DE102016216702A1 - Verstärker - Google Patents

Verstärker Download PDF

Info

Publication number
DE102016216702A1
DE102016216702A1 DE102016216702.2A DE102016216702A DE102016216702A1 DE 102016216702 A1 DE102016216702 A1 DE 102016216702A1 DE 102016216702 A DE102016216702 A DE 102016216702A DE 102016216702 A1 DE102016216702 A1 DE 102016216702A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
outermost
drain
wire
bond wire
wires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102016216702.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102016216702B4 (de
Inventor
Naoki Kosaka
Shohei Imai
Atsushi Okamura
Shinichi Miwa
Kenichiro Chomei
Yoshinobu Sasaki
Kenichi Horiguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE102016216702A1 publication Critical patent/DE102016216702A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102016216702B4 publication Critical patent/DE102016216702B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602—Combinations of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/16—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6611—Wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H01L2223/6655—Matching arrangements, e.g. arrangement of inductive and capacitive components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0605—Shape
    • H01L2224/06051—Bonding areas having different shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48155—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48157—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4905—Shape
    • H01L2224/49051—Connectors having different shapes
    • H01L2224/49052—Different loop heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4905—Shape
    • H01L2224/4909—Loop shape arrangement
    • H01L2224/49095—Loop shape arrangement parallel in plane
    • H01L2224/49096—Loop shape arrangement parallel in plane horizontal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/4917—Crossed wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/543—A transmission line being used as coupling element between two amplifying stages

Abstract

Ein Verstärker weist ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten auf, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten einen ersten äußersten Bond-Draht, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht und dem zweiten äußersten Bond-Draht eingefügt ist, aufweist, wobei jeder aus der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten länger als 1 mm ist und der erste äußerste Bond-Draht und der zweite äußerste Bond-Draht Schlaufenhöhen aufweisen, die größer sind als eine Schlaufenhöhe, die der dazwischenliegende Bond-Draht aufweist.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Verstärker, der ein Signal verstärkt.
  • Stand der Technik
  • JP2001-148616A offenbart einen Verstärker, der einen FET-Chip und ein Anpassungssubstrat aufweist, die in einem Gehäuse vorgesehen und in der Lage sind, elektrische Verbindung mittels Bond-Drähten zu realisieren.
  • In vergangenen Jahren gab es einen Trend, die Ausgangsleistungen von Verstärkern zu erhöhen. Mit einer erhöhten Ausgangsleistung von einem Transistor besteht ein Problem, dass ein hoher Strom durch einen Bond-Draht fließt, der mit einer Drain-Kontaktstelle des Transistors verbunden ist, sodass ein Schmelzen des Bond-Drahts verursacht wird.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Angesichts des vorstehend beschriebenen Problems ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Verstärker zur Verfügung zu stellen, der in der Lage ist, ein Schmelzen von Bond-Drähten zu vermeiden.
  • Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung können wie folgt zusammengefasst werden.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, auf, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten einen ersten äußersten Bond-Draht, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht und dem zweiten äußersten Bond-Draht eingefügt ist, aufweist, wobei jeder aus der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten länger als 1 mm ist, und der erste äußerste Bond-Draht und der zweite äußerste Bond-Draht größere Schlaufenhöhen aufweisen als eine Schlaufenhöhe, die der dazwischenliegende Bond-Draht aufweist.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, auf, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten einen ersten äußersten Bond-Draht, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht und dem zweiten äußersten Bond-Draht eingefügt ist, aufweist, und sowohl der erste äußerste Bond-Draht als auch der zweite äußerste Bond-Draht dicker ist als der dazwischenliegende Bond-Draht.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, auf, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten eine Mehrzahl von ersten äußersten Bond-Drähten, die mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle so verbunden sind, dass ihre Kontaktpunkte einander berühren, eine Mehrzahl von zweiten äußersten Bond-Drähten, die mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle so verbunden sind, dass ihre Kontaktpunkte einander berühren, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen der Mehrzahl von ersten äußersten Bond-Drähten und der Mehrzahl von zweiten äußersten Bond-Drähten eingefügt ist, aufweist, wobei sich die Mehrzahl von ersten äußersten Bond-Drähten in der Schlaufenhöhe voneinander unterscheidet; und sich die Mehrzahl von zweiten äußersten Bond-Drähten in der Schlaufenhöhe voneinander unterscheidet.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, auf, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten so vorgesehen ist, dass die Drain-Bond-Drahtdichte an zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle höher ist als an einem Zwischenbereich, der zwischen den zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle angeordnet ist.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, auf, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten zwei erste äußerste Bond-Drähte, die mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, zwei zweite äußerste Bond-Drähte, die mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen den zwei ersten äußersten Bond-Drähten und den zwei zweiten äußersten Bond-Drähten eingefügt ist, aufweist, wobei die zwei ersten äußersten Bond-Drähte einander in einer Draufsicht kreuzen und die zwei zweiten äußersten Bond-Drähte einander in einer Draufsicht kreuzen.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, auf, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten einen ersten äußersten Bond-Draht, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht und dem zweiten äußersten Bond-Draht eingefügt ist, aufweist, und sowohl der erste äußerste Bond-Draht als auch der zweite äußerste Bond-Draht kürzer ist als der dazwischenliegende Bond-Draht.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, ein in dem Gehäuse vorgesehenes Substrat und ein auf dem Substrat geformtes Metallmuster auf, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten einen ersten äußersten Bond-Draht, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht und dem zweiten äußersten Bond-Draht eingefügt ist, aufweist, die Länge eines Pfads für einen Strom, der durch den ersten äußersten Bond-Draht fließt, und die Länge eines Pfads für einen Strom, der durch den zweiten äußersten Bond-Draht fließt, durch Ausbilden von Schlitzen in dem Metallmuster länger ausgelegt sind als die Länge eines Pfads für einen Strom, der durch den dazwischenliegenden Bond-Draht fließt, und ein zentraler Bereich des Metallmusters, mit welchem der dazwischenliegende Bond-Draht verbunden ist, an einer solchen Position angeordnet ist, dass er näher an dem Transistor-Chip liegt als zwei Endbereiche des Metallmusters, mit welchen der erste äußerste Bond-Draht und der zweite äußerste Bond-Draht verbunden sind.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, auf, wobei diejenigen aus der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die näher an den Enden der Drain-Kontaktstelle angeschlossen sind, von einer Schlaufenhöhe höher ausgelegt sind.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, und einen Gehäuse-Bond-Draht, dessen gegenüberliegende Enden mit dem Gehäuse verbunden sind, auf, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten einen ersten äußersten Bond-Draht, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht und dem zweiten äußersten Bond-Draht eingefügt ist, aufweist, und der Gehäuse-Bond-Draht zwischen dem dazwischenliegenden Bond-Draht und dem Gehäuse angeordnet ist.
  • Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung ersichtlicher.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Draufsicht eines Verstärkers gemäß der ersten Ausführungsform;
  • 2 ist eine Seitenansicht des Verstärkers;
  • 3 ist eine Draufsicht eines Verstärkers gemäß dem vergleichenden Beispiel;
  • 4 ist eine Seitenansicht des Verstärkers gemäß dem vergleichenden Beispiel;
  • 5 ist eine Schnittansicht des Verstärkers aus 3;
  • 6 ist ein Diagramm, das die Ergebnisse einer Berechnung zeigt;
  • 7 ist eine Schnittansicht von 1;
  • 8 ist eine schematische Darstellung, die Ergebnisse einer Berechnung zeigt;
  • 9 ist eine schematische Darstellung, die den Einfluss von Schlaufenhöhen auf die Bond-Drahtströme zeigt;
  • 10 ist eine schematische Darstellung, die das Verhältnis zwischen der Bond-Drahtlänge und dem Bond-Drahtschmelzstrom zeigt;
  • 11 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der zweiten Ausführungsform;
  • 12 ist eine schematische Darstellung, die das Verhältnis zwischen dem Bond-Drahtdurchmesser und dem Bond-Drahtschmelzstrom zeigt;
  • 13 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der dritten Ausführungsform;
  • 14 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der vierten Ausführungsform;
  • 15 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der fünften Ausführungsform;
  • 16 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der sechsten Ausführungsform;
  • 17 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der siebten Ausführungsform;
  • 18 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der achten Ausführungsform;
  • 19 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der neunten Ausführungsform;
  • 20 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der zehnten Ausführungsform;
  • 21 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der elften Ausführungsform;
  • 22 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der zwölften Ausführungsform;
  • 23 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der dreizehnten Ausführungsform;
  • 24 ist eine Schnittansicht des Verstärkers aus 23;
  • 25 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der vierzehnten Ausführungsform;
  • 26 ist eine Schnittansicht des Verstärkers aus 25; und
  • 27 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der siebzehnten Ausführungsform;
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Ein Verstärker gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Komponenten, die identisch sind oder zueinander korrespondieren, werden die gleichen Bezugszeichen zugewiesen, und eine wiederholte Beschreibung derselben wird in einigen Fällen vermieden.
  • Erste Ausführungsform
  • 1 ist eine Draufsicht eines Verstärkers gemäß der ersten Ausführungsform. Der Verstärker weist ein Gehäuse 10 auf. Das Gehäuse 10 ist aus einem Metall geformt. Obwohl das Gehäuse 10 Inhalte verdeckt, sind interne Komponenten des Gehäuses 10 zur Vereinfachung einer Erklärung in 1 und anderen Figuren dargestellt. Ein Eingangsanschluss 12 und ein Ausgangsanschluss 34 sind in dem Gehäuse 10 angebracht. Ein Eingangsanpassungssubstrat 16 ist in dem Gehäuse vorgesehen. Ein Metallmuster 18 ist auf dem Eingangsanpassungssubstrat 16 ausgebildet.
