JPH0379038A - 高周波高出力トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波高出力トランジスタに関し、特に多数の
トランジスタチップを有するトランジスタに適した高周
波高出力トランジスタを提供する。。

〔従来の技術〕

第３図は従来のベース接地の高周波高出力トランジスタ
のキャップを取り除い良状態を示す斜視図である。従来
の高周波高出力トランジスタの内部エミッタリード（１
）と入力側Ｍ　Ｏ８−０（，２）を結ぶワイヤー（８）
は、同一の形状で同一の長さになるように打たれている
。同様に、内部コレクタリード（４）とコレクタボンデ
ィングパット（６）を結ぶワイヤー（６）は同一の形状
で同一の長さになるように打たれている。

次に動作について説明する。外部コレクタリード叫に電
圧を印加する。次いで、外部エミッタリード（９）に入
力信号を入れる。この入力信号が内部エミッタリード（
１）から金ワイヤ（３）、ＭＯＳ　−Ｃｊ（２）を通っ
てトランジスタチップ（テ）へ入力する。このとき、外
部エミッタリード（１）からそれぞれのトランジスタチ
ップ（γ）までのインピーダンスがそれぞれ異なるため
、入力信号はそれぞれのトランジスタチップ（γ）に均
等には分割されない。

次いで、トランジスタチップ（γ）によシ増幅された信
号は、コレクタバット（６）よシ金ワイヤー（６）、内
部コレクタバット（４）を通り、外部コレクタリード（
至）よシ取υ出される。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の高周波高出力トランジスタは以上のように構成さ
れていたので、内部エミッタリードと入力側ＭＯ８−０
を結ぶワイヤーの長さが同一であるため１内部エミッタ
リードの中央付近にワイヤーをボンディングしたも０っ
まシ中央付近のトランジスタチップは、入力側の伝送経
路が短かくなる・ま念、内部エミッタリードの両端にワ
イヤーをボンディングしたものつまシ外側のトランジス
タチップは入力側の伝送経路が長くなる。同様に出力側
（コレクタ側）についても伝送経路の長さが異なってく
る。このため、それぞれのトランジスタチップの入出力
インピーダンスが異なるので、トランジスタチップの均
一動作に適さないという問題点があった。

本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、トランジスタチップを均一に動作させ、高周波
高出力トランジスタの高周波特性を向上させることを目
的とする。。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る高周波高出力トランジスタは、内部リード
とＭＯＳ−０及びトランジスタチップの出力側ボンディ
ングパットを結ぶ長さの異なるワイヤーを設は九もので
ある。。

〔作用〕

本発明における高周波高出力トランジスタは、内部リー
ドとＭＯＳ−０及びトランジスタの出力側ボンディング
パットを結ぶワイヤーの長さをそれぞれ変えたので、そ
れぞれのトランジスタチップの入出力の伝送経路の長さ
を適正化し、それぞれのトランジスタチップの入出力イ
ンピーダンスが等しくできる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図について説明する。

第１図は本発明の一実施例のベース接地のトランジスタ
のキャップを取り除いた状態を示す斜視図、第２図は第
１図の入力−出力方向の断面図である。トランジスタパ
ッケージ（８）内にトランジスタチップ（テ）やＭ　Ｏ
８−０（２）を配置した後、金ワイヤ−（８）をボンデ
ィングする。このとき、内部エミッタリード（１ンとＭ
ＯＳ−０（２）の間の金ワイヤ−（８）と１内部コレク
タリード（４）とコレクタボンディングパット（６）の
間の金ワイヤ−（６）は、中央部の金ワイヤーの高さを
高くし金ワイヤーを図示の如く長くする。ま九順次、外
側の金ワイヤーはど低く短かくする。

次に動作について説明する。外部コレクタＩＪ　−ド（
至）に電圧を印加する。次いで、外部エミッタリード（
９）に入力信号を入れる。この入力信号が内部エミッタ
リード（１）から金ワイヤ−（８１，ＭＯＳ−０（２）
を通ってトランジスタチップ（γ）へ入力する。このと
き、外部エミッタリード（１）からそれぞれのトランジ
スタチップ（γ）までのインピーダンスがそれぞれ均一
であるため、入力信号はそれぞれのトランジスタチップ
（γ）に均等に入力される。

次いで、トランジスタチップ（γ）によシ増幅された信
考は、コレクタバット（６）よυ金ワイヤー（６）、内
部コレクタバット（４）を通り、外部コレクタリード−
よシ取シ出される。この外部コレクタリード（至）よシ
信号を取シ出すときに、それぞれのトランジスタチップ
（γ）からのインピーダンスが均一であるので整合が取
シ易い１゜ なお、上記実施例ではベース接地のトランジスタの場合
について説明したが、エミッタ接地のトランジスタであ
ってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、内部リードとＭ２Ｓ−０
及びトランジスタの出力側ボンディングパットを結ぶ金
ワイヤーの長さをそれぞれ変えるようにしたので、それ
ぞれのトランジスタチップの入出力の伝送経路の長嘔を
適正化し、それぞれのトランジスタチップの入出力イン
ピーダンスが等シくでキ、トランジスタチップが均一な
動作をし高周波特性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のベース接地のトランジスタ
の内部斜視図、第２図は第１図の入力−出力方向の断面
図、第３図は従来の高周波高出力トランジスタの斜視図
である。 図において、（１）は内部エミッタリード、（２）はＭ
２Ｓ−０、（８１は金ワイヤ−、（４）は内部コレクタ
リード、（５）はコレクタボンディングパット、（６）
は金ワイヤ−、（γ）はトランジスタチップ、（８）は
トランジスタパッケージ、（９）は外部エミッタリード
、（至）は外部コレクタリードである。 なお、図中、同一符号は同一　又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 内部リードを有するトランジスタパッケージと前記パッ
   ケージ内に配置されたトランジスタチップ及びＭＯＳ−
   Ｃと、前記トランジスタとＭＯＳ−Ｃ及びパッケージの
   アースを結ぶワイヤーと、前記内部リードと、ＭＯＳ−
   Ｃ及びトランジスタチップの出力側のボンディングパッ
   トを結ぶ長さの異なるワイヤーとを設けたことを特徴と
   する高周波高出力トランジスタ。