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ERFINDUNGSGEBIET
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Die vorliegende Erfindung betrifft einen Rauschfilter zum Beseitigen von hochfrequentem elektromagnetischem Rauschen, das aufgrund einer durch eine parasitäre Komponente in einer Leiterplatte verursachte Antiresonanz austritt.
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ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
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Auf einer Leiterplatte können verschiedene Schaltungselemente wie etwa ein integriertes Halbleiterelement und dergleichen umgesetzt werden. Weiterhin ist auf der Leiterplatte in vielen Fällen ein Bypass-Kondensator als ein Rauschfilter zum Beseitigen von in der Leiterplatte generiertem hochfrequentem elektromagnetischem Rauschen umgesetzt. Beispielsweise ist es zum Reduzieren von Stromversorgungsrauschen in der Leiterplatte erforderlich, die Impedanz der Stromversorgung zu reduzieren. Aus diesem Grund ist ein Rauschfilter unter Verwendung eines Bypass-Kondensators zwischen einem Leistungsanschluss und einem Schaltungselement auf der Leiterplatte umgesetzt.
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In jüngster Zeit gibt es zunehmend Fälle, wo ein Drei-Anschluss-Kondensator als der Bypass-Kondensator verwendet wird. Man sagt, dass die Rauschunterdrückungsleistung bei dem Drei-Anschluss-Kondensator höher ist als bei einem herkömmlich verwendeten Zwei-Anschluss-Kondensator, und er wird durch Unterteilen eines Musters für die Stromversorgung umgesetzt, das auf der Leiterplatte ausgebildet ist und die das Schaltungselement mit einer Stromversorgungsschaltung für die Leistungseinspeisung verbindet, d.h. er wird durch das Muster hindurchtretend umgesetzt.
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Wenn jedoch der Drei-Anschluss-Kondensator durchtretend umgesetzt wird, entstehen die folgenden beiden Probleme.
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Das erste Problem besteht darin, dass eine LC-Parallelresonanz (Antiresonanz) bei einer spezifischen Frequenz durch parasitäre Induktanzen des Drei-Anschluss-Kondensators und die Verdrahtung und ein Via für die Umsetzung und durch eine parasitäre Kapazität zwischen dem Muster für die Stromversorgung und einem auf der Leiterplatte ausgebildeten Massemuster verursacht wird. In einem Frequenzbereich, wo eine Antiresonanz auftritt, werden Rauschstromladen und -entladen zwischen den parasitären Induktanzen und der parasitären Kapazität wiederholt, so dass der Bypass-Kondensator nicht funktioniert und somit der Rauschreduktionseffekt beeinträchtigt ist. Um die Leistung des Rauschfilters zu verbessern, ist es entsprechend erforderlich, den Rauschstrom in dem Frequenzbereich, wo die Antiresonanz auftritt, zu reduzieren.
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Das zweite Problem besteht darin, dass bei der hindurchtretenden Umsetzung des Drei-Anschluss-Kondensators, wenn eine Beanspruchung auf den Drei-Anschluss-Kondensator angewendet wird, wegen einer Verformung der Platine oder dergleichen, um dadurch einen Riss zu entwickeln, er nicht mehr in der lage ist, Strom an Schaltungselemente zu liefern. Somit wird die Produkthaltbarkeit verschlechtert.
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Bezüglich der Reduktion des Rauschstroms hinsichtlich des ersten Problems, wie in Patentdokument 1 gezeigt, gibt es beispielsweise eine Ausbildung, bei der eine CR-Entstörschaltung, die einen Kondensator und einen Widerstand, die seriell miteinander verbunden sind, enthält, zwischen dem Leistungsanschluss des Schaltungselements und dem Masseanschluss angeordnet ist. Durch Einfügen des Widerstands in einen Strom-Bypass-Pfad, der über den Kondensator verläuft, verbraucht der Widerstand Rauschstrom, und folglich kann die Leistung des Rauschfilters in dem Frequenzbereich, wo Antiresonanz auftritt, verbessert werden.
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Bezüglich der Verschlechterung bei der Produkthaltbarkeit bei dem zweiten Problem gibt es eine derartige Umsetzung, bei der das Muster für die Stromversorgung, das auf der Leiterplatte ausgebildet ist und das das Schaltungselement mit der Stromversorgungsschaltung zum Leistungseinspeisen verbindet, nicht unterteilt ist (nichtdurchdringende Umsetzung).
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ENTGEGENHALTUNGSLISTE
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PATENTDOKUMENT
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Patentdokument 1:
japanisches Patent Nr. 5558645
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KURZE DAntiresonanzSTELLUNG DER ERFINDUNG DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
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Obwohl es möglich ist, einen Rauschstrom durch den Widerstand zu verbrauchen, um dadurch die Leistung des Rauschfilters in dem Frequenzbereich zu verbessern, wo Antiresonanz auftritt, besteht jedoch ein Problem bei der in Patentdokument 1 beschriebenen Technik dahingehend, dass sich in dem anderen Frequenzbereich die Leistung des Rauschfilters aufgrund des Widerstandswerts des in den Strom-Bypass-Pfad eingefügten Widerstands und aufgrund der parasitären Induktanzen des Widerstands und seiner Verbindungsverdrahtung verschlechtert. Um die Leistung des Rauschfilters unter Verwendung eines Drei-Anschluss-Kondensators effektiv zu verwenden, ist es insbesondere wichtig, die in den Bypass-Pfad eingefügte parasitäre Induktanz zu reduzieren. In dieser Hinsicht kann eine derartige Maßnahme in Betracht gezogen werden, bei der zum magnetischen Aufheben der parasitären Induktanz der Verdrahtung die Komponententeile so angeordnet sind, dass ein durch den Widerstand fließender Strom und ein durch den Kondensator fließender Strom umgekehrt gerichtet sind. Bei diesem Verfahren ist es jedoch nicht in der Lage, die Induktanz vollständig aufzuheben und somit den Widerstandswert zu reduzieren.
