JPS63160253A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS63160253A
JPS63160253A JP31486086A JP31486086A JPS63160253A JP S63160253 A JPS63160253 A JP S63160253A JP 31486086 A JP31486086 A JP 31486086A JP 31486086 A JP31486086 A JP 31486086A JP S63160253 A JPS63160253 A JP S63160253A
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JP
Japan
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output
transistor chip
fine wires
length
thin metal
Prior art date
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JP31486086A
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English (en)
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JPH0563047B2 (ja
Inventor
Osamu Shiozaki
修 塩崎
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS63160253A publication Critical patent/JPS63160253A/ja
Publication of JPH0563047B2 publication Critical patent/JPH0563047B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements

Landscapes

  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の構造に関し1%に高周波。
高出力用途で使用する電界効果トラ/ラスタの構造に関
する。
〔従来の技術〕
従来、この櫨の電界効果トランジスタにおいては、ソー
ス接地形成が一般的であり、電界効果トランジスタチッ
プの複数個の・ゲートポンディングパッドに、初成の金
憩等にエリトラン、ジスタパッケージの入力メタライズ
部に電気的に接続され、ま次数数個のドレインボンティ
ングバッドn+61じくり数の金巌等に19出方メタラ
イズ部に電気的に接続されておすしかも上記初成の金−
の長さにすべて等しくなる工すに形成されていた。
〔発明が解決し工9とする問題照) 上述し之従来の電界効果トランジスタに、高周波、高出
力用途の場合、複数個のゲートポンディングパッドを友
り複数個のドレインボンティングバッドは、複a個の金
[#巌によってトランジスタパッケージ内のそれぞれ入
力側メタライズ部または出力側メタライズ部に丁べて等
長にて電気的に接続されてい友。ところがこの場合には
%複数個の金属細線に框、自己インダクタンスと相互イ
ンダクタンス全有し、並行に複数個の金属、細栂ヲ配置
する通常の構成においてに両端部の金属MU磯の有する
総合インダクタンスの方が中央部の金属細線の有するそ
れよりも小さくなりインダクタンスにおける不平衡が生
じ入力電力ま之は出力電力がそれぞれ電界トランジスタ
チップへ均一1’lJ人または導出できなくな9、高周
波、高出力用途においては、電力利得及び電力出力の低
下全誘因してい九〇 上述しt従来の電界効果トランジスタの場合はトランジ
スタチップの複数個のドレインポンチインクパッドやゲ
ートポンディングパッド金1気的に接続する各金Mm巌
の長さがすべて等しいため、トランジスタチップの中央
部全接続する釡属II slげ、その両隣Vからの相互
インダクタンスが付加される為トランジスタチップの端
部全!&続する金属細線の総合インダクタンスエ9も人
さくな9凡に゛動作が不均一になるそれに対して不発明
に、金属細線の長さに関してトランジスタチップの中央
部の方が端部に比較して短くすることによって実効的に
各金属細線の持つ総合インダクタンスを等しくすること
に工9)Ll”動作における位相バランス全実現し、高
出力化高利得化を計ることができるといり独創的内科を
有する。
〔問題点全解決する之めの手段〕
本発明の電界効果トランジスタにおいては、複数個のゲ
ートポンティングパッドとトランジスタパッケージとを
電気的に接続する複数個の金属細線の長きま友は、複数
個のドレインボンティングパッドとトランジスタパッケ
ージと′に1[気的に接続する複数個の金属細線の長さ
においてトランジスタチップの中央部全接続する部分の
金属細線の長さが、トランジスタチップの端部を接続す
る部分のそれよりも短くして各金属細線の有する総合イ
ンダクタンスが実効的に等しくなる工すにした構造を有
している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1因は本発明の一実施例を示す製品平面図である。ま
次第2図は従来の製品平面図である。高周波、高出力用
途の電界効果トランジスタに、電力出力を外部へ取り出
す為に、複数個のチップのドレインボンティングパッド
lとパッケージ2の出力側メタライズ部3とを複数個の
金属細線4で電気的に接続されている。さらに外部から
トランジスタチップ5内に電力葡供給する為に、複数個
のチップのゲートポンティングパッド6とパッケージ2
0入力伸メタライズ部7とを前記と同様に複数個の金属
細線8で電気的に接続されている。この場合、平行に配
置されている複数個のドレイ7側の金属細線4のつちト
ランジスタチップ5の中央部と接続している金A’A細
腺の長さの方がトランジスタチップ5の端部全接続して
いる金属細線の長さよりも短くして各ドレイン側の金属
細線4の持つ総合インダクタンスを等しくしてkLI4
°電力出力全均一にに4y、り出すことがでさる構造と
なっている。
第3図は、本発明の実施例2の平面図でろる。
実施例2に実施例1と異なってトランジスタチップの中
央部全接続する金属細線の長さが、トランジスタチップ
の端を接続する金属細線の長さよりも短くし各金属細線
の持つ総合インダクタンス全実効的に等しくシ友構造會
ドレイン伸だけでなくグー) 1111+も実施してエ
リkLF動作の位相的均一化を計ったものである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明に、トランジスタチップの
ゲートポンティングパッドとパッケージの入カメタライ
ズ部筐友ニトランジスタチップのドレインボンティング
パッドとパッケージの出力メタライズ部を相互に接続す
る複数個の金属細線の9ち、トランジスタチップの中央
部ケ接続する金M#ltl線の長さの方がトランジスタ
チップの端部、を接続するそれの長さエフも細くするこ
とにより各金JjI細線の持つ総合インダクタンスを等
しくすることにより、入力電力が均一にトランジスタチ
ップに駆動され、出力電力についても均一にトラ/ラス
タ外へ取り出すことができる。それに工って高周波、高
出力用途において高出力化及び高利得化を実現すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1(2)は本発明の実施例1の電界効果トランジスタ
平面図であり、第2因に第1図に対応した従来構造の電
界効果トランジスタ平面図である。また第3図は本発明
の実施例2の平面1でろり実施例1のエフ改善されfc
構造である。 1・・・ドレインボンブイノブパッド、2・・・トラン
ジスタパッケージ、3・・・出力側メタライズ部、4・
・・ドレイン側金)ltlm、5・・・トランジスタチ
ップ、6・・・ゲートポンチインクパッド、7・・・入
力佃1メタライズ部、8・・・ゲート側金M細巌 代理人 弁理士  内 原   晋  ゛:1−′

