DE10022678A1

DE10022678A1 - Mehrschichtkondensator und ein Elektronikbauteil und eine Hochfrequenzschaltung, die denselben verwenden

Info

Publication number: DE10022678A1
Application number: DE10022678A
Authority: DE
Inventors: Yoichi Kuroda; Yasuyuki Naito; Haruo Hori; Takanori Kondo; Kyoshin Asakura
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-05-10
Filing date: 2000-05-10
Publication date: 2001-06-28
Also published as: US6331930B1; JP3548821B2; KR100364011B1; TW513732B; JP2001028318A; KR20000077216A

Abstract

Bei einem Mehrschichtkondensator ist eine Äquivalenzreiheninduktivität (ESL) reduziert. Bei einem Kondensatorkörper erstreckt sich eine erste bzw. zweite innere Elektrode, um eine erste und zweite Endfläche und eine erste und zweite Seitenfläche zu verbinden. Eine erste und zweite Endflächenanschlußelektrode sind auf der ersten und zweiten Endfläche vorgesehen. Ferner ist eine erste und zweite Seitenflächenanschlußelektrode auf der ersten bzw. zweiten Seitenfläche vorgesehen. Die Breit-Abmessung des Kondensatorkörpers ist festgelegt, um innerhalb eines Bereichs des 0,9- bis 1,1-fachen der Längs-Abmessung zu liegen. Wenn ferner a eine Längs-Abmessung und eine Breit-Abmessung des Kondensatorkörpers darstellt, während b Breiten der ersten inneren Elektrode und der zweiten inneren Elektrode darstellt, ist es vorteilhaft, daß a und b festgelegt sind, um die Beziehung DOLLAR A 0,45 b/a 0,90 DOLLAR A aufzuweisen.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Mehr schichtkondensator, und insbesondere bezieht sie sich auf einen Mehrschichtkondensator, der vorteilhaft in einer Hochfrequenzschaltung verwendet werden kann. Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Elektronikbauteil, das konfigu riert ist, den zuvor genannten Mehrschichtkondensator zu verwenden.

Ein Mehrschichtkondensator, der sich auf die vorliegende Erfindung bezieht, ist beispielsweise in der japanischen ungeprüften Gebrauchsmusteranmeldung Nr. 49-127736 be schrieben. Der Mehrschichtkondensator, der darin offenbart ist, weist eine Struktur auf, die es ermöglicht, eine ver bleibende Induktivität zu reduzieren, um für die Verwendung bei Hochfrequenzen geeignet zu sein.

Insbesondere weist der herkömmliche Mehrschichtkondensator einen Kondensatorkörper in einer Rechteck-Parallelepiped- Form auf. Der Kondensatorkörper weist die Gesamtabmessung auf, die durch eine Längs-Abmessung, eine Breit-Abmessung, die kleiner als die Längs-Abmessung ist, und eine Höhen-Ab messung definiert ist. Endflächenanschlußelektroden sind jeweils auf zwei Endflächen des Kondensatorkörpers gebildet. Die Endflächen liegen einander gegenüber und sind jeweils durch die Breit-Abmessung und die Höhen-Abmessung des Kon densatorkörpers definiert.

Ferner sind bei dem Kondensatorkörper über dielektrische Schichten eine erste innere Elektrode und eine zweite innere Elektrode vorgesehen. Die erste innere Elektrode erstreckt sich, um die zwei Endflächen des Kondensatorkörpers zu ver binden, wodurch dieselben mit den vorhergehend erwähnten Endflächenanschlußelektroden an Endabschnitten desselben elektrisch verbunden sind. Andererseits erstreckt sich die zweite innere Elektrode, um die zwei Seitenflächen zu ver binden, wodurch dieselben elektrisch mit den vorhergehenden Seitenflächenanschlußelektroden an Endabschnitten derselben elektrisch verbunden sind.

Der Mehrschichtkondensator, der in der vorhergehend genann ten Anmeldung offenbart ist, weist folglich vier Anschluß elektroden auf zwei Endflächen und zwei Seitenflächen auf. Folglich kann die Rest-Induktivität auf einen geringeren Wert als in dem Fall eines typischen herkömmlichen Mehr schichtkondensators, der nur zwei Anschlußelektroden auf weist, reduziert werden. Von Elektronikschaltungen, die den vorher genannten Mehrschichtkondensator, der vier Anschluß elektroden aufweist, verwenden, wird jedoch immer noch eine Verwendung in höheren Frequenzbändern verlangt. Um diese Anforderung zu erfüllen, muß die verbleibende Induktivität, d. h. eine Äquivalenzreiheninduktivität (ESL; ESL = Equivalent Serial Inductance), noch mehr reduziert werden.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Mehr schichtkondensator zu schaffen, der es ermöglicht, die ESL weiter zu reduzieren.

Diese Aufgabe wird durch einen Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 1 erfüllt.

Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß ein Elektronik bauteil und eine Hochfrequenzschaltung bereitgestellt wird, die jeweils betrachtet unter Verwendung des vorhergehend ge nannten Mehrschichtkondensators konfiguriert sind.

Zu diesem Zweck wird gemäß einem Aspekt der vorliegenden Er findung ein Mehrschichtkondensator bereitgestellt, der gleichartig zu dem oben beschriebenen herkömmlichen Mehr schichtkondensator einen Kondensatorkörper aufweist, der eine Form, die durch eine Längs-Abmessung, eine Breit-Abmessung und eine Höhen-Abmessung definiert ist, erste und zweite Hauptflächen, die einander gegenüber an geordnet sind und jeweils durch die Längs-Abmessung und die Breit-Abmessung definiert sind; erste und zweite Seiten flächen, die einander gegenüber angeordnet sind und jeweils durch die Längs-Abmessung und die Höhen-Abmessung definiert sind; und erste und zweite Endflächen, die einander gegen über liegen und jeweils durch die Breit-Abmessung und die Höhen-Abmessung definiert sind, aufweist.

Der Kondensatorkörper weist eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten, die sich zu den Hauptflächen hin erstrecken und zumindest ein Paar einer ersten und zweiten inneren Elek trode auf, die einander über die vorbestimmten dielektri schen Schichten gegenüber liegen, so daß eine Kondensator einheit gebildet wird.