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Weiterhin gibt es bei der nichtdurchdringenden Umsetzung als eine Lösung für das zweite Problem, weil das Muster für die Stromversorgung, das ein Schaltungselement mit der Stromversorgungsschaltung zum Leistungseinspeisen verbindet, nicht unterteilt ist, einen derartigen Pfad, bei dem Rauschen von dem Schaltungselement zu dem Leistungseinspeisungspunkt herausfließt, ohne den Dreianschlusskondensator zu durchlaufen. Somit besteht ein Problem, dass sich die Leistung des Rauschfilters in einem Frequenzbereich verschlechtert, wo die Induktanz dominant wird.
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Die vorliegende Erfindung wurde angestellt, um die obigen Probleme zu lösen, und eine Aufgabe davon besteht in der Bereitstellung eines Rauschfilters, das, während es den Rauschstrom in dem Frequenzbereich reduziert, wo Antiresonanz auftritt, verhindert, dass sich seine Leistung in dem anderen Frequenzbereich verschlechtert, und das die Haltbarkeit erhöhen kann.
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MITTEL ZUM LÖSEN DER PROBLEME
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Ein Rauschfilter gemäß der Erfindung enthält: einen Hauptstrompfadteil, der zwischen einem Leistungselement und einem Schaltungselement angeordnet ist; einen Unterstrompfadteil, der von einem an einem Ende des Hauptstrompfadteils platzierten ersten Verzweigungspunkt abzweigt und der mit dem Hauptstrompfadteil an einem an einem anderen Ende des Hauptstrompfadteils platzierten zweiten Verzweigungspunkt verbindet; ein Drei-Anschluss-Kondensatorelement mit einem Paar von Elektrodenanschlüssen und einem zwischen dem Paar von Elektrodenanschlüssen angeordneten Masseanschluss, bei dem das Paar von Elektrodenanschlüssen seriell in einem Pfad von dem ersten Verzweigungspunkt zu dem zweiten Verzweigungspunkt geschaltet ist und der Masseanschluss mit einem Masseleiter verbunden ist; und ein Widerstandselement mit einem Paar von Elektrodenanschlüssen, die seriell in den Pfad von dem ersten Verzweigungspunkt zu dem zweiten Verzweigungspunkt geschaltet sind. Eine Pfadlänge des Unterstrompfadteils ist größer als eine Länge des Pfads von dem ersten Verzweigungspunkt zu dem zweiten Verzweigungspunkt in dem Hauptstrompfadteil.
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EFFEKT DER ERFINDUNG
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In dem Rauschfilter gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Pfadlänge des Unterstrompfadteils so eingestellt, dass sie größer ist als die Länge des Pfads von dem ersten Verzweigungspunkt zu dem zweiten Verzweigungspunkt in dem Hauptstrompfadteil. Dies ermöglicht, während Rauschstrom in dem Frequenzbereich reduziert wird, wo Antiresonanz auftritt, zu verhindern, dass sich die Leistung in dem anderen Frequenzbereich verschlechtert, und die Haltbarkeit zu erhöhen.
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Figurenliste
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- 1 ist ein Darstellungsdiagramm einer geschichteten Struktur einer Leiterplatte zum Umsetzen eines Rauschfilters gemäß Ausführungsform 1 der Erfindung;
- 2 ist ein Ausbildungsdiagramm, das das Rauschfilter gemäß Ausführungsform 1 der Erfindung zeigt;
- 3 ist ein Darstellungsdiagramm, das einen Strompfad von Rauschstrom in dem Rauschfilter gemäß Ausführungsform 1 der Erfindung zeigt;
- 4 ist ein Darstellungsdiagramm einer geschichteten Struktur einer Leiterplatte zum Umsetzen eines Rauschfilters gemäß Ausführungsform 2 der Erfindung; und
- 5 ist eine Perspektivansicht, die eine Ausbildung des Rauschfilters gemäß Ausführungsform 2 der Erfindung zeigt.
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MODI ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
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Im Folgenden werden zur ausführlicheren Veranschaulichung der vorliegenden Erfindung einige Ausführungsformen zum Ausführen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
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Ausführungsform 1
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1 ist ein Darstellungsdiagramm einer geschichteten Struktur einer Leiterplatte 1 zum Umsetzen eines Rauschfilters gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Erfindung. Die dargestellte Leiterplatte 1 besitzt die geschichtete Struktur, in der eine erste Verdrahtungsschicht 2 in einer Dickenrichtung Z einer Isolierschicht 3 gestapelt ist. Die Leiterplatte 1 ist eine einseitige Platine. Die erste Verdrahtungsschicht 2 ist auf einer X-Y-Ebene senkrecht zu der Dickenrichtung Z verteilt. Weiterhin sind auf der Oberfläche der Leiterplatte 1 eine Elektronikkomponente 10 wie etwa ein LSI oder ein IC als ein Schaltungselement, ein Leistungselement 11, ein Widerstandselement 12 und ein Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 umgesetzt. Die Isolierschicht 3 wird durch ein elektrisches Isolationsharzmaterial wie etwa beispielsweise ein Epoxidharz, ein Polyimidharz oder dergleichen gebildet.
