | 1991-07-08 | 大規模集積電子部品 |
US07/727,048 US5225710A (en) | 1990-07-09 | 1991-07-09 | Highly integrated electronic component with heat-conducting plate |
US08/085,873 US5428246A (en) | 1990-07-09 | 1993-07-06 | Highly integrated electronic component with heat-conductive plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4021871A DE4021871C2 (de) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Hochintegriertes elektronisches Bauteil |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4021871A1 true DE4021871A1 (de) | 1992-01-23 |
DE4021871C2 DE4021871C2 (de) | 1994-07-28 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (3)
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---|---|
US (2) | US5225710A (de) |
JP (1) | JP2815252B2 (de) |
DE (1) | DE4021871C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0573297A2 (de) * | 1992-06-04 | 1993-12-08 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Halbleiteranordnung mit einem TAB-Filmträger |
US6466446B1 (en) | 1994-07-01 | 2002-10-15 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Integrated circuit package with diamond heat sink |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4021871C2 (de) * | 1990-07-09 | 1994-07-28 | Lsi Logic Products Gmbh | Hochintegriertes elektronisches Bauteil |
US5402006A (en) * | 1992-11-10 | 1995-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device with enhanced adhesion between heat spreader and leads and plastic mold compound |
JP2861725B2 (ja) * | 1993-04-07 | 1999-02-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 半導体装置及びそのリードフレーム |
US5394607A (en) * | 1993-05-20 | 1995-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of providing low cost heat sink |
US5489805A (en) * | 1993-12-29 | 1996-02-06 | Intel Corporation | Slotted thermal dissipater for a semiconductor package |
US5434105A (en) * | 1994-03-04 | 1995-07-18 | National Semiconductor Corporation | Process for attaching a lead frame to a heat sink using a glob-top encapsulation |
JP2556294B2 (ja) * | 1994-05-19 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
KR0128164B1 (ko) * | 1994-06-21 | 1998-04-02 | 황인길 | 반도체 패키지용 범용 히트스프레더 |
US5530202A (en) * | 1995-01-09 | 1996-06-25 | At&T Corp. | Metallic RF or thermal shield for automatic vacuum placement |
US5596485A (en) * | 1995-03-16 | 1997-01-21 | Amkor Electronics, Inc. | Plastic packaged integrated circuit with heat spreader |
JP3170182B2 (ja) * | 1995-08-15 | 2001-05-28 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
US5683944A (en) * | 1995-09-01 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Method of fabricating a thermally enhanced lead frame |
JP3345241B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2002-11-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US5905299A (en) * | 1996-01-05 | 1999-05-18 | Texas Instruments, Inc. | Thermally enhanced thin quad flatpack package |
DE19717780A1 (de) * | 1996-05-01 | 1997-11-13 | Nat Semiconductor Corp | Leiterrahmen für eine Halbleiterkomponente |
US5703542A (en) * | 1996-08-28 | 1997-12-30 | Locus Incorporated | Compact temperature stabilized crystal oscillator |
US5872395A (en) * | 1996-09-16 | 1999-02-16 | International Packaging And Assembly Corporation | Bent tip method for preventing vertical motion of heat spreaders during injection molding of IC packages |
FR2764115B1 (fr) * | 1997-06-02 | 2001-06-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif semiconducteur et procede de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif |
US6159764A (en) * | 1997-07-02 | 2000-12-12 | Micron Technology, Inc. | Varied-thickness heat sink for integrated circuit (IC) packages and method of fabricating IC packages |
US5949137A (en) * | 1997-09-26 | 1999-09-07 | Lsi Logic Corporation | Stiffener ring and heat spreader for use with flip chip packaging assemblies |
US6049125A (en) * | 1997-12-29 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor package with heat sink and method of fabrication |
US6297550B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-10-02 | Lsi Logic Corporation | Bondable anodized aluminum heatspreader for semiconductor packages |