Die erste innere Elektrode erstreckt sich, um die erste und zweite Endfläche zu verbinden, während sich die zweite in nere Elektrode derart erstreckt, um die erste und zweite Seitenfläche zu verbinden.

Ferner sind eine erste und zweite Endflächenanschlußelektro de, die elektrisch mit den einzelnen Enden der ersten inne ren Elektrode verbunden sind, auf der ersten bzw. zweiten Endfläche vorgesehen, während eine erste und zweite Seiten flächenanschlußelektrode, die mit den einzelnen Enden der zweiten inneren Elektrode elektrisch verbunden sind, auf der ersten bzw. zweiten Seitenfläche vorgesehen sind.

Um die oben beschriebenen technischen Probleme zu lösen, wurde bei dem Mehrschichtkondensator, der wie oben konfigu riert ist, das Verhältnis der Breit-Abmessung und der Längs-Abmessung des Kondensatorkörpers variiert, wobei in den verschiedenen Fällen ESL-Werte erhalten wurden. Daraus resultierend wurde festgestellt, daß die ESL minimiert werden kann, indem vorgesehen wird, daß die Längs-Abmessung und die Breit-Abmessung gleich sind. Die vorliegende Erfindung wurde basierend auf dem im vorhergehenden Beschriebenen gemacht.

Wie es oben beschrieben ist, wurde festgestellt, daß die ESL minimiert werden kann, wenn die Längs-Abmessung und die Breit-Abmessung gleich sind. Dennoch ist es bei einer Her stellung von Mehrschichtkondensatoren relativ schwierig, Kondensatorkörper auf stabile Weise zu erreichen, die die Längs-Abmessung und die Breit-Abmessung aufweisen, die identisch zueinander sind, ohne Abmessungsschwankungen stabil zu erzeugen.

Daher wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein geeigneter Bereich von Verhältnissen der Längs-Abmessung und der Breit- Abmessung bereitgestellt, wodurch die ESL auf stabile Weise minimiert werden kann, nicht nur für den Fall, bei dem die Längs-Abmessung und die Breit-Abmessung gleich sind. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Breit-Abmessung des Kondensatorkörpers festgelegt, um innerhalb eines Bereichs des 0,9- bis 1,1-fachen der Längs-Abmessung zu liegen.

Gemäß dem vorhergehend Beschriebenen können Magnetflüsse, die durch einen Strom erzeugt werden, der in dem Mehr schichtkondensator fließt, wirksam ausgeglichen werden, wodurch ermöglicht wird, daß die ESL reduziert wird. Dies ermöglicht, daß Resonanzfrequenzen in dem Mehrschichtkon densator erhöht sind. Daher kann ein Frequenzbereich, in dem der Mehrschichtkondensator betrieben wird, erhöht werden, wodurch der Mehrschichtkondensator für die Verwendung bei Hochfrequenzelektronikschaltungen ausreichend geeignet sein kann.

Ferner wird gemäß dem obigen als ein bevorzugtes Verhältnis der Längs-Abmessung und der Breite-Abmessung nicht nur ein spezifischer Wert, sondern der Bereich von Werten, d. h. von 0,9 bis 1,1, geliefert. Folglich können bei der Herstellung des Kondensatorkörpers des Mehrschichtkondensators Probleme bezüglich Abmessungsschwankungen gelöst werden.

Ferner ist es bei dem obigen vorteilhaft, daß einzelne Brei ten der ersten und zweiten inneren Elektrode einheitlich gebildet und gleich sind. In diesem Fall sind die Längs-Ab messung und die Breit-Abmessung festgesetzt, um entweder gleich oder im wesentlichen gleich zu sein. Zudem sind die Anschlußelektroden jeweils auf zwei Endflächen und zwei Seitenflächen vorgesehen, wobei jede der einzelnen Anschluß elektroden immer mit einem der Enden der inneren Elektroden verbunden ist. Folglich können Ausrichtungscharakteristika hinsichtlich der Längs-Ausrichtung und der Breite-Ausrich tung im wesentlichen außer acht gelassen werden. Dies er möglicht, daß der Mehrschichtkondensator leicht gehandhabt werden kann, wobei ferner ermöglicht wird, daß Herstellungs schritte zum Bilden der Anschlußelektroden effizient voran getrieben werden.

Ferner können Abmessungen der vier Abschnitte, bei denen sich die inneren Elektroden nicht überlappen, festgesetzt werden, um im wesentlichen gleich zu sein, wenn die ein zelnen Breiten der ersten und zweiten inneren Elektrode einheitlich gebildet und gleich sind. Daher können Magnet flüsse, die durch einen Strom erzeugt werden, der in den Abschnitten fließt, bei denen sich die inneren Elektroden nicht überlappen, ausgeglichen werden, wodurch ermöglicht wird, daß eine weitere Reduktion der ESL implementiert wird.

Wenn, wie es oben beschrieben ist, die einzelnen Breiten der inneren Elektroden einheitlich gebildet sind, d. h., wenn die inneren Elektroden keine Winkel in peripheren Kanten abschnitten bilden, tritt ferner eine Konzentration eines elektrischen Felds nicht ohne weiteres auf. Daher kann die dielektrische Festigkeit bzw. die Durchschlagfestigkeit des Mehrschichtkondensators erhöht werden.

Ferner ist es vorzuziehen, daß die Längs-Abmessung und die Breit-Abmessung des Kondensatorkörpers innerhalb eines Be reichs von 1,5 bis 4,5 mm festgelegt wird. Für diesen Fall ist es besonders vorzuziehen, daß die Breiten der ersten und zweiten inneren Elektrode innerhalb eines Bereichs von 0,9 bis 2,5 mm festgelegt sind. Für diesen Fall können die be schriebenen Reduktionseffekte für die ESL sichergestellt werden.