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2 ist ein Ausbildungsdiagramm eines Rauschfilters 100 gemäß Ausführungsform 1. Das dargestellte Rauschfilter 100 enthält: ein Hauptverdrahtungsmuster 20; ein Unterverdrahtungsmuster 21, das von einem an einer Endseite des Hauptverdrahtungsmusters 20 platzierten ersten Verzweigungsabschnitt 20a abzweigt und das mit einem an einer anderen Endseite des Hauptverdrahtungsmusters 20 platzierten zweiten Verzweigungsabschnitt 20b verbindet; einen Masseleiter 22; das Widerstandselement 12; und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13. Das Hauptverdrahtungsmuster 20, das Unterverdrahtungsmuster 21 und der Masseleiter 22 sind auf einer Oberflächenschicht der Isolierschicht 3 als eine Gruppe von Ausbildungselementen der ersten Verdrahtungsschicht 2 ausgebildet. Weiterhin ist die erste Verdrahtungsschicht 2 durch einen elektrischen Leiter wie etwa eine Kupferfolie oder dergleichen ausgebildet.
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Das Hauptverdrahtungsmuster 20 und das Unterverdrahtungsmuster 21 sind Leitermuster zur Leistungseinspeisung, die eine Verbindung zwischen der Elektronikkomponente 10 und dem Leistungselement 11 herstellen. Der Pfad des Hauptverdrahtungsmusters 20, in dem das Widerstandselement 12, das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 und ein Teil 20c des Hauptverdrahtungsmusters enthalten sind, bildet einen Hauptstrompfadteil, und das Unterverdrahtungsmuster 21 bildet einen Unterstrompfadteil. Die eine Endseite des Hauptverdrahtungsmusters 20 ist elektrisch mit einem Leistungsanschluss der Elektronikkomponente 10 verbunden, und die andere Endseite des Hauptverdrahtungsmusters 20 ist elektrisch mit einer positiven Elektrode des Leistungselements 11 verbunden. Das Unterverdrahtungsmuster 21 ist ausgebildet zum Abzweigen von dem ersten Verzweigungsabschnitt 20a des Hauptverdrahtungsmusters 20 und zum Wiederverbinden mit dem Hauptverdrahtungsmuster 20 an dem zweiten Verzweigungsabschnitt 20b davon.
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Man beachte, dass bei dieser Ausführungsform das Leistungselement 11 auf der Leiterplatte 1 umgesetzt ist; durch diese Erläuterung ist jedoch keine Beschränkung beabsichtigt. Statt des Leistungselements 11 kann ein externes Leistungselement verwendet werden.
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Weiterhin besitzt das Widerstandselement 12 Elektrodenanschlüsse an beiden Enden in seiner Längsrichtung, nämlich in der Richtung entlang des Hauptverdrahtungsmusters 20. Das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 besitzt Elektrodenanschlüsse an beiden Enden in seiner Längsrichtung, wobei die Elektroden an beiden Enden elektrisch miteinander verbunden sind, und besitzt einen Masseanschluss zwischen den Elektroden an den beiden Enden. Das Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 sind so auf der Oberfläche der Leiterplatte 1 umgesetzt, dass sie in der ersten Verdrahtungsschicht 2 platziert sind. Das Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 sind seriell durch den Teil 20c des zwischen dem ersten Verzweigungsabschnitt 20a und dem zweiten Verzweigungsabschnitt 20b platzierten Hauptverdrahtungsmusters geschaltet. Bezüglich der Reihenfolge der Verbindung ist das Widerstandselement 12 zuerst vorgesehen, und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 ist als Zweites vorgesehen, bei Betrachtung von dem ersten Verzweigungsabschnitt 20a aus. Einer der beiden Elektrodenanschlüsse des Widerstandselements 12 ist mit der Seite des ersten Verzweigungsabschnitts 20a des Hauptverdrahtungsmusters 20 verbunden, und der andere von ihnen ist mit der Seite des Teils 20c des Hauptverdrahtungsmusters verbunden. Weiterhin ist einer der Elektrodenanschlüsse an den beiden Enden des Drei-Anschluss-Kondensatorelements 13 mit der Seite des Teils 20c des Hauptverdrahtungsmusters verbunden, und der andere von ihnen ist mit der Seite des zweiten Verzweigungsabschnitts 20b verbunden. Der Masseanschluss des Drei-Anschluss-Kondensatorelements 13 ist mit dem Masseleiter 22 verbunden. Der Masseleiter 22 ist elektrisch geerdet.
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Es wird angemerkt, dass bei dieser Ausführungsform, obwohl ein oberflächenmontierter Chipwiderstand als das Widerstandselement 12 verwendet wird, durch diese Erläuterung keine Beschränkung beabsichtigt ist. Anstelle des Chipwiderstands kann ein verdrahteter Widerstand verwendet werden. Gleichermaßen wird, obwohl ein Chipkondensator vom Stapeltyp als das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 verwendet wird, durch diese Erläuterung keine Beschränkung beabsichtigt. Anstelle des Chipkondensators kann ein Elektrolytkondensator oder ein Filmkondensator verwendet werden. Diese Erläuterung kann auch auf das Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 angewendet werden, die in der später zu beschreibenden Ausführungsform 2 verwendet werden.
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Das oben beschriebene Rauschfilter 100 funktioniert als ein Rauschfilter, wenn hochfrequentes elektromagnetisches Rauschen in der Elektronikkomponente 10 generiert wird, und kann bewirken, dass der in das Hauptverdrahtungsmuster 20 eingegebene Rauschstrom durch das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 zu dem Masseleiter 22 fließt. Das Rauschfilter 100 besitzt auch eine Funktion zum Stabilisieren der Stromversorgungsspannung durch Beseitigen des Rauschstroms.
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Wie in 2 gezeigt, sind in dem Hauptverdrahtungsmuster 20, das ein Hauptstrompfad ist, das Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 seriell geschaltet, und das Unterverdrahtungsmuster 21 als der Unterstrompfad ist so ausgebildet, dass seine Pfadlänge größer ist als eine Pfadlänge zwischen dem ersten Verzweigungsabschnitt 20a und dem zweiten Verzweigungsabschnitt 20b in dem Hauptverdrahtungsmuster 20. Dies ermöglicht, einen Rauschstrom gemäß der Rauschfrequenz zu trennen.
