JPH04147635A - 高周波高出力トランジスタ - Google Patents

高周波高出力トランジスタ

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JPH04147635A
JPH04147635A JP2272653A JP27265390A JPH04147635A JP H04147635 A JPH04147635 A JP H04147635A JP 2272653 A JP2272653 A JP 2272653A JP 27265390 A JP27265390 A JP 27265390A JP H04147635 A JPH04147635 A JP H04147635A
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JP
Japan
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wire
transistor
transistor chip
mos
wires
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Pending
Application number
JP2272653A
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English (en)
Inventor
Kazuhisa Kagawa
香川　和久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は高周波高出力トランジスタ、特に多数のトラ
ンジスタチップを有するトランジスタに通した高周波高
出力トランジスタに関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の高周波高出力トランジスタのキャップを
取り除いた状態を示す平面図である。図において、（１
１はトランジスタチップ、（２）は内部リード、（３）
はＭＯＳ−Ｃ，（４１はワイヤー、（５）はパッケージ
である。
従来、高周波高出力トランジスタは、内部リード（２）
とＭ　ＯＳ　−Ｃ（３１、及びＭ　ＯＳ　−Ｃｆ３）と
トランジスタチップ（１）を結ぶワイヤー（４）は、そ
れぞれ均一なワイヤー（４）を使用していた。
次に動作について説明する。入力は内部リード（２）か
らワイヤー＋４１．　ＭＯＳ　−Ｃ（３１及びワイヤー
（４）を通ってトランジスタチップ＋１１に入力される
。また出力は、トランジスタチップ（１１からワイヤー
（４）を通って内部リード（２）へ出力される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の高周波高出力トランジスタは以上のように構成さ
れているので、内部リードからＭＯＳ−Ｃ，ＭＯＳ−Ｃ
からトランジスタチップ及びトランジスタチップから内
部リードをそれぞれ均一なワイヤーで結んでいるため、
中央部のトランジスタチップ方が電流が流れやすくなる
。このため、それぞれのトランジスタチップの均一動作
に適さないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、トランジスタチップを均一に動作させると
ともにトランジスタチップが破壊されに＜＜シた高周波
高出力トランジスタを得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る高周波高出力トランジスタは、トランジ
スタチップをＭｏ１−Ｃ，Ｍｏ３−Ｃと内部リード、及
びトランジスタチップと内部リードとを結ぶ抵抗値の異
なるワイヤーを設けたものである。
〔作用〕
この発明における高周波高出力トランジスタは、内部リ
ードとＭｏ５−Ｃ，Ｍｏ３−Ｃとトランジスタチップ及
びトランジスタチップと内部リードとを結ぶ抵抗値の異
なるワイヤーを設けたので、電流を中央部に集中させず
に均一に流すことができる。
〔実施例〕
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は高周波高出力トランジスタのキャップを取り除
いた状態を示す平面図である。図において、（１１〜（
５）は第２図の従来例に示したものと同等であるので説
明を省略する。（６）は直径の太いワイヤーである。ト
ランジスタチップ（１１と内部リード（２）をトランジ
スタの中央部を細いワイヤー（４）で結び、外側はど直
径の太いワイｆ　−（６１で結ぶ。また内部リード（２
）とＭ　ＯＳ　−Ｃｆ３１　、及びＭ　ＯＳ　−Ｃ（３
１とトランジスタチップ（１）も同様に結ぶ。
次に動作について説明する。入力は、内部リード（２）
からワイヤー（４）直径の太いワイヤー＋６１．Ｍｏ５
−　Ｃ（３１及びワイヤー（４）直径の太いワイヤー（
６）を通ってトランジスタチップ（１）に入力される。
また出力はトランジスタチップ（１）よりワイヤー（４
）直径の太い（６）を通って内部リード（２）へ出力さ
れる。このとき中央部のワイヤー（４）の方が外側の直
径太いワイヤー（６）より抵抗値が高いため電流が中央
部のトランジスタチップ（１）に集中しない。
なお、上記実施例では、ワイヤー（４）及び直径の太い
ワイヤー（６）を使用することにより抵抗値を変えたが
、ワイヤーの材質を変えて、抵抗値を変化させてもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、内部リードとＭｏ５−
Ｃ，Ｍｏ３−Ｃとトランジスタチップ及びトランジスタ
チップと内部リードを結ぶ抵抗値の異なるワイヤーを設
けたため、中央部のトランジスタチップに電流が集中せ
ず、均一動作するため、トランジスタが破壊されにくく
なる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による真円波高出力トラン
ジスタの内部の平面図、第２図は、従来の高周波高出力
トランジスタの内部の平面図である。 図において、（１）はトランジスタチップ、（２ンは内
部リード、（３）はＭｏ５−Ｃ１（４）はワイヤー、（
５）はパッケージ、（６）は直径の太いワイヤーを示す
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人　　　　大　　岩　　増　　雄 第１図 １：Ｆランしスタ手ツフ。 ２：円（岬ノード ３　：　ｆＶｆＯ３−Ｃ ４：　ワイＹ− ｆ：パラケーラ ６：迫ｒ全ｇ）九いソイＹ−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　トランジスタパッケージ内に配置されたトランジスタ
    チップ及びＭＯＳ−Ｃと上記ＭＯＳ−Ｃと内部リード、
    上記トランジスタチップと上記ＭＯＳ−Ｃ及び上記トラ
    ンジスタチップと内部リードとを結ぶ抵抗値の異なるワ
    イヤーを、設けたことを特徴とする高周波高出力トラン
    ジスタ。
JP2272653A 1990-10-09 1990-10-09 高周波高出力トランジスタ Pending JPH04147635A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017059650A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 三菱電機株式会社 増幅器
DE102020203249A1 (de) * 2019-03-22 2020-09-24 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017059650A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 三菱電機株式会社 増幅器
DE102020203249A1 (de) * 2019-03-22 2020-09-24 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
US11152327B2 (en) 2019-03-22 2021-10-19 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device with fuse portion comprising wires of different electrical resistance

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