  • Ein Transistor-Chip 22 ist in dem Gehäuse 10 vorgesehen. Der Transistor-Chip 22 ist zum Beispiel ein FET-Chip. Der Transistor-Chip 22 weist Gate-Kontaktstellen 22a und eine Drain-Kontaktstelle 22b auf, die länglich ausgebildet sind. Der Transistor-Chip 22 weist eine Mehrzahl von Transistorzellen auf. Ein Ausgangsanpassungssubstrat 28 ist in dem Gehäuse 10 vorgesehen. Ein Metallmuster 30 ist auf dem Ausgangsanpassungssubstrat 28 ausgebildet. Das Eingangsanpassungssubstrat 16, der Transistor-Chip 22 und das Ausgangsanpassungssubstrat 28 sind mit dem Gehäuse 10 mittels Die-Bonding verbunden.
  • Eine Mehrzahl von Bond-Drähten ist in dem Gehäuse 10 zum Zweck des elektrischen Verbindens von Komponententeilen in dem Gehäuse 10 vorgesehen. Bond-Drähte 14 verbinden den Eingangsanschluss 12 und das Metallmuster 18 miteinander. Bond-Drähte 20 verbinden das Metallmuster 18 und die Gate-Kontaktstellen 22a miteinander.
  • Ein erster äußerster Bond-Draht 24a ist mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden. Ein zweiter äußerster Bond-Draht 24b ist mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden. Ein dazwischenliegender Bond-Draht 26 ist mit einem zentralen Bereich der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden. Der dazwischenliegende Bond-Draht 26 ist in einer solchen Position vorgesehen, dass er zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht 24a und dem zweiten äußersten Bond-Draht 24b eingefügt ist. Die Anzahl von dazwischenliegenden Bond-Drähten 26 ist nicht besonders beschränkt. Der erste äußerste Bond-Draht 24a, der zweite äußerste Bond-Draht 24b und die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 bilden die "Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten“, die mit der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden ist. Jeder der Bond-Drähte, welche die Mehrzahl von Bond-Drähten bilden, ist länger als 1 mm. Der erste äußerste Bond-Draht 24a, der zweite äußerste Bond-Draht 24b und die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 sind Bond-Drähte, welche die Drain-Kontaktstelle 22b und das Metallmuster 30 miteinander verbinden.
  • Verbindungspunkte zwischen der Drain-Kontaktstelle 22b und dem ersten äußersten Bond-Draht 24a, dem zweiten äußersten Bond-Draht 24b und den dazwischenliegenden Bond-Drähten 26 sind entlang der Längsrichtung der Drain-Kontaktstelle 22b angeordnet. Der erste äußerste Bond-Draht 24a und der zweite äußerste Bond-Draht 24b weisen größere Schlaufenhöhen auf als eine Schlaufenhöhe, welche die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 aufweisen. Eine "Schlaufenhöhe“ ist eine Höhe von einem Bond-Drahtverbindungspunkt eines gekrümmten Bond-Drahts zu der höchsten Position an dem gekrümmten Bond-Draht. Die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 sind von einer Schlaufenhöhe gleich.
  • Bond-Drähte 32 verbinden das Metallmuster 30 und den Ausgangsanschluss 34 miteinander. Es ist bevorzugt, jeden Bond-Draht durch Wire-Bonding auszubilden. Der Verstärker, der diesen Aufbau aufweist, ist ein diskreter Verstärker, der als ein individuelles Komponententeil ausgebildet ist.
  • 2 ist eine Seitenansicht des Verstärkers. In 2 ist eine Darstellung eines Teils des Gehäuses 10 weggelassen, um eine Darstellung von internen Teilen des Gehäuses 10 zu ermöglichen. Jede der Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 24b ist größer als diejenige der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26. Die Differenz zwischen der Schlaufenhöhe des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und der Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 beträgt 0,8 mm oder weniger. Die Differenz zwischen der Schlaufenhöhe des zweiten äußersten Bond-Drahts 24b und der Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 beträgt 0,8 mm oder weniger.
  • Ein vergleichendes Beispiel wird beschrieben, um ein Verständnis der Bedeutung des Verstärkers gemäß der ersten Ausführungsform zu ermöglichen. 3 ist eine Draufsicht eines Verstärkers gemäß dem vergleichenden Beispiel. Eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten weist äußerste Bond-Drähte 35a und 35b und dazwischenliegende Bond-Drähte 36 auf. Die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten ist in der Länge gleich. 4 ist eine Seitenansicht des Verstärkers gemäß dem vergleichenden Beispiel. Die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten ist in der Schlaufenhöhe gleich.
  • Der Verstärker gemäß dem vergleichenden Beispiel weist einen GaN-Transistor-Chip 22, der eine gesamte Gate-Breite von zum Beispiel etwa 50 mm aufweist, und Gold-Bond-Drähte auf, die als die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten vorgesehen sind und einen Durchmesser von 25 µm und eine Länge von etwa 2 mm aufweisen. Die Abstände zwischen der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten sind zum Beispiel 0,1 mm. Aus Experimenten ist bekannt, dass, wenn ein solcher Verstärker gemäß dem vergleichenden Beispiel unter Bedingungen einer hohen Ausgangsleistung betrieben wird, die Drain-Bond-Drähte auf den entgegengesetzten Enden geschmolzen werden.
  • Der Grund für höhere Ströme durch die Drain-Bond-Drähte an den entgegengesetzten Enden wird beschrieben. 5 ist eine Schnittansicht des Verstärkers, aufgenommen entlang einer Linie V-V in 3. Eine Ebene, die durch die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten und das Gehäuse 10 gebildet wird, kann als eine ebenenparallele Platte angesehen werden. Da jeder der Bond-Drähte in einer magnetfeldaufhebenden Beziehung mit den äußersten Bond-Drähten 35a und 35b nur auf einer Seite des äußersten Bond-Drahts 35a und 35b vorhanden ist, werden ein Magnetfeld, das auf der linken Seite des äußersten Bond-Drahts 35a erzeugt wird, und ein Magnetfeld, das auf der rechten Seite des äußersten Bond-Drahts 35b erzeugt wird, nicht aufgehoben. Deshalb werden elektrische Felder an den äußersten Bond-Drähten 35a und 35b konzentriert und Ströme, die größer sind als diejenigen, die durch die dazwischenliegenden Bond-Drähte 36 fließen, fließen durch die äußersten Bond-Drähte 35a und 35b. In 5 sind die Magnetfelder und die elektrischen Felder in einer vereinfachten Weise zur Vereinfachung einer Beschreibung gezeigt. Tatsächlich ist das resultierende Magnetfeld um die gesamten Bond-Drähte nicht linear, und die Magnetfelder und die elektrischen Felder sind so verteilt, dass sie sich um die Bond-Drähte erstrecken.
  • 6 ist ein Diagramm, das die Ergebnisse einer Berechnung einer Ausgangsleistungsabhängigkeit der Ströme zeigt, die durch die Drain-Bond-Drähte fließen. Mit einem Anstieg der Ausgangsleistung des Verstärkers steigen die Ströme, die durch die Drain-Bond-Drähte fließen. Außerdem werden, wie vorstehend mit Bezug auf 5 beschrieben, die Ströme, die durch die äußersten Bond-Drähte 35a und 35b fließen, wegen einer Konzentration des elektrischen Feldes an den äußersten Bond-Drähten 35a und 35b höher als die Ströme, die durch die dazwischenliegenden Bond-Drähte 36 fließen. In diesem Beispiel einer Berechnung ist jeder der Ströme, die bei einer bestimmten Ausgangsleistung Ps durch die äußersten Bond-Drähte 35a und 35b fließen, 0,7 A, während jeder der Ströme, die durch die dazwischenliegenden Bond-Drähte 36 fließen, 0,3 A ist. Durch jeden der äußersten Bond-Drähte 35a und 35b fließt der Strom, der 2,3-mal höher ist als jeder der Ströme, die durch die dazwischenliegenden Bond-Drähte 36 fließen.
  • Der Verstärker gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in der Lage, die Stromkonzentration an den Drain-Bond-Drähten, die an entgegengesetzten Enden in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten positioniert sind, zu verringern. 7 ist eine Schnittansicht, aufgenommen entlang einer Linie VII-VII in 1. Diese Linie VII-VII ist eine Linie, die sich parallel zu der längeren Seite des Transistor-Chips 22 erstreckt. Während die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 in der Höhe gleich sind, sind der erste äußerste Bond-Draht 24a und der zweite äußerste Bond-Draht 24b höher angeordnet als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26. Die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 weisen dazwischenliegende Bond-Drähte 26a, 26b, 26c und 26d auf. Sowohl der dazwischenliegende Bond-Draht 26a, der benachbart zu dem ersten äußersten Bond-Draht angeordnet ist, als auch der dazwischenliegende Bond-Draht 26d, der benachbart zu dem zweiten äußersten Bond-Draht 24b angeordnet ist, wird als ein benachbarter Bond-Draht bezeichnet, wenn es eine Situation erfordert.
  • Wenn Ströme durch die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten fließen, werden Magnetfelder um die Bond-Drähte erzeugt. Zwischen jedem benachbarten Paar der Bond-Drähte sind die Richtungen der Magnetfelder gegensätzlich zueinander und die Magnetfelder heben sich gegenseitig auf. Um die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten insgesamt sind deshalb die Magnetfelder ausgebildet, wie durch eine Strichpunktlinie gezeigt. Elektrische Felder (Linien elektrischer Feldstärke) sind zwischen den Bond-Drähten und dem Gehäuse 10 senkrecht zu dem Magnetfeld ausgebildet, wie durch unterbrochene Linien in der Figur gezeigt.
  • Die Linien elektrischer Feldstärke zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht 24a und dem Gehäuse 10 sowie die Linien elektrischer Feldstärke zwischen dem zweiten äußersten Bond-Draht 24b und dem Gehäuse 10 sind in der Höhenrichtung (nach oben) relativ zu denjenigen in dem vergleichenden Beispiel verlängert. Entsprechend sind die Dichten von Linien elektrischer Feldstärke an den entgegengesetzten Enden der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten im Vergleich mit dem vergleichenden Beispiel reduziert. Deshalb sind die elektrischen Felder um den ersten äußersten Bond-Draht 24a und den zweiten äußersten Bond-Draht 24b verringert, wodurch ein Reduzieren der durch diese Bond-Drähte fließenden Ströme ermöglicht wird.