Ferner ist es in dem obigen vorzuziehen daß, wenn a die Längs-Abmessung und die Breit-Abmessung darstellt, während b die Breiten der ersten inneren Elektroden und der zweiten inneren Elektroden darstellt, a und b, die oben definiert wurden, festgelegt sind, um die Beziehung von

0,45 ≦ b/a ≦ 0,90

auzuweisen.

Für diesen Fall ist es besonders vorzuziehen, daß a und b festgelegt sind, um die Beziehung

0,50 ≦ b/a ≦ 0,85

auzuweisen.

Gemäß dem obigen kann die ESL stabil reduziert werden. Zudem kann eine Reduktion von Frequenzcharakteristika, die verur sacht werden kann, wenn sich eine zweite Resonanz aufgrund von Schwebekapazitäten (Floating capacitances) einer wesent lichen ersten Resonanz annähert, sicher verhindert werden.

Ferner ist es bei dem obigen vorzuziehen, daß die relative Dielektrizitäts-Konstante eines dielektrischen Materials, aus dem die dielektrischen Schichten bestehen, geringer als 50 ist. Dementsprechend wird es nicht ermöglicht, daß ein Phänomen, bei dem sich eine zweite Resonanzfrequenz einer ersten Resonanzfrequenz annähert, leicht auftritt. Daher kann der Mehrschichtkondensator für die Verwendung bei hohen Frequenzen geeignet sein.

Um eine erhöhte Kapazität zu erzielen, ist es ferner bei dem obigen vorzuziehen, daß der beschriebene Mehrschichtkonden sator mehrere Paare der ersten und zweiten inneren Elektrode aufweist. Dies ermöglicht, daß bei dem Mehrschichtkondensa tor eine sogar noch größere elektrostatische Kapazität er zeugt wird.

Ferner kann bei dem obigen die erste und zweite innere Elektrode entweder näher an der ersten oder der zweiten Hauptfläche des Kondensatorkörpers positioniert sein.

Ferner ist es vorzuziehen, daß eine erste Resonanzfrequenz mindestens 1 GHz beträgt, während eine zweite Resonanzfre quenz mindestens das 1,5-fache der ersten Resonanzfrequenz beträgt. In diesem Fall beeinflußt die zweite Resonanz die erste Resonanz, wodurch eine Verhinderung einer Reduktion der Frequenzcharakteristika ermöglicht wird. Daher kann der Mehrschichtkondensator für die Verwendung bei hohen Frequen zen geeignet sein.

Ferner wird gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Er findung ein Elektronikbauteil bereitgestellt, das den oben beschriebenen Mehrschichtkondensator und ein Verdrahtungs substrat aufweist, das positioniert ist, um der ersten und zweiten Hauptfläche gegenüber zu liegen und um eine Befesti gung des Mehrschichtkondensators zu ermöglichen. In diesem Fall ist es vorzuziehen, daß das Verdrahtungssubstrat derart positioniert ist, daß entweder die erste oder zweite Haupt fläche des Kondensatorkörpers dem Verdrahtungssubstrat gegenüber liegt, wobei bei dem Kondensatorkörper die erste und zweite innere Elektrode näher beieinander vorgesehen sind.

Gemäß der oberen Konfigurationen kann die Strecke des Stroms, der durch die Anschlußelektroden fließt, reduziert werden, wodurch ermöglicht wird, daß die ESL reduziert ist.

Ferner wird gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Hochfrequenzschaltung bereitgestellt, die den oben beschriebenen Mehrschichtkondensator aufweist.

Daher kann der Mehrschichtkondensator gemäß der vorliegenden Erfindung bei Hochfrequenzschaltungen entweder als ein Entkopplungskondensator, ein Impedanzanpassungskondensator, ein Verschiebungsstromabblockkondensator oder ein Tief paß/Hochpaß-Filterkondensator vorteilhaft verwendet werden.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, die ein Erschei nungsbild eines Ausführungsbeispiels eines Mehr schichtkondensators gemäß der vorliegenden Erfin dung zeigt;

Fig. 2A eine Draufsicht, die eine innere Struktur des Mehrschichtkondensators von Fig. 1 in einem Quer schnitt zeigt, bei dem sich eine der zwei inneren Elektroden erstreckt;

Fig. 2B eine Draufsicht, die die innere Struktur des Mehr schichtkondensators von Fig. 1 bei einem Quer schnitt zeigt, bei dem sich die andere der zwei inneren Elektroden erstreckt;

Fig. 3 einen Draufsicht eines Kondensatorkörpers des Mehrschichtkondensators von Fig. 1, wobei derselbe verwendet wird, um die Beziehung zwischen einer Längs-Abmessung und einer Breit-Abmessung des Kondensatorkörpers und Breiten von Abschnitten, bei denen die inneren Elektroden mit Anschluß elektroden verbunden sind, zu erklären;

Fig. 4 ein Diagramm einer empfangsseitigen Verstärker schaltung eines tragbaren Satellitenkommunikationstelefons als ein Beispiel, bei dem der Mehrschichtkondensator von Fig. 1 vorteilhaft verwendet wird;

Fig. 5 einen Aufriß einer Struktur, bei der der Mehr schichtkondensator von Fig. 1 auf einem Ver drahtungssubstrat befestigt ist;

Fig. 6 einen Aufriß einer Struktur, bei der ein Mehr schichtkondensator eines weiteren Ausführungsbei spiels der vorliegenden Erfindung auf einem Ver drahtungssubstrat befestigt ist; und

Fig. 7 einen Aufriß einer inneren Struktur eines Mehr schichtkondensators gemäß einem weiteren Ausfüh rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.

Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Erschei nungsbild eines Mehrschichtkondensators 1 gemäß einem Aus führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Fig. 2A ist eine Draufsicht einer inneren Struktur in einem Quer schnitt des Mehrschichtkondensators 1, und Fig. 2B ist eine Draufsicht einer inneren Struktur bei einem unterschied lichen Querschnitt desselben.