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ドレイン、ソース及ひゲート領域をそれぞれ有する電
    界効果トランジスタチップ及び互いに電気的に分離され
    ている入力メタライズ部と出力メタライズ部と接地メタ
    ライズ部を有する半導体容器及び、前記電界効果トラン
    ジスタチップと前記半導体容器との電気的接続を実現す
    る金属細線等からなる半導体装置において前記金属細線
    の長さに関して、前記電界効果トランジスタチップの中
    央部を接続する部分のそれが、端部を接続する部分のそ
    れより実効的に短いことを特徴とする半導体装置。
JP31486086A 1986-12-23 1986-12-23 半導体装置 Granted JPS63160253A (ja)

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JP31486086A JPS63160253A (ja) 1986-12-23 1986-12-23 半導体装置

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JPS63160253A true JPS63160253A (ja) 1988-07-04
JPH0563047B2 JPH0563047B2 (ja) 1993-09-09

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007038981A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Suzuki Motor Corp インストルメントパネルの乗員保護装置
JP2010161348A (ja) * 2008-12-10 2010-07-22 Toshiba Corp 高周波半導体装置
JP2011004218A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波電力増幅器
JP2013017075A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
JP2018078487A (ja) * 2016-11-10 2018-05-17 三菱電機株式会社 高周波回路
JP6521192B1 (ja) * 2018-05-28 2019-05-29 三菱電機株式会社 増幅器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6114183U (ja) * 1984-06-30 1986-01-27 光夫 堀 自転車のサドルカバ−

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6114183U (ja) * 1984-06-30 1986-01-27 光夫 堀 自転車のサドルカバ−

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007038981A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Suzuki Motor Corp インストルメントパネルの乗員保護装置
JP4670535B2 (ja) * 2005-08-05 2011-04-13 スズキ株式会社 インストルメントパネルの乗員保護装置
JP2010161348A (ja) * 2008-12-10 2010-07-22 Toshiba Corp 高周波半導体装置
JP2015015496A (ja) * 2008-12-10 2015-01-22 株式会社東芝 高周波半導体装置
JP2011004218A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波電力増幅器
JP2013017075A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
JP2018078487A (ja) * 2016-11-10 2018-05-17 三菱電機株式会社 高周波回路
JP6521192B1 (ja) * 2018-05-28 2019-05-29 三菱電機株式会社 増幅器
WO2019229796A1 (ja) * 2018-05-28 2019-12-05 三菱電機株式会社 増幅器
US11303254B2 (en) 2018-05-28 2022-04-12 Mitsubishi Electric Corporation Amplifier

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