  • 8 ist eine schematische Darstellung, welche die Ergebnisse einer Berechnung des Verhältnisses zwischen den Bond-Drahtströmen durch die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten und dem Ausgangsstrom zeigt. Die Berechnung wurde unter der Annahme durchgeführt, dass jede der Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 24b um 0,2 mm größer ist als die Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26. Jeder der Ströme, die bei einer bestimmten Ausgangsleistung Ps durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a und den zweiten äußersten Bond-Draht 24b fließen, ist 0,55 A. Andererseits fließt ein Strom von 0,7 A durch jeden der Drain-Bond-Drähte an den entgegengesetzten Enden in dem Verstärker gemäß dem vergleichenden Beispiel (siehe 6). Somit sind die Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 24b größer festgelegt als die Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26, und die Ströme, die durch die Bond-Drähte an den entgegengesetzten Enden fließen, können dadurch um etwa 20% von denjenigen in dem Fall, in welchem alle Drain-Bond-Drähte in der Höhe gleich sind, reduziert werden.
  • Da die Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 24b erhöht sind, sind die Ströme durch die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 nicht gleich. Bei einer Leistung Ps fließt ein Strom von 0,5 A durch jeden der benachbarten Bond-Drähte (dazwischenliegende Bond-Drähte 26a und 26d), während ein Strom von 0,3 A durch jeden der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26b und 26c fließt. Somit sind in dem Fall, in welchem die Schlaufenhöhen der Bond-Drähte an den entgegengesetzten Enden in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten erhöht sind, die Ströme, die durch die inneren Bond-Drähte neben den Bond-Drähten an den entgegengesetzten Enden erhöht.
  • 9 ist eine schematische Darstellung, die den Einfluss des Unterschieds zwischen den Schlaufenhöhen der ersten und zweiten äußersten Bond-Drähte und der Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte auf die Bond-Drahtströme zeigt. 9 zeigt die Ströme durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a und den zweiten äußersten Bond-Draht 24b und die Bond-Drahtströme durch die benachbarten Bond-Drähte (dazwischenliegende Bond-Drähte 26a und 26b). Die Abszisse repräsentiert die Differenz zwischen den Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 24b und der Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26. Die Mehrzahl von dazwischenliegenden Bond-Drähten 26 ist in der Schlaufenhöhe gleich. Es bedeutet, dass die Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 und die Schlaufenhöhe der benachbarten Bond-Drähte einander gleichen.
  • Wenn die Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 24b die gleichen sind wie die Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26, ist die Differenz einer Bond-Drahthöhe null. Gleichzeitig fließt ein Strom von 0,7 A sowohl durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a als auch den zweiten äußersten Bond-Draht 24b. Da die Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 24b relativ zu der Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 erhöht sind, werden die Bond-Drahtströme durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a und den zweiten äußersten Bond-Draht 24b kleiner, während die Bond-Drahtströme durch die benachbarten Bond-Drähte (dazwischenliegende Bond-Drähte 26a und 26d) dazu neigen zu steigen.
  • Wenn die Differenz einer Bond-Drahthöhe etwa 0,8 mm beträgt, sind die Bond-Drahtströme in den benachbarten Bond-Drähten im Wesentlichen die gleichen wie die Bond-Drahtströme (0,7 A), die durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a und den zweiten äußersten Bond-Draht 24b fließen, wenn die Differenz der Bond-Drahthöhe 0 mm ist. Wenn die Differenz der Bond-Drahthöhe größer wird als dieser Wert, fließen außerordentliche Ströme durch die benachbarten Bond-Drähte. Es ist deshalb bevorzugt, dass die Differenz der Bond-Drahthöhe 0,8 mm oder weniger ist.
  • 10 ist eine schematische Darstellung, die das Verhältnis zwischen der Bond-Drahtlänge und dem Bond-Drahtschmelzstrom zeigt. 10 zeigt eine Bond-Drahtlängenabhängigkeit des Bond-Drahtschmelzstroms in einem Fall, in welchem die Frequenz 3,0 GHz ist und die Bond-Drähte einen Durchmesser von 25 µm aufweisen. Wenn ein Strom fließt, der den Bond-Drahtschmelzstrom überschreitet, schmilzt der Bond-Draht. Es kann aus 10 verstanden werden, dass, wenn die Bond-Drahtlänge vergrößert wird, der Bond-Drahtschmelzstrom reduziert wird. Zum Beispiel ist in einem Verstärker der internen Anpassungsart die Bond-Drahtlänge allgemein etwa 0,3 mm und der Bond-Drahtschmelzstrom ist als eine Folge des Aufbaus von Transistoren und Anpassungssubstraten in einem Gehäuse etwa 6 A. Mit einem solchen Verstärker gibt es deshalb keine deutliche Erkenntnis über ein Bond-Drahtschmelzen.
  • Andererseits ist in einem diskreten Verstärker die Bond-Drahtlänge allgemein länger als 1 mm und der Bond-Drahtschmelzstrom ist gleich oder kleiner als 2 A. Wenn die Bond-Drahtlänge kürzer ist als 1 mm, ändert sich der Bond-Drahtschmelzstrom weitgehend abhängig von der Bond-Drahtlänge. Wenn die Bond-Drahtlänge länger ist als 1 mm, ändert sich der Bond-Drahtschmelzstrom nicht wesentlich, wenn die Bond-Drahtlänge verändert wird.
  • In der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist jeder aus der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten länger ausgelegt als 1 mm. Entsprechend ist, selbst wenn der erste äußerste Bond-Draht 24a und der zweite äußerste Bond-Draht 24b länger ausgelegt sind als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26, der Bond-Drahtschmelzstrom nur geringfügig reduziert, und eine nennenswerte Reduzierung des Bond-Drahtschmelzstroms kann verhindert werden.
  • Eine Technik ist bekannt, um den ersten äußersten Bond-Draht und den zweiten äußersten Bond-Draht zum Zweck des Sicherstellens einer Gleichheit einer Impedanz auszulegen, wie sie in der Richtung von jeder Transistorzelle zu der Schaltungsseite gesehen wird. Wenn die Bond-Drähte einfach verlängert werden, wird jedoch der Bond-Drahtschmelzstrom reduziert, wie in 10 gezeigt, und es ist nicht möglich, ein Bond-Drahtschmelzen zu verhindern. Insbesondere in dem Fall von Bond-Drähten einer Länge, die gleich oder kleiner als 1 mm ist, die in einem Verstärker der internen Anpassungsart oder dergleichen verwendet werden, wird die Reduzierung eines Bond-Drahtschmelzstroms deutlicher, wenn die Bond-Drahtlänge erhöht wird. Das heißt, in einem Verstärker, in welchem die Drain-Bond-Drahtlänge länger ist als 1 mm, kann ein Bond-Drahtschmelzen durch Auslegen des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und des zweiten Bond-Drahts 24b höher als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 verhindert werden.
  • Somit ist in dem Verstärker gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten länger als 1 mm vorgesehen und die Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 24a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 24b in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten sind größer ausgelegt als die Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26. Während eine Stromkonzentration an dem ersten äußersten Bond-Draht 24a und dem zweiten äußersten Bond-Draht 24b dadurch verringert wird, kann die Reduzierung eines Bond-Drahtschmelzstroms begrenzt werden.
  • Der Verstärker gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann innerhalb eines solchen Gültigkeitsumfangs verschieden so modifiziert werden, dass er seine Merkmale nicht verliert. Zum Beispiel können der Transistor-Chip 22 und das Gehäuse 10 direkt durch Bond-Drähte verbunden sein, ohne das Eingangsanpassungssubstrat 16 und das Ausgangsanpassungssubstrat 28 zu verwenden. In einem solchen Fall verbindet die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten die Drain-Kontaktstelle und das Gehäuse (Anschlüsse) miteinander. Der Transistor-Chip 22 kann zum Beispiel aus GaN, GaAs oder LDMOS aufgebaut sein.
  • Diese Modifikationen können ebenfalls auf Verstärker gemäß den nachfolgend beschriebenen Ausführungsformen angewendet werden, wenn sie geeignet sind. Jeder der Verstärker gemäß den nachfolgend beschriebenen Ausführungsformen weist eine Anzahl von Gemeinsamkeiten mit der ersten Ausführungsform auf und wird deshalb hauptsächlich bezüglich Unterscheidungspunkten von der ersten Ausführungsform beschrieben.
  • Zweite Ausführungsform
  • 11 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der zweiten Ausführungsform. Ein erster äußerster Bond-Draht 40a und ein zweiter äußerster Bond-Draht 40b sind dicker als dazwischenliegende Bond-Drähte 26. Der Bond-Drahtdurchmesser von gewöhnlichen, in Verstärkern verwendeten Bond-Drähten ist 25 µm. Die Dicken des ersten äußersten Bond-Drahts 40a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 40b sind gleich oder größer als 25 µm ausgelegt. Die Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 40a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 40b sind größer als die Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26, wie es die korrespondierenden Höhen in der ersten Ausführungsform sind.
  • 12 ist eine schematische Darstellung, die das Verhältnis zwischen dem Bond-Drahtdurchmesser der Drain-Bond-Drähte und dem Bond-Draht-Schmelzstrom zeigt. Das Diagramm aus 12 ist unter der Annahme erstellt worden, dass die Frequenz 3,0 GHz ist und die Bond-Drahtlänge 2 mm ist. Es kann verstanden werden, dass, wenn der Bond-Drahtdurchmesser vergrößert wird, der Bond-Drahtschmelzstrom erhöht wird. Deshalb kann ein mögliches Schmelzen des ersten äußersten Bond-Drahts und des zweiten äußersten Bond-Drahts durch Formen dieser Bond-Drähte mit einem großen Durchmesser verhindert werden. Außerdem kann eine Stromkonzentration an dem ersten äußersten Bond-Draht 40a und dem zweiten äußersten Bond-Draht 40b durch Auslegen der Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts 40a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 40b größer als die Schlaufenhöhe der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 begrenzt werden. Wenn der erste äußerste Bond-Draht 40a und der zweite äußerste Bond-Draht 40b dicker sind als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 ist es nicht unbedingt notwendig, den Durchmesser gleich oder größer als 25 µm auszulegen.