Der Mehrschichtkondensator 1 weist einen Kondensatorkörper 2 auf. Die äußere Abmessung des Kondensatorkörpers 2 wird durch eine Längs-Abmessung L, eine Breit-Abmessung W und eine Dicke T festgelegt. Der Kondensatorkörper 2 weist eine erste Hauptfläche 3 und eine zweite Hauptfläche 4, eine erste Seitenfläche 5 und eine zweite Seitenfläche 6, und eine erste Endfläche 7 und eine zweite Endfläche 8 auf. Die erste und zweite Hauptfläche 3 und 4, die einander gegen überliegen, sind durch die Längs-Abmessung L und die Breit- Abmessung W festgelegt sind. Die erste und zweite Seiten fläche 5 und 6, die einander gegenüberliegen, sind durch die Längs-Abmessung L und die Dicke T festgelegt. Die erste und zweite Endfläche 7 und 8, die einander gegenüber liegen, sind durch die Längs-Abmessung und die Höhen-Abmessung festgelegt.

Der Kondensatorkörper 2 weist ferner eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten 9 und eine erste innere Elektrode 10 auf. Die dielektrischen Schichten 9 erstrecken sich in die Richtung der ersten und zweiten Hauptfläche 3 und 4. Die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 sind vorgesehen, um einander über spezifische dielektrische Schichten 9 gegenüber zu liegen, wodurch ein Kondensatorkörper gebildet ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist nur ein einzelnes Paar der ersten und zweiten inneren Elektrode 10 und 11 vorgesehen. Wie es aus weiteren unten beschriebenen Aus führungsbeispielen ersichtlich ist, kann eine Mehrzahl von Paaren derselben vorgesehen sein.

Fig. 2A zeigt einen Querschnitt, bei dem sich die erste innere Elektrode 10 erstreckt. Fig. 2B zeigt einen Quer schnitt, bei dem sich die zweite innere Elektrode 11 er streckt. In Fig. 2A erstreckt sich die erste innere Elek trode 10, um den Bereich zwischen der ersten und zweiten Endfläche 7 und 8 des Kondensatorkörpers 2 zu verbinden. Ferner erstreckt sich in Fig. 2B die zweite innere Elektrode 11, um den Bereich zwischen der ersten und zweiten Seiten oberfläche 5 und 6 des Kondensatorkörpers 2 zu verbinden.

Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Breit-Abmessungen der ersten und zweiten inneren Elektrode 10 und 11 gleich. Ein erster Endflächenanschluß 12 und ein zweiter Endflächen anschluß 13 sind auf der ersten Endfläche 7 bzw. der zweiten Endfläche 8 des Kondensatorkörpers 2 vorgesehen. Gleichartig dazu sind ein erster Seitenflächenanschluß 14 und ein zwei ter Seitenflächenanschluß 15 auf der ersten Seitenfläche 5 bzw. der zweiten Seitenfläche 6 bereitgestellt. Der erste und zweite Endflächenanschluß 12 und 13 sind elektrisch mit einzelnen Enden der ersten inneren Elektrode 10 verbunden. Gleichartig dazu sind die ersten Seitenflächenanschlüsse 14 und 15 elektrisch mit den einzelnen Enden der zweiten in neren Elektrode 11 verbunden.

Bei dem oben beschriebenen Mehrschichtkondensator 1 wird die Breit-Abmessung W des Kondensatorkörpers 2 in einem Bereich des 0,9- bis 1,1-fachen der Längs-Abmessung L festgelegt. Solche bevorzugten Verhältnisse der Längs-Abmessung L und der Breit-Abmessung W wurden aus Experimenten erhalten, die in den folgenden Abschnitten beschrieben werden.

Wie es in Tabelle 1 gezeigt ist, wurde die Breit-Abmessung W variiert, wobei die Längs-Abmessung L (L-Abmessung) bei 2,0 mm festgelegt wurde, wodurch Mehrschichtkondensatoren für Proben 1 bis 7, deren L-W-Verhältnisse variieren, herge stellt sind.

Dementsprechend wurden Aquivalenzreiheninduktivitäten (ESLs) erhalten.

Tabelle 1

Bei dem Experiment wurde die Breite der inneren Elektrode bei 1,0 mm festgehalten. Ferner wurde ein Paar einer ersten und zweiten inneren Elektrode gebildet, wobei die Dicke der dielektrischen Schichten zwischen derselben 100 µm beträgt. Ein dielektrisches Material, das eine relative Dielektrizi täts-Konstante von 25 aufweist, wurde zum Bilden der dielek trischen Schichten verwendet.

Bezugnehmend auf Tabelle 1 kann die ESL, wie im Fall der Probe 1, bei dem L-W-Verhältnis von 1 zu 1 minimiert verden. Ferner liegen die ESL-Werte, wie in den Fällen der Proben 3, 4 und 5, stabil bei relativ kleinen Werten, wenn das L-W- Verhältnis innerhalb eines Bereichs von 1 : 0,9 bis 1 : 1,1 liegt. Dies weist darauf hin, daß die Breit-Abmessung W des Kondensatorkörpers 2 vorzugsweise innerhalb des Bereichs des 0,9- bis 1,1-fachen der Längs-Abmessung L festgelegt ist. Die nachfolgend beschriebenen Gründe sind als Gründe dafür zu betrachten, daß die ESL folglich reduziert werden kann, indem die Breit-Abmessung W innerhalb des vorhergenannten Bereichs festgelegt wird.

Bezugnehmend auf die Fig. 2A und 2B existieren Abschnitte, in denen sich die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 überlappen und sich nicht überlappen. In einem Abschnitt, in dem sich die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 überlappen, fließen Ströme in unterschiedliche Richtungen (die durch die Pfeile mit durchgezogener Linie und die Pfei le mit gepunkteten Linien angezeigt sind). Dies bewirkt, daß sich magnetische Flüsse, die durch diese Ströme erzeugt werden, sich gegenseitig aufheben, wodurch eine Reduzierung der ESL ermöglicht wird. Andererseits fließt in einem Ab schnitt, in dem sich die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 nicht überlappen, der Strom lediglich in eine ein zige Richtung. Daher ist die ESL, verglichen mit dem vorher gehend genannten Abschnitt, in dem sich die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 überlappen, erhöht.