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3 ist eine Draufsicht des Rauschfilters 100 zum Veranschaulichen des Mechanismus des Rauschreduktionseffekts in Ausführungsform 1.
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Wenn Rauschstrom von einem Ende des Hauptverdrahtungsmusters 20, das der Hauptstrompfad ist, einfließt, wird der Rauschstrom getrennt zu dem Strompfad des Hauptverdrahtungsmusters 20 und des Unterverdrahtungsmusters 21 in Abhängigkeit von seinen Frequenzen verteilt. Dies ist der Fall, weil der Unterstrompfad, der aus dem Unterverdrahtungsmuster 21 besteht, länger ist als der Hauptstrompfad von dem ersten Verzweigungsabschnitt 20a zu dem zweiten Verzweigungsabschnitt 20b in dem Hauptverdrahtungsmuster 20. Die Impedanz des Hauptstrompfads zwischen dem ersten Verzweigungsabschnitt 20a und dem zweiten Verzweigungsabschnitt 20b wird durch die Summe einer von der Länge dieses Strompfads abhängigen Induktanz und des Widerstandswerts des Widerstandselements 12 bestimmt. Die Impedanz aufgrund der Induktanz besitzt eine proportionale Beziehung mit der Frequenz, wohingegen der Widerstandswert des Widerstandselements 12 ungeachtet der Frequenz fast konstant ist. Außerdem wird die Impedanz des Unterstrompfads aufgrund des Unterverdrahtungsmusters 21 ähnlich durch die Induktanz in Abhängigkeit von der Länge dieses Strompfads bestimmt.
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Somit besitzt bei einer Frequenz, die die Frequenz nicht übersteigt, bei der Antiresonanz auftritt, das Widerstandselement 12 einen signifikanten Einfluss, so dass die Impedanz des Unterstrompfads niedriger wird als die Impedanz des Hauptstrompfads zwischen dem ersten Verzweigungsabschnitt 20a und dem zweiten Verzweigungsabschnitt 20b. Somit fließt, wie durch eine gestrichelte Linie in 3 gezeigt, die Komponente InA des Rauschstroms mit Frequenzen, die die Frequenz nicht übersteigen, bei der Antiresonanz auftritt, in dem Unterstrompfad, um den zweiten Verzweigungsabschnitt 20b in dem Hauptstrompfad zu erreichen, so dass der Strom über das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 umgeleitet wird.
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Im Gegensatz dazu besitzt bei einer Frequenz, die die Frequenz übersteigt, bei der Antiresonanz auftritt, eine von der Länge eines Strompfads abhängige Induktanz einen signifikanten Einfluss, so dass die Impedanz des durch das Unterverdrahtungsmuster 21 ausgebildeten Unterstrompfads größer wird als die Impedanz des Hauptstrompfads zwischen dem ersten Verzweigungsabschnitt 20a und dem zweiten Verzweigungsabschnitt 20b. Somit wird, wie durch eine tatsächliche Linie in der Figur gezeigt, die Komponente InB des Rauschstroms mit Frequenzen, die die Frequenz übersteigen, bei der Antiresonanz auftritt, über das Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 umgangen.
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Wie oben beschrieben, sind gemäß Ausführungsform 1 das Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 seriell zwischen den ersten Verzweigungsabschnitt 20a und den zweiten Verzweigungsabschnitt 20b des Hauptverdrahtungsmusters 20 geschaltet, und das Unterverdrahtungsmuster 21, das ein Unterstrompfad ist, ist so ausgebildet, dass seine Pfadlänge größer ist als die Länge des Pfads von dem ersten Verzweigungsabschnitt 20a zu dem zweiten Verzweigungsabschnitt 20b in dem Hauptstrompfad, so dass nur die Komponente InB des Rauschstroms in dem Frequenzbereich, wo Antiresonanz auftritt, durch das Widerstandselement 12 verbraucht werden kann. Infolgedessen ist es möglich, ein Rauschfilter und eine Leiterplatte umzusetzen, die, während sie die Leistung des Rauschfilters in dem Frequenzbereich verbessern, wo Antiresonanz auftritt, verhindern können, dass sich die Leistung des Rauschfilters in dem anderen Frequenzbereich verschlechtert.
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Sogar wenn die Leistungsanschlüsse des Drei-Anschluss-Kondensatorelements 13, seriell in dem Hauptstrompfad umgesetzt, in einen isolierten Zustand dazwischen fallen, ist es weiter möglich, Leistung von dem Leistungselement 11 zu der Elektronikkomponente 10 durch den Unterstrompfad zu speisen, der durch das Unterverdrahtungsmuster 21 gebildet wird. Wenn andererseits sich die Leistungsanschlüsse nicht in dem isolierten Zustand dazwischen befinden, wie oben beschrieben, wird eine hochfrequente Komponente des Rauschstroms über das Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13, die in dem Hauptpfad geschaltet sind, umgangen. Somit ist es möglich, die hochfrequente Komponente des Rauschstroms, der von dem Schaltungselement zu einem Leistungseinspeisepunkt ausfließt, zu unterdrücken, ohne das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 zu durchlaufen.
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Deshalb ist es möglich, ein Rauschfilter bereitzustellen, das, während es die Leistung des Rauschfilters in dem Frequenzbereich verbessert, wo Antiresonanz auftritt, verhindert, dass sich die Leistung des Rauschfilters in dem anderen Frequenzbereich verschlechtert, und das die Produkthaltbarkeit ohne Verschlechterung bei der Leistung erhöht.