  • Dritte Ausführungsform
  • 13 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der dritten Ausführungsform. Ein erster äußerster Bond-Draht 42a und ein zweiter äußerster Bond-Draht 42b sind dicker als dazwischenliegende Bond-Drähte 26. Die Längen einer Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten gleichen einander. Die Durchmesser des ersten äußersten Bond-Drahts 42a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 42b sind zum Beispiel größer als 25 µm. Ein mögliches Schmelzen des ersten äußersten Bond-Drahts 42a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 42b kann durch Formen dieser Bond-Drähte mit einem großen Durchmesser verhindert werden.
  • Vierte Ausführungsform
  • 14 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der vierten Ausführungsform. Eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten weist erste äußerste Bond-Drähte 44a und 44b, zweite äußerste Bond-Drähte 44c und 44d und dazwischenliegende Bond-Drähte 26 auf. Es gibt die zwei ersten äußersten Bond-Drähte und die zwei zweiten äußersten Bond-Drähte. Die zwei ersten äußersten Bond-Drähte 44a und 44b sind mit einem von zwei Endbereichen einer Drain-Kontaktstelle 22b so verbunden, dass ihre Anschlusspunkte einander berühren. Die zwei zweiten äußersten Bond-Drähte 44c und 44d sind mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b so verbunden, dass ihre Anschlusspunkte einander berühren.
  • Der erste äußerste Bond-Draht 44a und der erste äußerste Bond-Draht 44b unterscheiden sich voneinander in der Schlaufenhöhe. Das heißt, die Schlaufenhöhe des ersten äußersten Bond-Drahts 44a ist größer als diejenige des ersten äußersten Bond-Drahts 44b. Außerdem unterscheiden sich der zweite äußerste Bond-Draht 44c und der zweite äußerste Bond-Draht 44d in der Schlaufenhöhe voneinander. Das heißt, die Schlaufenhöhe des zweiten äußersten Bond-Drahts 44c ist größer als diejenige des zweiten äußersten Bond-Drahts 44d. Die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 sind an Positionen zwischen der Mehrzahl von ersten äußersten Bond-Drähten und der Mehrzahl von zweiten äußersten Bond-Drähten vorgesehen.
  • Wie vorstehend beschrieben, neigt ein Strom dazu, weitgehend durch jeden der Bond-Drähte zu fließen, die mit den entgegengesetzten Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden sind. In dem Verstärker gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung führen die zwei ersten äußersten Bond-Drähte 44a und 44b gemeinsam solch einen hohen Strom und die zwei zweiten äußersten Bond-Drähte 44c und 44d führen gemeinsam solch einen hohen Strom. Der Strom pro Bond-Draht kann dadurch reduziert werden, wodurch ein Schmelzen der Bond-Drähte verhindert werden kann.
  • In der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind zwei erste äußerste Bond-Drähte und zwei zweite äußerste Bond-Drähte vorgesehen. Ein Stromverteilungseffekt kann jedoch solange erzielt werden, wie sowohl die Zahl von ersten äußersten Bond-Drähten als auch die Zahl von zweiten äußersten Bond-Drähten zwei oder mehr ist. Deshalb können zum Beispiel drei erste äußerste Bond-Drähte und drei zweite äußerste Bond-Drähte vorgesehen sein.
  • Fünfte Ausführungsform
  • 15 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der fünften Ausführungsform. Eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten wird aus den Drain-Bond-Drähten 46a, 46b, 46c, 46d, 46e und 46f gebildet. Die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten 46a, 46b, 46c, 46d, 46e und 46f ist so vorgesehen, dass die Drain-Bond-Drahtdichte an zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b höher ist als an einem Zwischenbereich, der zwischen den zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b angeordnet ist. Obwohl in 15 keine dazwischenliegenden Bond-Drähte gezeigt sind, können dazwischenliegende Bond-Drähte vorgesehen sein. Der Drain-Bond-Drahtabstand im Sinne eines Mittenabstands zwischen den Bond-Drähten ist 0,03 bis 1 mm an jedem der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b.
  • In dem Verstärker gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Drain-Bond-Drähte 46b und 46c nah bei dem Drain-Bond-Draht 46a angeordnet, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden ist, und die Drain-Bond-Drähte 46e und 46f sind nah bei dem Drain-Bond-Draht 46d angeordnet, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden ist. Deshalb können die drei Drain-Bond-Drähte (44a, 44b, 44c) gemeinsam einen hohen Strom führen und die drei Drain-Bond-Drähte (46d, 46e, 46f) können gemeinsam einen hohen Strom führen. Die Ströme, die durch die Drain-Bond-Drähte (46a, 46d) fließen, können somit begrenzt werden.
  • Wie vorstehend mit Bezug auf 6 beschrieben, ist in Gold-Bond-Drähten, die einen Bond-Drahtdurchmesser von 25 µm und eine Länge von etwa 2 mm aufweisen, der Bond-Drahtstrom, der durch Festlegen des Bond-Drahtabstands im Sinne eines Mittenabstands zwischen den Bond-Drähten auf 0,1 mm berechnet wird, bei einer bestimmten Ausgangsleistung Ps 0,7 A. Der Bond-Drahtstrom, der durch Festlegen des Bond-Drahtabstands im Sinne eines Mittenabstands zwischen den Bond-Drähten auf einen kleinstmöglichen Wert von 0,3 mm zum Vermeiden eines Kontakts zwischen den Bond-Drähten berechnet wird, ist bei einer bestimmten Ausgangsleistung Ps 0,5 A. Das heißt, der Bond-Drahtstrom kann um etwa 30% reduziert werden.
  • Somit kann ein Schmelzen der Drain-Bond-Drähte, die an den entgegengesetzten Enden in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten angeordnet sind, durch Festlegen der Drain-Bond-Drahtdichte, die an den zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b höher ist als an dem Zwischenbereich zwischen den zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b, verhindert werden.
  • Sechste Ausführungsform
  • 16 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der sechsten Ausführungsform. Dieser Verstärker weist eine Anzahl von gemeinsamen Punkten mit dem Verstärker gemäß der fünften Ausführungsform auf und wird deshalb hauptsächlich mit Bezug auf Unterscheidungspunkte von der fünften Ausführungsform beschrieben. Ein Drain-Bond-Draht 46a ist ein erster äußerster Bond-Draht und ein Drain-Bond-Draht 46d ist ein zweiter äußerster Bond-Draht. Die Schlaufenhöhe des ersten äußersten Bond-Drahts 46a, der mit einem von zwei Endbereichen verbunden ist, und die Schlaufenhöhe des zweiten äußersten Bond-Drahts 46d, der mit dem anderen der zwei Endbereiche verbunden ist, sind größer als die Schlaufenhöhen der Mehrzahl von Bond-Drähten, die mit dem Zwischenbereich verbunden sind. Die Ströme durch den ersten äußersten Bond-Draht 46a und den zweiten äußersten Bond-Draht 46d werden dadurch begrenzt, wodurch ein Schmelzen dieser Bond-Drähte verhindert werden kann.
  • Siebte Ausführungsform
  • 17 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der siebten Ausführungsform. Dieser Verstärker weist eine Anzahl von gemeinsamen Punkten mit dem Verstärker gemäß der fünften Ausführungsform auf und wird deshalb hauptsächlich mit Bezug auf Unterscheidungspunkte von der fünften Ausführungsform beschrieben. Eine Mehrzahl von ersten äußersten Bond-Drähten 48a, 48b, 48c, die mit einem der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, und eine Mehrzahl von zweiten äußersten Bond-Drähten 48d, 48e, 48f, die mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden sind, sind in einer Draufsicht mit der Drain-Kontaktstelle 22b in einer versetzten Weise angeordnet (in einer Zick-Zack-Form).
  • In dem Fall, in welchem die Verbindungspunkte der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten mit der Drain-Kontaktstelle 22b in einer Draufsicht linienartig angeordnet sind, kann es aufgrund eines begrenzenden Faktors in einer Wire-Bond-Vorrichtung schwierig sein, die Bond-Drähte in kleinen Abständen anzuordnen. In der siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind jedoch die Kontaktpunkte (Erdungspunkte) der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten auf der Drain-Kontaktstelle versetzt, um ein Reduzieren der Bond-Drahtabstände zu ermöglichen. An den beiden Endbereichen der Drain-Kontaktstelle können die Ströme durch die Bond-Drähte durch Reduzieren der Bond-Drahtabstände reduziert werden.
  • Achte Ausführungsform
  • 18 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der achten Ausführungsform. Dieser Verstärker weist eine Anzahl von gemeinsamen Punkten mit dem Verstärker gemäß der siebten Ausführungsform auf und wird deshalb hauptsächlich mit Bezug auf Unterscheidungspunkte von der siebten Ausführungsform beschrieben. Die Drain-Bond-Drähte 48a und 48d, die an den entgegengesetzten Enden in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten angeordnet sind, weisen eine höhere Schlaufenhöhe auf als die anderen Drain-Bond-Drähte. Weiter sind die Drain-Bond-Drähte 48a, 48b, 48c, 48d, 48e und 48f in einer Draufsicht in einer versetzten Weise mit der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden.
  • Eine Konzentration von elektrischen Feldern an den Drain-Bond-Drähten, die an den entgegengesetzten Enden in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten angeordnet sind, kann deshalb verhindert werden. Außerdem können an den zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b die Ströme durch die Bond-Drähte durch Reduzieren der Bond-Drahtabstände reduziert werden.
  • Neunte Ausführungsform
  • 19 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der neunten Ausführungsform. Eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten verbindet die Drain-Kontaktstelle 22b und das Metallmuster 30 miteinander. Die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten weist zwei erste äußerste Bond-Drähte 50a und 50b, die mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden sind, zwei zweite äußerste Bond-Drähte 50c und 50d, die mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden sind, und dazwischenliegende Bond-Drähte 26 auf, die zwischen den zwei ersten äußersten Bond-Drähten 50a und 50b und den zwei zweiten äußersten Bond-Drähten 50c und 50d eingefügt sind. Die zwei ersten äußersten Bond-Drähte 50a und 50b kreuzen einander in einer Draufsicht und die zwei zweiten äußersten Bond-Drähte 50c und 50d kreuzen einander in einer Draufsicht.