Wenn jedoch die Längs-Abmessung L und die Breit-Abmessung W des Kondensatorkörpers 2 gleich sind, sind die Abmessungen der vier Abschnitte, in denen sich die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 nicht überlappen, derselben die gleichen. Daher kann vorgesehen werden, daß für diese vier Abschnitte die Durchlauflängen der Ströme, die relativ zu denselben fließen, festgelegt werden, um gleich zu sein. Wenn die magnetischen Flüsse, die durch die Ströme erzeugt werden, die bezogen auf die Bereiche fließen, bei denen sich die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 nicht über lappen, insgesamt betrachtet werden, wirken diese derart, daß sie sich gegenseitig ausgleichen. Dies ermöglicht, daß eine merkliche Erhöhung in der ESL verhindert wird.

Wenn der relative Unterschied zwischen der Längs-Abmessung L und der Breit-Abmessung W des Kondensators 2 merklich groß ist, unterscheiden sich die Abmessungen der vier Bereiche, in denen sich die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 nicht überlappen. Dies bewirkt eine Uneinheitlichkeit der Durchlauflänge der Ströme, die bezogen auf die vier Bereiche fließen, in denen sich die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 nicht überlappen. Dies wird als ein Grund dafür angesehen, daß keine ausreichenden Ausgleicheffekte der magnetischen Flüsse erreicht werden können, und die ESL erhöht ist.

Wie es oben beschrieben ist, sind die einzelnen Breit-Ab messungen, wie es in den Fig. 2A und 2B gezeigt ist, vor zugsweise einheitlich gebildet und gleich, um die Zunahme der ESL durch ein Festsetzen der Abmessungen der vier Zonen, bei denen sich die erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 nicht überlappen, zu verhindern.

Das nachfolgende Experiment wurde folgendermaßen ausgeführt. Wie bei dem Mehrschichtkondensator 1, der in den Fig. 2A und 2B gezeigt ist, ist vorgesehen, daß die Längs-Abmessung L und die Breit-Abmessung W des Kondensatorkörpers 2 gleich sind. Mit dieser Bedingung werden die L- und W-Abmessungen in einem Bereich von 1,0 mm bis 5,0 mm variiert, wobei die einzelnen Breiten der ersten und zweiten inneren Elektrode in einem Bereich von 0,4 mm bis 2,5 mm gemäß den variierten L- und W-Abmessungen variiert sind, wodurch verschiedene Mehrschichtkondensatoren erzielt werden. Danach wurde das Experiment ausgeführt, um für diese Mehrschichtkondensatoren ESL-Werte zu erhalten, wobei das Resultat in Tabelle 2 unten gezeigt ist. Weitere Bedingungen in diesem Experiment sind gleich zu denen des vorhergehenden Experiments.

Tabelle 2

Gemäß Tabelle 2 sind die ESLs reduziert, wenn, wie in den Fällen der Proben 12 bis 15, die L- und W-Abmessungen zwi schen 1,5 bis 4,0 mm liegen.

Wenn die L- und W-Abmessungen erhöht werden, kann in diesem Zusammenhang allgemein die Breite einer inneren Elektrode erhöht werden und dadurch der Pegel der Stromkonzentration in dem Bereich, bei dem die innere Elektrode und eine An schlußelektrode verbunden sind, reduziert werden. Aus diesem Grund ermöglicht das Erhöhen der L- und W-Abmessungen, daß die ESL reduziert ist.

Wie in den Fällen der Proben 16 und 17, erhöht sich die ESL jedoch extrem mit L- und W-Abmessungen, die auf mehr als 4,0 mm erhöht sind. Es wird angenommen, daß dieses einer Erhö hung der Abmessung des Abschnitts, in dem sich die inneren Elektroden nicht überlappen, zuzuschreiben ist. Ferner er zeugt die extreme Erhöhung der L- und W-Abmessungen ein weiteres Problem darin, daß eine Schwebekapazität, die möglicherweise auftritt, nicht außer Acht gelassen werden kann. Wenn andererseits, wie im Fall der Probe 11 mit den L- und W-Abmessungen, die auf einen Wert geringer als 1,5 mm reduziert sind, ein Rand von 0,3 mm auf jeder Seite eines Bereichs, bei dem die innere Elektrode gebildet ist, vor gesehen ist, verringert sich die Breite der inneren Elek trode auf 0,4 mm, wodurch sich die ESL auf einen extrem hohen Pegel erhöht. Gemäß den Ergebnissen des Experiments, die in Tabelle 2 gezeigt sind, liegen daher die bevorzugten L- und W-Abmessungen innerhalb eines Bereichs von 1,5 bis 4,0 mm. Ferner werden Abmessungen der einzelnen Breit-Ab messungen vorzugsweise auf einen Bereich von 0,9 bis 2,5 mm festgelegt.

In Fig. 3 stellt der Buchstabe a die Längs-Abmessung L und die Breit-Abmessung W des Kondensatorkörpers 2 dar. Der Buchstabe b stellt die Breite des Abschnitts dar, bei dem die erste innere Elektrode 10 mit dem ersten und zweiten Endflächenanschluß 12 und 13 (siehe Fig. 2A und 2B) verbun den ist. Ebenso stellt b die Breite der ersten inneren Elek trode 10 und die Breite der zweiten inneren Elektrode 11 dar (siehe Fig. 2A und 2B). In diesem Fall existiert für ein Verhältnis von a und b, d. h. b/a, ein bevorzugter Bereich. Genauer gesagt liegt b/a bevorzugt innerhalb eines Bereichs von 0,45 ≦ b/a ≦ 0,90, wobei dasselbe besonders bevorzugt innerhalb eines Bereichs von 0,50 ≦ b/a ≦ 0,85 liegt. Diese bevorzugten Bereiche des b/a-Verhältnisses werden aus den unten beschriebenen Daten erhalten.

Tabelle 3 zeigt ESL-Werte von verschiedenen Typen von Mehr schichtkondensatoren, die durch ein Variieren des b/a-Ver hältnisses innerhalb eines Bereichs von 0,3 bis 0,9 für jeden Fall erzielt sind, bei dem die Breite a entweder auf 1,0 mm, 2,0 mm, 3,0 mm oder 4,0 mm eingestellt ist.