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Man beachte, dass die Leiterplatte 1 in dieser Ausführungsform eine einseitige gedruckte Montageplatte ist und somit die erste Verdrahtungsschicht 2 als eine Außenschicht einer doppelseitigen gedruckten Montageplatte ist; durch diese Erläuterung ist jedoch keine Beschränkung beabsichtigt. Beispielsweise kann die erste Verdrahtungsschicht 2 als eine Innenschicht in einer mehrschichtigen Leiterplatte ausgebildet sein, die drei oder mehr Verdrahtungsschichten enthält. Hier bedeutet die Außenschicht eine äußerste Verdrahtungsschicht unter mehreren Verdrahtungsschichten der Leiterplatte, und die Innenschicht bedeutet eine innere Verdrahtungsschicht unter mehreren Verdrahtungsschichten der Leiterplatte.
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Obwohl das Hauptverdrahtungsmuster 20 weiter so ausgebildet ist, dass es eine lineare Form besitzt, ist die Form nicht darauf beschränkt. Obwohl das Unterverdrahtungsmuster 21 weiter so ausgebildet ist, dass es eine Mäanderform besitzt, ist die Form nicht darauf beschränkt.
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Wie oben beschrieben, enthält das Rauschfilter gemäß Ausführungsform 1: ein Hauptstrompfadteil, der zwischen einem Leistungselement und einem Schaltungselement angeordnet ist; einen Unterstrompfadteil, der von einem an einem Ende des Hauptstrompfadteils platzierten ersten Verzweigungspunkts abzweigt und der mit dem Hauptstrompfadteil an einem an einem anderen Ende des Hauptstrompfadteils platzierten zweiten Verzweigungspunkts verbindet; ein Drei-Anschluss-Kondensatorelement mit einem Paar von Elektrodenanschlüssen und einem zwischen dem Paar von Elektrodenanschlüssen angeordneten Masseanschluss, bei dem das Paar von Elektrodenanschlüssen seriell in einem Pfad von dem ersten Verzweigungspunkt zu dem zweiten Verzweigungspunkt geschaltet ist und der Masseanschluss mit einem Masseleiter verbunden ist; und ein Widerstandselement mit einem Paar von Elektrodenanschlüssen, die seriell in den Pfad von dem ersten Verzweigungspunkt zu dem zweiten Verzweigungspunkt geschaltet sind. Eine Pfadlänge des Unterstrompfadteils ist größer als eine Länge des Pfads von dem ersten Verzweigungspunkt zu dem zweiten Verzweigungspunkt in dem Hauptstrompfadteil. Somit ist es möglich, während Rauschstrom in dem Frequenzbereich reduziert wird, wo Antiresonanz auftritt, zu verhindern, dass sich die Leistung in dem anderen Frequenzbereich verschlechtert, und die Haltbarkeit zu vergrößern.
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Weiterhin werden gemäß dem Rauschfilter von Ausführungsform 1 der Hauptstrompfadteil, der Unterstrompfadteil, das Drei-Anschluss-Kondensatorelement, der Masseleiter und das Widerstandselement in einer gleichen Verdrahtungsschicht einer Leiterplatte umgesetzt. Der Hauptstrompfadteil ist als ein Hauptverdrahtungsmuster in der gleichen Verdrahtungsschicht ausgebildet, und der Unterstrompfadteil ist als ein Unterverdrahtungsmuster in der gleichen Verdrahtungsschicht ausgebildet. Das Drei-Anschluss-Kondensatorelement und das Widerstandselement sind seriell in dem Hauptverdrahtungsmuster geschaltet. Somit ist es möglich, ein Rauschfilter für die Leiterplatte bereitzustellen, das, während ein Rauschstrom in dem Frequenzbereich reduziert wird, wo Antiresonanz auftritt, verhindern kann, dass sich die Leistung in dem anderen Frequenzbereich verschlechtert, und das die Haltbarkeit vergrößern kann.
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Ausführungsform 2
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In einem Rauschfilter von Ausführungsform 2 ist das Rauschfilter der vorliegenden Erfindung auf einen Fall unter Verwendung einer Mehrschichtplatte erweitert, bei dem die Fläche zum Umsetzen des Rauschfilters durch Ausbilden einer Filterstruktur in mehreren Schichten reduziert wird.
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4 ist ein Darstellungsdiagramm einer geschichteten Struktur einer Leiterplatte 1a zum Umsetzen des Rauschfilters gemäß Ausführungsform 2 der Erfindung. Die dargestellte Leiterplatte 1a ist eine dreischichtige Leiterplatte mit einer geschichteten Struktur, bei der in einer Dickenrichtung Z eine erste Verdrahtungsschicht 2a und eine zweite Verdrahtungsschicht 4a über eine Isolierschicht 3a gestapelt sind und weiter die zweite Verdrahtungsschicht 4a und eine dritte Verdrahtungsschicht 6a über eine Isolierschicht 5a gestapelt sind. Jede der ersten Verdrahtungsschicht 2a, der zweiten Verdrahtungsschicht 4a und der dritten Verdrahtungsschicht 6a ist in einer X-Y-Ebene senkrecht zu der Dickenrichtung Z verteilt. Auf der ersten Verdrahtungsschicht 2a an der Oberfläche der Leiterplatte 1a sind eine Elektronikkomponente 10 wie etwa ein LSI oder in IC, ein Leistungselement 11, ein Widerstandselement 12 und ein Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 umgesetzt. Die Isolierschicht 3a wird durch elektrisches Isolationsharzmaterial wie etwa beispielsweise ein Epoxidharz, ein Polyimidharz oder dergleichen gebildet. Weiterhin ist, obwohl in 4 nicht dargestellt, ein Zwischenschicht-Verbindungsloch, das als ein Via oder ein Durchgangsloch bezeichnet wird, so ausgebildet, dass es durch die Isolierschicht 3a und die Isolierschicht 5a in der Dickenrichtung Z hindurchgeht, um dadurch eine elektrische Verbindung zwischen der ersten Verdrahtungsschicht 2a und der zweiten Verdrahtungsschicht 4a, oder der ersten Verdrahtungsschicht 2a und der dritten Verdrahtungsschicht 6a herzustellen (siehe die unten beschriebene 5).