  • Somit sind die Bond-Drähte, die mit den entgegengesetzten Enden der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden sind, und die inneren Bond-Drähte neben diesen Bond-Drähten so angeordnet, dass sie einander in einer Draufsicht kreuzen. Zum Beispiel erstreckt sich der erste äußerste Bond-Draht 50a in Richtung eines inneren Bereichs des Ausgangsanpassungssubstrats 28 in seiner Verlängerung in Richtung des Ausgangsanpassungssubstrats 28, während sich der erste äußerste Bond-Draht 50b in Richtung eines äußeren Bereichs des Ausgangsanpassungssubstrats 28 in seiner Verlängerung in Richtung des Ausgangsanpassungssubstrats 28 erstreckt. Die ersten äußersten Bond-Drähte 50a und 50b können den Strom, der durch einen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b fließt führen. Somit konzentriert sich kein hoher Strom an einem Bond-Draht.
  • Der zweite äußerste Bond-Draht 50c erstreckt sich in Richtung eines inneren Bereichs des Ausgangsanpassungssubstrats 28 in seiner Verlängerung in Richtung des Ausgangsanpassungssubstrats 28, während sich der zweite äußerste Bond-Draht 50d in Richtung eines äußeren Bereichs des Ausgangsanpassungssubstrats 28 in seiner Verlängerung in Richtung des Ausgangsanpassungssubstrats 28 erstreckt. Die zweiten äußersten Bond-Drähte 50c und 50d können den Strom, der durch den anderen Endbereich der Drain-Kontaktstelle 22b fließt, führen. Somit konzentriert sich kein hoher Strom an einem Bond-Draht.
  • Zehnte Ausführungsform
  • 20 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der zehnten Ausführungsform. Eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten weist einen ersten äußersten Bond-Draht 52a, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht 52d, der mit dem anderen Endbereich der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden ist, und dazwischenliegende Bond-Drähte 52b und 52c auf, die zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht 52a und dem zweiten äußersten Bond-Draht 52d eingefügt sind. Der erste äußerste Bond-Draht 52a und der zweite äußerste Bond-Draht 52d sind kürzer als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 52b und 52c. Die dazwischenliegenden Bond-Drähte 52b und 52c verbinden einen Zwischenbereich der Drain-Kontaktstelle 22b, welcher ein zwischen den zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b eingefügter Bereich ist, und ein Metallmuster 60 miteinander.
  • Das Metallmuster 60, das auf dem Ausgangsanpassungssubstrat 28 ausgebildet ist, weist einen ersten Bereich 60a gegenüber einem der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b, einen zweiten Bereich 60b gegenüber dem Zwischenbereich der Drain-Kontaktstelle 22b und einen dritten Bereich 60c gegenüber dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b auf. Sowohl der Abstand zwischen einem der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b und dem ersten Bereich 60a als auch der Abstand zwischen dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle 22b und dem dritten Bereich 60c sind kürzer als der Abstand zwischen dem Zwischenbereich der Drain-Kontaktstelle 22b und dem zweiten Bereich 60b. Das heißt, der erste Bereich 60a und der dritte Bereich 60c erstrecken sich weiter in Richtung des Transistor-Chips 22 als der zweite Bereich 60b.
  • Der erste äußerste Bond-Draht 52a ist mit dem ersten Bereich 60a verbunden; die dazwischenliegenden Bond-Drähte 52b und 52c sind mit dem zweiten Bereich 60b verbunden; und der zweite äußerste Bond-Draht 52d ist mit dem dritten Bereich 60c verbunden.
  • Wenn die Bond-Drahtlänge reduziert wird, wird die Schmelzbarkeit des Bond-Drahts reduziert, da der Bond-Drahtschmelzstrom erhöht wird, wie in 10 gezeigt. In der zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind der erste äußerste Bond-Draht 52a und der zweite äußerste Bond-Draht 52d in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten kürzer ausgelegt als die dazwischenliegenden Bond-Drähte, wodurch die Schmelzbarkeit des ersten äußersten Bond-Drahts 52a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 52d reduziert wird.
  • In einem diskreten Verstärker werden lange Bond-Drähte, die mit einer Drain-Kontaktstelle verbunden sind, tatsächlich für ein Anpassen verwendet. Deshalb kann, wenn alle Drain-Bond-Drähte so kurz ausgelegt werden wie die Drain-Bond-Drähte an den entgegengesetzten Enden, ein Versagen auftreten, ein Anpassen zu erzielen, was zu einer Reduzierung eines Bands oder zu einer Reduzierung einer Ausgangsleistung oder einer Effizienz der Verstärkereigenschaften führt. Deshalb werden nur die Drain-Bond-Drähte an den entgegengesetzten Enden verkürzt.
  • Elfte Ausführungsform
  • 21 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der elften Ausführungsform. Dieser Verstärker weist eine Anzahl von gemeinsamen Punkten mit dem Verstärker gemäß der zehnten Ausführungsform auf und wird deshalb hauptsächlich mit Bezug auf Unterscheidungspunkte von der zehnten Ausführungsform beschrieben. Der erste äußerste Bond-Draht 52a und der zweite äußerste Bond-Draht 52d sind in der Schlaufenhöhe höher als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 52b und 52c. Außerdem sind der erste äußerste Bond-Draht 52a und der zweite äußerste Bond-Draht 52d kürzer als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 52b und 52c.
  • In dem Verstärker gemäß der elften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die Ströme, die durch den ersten äußersten Bond-Draht und den zweiten äußersten Bond-Draht fließen, durch Vergrößern der Schlaufenhöhen des ersten äußersten Bond-Drahts und des zweiten äußersten Bond-Drahts relativ zu den Schlaufenhöhen der dazwischenliegenden Bond-Drähte reduziert werden, wie vorstehend mit Bezug auf die erste Ausführungsform beschrieben. Außerdem sind der erste äußerste Bond-Draht 52a und der zweite äußerste Bond-Draht 52d kürzer ausgelegt als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 52b und 52c, wodurch die Schmelzbarkeit des ersten äußersten Bond-Drahts 52a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 52d reduziert wird.
  • Zwölfte Ausführungsform
  • 22 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der zwölften Ausführungsform. Eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten weist einen ersten äußersten Bond-Draht 62a, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht 62b, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, und dazwischenliegende Bond-Drähte 26 auf, die zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht 62a und dem zweiten äußersten Bond-Draht 62b eingefügt sind. Der erste äußerste Bond-Draht 62a, der zweite äußerste Bond-Draht 62b und die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 gleichen einander in einer Länge.
  • Ein Metallmuster 70 ist auf dem Ausgangsanpassungssubstrat 28 ausgebildet. Das Metallmuster 70 weist einen benachbarten Bereich 70a, der auf der Seite des Transistor-Chips 22 vorgesehen ist, einen Zwischenbereich 70b, welcher an den benachbarten Bereich 70a angrenzt und welcher durch Schlitze in einer Breite reduziert ist, und einen hinteren Bereich 70c auf, welcher an den Zwischenbereich 70b angrenzt und mit welchem Bond-Drähte 32 verbunden sind. Der benachbarte Bereich 70a weist zwei Endbereiche 71 und 73 und einen zentralen Bereich 72 auf, der zwischen den zwei Endbereichen 71 und 73 eingefügt ist. Der erste äußerste Bond-Draht 62a und der zweite äußerste Bond-Draht 62b sind jeweils mit den zwei Endbereichen 71 und 73 verbunden. Die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 sind mit dem zentralen Bereich 72 verbunden. Der zentrale Bereich 72 ist einer solchen Position vorgesehen, dass er näher an dem Transistor-Chip 22 liegt als die zwei Endbereiche 71 und 73.
  • Die Länge eines Pfads für den Strom, der durch den ersten äußersten Bond-Draht 62a fließt, und die Länge eines Pfads für den Strom, der durch den zweiten äußersten Bond-Draht 62b fließt, können durch ein Ausbilden von Schlitzen in dem Metallmuster 70, ohne jede der Längen des ersten äußersten Bond-Drahts 62a und des zweiten äußersten Bond-Drahts 62b zu verändern, länger ausgelegt sein, als die Längen von Pfaden für die Ströme, die durch die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 fließen. Die Schlitze sind parallel zu der Längsrichtung der Drain-Kontaktstelle 22b ausgebildet.
  • Der zentrale Bereich 72 ist in einer solchen Position angeordnet, dass er näher an dem Transistor-Chip 22 liegt als die zwei Endbereiche 71 und 73. Entsprechend ist die Fläche des zentralen Bereichs 72 größer als die Fläche des Endbereichs 71 und die Fläche des Endbereichs 73. Deshalb ist sowohl die Muster-Kapazität des ersten äußersten Bond-Drahts 62a an dem Kontaktpunkt auf dem Metallmuster 70 als auch die Muster-Kapazität des zweiten äußersten Bond-Drahts 62b an dem Kontaktpunkt auf dem Metallmuster 70 kleiner als die korrespondierende Kapazität der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26. Die Impedanzen für Signale, die über den ersten äußersten Bond-Draht 62a und den zweiten äußersten Bond-Draht 62b übertragen werden, werden dadurch erhöht, wodurch ein Reduzieren der durch diese Bond-Drähte fließenden Ströme ermöglicht wird.
  • Dreizehnte Ausführungsform
  • 23 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der dreizehnten Ausführungsform. Eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten 80a, 80b, 80c, 80d, 80e und 80f ist auf solche Weise in der Schlaufenhöhe verändert, dass diejenigen von ihnen, die näher an den Enden der Drain-Kontaktstelle 22b angeschlossen sind, mit einer höheren Schlaufenhöhe versehen sind. 24 ist eine Schnittansicht, aufgenommen entlang einer Linie XXIV-XXIV in 23. Die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten ist in einer solchen Weise vorgesehen, dass die Äußersten die höchste Schlaufenhöhe aufweisen und die Inneren von der Schlaufenhöhe schrittweise niedriger ausgelegt sind.