Tabelle 3

Tabelle 4 zeigt eine erste Resonanzfrequenz, eine zweite Resonanzfrequenz und ein Verhältnis der zweiten Resonanzfre quenz zu der ersten Resonanzfrequenz für jeden Mehrschicht kondensator, dessen ESL-Werte in Tabelle 1 gezeigt sind.

Tabelle 4

Tabelle 3 zeigt eine Tendenz, daß die ESL-Werte umso mehr zunehmen, je mehr sich die b/a-Verhältnisse verringern; insbesondere erhöht sich die ESL sehr, wenn das b/a-Verhältnis auf einen geringeren Wert als 0,45 erniedrigt wird.

Wie es oben beschrieben wurde, ist, entsprechend der Reduk tion in dem b/a-Verhältnis, der Bereich, in dem sich die er ste und zweite innere Elektrode 10 und 11 nicht überlappen, sowohl bei der ersten als auch bei der zweiten inneren Elek trode 10 und 11 erhöht. Dadurch ist der Pegel einer Strom konzentration in den einzelnen Abschnitten, zu denen sich der erste und zweite Endflächenanschluß 12 und 13 und der erste Seitenflächenanschluß 14 und 15 erstrecken, erhöht. Wie oben beschrieben, wird die Zunahme des Pegels der Strom konzentration als Ursache dafür angesehen, daß sich die ESL entsprechend einer Reduktion des b/a-Verhältnisses erhöht. Aus diesen Faktoren wird festgelegt, daß bevorzugte b/a- Verhältnisse mindestens 0,45 betragen, wobei besonders be vorzugte b/a-Verhältnisse mindestens 0,50 betragen, um die ESL auf noch stabilere Weise zu reduzieren.

Tabelle 4 zeigt ein Phänomen, bei dem sich die erste Reso nanzfrequenz und die zweite Resonanzfrequenz, entsprechend der Zunahme des b/a-Verhältnisses sogar noch weiter an nähern. Die erste Resonanz wird durch eine wesentliche Kapazität und die ESL verursacht. Die zweite Resonanz wird durch zwei Schwebekapazitäten verursacht. Eine der Kapa zitäten wird zwischen der ersten inneren Elektrode 10 und den ersten Seitenflächenanschlüßen 14 und 15, die nicht mit derselben verbunden sind, erzeugt. Die andere der Kapazi täten wird zwischen der zweiten inneren Elektrode 11 und dem ersten und zweiten Endflächenanschluß 12 und 13, die nicht mit derselben verbunden sind, erzeugt.

Wenn insbesondere das b/a-Verhältnis 0,9 überschreitet, bei spielsweise, wenn das b/a-Verhältnis 0,95 ist und a jeweils 2,0 mm, 3,0 mm und 4,0 mm beträgt, überlappen sich die erste Resonanz und die zweite Resonanz wesentlich. Dies wird der Tatsache zugeschrieben, daß ein erhöhtes b, wenn a relativ groß ist, die vorher genannten Schwebekapazitäten bewirkt, wodurch sich die Resonanzfrequenz auf die Seite niedriger Frequenzen verschiebt.

Wenn sich folglich ein Punkt der zweiten Resonanz einem Punkt der ersten Resonanz annähert, sind Frequenzcharak teristika des Mehrschichtkondensators 1 reduziert, wodurch sich die zweite Resonanzfrequenz auf die Seite niedriger Frequenzen verschiebt. Dementsprechend verringert sich der als Kondensator verwendbare Frequenzbereich, so daß derselbe für die Verwendung bei Hochfrequenzen ungeeignet ist.

Aus dem obigen kann festgelegt werden, daß die zweite Re sonanzfrequenz, die zumindest das 1,5-fache der ersten Resonanzfrequenz beträgt, für Hochfrequenzschaltungen vorzu ziehen ist, bei denen der Anwendungsfrequenzbereich 1 GHz oder mehr beträgt, insbesondere für Hochfrequenzschaltungen, bei denen der Anwendungsfrequenzbereich 5 GHz oder mehr beträgt. Um diese Anforderung zu erfüllen, können bevorzugte b/a-Verhältnisse auf mindestens 0,9 festgelegt werden, wobei es vorzuziehen ist, die Verhältnisse auf mindestens 0,85 festzusetzen, um die Anforderungen sicherer zu erfüllen.

Wie es oben beschrieben ist, liegt das bevorzugte b/a, um die ESL zu erzielen, die auf stabile Weise niedrig und ge eignet für die Verwendung bei hohen Frequenzen ist, inner halb eines Bereichs von 0,45 ≦ b/a ≦ 0,90 und besonders bevorzugt liegt es innerhalb eines Bereichs von 0,50 ≦ b/a ≦ 0,85. Der so angeordnete Mehrschichtkondensator 1 ist vor teilhaft für eine Verwendung bei Hochfrequenzen mit min destens 1 GHz vorgesehen, insbesondere ist derselbe vorzugs weise für eine Verwendung bei Hochfrequenzen mit mindestens 5 GHz vorgesehen.

Wenn der typischste herkömmliche Zwei-Anschluß-Kondensator in den oben beschriebenen Frequenzbändern verwendet wird, ist derselbe nicht in der Lage, als ein Kondensator zu arbeiten, da er ein hohes ESL und Resonanzpunkte besitzt, die auf der Seite niedrigerer Frequenzen positioniert sind.

Unter herkömmlichen Kondensatoren, die in der Lage sein können, in den vorher genannten Frequenzbereichen zu funk tionieren, würden jedoch nur diejenigen, die eine sehr kleine Kapazität besitzen in der Lage sein, in denselben zu funktionieren. Unter diesen Umständen sind Kondensatoren erforderlich, die eine große Kapazität und eine kleine ESL besitzen. Der Mehrschichtkondensator 1 dieses Ausführungs beispiels erfüllt die Anforderung.

In Hochfrequenzschaltungen wird der Mehrschichtkondensator 1 als ein Entkopplungskondensator, ein Impedanzanpassungskon densator, ein Gleichstrom-Abblockkondensator oder ein Tief paß/Hochpaß-Filterkondensator vorteilhaft verwendet.