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5 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausbildung eines Rauschfilters 100a von Ausführungsform 2 zeigt. Das dargestellte Rauschfilter 100a enthält: ein Hauptverdrahtungsmuster 30; ein Unterverdrahtungsmuster 31; eine Masseverbindungsverdrahtung 32; ein Widerstandselement 12; und ein Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13.
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Das Hauptverdrahtungsmuster 30 und die Masseverbindungsverdrahtung 32 sind auf einer Oberflächenschicht der Isolierschicht 3 als eine Gruppe von Ausbildungselementen der ersten Verdrahtungsschicht 2a ausgebildet. Weiterhin ist das Unterverdrahtungsmuster 31 auf einer Oberflächenschicht der Isolierschicht 5a als eine Gruppe von Ausbildungselementen der dritten Verdrahtungsschicht 6a ausgebildet. Weiterhin werden die erste Verdrahtungsschicht 2a und die dritte Verdrahtungsschicht 6a jeweils durch einen elektrischen Leiter wie etwa eine Kupferfolie oder dergleichen gebildet. Weiterhin enthält das Rauschfilter 100a einen Masseleiter 33, der als ein Ausbildungselement der zweiten Verdrahtungsschicht 4a elektrisch geerdet ist. Der Masseleiter 33 wird durch elektrisch leitfähiges Material wie etwa eine Kupferfolie oder dergleichen gebildet und ist so ausgebildet, dass er eine Blechform besitzt. Weiterhin enthält das Rauschfilter 100a: ein erstes Zwischenschicht-Verbindungsloch 34 und ein zweites Zwischenschicht-Verbindungsloch 35, die jeweils durch die Isolierschicht 3a und die Isolierschicht 5a in der Dickenrichtung Z verlaufen; und ein drittes Zwischenschicht-Verbindungsloch 36 und ein viertes Zwischenschicht-Verbindungsloch 37, die jeweils durch die Isolierschicht 3a in der Dickenrichtung Z verlaufen. Auf der Innenseite jedes dieses ersten Zwischenschicht-Verbindungslochs 34, des zweiten Zwischenschicht-Verbindungslochs 35, des dritten Zwischenschicht-Verbindungslochs 36 und des vierten Zwischenschicht-Verbindungslochs 37 ist ein Verbindungsleiter wie etwa eine elektrisch leitfähige Paste, eine Metallplattierungsschicht oder dergleichen ausgebildet. In jedem des ersten Zwischenschicht-Verbindungslochs 34 und des zweiten Zwischenschicht-Verbindungslochs 35 ist nämlich ein Musterverbindungsleiter ausgebildet, und in jedem des zweiten Zwischenschicht-Verbindungslochs 35 und des dritten Zwischenschicht-Verbindungslochs 36 ist ein Masseverbindungsleiter ausgebildet. Somit sind in der ersten Verdrahtungsschicht 2a ein an einer Endseite des Hauptverdrahtungsmusters 30 platzierter erster Verzweigungsabschnitt 30a und der Musterverbindungsleiter in dem ersten Zwischenschicht-Verbindungsloch 34 elektrisch miteinander verbunden, und ein auf einer anderen Endseite des Hauptverdrahtungsmusters 30 platzierter zweiter Verzweigungsabschnitt 30b und der Musterverbindungsleiter in dem zweiten Zwischenschicht-Verbindungsloch 35 sind elektrisch miteinander verbunden. Weiterhin sind die Masseverbindungsverdrahtung 32 und die Masseverbindungsleiter in dem dritten Zwischenschicht-Verbindungsloch 36 und dem vierten Zwischenschicht-Verbindungsloch 37 elektrisch miteinander verbunden.
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In der zweiten Verdrahtungsschicht 4a sind der Masseleiter 32 und die Masseverbindungsleiter in dem dritten Zwischenschicht-Verbindungsloch 36 und dem vierten Zwischenschicht-Verbindungsloch 37 elektrisch miteinander verbunden. Weiterhin ist in der zweiten Verdrahtungsschicht 4a ein erster Zwischenraum 38 um das erste Zwischenschicht-Verbindungsloch 34 herum ausgebildet, und ein zweiter Zwischenraum 39 ist um das zweite Zwischenschicht-Verbindungsloch 35 herum ausgebildet. Somit sind das erste Zwischenschicht-Verbindungsloch 34 und das zweite Zwischenschicht-Verbindungsloch 35 elektrisch gegenüber dem Masseleiter 33 isoliert. In der dritten Verdrahtungsschicht 6a sind ein Endabschnitt des Unterverdrahtungsmusters 31 und das erste Zwischenschicht-Verbindungsloch 34 elektrisch miteinander verbunden, und ein anderer Endabschnitt des Unterverdrahtungsmusters 31 und das zweite Zwischenschicht-Verbindungsloch 35 sind elektrisch miteinander verbunden. Die Seite des Hauptverdrahtungsmusters 30, wo der erste Verzweigungsabschnitt 30a platziert ist, ist elektrisch mit einem Leistungsanschluss der Elektronikkomponente 10 verbunden, und die Seite des Hauptverdrahtungsmusters 30, wo der zweite Verzweigungsabschnitt 30b platziert ist, ist elektrisch mit einer positiven Elektrode des Leistungselements 11 verbunden.