  • In dem Verstärker gemäß der ersten Ausführungsform sind nur die Schlaufenhöhen der äußersten Drain-Bond-Drähte in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten erhöht, während die anderen Bond-Drähte, d.h. die dazwischenliegenden Bond-Drähte von der Schlaufenhöhe gleich ausgelegt sind. In diesem Fall sind die Ströme durch die angrenzenden Bond-Drähte, die an die äußersten Drain-Bond-Drähte angrenzen, erhöht.
  • In dem Verstärker gemäß der dreizehnten Ausführungsform kann jedoch eine Stromkonzentration an bestimmten der Bond-Drähte einschließlich der angrenzenden Bond-Drähte durch schrittweises Ändern der Schlaufenhöhen der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, wie in 24 gezeigt, verhindert werden. Die Ströme, die durch die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten fließen, können somit angeglichen werden.
  • Vierzehnte Ausführungsform
  • 25 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der vierzehnten Ausführungsform. Gehäuse-Bond-Drähte 90 und 92, die ihre entgegengesetzten Enden mit dem Gehäuse 10 verbunden aufweisen, sind vorgesehen. Der Gehäuse-Bond-Draht 90 ist zwischen einem dazwischenliegenden Bond-Draht 26a und dem Gehäuse 10 angeordnet, während der Gehäuse-Bond-Draht 92 zwischen einem dazwischenliegenden Bond-Draht 26b und dem Gehäuse 10 angeordnet ist. Die Gehäuse-Bond-Drähte 90 und 92 weisen ein Massepotential auf.
  • 26 ist eine Schnittansicht, aufgenommen entlang einer Linie XXVI-XXVI in 25. Die Gehäuse-Bond-Drähte 90 und 92 sind nah bei den dazwischenliegenden Bond-Drähten 26a und 26b angeordnet, um elektrische Felder in den Umgebungen der dazwischenliegenden Bond-Drähte 26a und 26b zu konzentrieren. Als eine Folge können der Strom durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a und der Strom durch den zweiten äußersten Bond-Draht 24b reduziert werden.
  • Die vorstehend beschriebenen Gehäuse-Bond-Drähte können gleichzeitig mit der Technik zum schrittweisen Ändern der Schlaufenhöhe verwendet werden, die mit Bezug auf 23 und 24 beschrieben worden ist.
  • Fünfzehnte Ausführungsform
  • 27 ist eine Draufsicht des Verstärkers gemäß der fünfzehnten Ausführungsform. Dieser Verstärker wird hauptsächlich mit Bezug auf Unterscheidungspunkte von der ersten Ausführungsform beschrieben. Schlitze sind in dem Metallmuster 30 senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung eines Signals ausgebildet. Die Schlitze sind parallel zu der Längsrichtung der Drain-Kontaktstelle 22b vorgesehen.
  • Das Metallmuster 30 weist einen benachbarten Bereich 30a, der auf der Seite des Transistor-Chips 22 vorgesehen ist, einen Zwischenbereich 30b, welcher angrenzend an den benachbarten Bereich 30a angeordnet ist und welcher durch die Schlitze in einer Breite reduziert ist, und einen hinteren Bereich 30c auf, welcher angrenzend an den Zwischenbereich 30b angeordnet ist und mit welchem Bond-Drähte 32 verbunden sind.
  • Der erste äußerste Bond-Draht 24a und der zweite äußerste Bond-Draht 24b sind in der Schlaufenhöhe höher ausgelegt als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26. Die Ströme, die durch die Bond-Drähte an den entgegengesetzten Enden fließen, können dadurch im Vergleich zu dem Fall, in welchem alle Drain-Bond-Drähte eine gleiche Höhe aufweisen, reduziert werden.
  • Da der erste äußerste Bond-Draht 24a und der zweite äußerste Bond-Draht 24b in einer Schlaufenhöhe höher ausgelegt sind als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26, sind die Länge eines Pfads für den Strom, der durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a fließt, und die Länge eines Pfads für den Strom, der durch den zweiten äußersten Bond-Draht 24b fließt, länger als die Längen von Pfaden für die Ströme, die durch die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 fließen. Zusätzlich werden durch ein Ausbilden der Schlitze in dem Metallmuster 30 die Länge eines Pfads in dem Metallmuster 30 für den Strom, der durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a fließt, und die Länge eines Pfads in dem Metallmuster 30 für den Strom, der durch den zweiten äußersten Bond-Draht 24b fließt, länger ausgelegt als die Längen von Pfaden in dem Metallmuster 30 für die Ströme, die durch die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26 fließen.
  • Als eine Folge sind die Impedanzen der Strompfade durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a und den zweiten äußersten Bond-Draht 24b höher ausgelegt als diejenigen der Strompfade durch die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26, und der Strom durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a und der Strom durch den zweiten äußersten Bond-Draht 24b können reduziert werden.
  • In dem Verstärker gemäß der fünfzehnten Ausführungsform, wie vorstehend beschrieben, sind der erste äußerste Bond-Draht 24a und der zweite äußerste Bond-Draht 24b in einer Schlaufenhöhe höher ausgelegt als die dazwischenliegenden Bond-Drähte 26, und Schlitze sind in dem Metallmuster 30 vorgesehen. Der Strom durch den ersten äußersten Bond-Draht 24a und der Strom durch den zweiten äußersten Bond-Draht 24b können dadurch ausreichend reduziert werden.
  • Vorzugsweise sind in jeder der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen die Längen der Bond-Drähte, die mit der Drain-Kontaktstelle 22b verbunden sind, auf 6 mm oder weniger festgelegt. Bestimmte Kombinationen der Merkmale der Verstärker gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen können entworfen und soweit geeignet verwendet werden.
  • Zum Beispiel sind gemäß der vorliegenden Erfindung die Längen der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, länger als 1 mm ausgelegt und die äußersten Bond-Drähte, die an entgegengesetzten Enden in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten angeordnet sind, sind länger ausgelegt als die anderen Bond-Drähte, wodurch ein Schmelzen der Bond-Drähte verhindert wird.
  • Offenbar sind angesichts der vorstehenden Lehren viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung möglich. Es soll daher verstanden werden, dass innerhalb des Gültigkeitsumfangs der angehängten Ansprüche die Erfindung anders ausgeführt werden kann als ausdrücklich beschrieben.
  • Zusammengefasst weist ein Verstärker ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten auf, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten einen ersten äußersten Bond-Draht, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht und dem zweiten äußersten Bond-Draht eingefügt ist, aufweist, wobei jeder aus der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten länger als 1 mm ist und der erste äußerste Bond-Draht und der zweite äußerste Bond-Draht Schlaufenhöhen aufweisen, die größer sind als eine Schlaufenhöhe, die der dazwischenliegende Bond-Draht aufweist.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    Gehäuse
    12
    Eingangsanschluss
    14
    Bond-Draht
    16
    Eingangsanpassungssubstrat
    18
    Metallmuster
    20
    Bond-Draht
    22
    Transistor-Chip
    22a
    Gate-Kontaktstelle
    22b
    Drain-Kontaktstelle
    24a
    erster äußerster Bond-Draht
    24b
    zweiter äußerster Bond-Draht
    26, 26a, 26b 26c, 26d
    dazwischenliegender Bond-Draht
    28
    Ausgangsanpassungssubstrat
    30
    Metallmuster
    30a
    benachbarter Bereich
    30b
    Zwischenbereich
    30c
    hinterer Bereich
    32
    Bond-Draht
    34
    Ausgangsanschluss
    35a, 35b
    äußerster Bond-Draht
    36
    dazwischenliegender Bond-Draht
    40a
    erster äußerster Bond-Draht
    40b
    zweiter äußerster Bond-Draht
    42a
    erster äußerster Bond-Draht
    42b
    zweiter äußerster Bond-Draht
    44a
    erster äußerster Bond-Draht
    44b
    erster äußerster Bond-Draht
    44c
    zweiter äußerster Bond-Draht
    44d
    zweiter äußerster Bond-Draht
    46a, 46b, 46c, 46d, 46e, 46f
    Bond-Draht
    48a,
    48b, 48c erster äußerster Bond-Draht
    48d, 48e, 48f
    zweiter äußerster Bond-Draht
    50a, 50b
    erster äußerster Bond-Draht
    50c, 50d
    zweiter äußerster Bond-Draht
    52a
    erster äußerster Bond-Draht
    52b
    dazwischenliegender Bond-Draht
    52c
    dazwischenliegender Bond-Draht
    52d
    zweiter äußerster Bond-Draht
    60
    Metallmuster
    60a
    erster Bereich
    60b
    zweiter Bereich
    60c
    dritter Bereich
    62a
    erster äußerster Bond-Draht
    62b
    zweiter äußerster Bond-Draht
    70
    Metallmuster
    70a
    benachbarter Bereich
    70b
    Zwischenbereich
    70c
    hinterer Bereich
    71
    Endbereich
    72
    zentraler Bereich
    73
    Endbereich
    80a, 80b, 80c, 80d, 80e, 80f
    Bond-Draht
    90, 92
    Gehäuse-Bond-Draht
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2001-148616 A [0002]

Claims (23)

  1. Verstärker, aufweisend: ein Gehäuse (10); einen Transistor-Chip (22), der eine Gate-Kontaktstelle (22a) und eine Drain-Kontaktstelle (22b) aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip (22) in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (24a, 24b, 26), die mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (24a, 24b, 26) einen ersten äußersten Bond-Draht (24a), der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht (24b), der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht (26), der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht (24a) und dem zweiten äußersten Bond-Draht (24b) eingefügt ist, aufweist; jeder aus der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (24a, 24b, 26) länger ist als 1 mm; und der erste äußerste Bond-Draht (24a) und der zweite äußerste Bond-Draht (24b) Schlaufenhöhen aufweisen, die größer sind als eine Schlaufenhöhe, die der dazwischenliegende Bond-Draht (26) aufweist.