Ferner wird eine Hochfrequenzschaltung, bei der der Anwen dungsfrequenzbereich mindestens 1 GHz beträgt, entweder durch ein tragbares Telefon oder eine Basisstation des trag baren Telefons verwendet. Eine Hochfrequenzschaltung, bei der der Anwendungsfrequenzbereich mindestens 5 GHz beträgt, wird beispielsweise bei einem Funk-LAN (5 bis 30 GHz) (LAN Local Area Network), einer Satellitenkommunikation (10 bis 20 GHz) und einem ETC (in einem Bereich von 5 GHz aufwärts) verwendet. Als ein praktisches Beispiel zeigt Fig. 4 ein Diagramm einer empfangsseitigen Verstärkerschaltung eines tragbaren Satellitenkommunikationstelefons.

In Fig. 4 sind Gleichstrom-Abblockkondensatoren 18 und 19 verbunden, um Gleichsignal-Komponenten bei Signalen, die von einem Eingangsanschluß 16 zu einem Ausgangsanschluß 17 ge leitet werden, abzuschneiden. Mit dieser Signalleitung sind Impedanzanpassungskondensatoren 20 und 21 verbunden, um Impedanzen anzupassen. Ferner liegt eine Gleich-Spannung Vcc zwischen der Basis und dem Drain eines Transistors 22 an.

Bei der beschriebenen Hochfrequenzschaltung kann der Mehr schichtkondensator 1 dieses Ausführungsbeispiels vorteilhaft als für jeden der Gleichstrom-Abblockkondensatoren 18 und 19 und jeder der Impedanzanpassungskondensatoren 20 und 21 verwendet werden. Für die Gleichstrom-Abblockkondensatoren 18 und 19 sind hervorragende Frequenzcharakteristika erfor derlich. Daher werden vorzugsweise Kondensatoren verwendet, die Charakteristika besitzen, bei denen die zweite Resonanz frequenz das 1,5-fache der ersten Resonanzfrequenz beträgt.

Bei dem Mehrschichtkondensator 1 beträgt ferner die relative Dielektrizitäts-Konstante der dielektrischen Materialien, aus dem die dielektrischen Schichten 9 bestehen, bevorzugt 50 oder weniger. Diese bevorzugte Bedingung wird gemäß den unten nachfolgend beschriebenen Experimenten erzielt.

Bei dem Mehrschichtkondensator 1 sind a und b, die in Fig. 3 gezeigt sind, auf 2,0 mm bzw. 1,7 mm festgesetzt. Der Mehr schichtkondensator 1 ist konzipiert, um die gleiche Kapa zität zu erzeugen. Wie in Fig. 5 gezeigt ist, wird daraufhin eine relative Dielektrizitäts-Konstante ∈ innerhalb eines Bereichs von 10 bis 100 variiert. Unter diesen Bedingungen wird die erste Resonanzfrequenz, die zweite Resonanzfrequenz und das Verhältnis der zweiten Resonanzfrequenz zu der ersten Resonanzfrequenz für jede Variation der relativen Dielektriziäts-Konstante ∈ erhalten.

Tabelle 5

Wie zu sehen ist, zeigt sich in Tabelle 5 ein Phänomen, bei dem sich die erste Resonanzfrequenz, entsprechend der Zunahme der relativen Dielektrizitäts-Konstante ∈, weiter an die zweite Resonanzfrequenz annähert. Wenn ∈ 50 überschrei tet, beispielsweise wenn es 100 beträgt, beträgt das Ver hältnis der zweiten Resonanzfrequenz zu der ersten Resonanz frequenz 1,08. Dieser Wert ist unterhalb von 1,5, das die untere Grenze der bevorzugten Bedingung ist, die für den Fall erforderlich ist, bei dem der Mehrschichtkondensator 1 für die Verwendung bei den vorher genannten Hochfrequenzen bestimmt ist. Dies weist darauf hin, daß eine bevorzugte relative Dielektrizitäts-Konstante ∈ 50 oder weniger be trägt, um den Mehrschichtkondensator 1 bei hohen Frequenzen stabil zu verwenden.

Fig. 5 zeigt einen Teil eines Elektronikbauteils. Das Elek tronikbauteil weist einen Mehrschichtkondensator 1 und ein Verdrahtungssubstrat 23 auf. Das Verdrahtungssubstrat 23 ist beispielsweise positioniert, um gegenüber der zweite Haupt fläche 4 eines Kondensatorkörpers 2 des Mehrschichtkonden sators 1 zu liegen.

Beispielsweise wird, wie es in Fig. 5 gezeigt ist, für den Mehrschichtkondensator 1, der an dem Verdrahtungssubstrat 23 befestigt werden soll, bevorzugt ein Mehrschichtkondensator 1a, wie er in Fig. 6 gezeigt ist, verwendet. Der Mehr schichtkondensator 1a weist eine erste und zweite innere Elektrode 10 und 11 auf, die beispielsweise in einer Posi tion vorgesehen sind, die näher an einer zweiten Hauptfläche 4 des Kondensatorkörpers 2 liegt. Der Mehrschichtkondensator 1a ist bevorzugt auf dem Verdrahtungssubstrat 23 in einem Zustand befestigt, bei dem das Verdrahtungssubstrat 23 posi tioniert ist, um der zweiten Hauptfläche 4 gegenüber zu liegen, die in der Position vorgesehen ist, die näher an der ersten und zweiten inneren Elektrode 10 und 11 vorgesehen ist.

Gemäß der befestigten Struktur, die in Fig. 6 gezeigt ist, können die erste und die zweite innere Elektrode 10 und 11 näher an dem Verdrahtungssubstrat 23 vorgesehen werden. Daher kann die Länge eines Stroms, der durch die Anschlußelek troden 12 bis 15 fließt, auf eine kürzere Länge reduziert werden, als in dem Fall des Mehrschichtkondensators 1, der in Fig. 5 gezeigt ist. Dies ermöglicht, daß die ESL noch weiter reduziert wird.