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Man beachte, dass in dieser Ausführungsform das Leistungselement 11 auf der Leiterplatte 1 umgesetzt ist; durch dieses Beispiel ist jedoch keine Beschränkung beabsichtigt. Anstatt des Leistungselements 11 kann ein externes Leistungselement verwendet werden.
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Weiterhin ist das Rauschfilter 100a mit dem Widerstandselement 12 und dem Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 ausgestattet, wie in 5 gezeigt. Dieses Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 sind auf einer Oberfläche der Leiterplatte 1a umgesetzt, um in der ersten Verdrahtungsschicht 2a platziert zu werden. Das Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 sind seriell zwischen den ersten Verzweigungsabschnitt 30a und den zweiten Verzweigungsabschnitt 30b des Hauptverdrahtungsmusters 30 über einen Teil 30c des Hauptverdrahtungsmusters 30 geschaltet. Bezüglich der Reihenfolge der Verbindung ist das Widerstandselement 12 zuerst vorgesehen, und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 ist als Zweites vorgesehen, bei Betrachtung von dem ersten Verzweigungsabschnitt 30a aus. Einer der Elektrodenanschlüsse des Widerstandselements 12 ist mit der Seite des ersten Verzweigungsabschnitts 30a des Hauptverdrahtungsmusters 30 verbunden, und der andere Elektrodenanschluss davon ist mit dem Teil 30c des Hauptverdrahtungsmusters verbunden. Einer der Elektrodenanschlüsse des Drei-Anschluss-Kondensatorelements 13 ist mit dem Teil 30c des Hauptverdrahtungsmusters verbunden, und der andere Elektrodenanschluss davon ist mit dem zweiten Verzweigungsabschnitt 30b verbunden, und der Masseanschluss davon ist mit der Masseverbindungsverdrahtung 32 verbunden.
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Das Rauschfilter 100a funktioniert als ein Rauschfilter, wenn hochfrequentes elektromagnetisches Rauschen in der Elektronikkomponente 10 generiert wird, und kann bewirken, dass der in das Hauptverdrahtungsmuster 30 eingegebene Rauschstrom durch das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 zu dem Masseleiter 33 fließt. Das Rauschfilter 100a besitzt auch eine Funktion zum Stabilisieren der Stromversorgungsspannung durch Beseitigen des Rauschstroms.
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Wie in 5 gezeigt, sind zwischen dem ersten Verzweigungsabschnitt 30a und dem zweiten Verzweigungsabschnitt 30b des Hauptverdrahtungsmusters 30 das Widerstandselement 12 und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement 13 seriell geschaltet, und der Unterstrompfad, durch das Unterverdrahtungsmuster 31 und die Musterverbindungsleiter in dem ersten Zwischenschicht-Verbindungsloch 34 und dem zweiten Zwischenschicht-Verbindungsloch 35 gebildet, ist so ausgebildet, dass seine Pfadlänge größer ist als eine Pfadlänge eines Hauptstrompfads zwischen dem ersten Verzweigungsabschnitt 30a und dem zweiten Verzweigungsabschnitt 30b. Folglich ist es auch in dieser Ausführungsform möglich, den Rauschreduktionseffekt aufgrund des gleichen Mechanismus, wie in Ausführungsform 1 gezeigt, zu erzielen. Da die Musterverbindungsleiter in dem ersten Zwischenschicht-Verbindungsloch 34 und dem zweiten Zwischenschicht-Verbindungsloch 35 in dem Unterstrompfad enthalten sind, ist es weiterhin gemäß Ausführungsform 2 möglich, ein Rauschfilter unter Verwendung der Leiterplatte 1a umzusetzen, die eine kleinere Fläche als die in Ausführungsform 1 besitzt.
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Man beachte, dass die Leiterplatte 1a in dieser Ausführungsform eine dreischichtige gedruckte Montageplatte ist und somit die erste Verdrahtungsschicht 2a als eine Außenschicht einer doppelseitigen gedruckten Montageplatte ist; durch diese Erläuterung ist jedoch keine Beschränkung beabsichtigt. Beispielsweise kann die erste Verdrahtungsschicht 2a als eine Innenschicht in einer mehrschichtigen Leiterplatte ausgebildet sein, die vier oder mehr Verdrahtungsschichten enthält. Hier bedeutet die Außenschicht eine äußerste Verdrahtungsschicht der mehreren Verdrahtungsschichten der Leiterplatte, und die Innenschicht bedeutet eine innere Verdrahtungsschicht der mehreren Verdrahtungsschichten der Leiterplatte.
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Obwohl das Hauptverdrahtungsmuster 30, das Unterverdrahtungsmuster 31 und die Masseverbindungsverdrahtung 32 jeweils so ausgebildet sind, dass sie eine gerade Form besitzen, ist weiterhin die Form nicht darauf beschränkt. Obwohl zwei Verbindungslöcher, das heißt das dritte Zwischenschicht-Verbindungsloch 34 und das zweite Zwischenschicht-Verbindungsloch 35, die durch die Isolierschicht 3a in der Dickenrichtung Z verlaufen, in dem Unterstrompfad verwendet werden, ist zudem die Anzahl davon nicht darauf beschränkt. Gleichermaßen ist, obwohl zwei Löcher, das heißt das dritte Zwischenschicht-Verbindungsloch 36 und das vierte Zwischenschicht-Verbindungsloch 37 mit der Masseverbindungsverdrahtung 32 verbunden sind, die Anzahl davon nicht darauf beschränkt.
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Obwohl der Masseleiter 33 in der zweiten Verdrahtungsschicht 4a vorgesehen ist, kann er zudem in der ersten Verdrahtungsschicht 2a ähnlich zu Ausführungsform 1 vorgesehen sein.