  2. Verstärker gemäß Anspruch 1, wobei die Differenz einer Schlaufenhöhe zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht (24a) und dem dazwischenliegenden Bond-Draht (26) gleich oder kleiner als 0,8 mm ist und die Differenz einer Schlaufenhöhe zwischen dem zweiten äußersten Bond-Draht (24b) und dem dazwischenliegenden Bond-Draht (26) gleich oder kleiner als 0,8 mm ist.
  3. Verstärker gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei sowohl der erste äußerste Bond-Draht (40a) als auch der zweite äußerste Bond-Draht (40b) dicker ist als der dazwischenliegende Bond-Draht (26).
  4. Verstärker gemäß Anspruch 3, wobei jede der Dicken des ersten äußersten Bond-Drahts (40a) und des zweiten äußersten Bond-Drahts (40b) gleich oder größer als 25 µm ist.
  5. Verstärker gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter aufweisend: ein Substrat (28), das in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und ein Metallmuster (30), das auf dem Substrat (28) ausgebildet ist, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (24a, 24b, 26) die Drain-Kontaktstelle (22b) und das Metallmuster (30) miteinander verbindet.
  6. Verstärker, aufweisend: ein Gehäuse (10); einen Transistor-Chip (22), der eine Gate-Kontaktstelle (22a) und eine Drain-Kontaktstelle (22b) aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip (22) in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (42a, 42b, 26), die mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (42a, 42b, 26) einen ersten äußersten Bond-Draht (42a), der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht (42b), der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht (26), der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht (42a) und dem zweiten äußersten Bond-Draht (42b) eingefügt ist, aufweist; und sowohl der erste äußerste Bond-Draht (42a) als auch der zweite äußerste Bond-Draht (42b) dicker ist als der dazwischenliegende Bond-Draht (26).
  7. Verstärker, aufweisend: ein Gehäuse (10); einen Transistor-Chip (22), der eine Gate-Kontaktstelle (22a) und eine Drain-Kontaktstelle (22b) aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip (22) in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (44a, 44b, 44c, 44d, 26), die mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten eine Mehrzahl von ersten äußersten Bond-Drähten (44a, 44b), die mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle (22b) so verbunden sind, dass ihre Kontaktpunkte einander berühren, eine Mehrzahl von zweiten äußersten Bond-Drähten (44c, 44d), die mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle (22b) so verbunden sind, dass ihre Kontaktpunkte einander berühren, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht (26), der zwischen der Mehrzahl von ersten äußersten Bond-Drähten (44a, 44b) und der Mehrzahl von zweiten äußersten Bond-Drähten (44c, 44d) eingefügt ist, aufweist; sich die Mehrzahl von ersten äußersten Bond-Drähten (44a, 44b) in einer Schlaufenhöhe voneinander unterscheidet; und sich die Mehrzahl von zweiten äußersten Bond-Drähten (44c, 44d) in einer Schlaufenhöhe voneinander unterscheidet.
  8. Verstärker, aufweisend: ein Gehäuse (10); einen Transistor-Chip (22), der eine Gate-Kontaktstelle (22a) und eine Drain-Kontaktstelle (22b) aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip (22) in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (46a, 46b, 46c, 46d, 46e, 46f), die mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (46a, 46b, 46c, 46d, 46e, 46f) so vorgesehen ist, dass die Drain-Bond-Drahtdichte an den zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle (22b) höher ist als an einem Zwischenbereich, der zwischen den zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle (22b) angeordnet ist.
  9. Verstärker gemäß Anspruch 8, wobei der Abstand zwischen den Drain-Bond-Drähten (46a, 46b, 46c, 46d, 46e, 46f) an jedem der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle (22b) im Sinne eines Mittenabstands zwischen den Bond-Drähten 0,03 mm bis 1 mm ist.
  10. Verstärker gemäß Anspruch 8 oder 9, wobei ein erster äußerster Bond-Draht (46a), der mit dem einen der zwei Endbereiche verbunden ist, und ein zweiter äußerster Bond-Draht (46d), der mit dem anderen der zwei Endbereich verbunden ist, in einer Schlaufenhöhe höher sind als eine Mehrzahl von dazwischenliegenden Bond-Drähten, die mit dem Zwischenbereich verbunden sind.
  11. Verstärker gemäß Anspruch 8 oder 9, wobei eine Mehrzahl von ersten äußersten Bond-Drähten (48a, 48b, 48c), die mit dem einen der zwei Endbereichen verbunden ist, und eine Mehrzahl von zweiten äußersten Bond-Drähten (48d, 48e, 48f), die mit dem anderen der zwei Endbereiche verbunden ist, in einer versetzten Weise mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind.
  12. Verstärker gemäß Anspruch 11, wobei die Drain-Bond-Drähte (48a, 48d), die an entgegengesetzten Enden in der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (48a, 48b, 48c, 48d, 48e, 48f) angeordnet sind, in einer Schlaufenhöhe höher sind als die anderen Drain-Bond-Drähte.
  13. Verstärker, aufweisend: ein Gehäuse (10); einen Transistor-Chip (22), der eine Gate-Kontaktstelle (22a) und eine Drain-Kontaktstelle (22b) aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip (22) in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (50a, 50b, 50c, 50d, 26), die mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (50a, 50b, 50c, 50d, 26) zwei erste äußerste Bond-Drähte (50a, 50b), die mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind, zwei zweite äußerste Bond-Drähte (50c, 50d), die mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht (26), der zwischen den zwei ersten äußersten Bond-Drähten (50a, 50b) und den zwei zweiten äußersten Bond-Drähten (50c, 50d) eingefügt ist, aufweist; die zwei ersten äußersten Bond-Drähte (50a, 50b) einander in einer Draufsicht kreuzen; und die zwei zweiten äußersten Bond-Drähte (50c, 50d) einander in einer Draufsicht kreuzen.
  14. Verstärker gemäß Anspruch 13, weiter aufweisend: ein Substrat (28), das in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und ein Metallmuster (30), das auf dem Substrat (28) ausgebildet ist, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (50a, 50b, 50c, 50d, 26) die Drain-Kontaktstelle (22b) und das Metallmuster (30) miteinander verbindet.
  15. Verstärker, aufweisend: ein Gehäuse (10); einen Transistor-Chip (22), der eine Gate-Kontaktstelle (22a) und eine Drain-Kontaktstelle (22b) aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip (22) in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (52a, 52b, 52c, 52d), die mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (52a, 52b, 52c, 52d) einen ersten äußersten Bond-Draht (52a), der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht (52d), der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht (52b, 52c), der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht (52a) und dem zweiten äußersten Bond-Draht (52d) eingefügt ist, aufweist; und sowohl der erste äußerste Bond-Draht (52a) als auch der zweite äußerste Bond-Draht (52d) kürzer ist als der dazwischenliegende Bond-Draht (52b, 52c).
  16. Verstärker gemäß Anspruch 15, wobei der erste äußerste Bond-Draht (52a) und der zweite äußerste Bond-Draht (52d) in einer Schlaufenhöhe höher sind als der dazwischenliegende Bond-Draht (52b, 52c).
  17. Verstärker gemäß Anspruch 15 oder 16, weiter aufweisend: ein Substrat (28), das in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und ein Metallmuster (60), das auf dem Substrat (28) ausgebildet ist, wobei die Drain-Kontaktstelle (22b) einen Zwischenbereich aufweist, der zwischen den zwei Endbereichen eingefügt ist; das Metallmuster (60) einen ersten Bereich (60a), der einem der zwei Endbereiche gegenüberliegt, einen zweiten Bereich (60b), der dem Zwischenbereich gegenüberliegt, und einen dritten Bereich (60c), der dem anderen der zwei Endbereiche gegenüberliegt, aufweist; sowohl der Abstand zwischen dem einen der zwei Endbereiche und dem ersten Bereich (60a) als auch der Abstand zwischen dem anderen der zwei Endbereiche und dem dritten Bereich (60c) kleiner ist als der Abstand zwischen dem Zwischenbereich und dem zweiten Bereich (60b); der erste äußerste Bond-Draht (52a) mit dem ersten Bereich (60a) verbunden ist; der dazwischenliegende Bond-Draht (52b, 52c) mit dem zweiten Bereich (60b) verbunden ist; und der zweite äußerste Bond-Draht (52d) mit dem dritten Bereich (60c) verbunden ist.
  18. Verstärker, aufweisend: ein Gehäuse (10); einen Transistor-Chip (22), der eine Gate-Kontaktstelle (22a) und eine Drain-Kontaktstelle (22b) aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip (22) in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (62a, 62b, 26), die mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind; ein Substrat (28), das in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und ein Metallmuster (70), das auf dem Substrat (28) ausgebildet ist, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (62a, 62b, 26) einen ersten äußersten Bond-Draht (62a), der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht (62b), der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht (26), der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht (62a) und dem zweiten äußersten Bond-Draht (62b) eingefügt ist, aufweist; die Länge eines Pfads für einen Strom, der durch den ersten äußersten Bond-Draht (62a) fließt, und die Länge eines Pfads für einen Strom, der durch den zweiten äußersten Bond-Draht (62b) fließt, durch Ausbilden von Schlitzen in dem Metallmuster (70) länger ausgelegt sind als die Länge eines Pfads für einen Strom, der durch den dazwischenliegenden Bond-Draht (26) fließt; und ein zentraler Bereich (72) des Metallmusters (70), mit welchem der dazwischenliegende Bond-Draht (26) verbunden ist, in einer solchen Position angeordnet ist, dass er näher an dem Transistor-Chip (22) liegt als zwei Endbereiche des Metallmusters, mit denen der erste äußerste Bond-Draht (62a) und der zweite äußerste Bond-Draht (62b) verbunden sind.
  19. Verstärker gemäß Anspruch 18, wobei die Schlitze parallel zu der Längsrichtung der Drain-Kontaktstelle (22b) vorgesehen sind.