Fig. 7 ist eine Querschnittansicht, die einen Mehrschicht kondensator 1b gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

Der Mehrschichtkondensator 1b weist drei Paare einer ersten und zweiten inneren Elektrode 10 und 11 auf. Die ersten und zweiten inneren Elektroden 10 und 11 sind vorgesehen, um einander gegenüber zu liegen.

Wie in Fig. 7 gezeigt ist, ist bei dem Mehrschichtkonden sator 1b eine Mehrzahl von Abschnitten vorgesehen, die den ersten und zweiten inneren Elektroden 10 und 11 gegenüber liegen, wobei eine Mehrzahl von Kondensatoreinheiten ge bildet sind. Die Mehrzahl der Kondensatoreinheiten sind über die Anschlußelektroden 14 und 15, die in Fig. 7 gezeigt sind, und die Anschlußelektroden 12 und 13 (die nicht in Fig. 7 gezeigt sind, siehe jedoch Fig. 2) parallel ver bunden. Diese Struktur ermöglicht, daß eine noch größere elektrostatische Kapazität erzielt wird.

Claims

1. Mehrschichtkondensator mit einem Kondensatorkörper (2), der eine Form, die durch eine Längen-Abmessung (L), eine Breiten-Abmessung (W) und eine Höhen-Abmessung definiert ist, eine erste (3) und eine zweite (4) Hauptfläche, die einander gegenüberliegen und jeweils durch die Längen-Abmessung (L) und die Breit-Abmessung (W) definiert sind, eine erste (5) und eine zweite (6) Seitenfläche, die einander gegenüberliegen und jeweils durch die Längen-Abmessung (L) und die Höhen-Abmessung definiert sind, und eine erste (7) und zweite (8) Endfläche, die einandergegen über liegen und jeweils durch die Breiten-Abmessung (W) und die Höhen-Abmessung definiert sind, aufweist, wobei
der Kondensatorkörper (2) folgende Merkmale aufweist:
eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten (9), die sich zu den Hauptflächen (3, 4) hin erstrecken; und
zumindest ein Paar einer ersten (10) und einer zweiten (11) inneren Elektrode, die einander über die vorbe stimmten dielektrischen Schichten (9) gegenüberliegen, so daß eine Kondensatoreinheit gebildet ist,
wobei sich die erste innere Elektrode (10) erstreckt, um die erste (7) und zweite (8) Endfläche zu verbin den, und wobei sich die zweite innere Elektrode (11) erstreckt, um die erste (5) und die zweite (6) Seiten fläche zu verbinden,
wobei eine erste (12) und zweite (13) Endflächenanschlußelektrode, die mit den einzelnen Enden der ersten inneren Elektrode (10) elektrisch verbunden sind, auf der ersten (7) beziehungsweise zweiten (8) Endfläche vorgesehen sind,
wobei eine erste (14) und zweite (15) Seitenflächenan schlußelektrode, die mit einzelnen Enden der zweiten inneren Elektrode (11) elektrisch verbunden sind, auf der ersten (5) beziehungsweise zweiten (6) Sei tenfläche vorgesehen sind; und
die Breiten-Abmessung (W) des Kondensatorkörpers (2) festgelegt ist, um innerhalb eines Bereichs des 0,9- bis 1,1-fachen der Längen-Abmessung (L) zu liegen.

2. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 1, bei dem die einzelnen Breiten (b) der ersten (10) und zweiten (11) inneren Elektrode einheitlich gebildet und gleich sind.

3. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem die Längen-Abmessung (L) und die Breiten-Abmessung (W) des Kondensatorkörpers (2) festgelegt sind, um innerhalb eines Bereichs von 1,5 bis 4,0 mm zu liegen.

4. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 3, bei dem die Breiten der ersten (10) und der zweiten (11) inneren Elektrode festgelegt sind, um innerhalb eines Bereichs von 0,9 bis 2,5 mm zu liegen.

5. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem, wenn a die Längen-Abmessung (L) und die Breiten-Abmessung (W) darstellt, und b die Breiten der ersten (10) inneren Elektroden und der zweiten (11) inneren Elektroden darstellt, a und b, die oben de finiert sind, festgelegt sind, um die Beziehung
0,45 ≦ b/a ≦ 0,90
aufzuweisen.

6. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 5, bei dem a und b festgelegt sind, um die Beziehung
0,50 ≦ b/a ≦ 0,85
aufzuweisen.

7. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die relative Dielektrizitäts-Konstante eines dielektrischen Materials, aus dem die dielek trischen Schichten (9) bestehen, kleiner als 50 ist.

8. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, der mehrere Paare einer ersten (10) und zweiten (11) inneren Elektrode aufweist.

9. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die erste (10) und zweite (11) innere Elektrode entweder näher an der ersten (3) oder der zweiten (4) Hauptfläche des Kondensatorkörpers (2) positioniert sind.

10. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem eine erste Resonanzfrequenz mindestens 1 GHz beträgt, während eine zweite Resonanzfrequenz min destens das 1,5-fache der ersten Resonanzfrequenz be trägt.

11. Elektronikbauteil, das den Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 und ein Verdrah tungssubstrat (23) aufweist, das positioniert ist, um der ersten (3) und zweiten (4) Hauptfläche gegenüber zu liegen und um eine Befestigung des Mehrschicht kondensators zu ermöglichen.

12. Elektronikbauteil, das den Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 9 und ein Verdrahtungssubstrat auf weist, das positioniert ist, um der ersten (3) oder zweiten (4) Hauptfläche des Kondensatorkörpers (2), zu denen die erste (10) und zweite (11) innere Elektrode näher vorgesehen sind, gegenüber zu liegen, und um eine Befestigung des Mehrschichtkondensators zu ermöglichen.

13. Hochfrequenzschaltung, die den Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 aufweist.

14. Hochfrequenzschaltung, die den Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 10 entweder als einen Entkopplungskon densator, einen Impedanzanpassungskondensator (20, 21), einen Gleichstrom-Abblockkondensator (18, 19) oder einen Tiefpaß/Hochpaß-Filterkondensator verwen det.