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Obwohl das erste Zwischenschicht-Verbindungsloch 34, das zweite Zwischenschicht-Verbindungsloch 35, das dritte Zwischenschicht-Verbindungsloch 36 und das vierte Zwischenschicht-Verbindungsloch 37 jeweils eine Zylindersäulenform besitzen, sind ihre Formen zudem nicht darauf beschränkt. Anstatt dieser Zylindersäulenform kann eine Polygonsäulenform verwendet werden.
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Wie oben beschrieben, werden gemäß dem Rauschfilter von Ausführungsform 2 der Hauptstrompfadteil, das Drei-Anschluss-Kondensatorelement, der Masseleiter und das Widerstandselement in der ersten Verdrahtungsschicht der Leiterplatte mit mehreren Verdrahtungsschichten implementiert; der Hauptstrompfadteil ist als das Hauptverdrahtungsmuster in der ersten Verdrahtungsschicht ausgebildet, und der Unterstrompfadteil ist aus dem in einer von der ersten Verdrahtungsschicht verschiedenen Verdrahtungsschicht ausgebildeten Unterverdrahtungsmuster und dem Musterverbindungsleiter, der das Hauptverdrahtungsmuster mit dem Unterverdrahtungsmuster verbindet, ausgebildet; und das Drei-Anschluss-Kondensatorelement und das Widerstandselement sind in dem Hauptverdrahtungsmuster seriell geschaltet. Somit ist es zusätzlich zu dem Bereitstellen des Effekts in Ausführungsform 1 möglich, die Fläche einer Leiterplatte zum Umsetzen eines Rauschfilters zu reduzieren.
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Weiterhin sind gemäß dem Rauschfilter von Ausführungsform 2 der Hauptstrompfadteil, das Drei-Anschluss-Kondensatorelement, der Masseleiter und das Widerstandselement in einer ersten Verdrahtungsschicht einer Leiterplatte mit mehreren Verdrahtungsschichten umgesetzt. Der Hauptstrompfadteil ist als ein Hauptverdrahtungsmuster in der ersten Verdrahtungsschicht ausgebildet, und der Unterstrompfadteil ist aus einem in einer von der ersten Verdrahtungsschicht verschiedenen Verdrahtungsschicht ausgebildeten Unterverdrahtungsmuster und einem Musterverbindungsleiter, der das Hauptverdrahtungsmuster mit dem Unterverdrahtungsmuster verbindet, ausgebildet. Das Drei-Anschluss-Kondensatorelement und das Widerstandselement sind seriell in das Hauptverdrahtungsmuster geschaltet. Somit ist es möglich, die Umsetzungsfläche weiter zu reduzieren.
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Oben sind verschiedene Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben worden; diese Ausführungsformen sind jedoch lediglich Beispiele der Erfindung, und verschiedene andere als die obigen Ausführungsformen können ebenfalls verwendet werden. Beispielsweise ist bezüglich jedes der Rauschfilter 100, 100a der obigen Ausführungsformen seine Anzahl nicht auf einen beschränkt, und eine Vielzahl an solchen Filtern kann umgesetzt werden. Weiterhin kann ein Filterarray, das mit einer Vielzahl der Rauschfilter 100 oder 100a gemäß der obigen Ausführungsformen ausgebildet ist, die in einer Kaskadenweise verbunden sind, auf einer einzelnen Leiterplatte umgesetzt werden. Weiterhin kann eine beliebige Seite jedes der Rauschfilter 100 oder 100a als eine Eingangsseite oder als eine Ausgangsseite verwendet werden.
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Weiterhin kann die Grundausbildung der Rauschfilter 100, 100a der Ausführungsformen 1, 2 nicht nur auf eine Leiterplatte angewendet werden, sondern auch auf eine Schaltung mit einer geschichteten Struktur wie etwa eine integrierte Halbleiterschaltung oder dergleichen.
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Es sei angemerkt, dass eine beliebige Kombination aus den Ausführungsformen 1, 2, Modifikation eines beliebigen Ausbildungselements in den jeweiligen Ausführungsformen und eine Auslassung eines beliebigen Ausbildungselements in den jeweiligen Ausführungsformen in der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzbereich der Erfindung abzuweichen.
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INDUSTRIELLE ANWENDBAntiresonanzKEIT
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Wie oben beschrieben, betrifft das Rauschfilter gemäß der Erfindung eine Ausbildung zum Beseitigen von hochfrequentem elektromagnetischem Rauschen, das aufgrund einer durch eine parasitäre Komponente in einer Leiterplatte verursachte Antiresonanz austritt, und eignet sich zur Verwendung in einer Leiterplatte, in der verschiedene Schaltungselemente umgesetzt sind.
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Bezugszeichenliste
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1, 1a: Leiterplatte, 2, 2a: erste Verdrahtungsschicht, 3, 3a, 5a: Isolierschicht, 4a: zweite Verdrahtungsschicht, 6a: dritte Verdrahtungsschicht, 10: Elektronikkomponente, 11: Leistungselement, 12: Widerstandselement, 13: Drei-Anschluss-Kondensatorelement, 20, 30: Hauptstrompfad, 20a, 30a: erster Verzweigungsabschnitt, 20b, 30b: zweiter Verzweigungsabschnitt, 21, 31: Unterverdrahtungsmuster, 22, 33: Masseleiter, 32: Masseverbindungsverdrahtung, 34: erstes Zwischenschicht-Verbindungsloch, 35: zweites Zwischenschicht-Verbindungsloch, 36: drittes Zwischenschicht-Verbindungsloch, 37: viertes Zwischenschicht-Verbindungsloch, 38: erster Zwischenraum, 39: zweiter Zwischenraum, 100, 100a: Rauschfilter.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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