  20. Verstärker, aufweisend: ein Gehäuse (10); einen Transistor-Chip (22), der eine Gate-Kontaktstelle (22a) und eine Drain-Kontaktstelle (22b) aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip (22) in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (80a, 80b, 80c, 80d, 80e, 80f), die mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind, wobei diejenigen aus der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (80a, 80b, 80c, 80d, 80e, 80f), die näher an den Enden der Drain-Kontaktstelle (22b) angeschlossen sind, in einer Schlaufenhöhe höher ausgelegt sind.
  21. Verstärker gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei ein Gehäuse-Bond-Draht (90), der entgegengesetzte Enden mit dem Gehäuse (10) verbunden aufweist, zwischen dem dazwischenliegenden Bond-Draht (26) und dem Gehäuse (10) vorgesehen ist.
  22. Verstärker, aufweisend: ein Gehäuse (10); einen Transistor-Chip (22), der eine Gate-Kontaktstelle (22a) und eine Drain-Kontaktstelle (22b) aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip (22) in dem Gehäuse (10) vorgesehen ist; eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (24a, 24b, 26a, 26b), die mit der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden sind; und einen Gehäuse-Bond-Draht (90), der entgegengesetzte Enden mit dem Gehäuse (10) verbunden aufweist, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten (24a, 24b, 26a, 26b) einen ersten äußersten Bond-Draht (24a), der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht (24b), der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle (22b) verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht (26a, 26b), der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht (24a) und dem zweiten äußersten Bond-Draht (24b) eingefügt ist, aufweist; und der Gehäuse-Bond-Draht (90) zwischen dem dazwischenliegenden Bond-Draht (26a) und dem Gehäuse (10) angeordnet ist.
  23. Verstärker gemäß Anspruch 5, wobei die Länge eines Pfads in dem Metallmuster (30) für einen Strom, der durch den ersten äußersten Bond-Draht (24a) fließt, und die Länge eines Pfads in dem Metallmuster (30) für einen Strom, der durch den zweiten äußersten Bond-Draht (24b) fließt, durch Ausbilden von Schlitzen in dem Metallmuster (30) länger ausgelegt sind als die Länge eines Pfads in dem Metallmuster (30) für einen Strom, der durch den dazwischenliegenden Bond-Draht (26) fließt.
DE102016216702.2A 2015-09-16 2016-09-05 Verstärker Active DE102016216702B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015182446A JP6569417B2 (ja) 2015-09-16 2015-09-16 増幅器
JP2015-182446 2015-09-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102016216702A1 true DE102016216702A1 (de) 2017-03-16
DE102016216702B4 DE102016216702B4 (de) 2022-03-03

Family

ID=58160677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016216702.2A Active DE102016216702B4 (de) 2015-09-16 2016-09-05 Verstärker

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9627300B2 (de)
JP (1) JP6569417B2 (de)
KR (1) KR101878557B1 (de)
CN (1) CN107068623B (de)
DE (1) DE102016216702B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020203249A1 (de) * 2019-03-22 2020-09-24 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
DE102019208826B4 (de) 2018-06-26 2023-09-28 Mitsubishi Electric Corporation Leistungsmodul und Leistungsumwandlungsvorrichtung

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017157604A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 株式会社三社電機製作所 半導体装置
US11164828B2 (en) 2017-05-17 2021-11-02 Mitsubishi Electric Corporation Amplifier
JP7050487B2 (ja) * 2017-12-28 2022-04-08 新電元工業株式会社 電子デバイス
JP2019169504A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 日本電信電話株式会社 ワイヤボンディング構造
WO2019229796A1 (ja) 2018-05-28 2019-12-05 三菱電機株式会社 増幅器
JP6971952B2 (ja) * 2018-11-07 2021-11-24 三菱電機株式会社 半導体装置
US11749578B2 (en) 2019-02-22 2023-09-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor module, power semiconductor module, and power electronic equipment using the semiconductor module or the power semiconductor module
JP7209615B2 (ja) * 2019-11-13 2023-01-20 三菱電機株式会社 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148616A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Nec Corp 高周波増幅器

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61210646A (ja) * 1985-03-15 1986-09-18 Nec Corp 半導体装置
JPS63203001A (ja) * 1987-02-18 1988-08-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH04147635A (ja) * 1990-10-09 1992-05-21 Mitsubishi Electric Corp 高周波高出力トランジスタ
JPH0653715A (ja) 1992-07-30 1994-02-25 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波増幅器
JPH07307626A (ja) 1994-05-12 1995-11-21 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波高出力増幅器
JP3364404B2 (ja) * 1997-02-12 2003-01-08 株式会社東芝 半導体の入出力接続構造
JPH11238851A (ja) 1998-02-23 1999-08-31 Hitachi Ltd 集積回路装置およびそれを用いた通信機
JP2003110382A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波半導体増幅器
DE10204157B4 (de) * 2002-02-01 2005-03-03 Semikron Elektronik Gmbh Drahtbondverbindung für Leistungshalbleiterbauelemente
US7119623B2 (en) * 2002-02-01 2006-10-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Output circuit for a semiconductor amplifier element
JP2004039657A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2005064248A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100586278B1 (ko) * 2004-12-07 2006-06-08 삼성전자주식회사 본딩 와이어 차폐 구조를 가지는 고속 반도체 패키지용인쇄 회로 기판
JP2010183100A (ja) * 2005-01-06 2010-08-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体増幅器
US7235422B2 (en) * 2005-02-02 2007-06-26 Agere Systems Inc. Device packages
KR20070116115A (ko) * 2005-03-18 2007-12-06 엔엑스피 비 브이 전자 ｒｆ 장치 및 그 제조 방법
CN101292349B (zh) * 2005-10-19 2011-09-28 Nxp股份有限公司 包括具有与接线耦接的电极的元件的器件
US7777353B2 (en) * 2006-08-15 2010-08-17 Yamaha Corporation Semiconductor device and wire bonding method therefor
US8125060B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-28 Infineon Technologies Ag Electronic component with layered frame
JP2008300685A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Toshiba Corp 半導体装置及び増幅器
US20090273074A1 (en) * 2008-04-30 2009-11-05 Xiaoming Li Bond wire loop for high speed noise isolation
US8431973B2 (en) 2008-12-10 2013-04-30 Kabushiki Kaisha Toshiba High frequency semiconductor device
DE102009029040A1 (de) * 2009-08-31 2011-03-03 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP2665181B1 (de) * 2012-05-17 2014-12-17 Nxp B.V. Verstärkerschaltung
EP2667409A1 (de) * 2012-05-21 2013-11-27 Nxp B.V. Verstärkerschaltung mit einer Bonddrahtanordnung niedriger Induktivität
JP6191016B2 (ja) * 2012-11-09 2017-09-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置
JP6164721B2 (ja) * 2012-11-09 2017-07-19 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置
JP6164722B2 (ja) * 2012-12-14 2017-07-19 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置
JP2014138305A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
JP2015146393A (ja) * 2014-02-03 2015-08-13 カルソニックカンセイ株式会社 超音波ウェッジボンディング構造
EP2933835A1 (de) * 2014-04-15 2015-10-21 Nxp B.V. RF-Leistungstransistor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148616A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Nec Corp 高周波増幅器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019208826B4 (de) 2018-06-26 2023-09-28 Mitsubishi Electric Corporation Leistungsmodul und Leistungsumwandlungsvorrichtung
DE102020203249A1 (de) * 2019-03-22 2020-09-24 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
US11152327B2 (en) 2019-03-22 2021-10-19 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device with fuse portion comprising wires of different electrical resistance

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170033239A (ko) 2017-03-24
CN107068623A (zh) 2017-08-18
JP2017059650A (ja) 2017-03-23
DE102016216702B4 (de) 2022-03-03
US20170077012A1 (en) 2017-03-16
KR101878557B1 (ko) 2018-07-13
US9627300B2 (en) 2017-04-18
CN107068623B (zh) 2019-11-08
JP6569417B2 (ja) 2019-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016216702B4 (de) Verstärker
DE19946935B4 (de) Vorrichtung zur induktiven Strommessung mit mindestens einem Differenzsensor
DE4301915C2 (de) Mehrfachchip-Halbleitervorrichtung
DE69820546T2 (de) Spulenelement
DE2100103B2 (de) Abgeschirmte halbleiteranordnung
DE19519796C2 (de) Halbleiterschaltung mit einem Überspannungsschutzkreis
DE112018004830T5 (de) Strommessvorrichtung
DE102010001668A1 (de) Leistungstransistorbaugruppe mit integrierter Sammelschiene
DE112017003183T5 (de) Shunt-Widerstandsbefestigungsstruktur und Befestigungsplatte
DE112017007145T5 (de) Zwischenplattenverbindungsstruktur
DE112015002878T5 (de) Stromdetektierwiderstand
DE102013223500A1 (de) Hochfrequenzvorrichtung
DE102004049104A1 (de) Leistungswandler und ein denselben verwendendes System
DE102004027960A1 (de) Elektrische Leistungs-Halbleitervorrichtung
DE102008016876A1 (de) Transformator
DE112017006666T5 (de) Rauschfilter
DE69829271T2 (de) Ein vorher angepasster MMIC Transistor hoher Leistung mit verbesserter Erdschlusspotentialkontiniutät
DE112017007548T5 (de) Verstärker
DE102017216683A1 (de) Induktorkomponente
EP0114958B1 (de) Mikrowellenringhybrid
DE10308556B4 (de) Feldeffekttransistorvorrichtung
DE10163429A1 (de) HF-Schaltungschip, HF-Schaltungsvorrichtung mit HF-Schaltungschip und Herstellungsverfahren davon
DE2426375C3 (de) Akustische Oberflächenwellenanordnung
DE102005014176B4 (de) Verfahren zum Erstellen einer Schutzanordnung zum Schutz eines Elektronikbausteins vor elektrostatischen Entladungen und entsprechend ausgebildeter Elektronikbaustein
DE112018006918T5 (de) Verstärker

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R084 Declaration of willingness to licence
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final