SG157957A1 (en) * | 2003-01-29 | 2010-01-29 | Interplex Qlp Inc | Package for integrated circuit die |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2107786A1 (de) * | 1971-02-18 | 1972-09-07 | Philips Nv | Halbleiterbauelement |
DE2931449A1 (de) * | 1978-08-02 | 1980-02-21 | Hitachi Ltd | Leitungsrahmen und denselben verwendende halbleitervorrichtung |
DE2858087C2 (de) * | 1977-04-26 | 1987-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa, Jp | |
DE3708309A1 (de) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Western Digital Corp | Chip-packung |
US4862246A (en) * | 1984-09-26 | 1989-08-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device lead frame with etched through holes |
US4924291A (en) * | 1988-10-24 | 1990-05-08 | Motorola Inc. | Flagless semiconductor package |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1213259B (it) * | 1984-12-18 | 1989-12-14 | Sgs Thomson Microelectronics | Gruppo a telaio di conduttori per circuiti integrati con capacita' di termodispersione incrementata, erelativo procedimento. |
KR880002260A (ko) * | 1986-07-09 | 1988-04-30 | 로버트 에스. 헐스 | 열적으로 향상된 대규모 집적회로 패키지 및 집적회로 다이의 장착방법 |
US4884124A (en) * | 1986-08-19 | 1989-11-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-encapsulated semiconductor device |
JPS6373541A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Matsushita Electronics Corp | 放熱ブロツク付樹脂封止形半導体装置 |
JPS6414942A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Resin sealed semiconductor integrated circuit device |
JP2734463B2 (ja) * | 1989-04-27 | 1998-03-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US5041902A (en) * | 1989-12-14 | 1991-08-20 | Motorola, Inc. | Molded electronic package with compression structures |
US5006919A (en) * | 1990-03-01 | 1991-04-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit package |
DE4021871C2 (de) * | 1990-07-09 | 1994-07-28 | Lsi Logic Products Gmbh | Hochintegriertes elektronisches Bauteil |
JPH04162556A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-09 DE DE4021871A patent/DE4021871C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-08 JP JP3193494A patent/JP2815252B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-09 US US07/727,048 patent/US5225710A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-07-06 US US08/085,873 patent/US5428246A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2107786A1 (de) * | 1971-02-18 | 1972-09-07 | Philips Nv | Halbleiterbauelement |
DE2858087C2 (de) * | 1977-04-26 | 1987-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa, Jp | |
DE2931449A1 (de) * | 1978-08-02 | 1980-02-21 | Hitachi Ltd | Leitungsrahmen und denselben verwendende halbleitervorrichtung |
US4862246A (en) * | 1984-09-26 | 1989-08-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device lead frame with etched through holes |
DE3708309A1 (de) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Western Digital Corp | Chip-packung |
US4924291A (en) * | 1988-10-24 | 1990-05-08 | Motorola Inc. | Flagless semiconductor package |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
IBM Technical Disclosure Bulletin, 1989, Vol. 31, Nr. 8, S. 119 * |
JP 1-14942 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1989, Vol. 13, Nr. 195, E- 754, ELO, 1980, H. 3, S. 66 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0573297A2 (de) * | 1992-06-04 | 1993-12-08 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Halbleiteranordnung mit einem TAB-Filmträger |
EP0573297A3 (de) * | 1992-06-04 | 1993-12-29 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Halbleiteranordnung mit einem TAB-Filmträger |
US5365107A (en) * | 1992-06-04 | 1994-11-15 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Semiconductor device having tab tape |
US6466446B1 (en) | 1994-07-01 | 2002-10-15 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Integrated circuit package with diamond heat sink |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5225710A (en) | 1993-07-06 |
JP2815252B2 (ja) | 1998-10-27 |
DE4021871C2 (de) | 1994-07-28 |
US5428246A (en) | 1995-06-27 |
JPH04233257A (ja) | 1992-08-21 |
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