JPS63160253A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63160253A JPS63160253A JP31486086A JP31486086A JPS63160253A JP S63160253 A JPS63160253 A JP S63160253A JP 31486086 A JP31486086 A JP 31486086A JP 31486086 A JP31486086 A JP 31486086A JP S63160253 A JPS63160253 A JP S63160253A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- transistor chip
- fine wires
- length
- thin metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- BPSMYQFMCXXNPC-MFCPCZTFSA-N eritoran Chemical compound O[C@H]1[C@H](OCCCCCCCCCC)[C@@H](NC(=O)CC(=O)CCCCCCCCCCC)[C@@H](OP(O)(O)=O)O[C@@H]1CO[C@H]1[C@H](NC(=O)CCCCCCCCC\C=C/CCCCCC)[C@@H](OCC[C@@H](CCCCCCC)OC)[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H](COC)O1 BPSMYQFMCXXNPC-MFCPCZTFSA-N 0.000 description 1
- 229950007107 eritoran Drugs 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の構造に関し１％に高周波。
高出力用途で使用する電界効果トラ／ラスタの構造に関
する。
する。
従来、この櫨の電界効果トランジスタにおいては、ソー
ス接地形成が一般的であり、電界効果トランジスタチッ
プの複数個の・ゲートポンディングパッドに、初成の金
憩等にエリトラン、ジスタパッケージの入力メタライズ
部に電気的に接続され、ま次数数個のドレインボンティ
ングバッドｎ＋６１じくり数の金巌等に１９出方メタラ
イズ部に電気的に接続されておすしかも上記初成の金−
の長さにすべて等しくなる工すに形成されていた。
ス接地形成が一般的であり、電界効果トランジスタチッ
プの複数個の・ゲートポンディングパッドに、初成の金
憩等にエリトラン、ジスタパッケージの入力メタライズ
部に電気的に接続され、ま次数数個のドレインボンティ
ングバッドｎ＋６１じくり数の金巌等に１９出方メタラ
イズ部に電気的に接続されておすしかも上記初成の金−
の長さにすべて等しくなる工すに形成されていた。
〔発明が解決し工９とする問題照）
上述し之従来の電界効果トランジスタに、高周波、高出
力用途の場合、複数個のゲートポンディングパッドを友
り複数個のドレインボンティングバッドは、複ａ個の金
［＃巌によってトランジスタパッケージ内のそれぞれ入
力側メタライズ部または出力側メタライズ部に丁べて等
長にて電気的に接続されてい友。ところがこの場合には
％複数個の金属細線に框、自己インダクタンスと相互イ
ンダクタンス全有し、並行に複数個の金属、細栂ヲ配置
する通常の構成においてに両端部の金属ＭＵ磯の有する
総合インダクタンスの方が中央部の金属細線の有するそ
れよりも小さくなりインダクタンスにおける不平衡が生
じ入力電力ま之は出力電力がそれぞれ電界トランジスタ
チップへ均一１’ｌＪ人または導出できなくな９、高周
波、高出力用途においては、電力利得及び電力出力の低
下全誘因してい九〇 上述しｔ従来の電界効果トランジスタの場合はトランジ
スタチップの複数個のドレインポンチインクパッドやゲ
ートポンディングパッド金１気的に接続する各金Ｍｍ巌
の長さがすべて等しいため、トランジスタチップの中央
部全接続する釡属ＩＩ ｓｌげ、その両隣Ｖからの相互
インダクタンスが付加される為トランジスタチップの端
部全！＆続する金属細線の総合インダクタンスエ９も人
さくな９凡に゛動作が不均一になるそれに対して不発明
に、金属細線の長さに関してトランジスタチップの中央
部の方が端部に比較して短くすることによって実効的に
各金属細線の持つ総合インダクタンスを等しくすること
に工９）Ｌｌ”動作における位相バランス全実現し、高
出力化高利得化を計ることができるといり独創的内科を
有する。
力用途の場合、複数個のゲートポンディングパッドを友
り複数個のドレインボンティングバッドは、複ａ個の金
［＃巌によってトランジスタパッケージ内のそれぞれ入
力側メタライズ部または出力側メタライズ部に丁べて等
長にて電気的に接続されてい友。ところがこの場合には
％複数個の金属細線に框、自己インダクタンスと相互イ
ンダクタンス全有し、並行に複数個の金属、細栂ヲ配置
する通常の構成においてに両端部の金属ＭＵ磯の有する
総合インダクタンスの方が中央部の金属細線の有するそ
れよりも小さくなりインダクタンスにおける不平衡が生
じ入力電力ま之は出力電力がそれぞれ電界トランジスタ
チップへ均一１’ｌＪ人または導出できなくな９、高周
波、高出力用途においては、電力利得及び電力出力の低
下全誘因してい九〇 上述しｔ従来の電界効果トランジスタの場合はトランジ
スタチップの複数個のドレインポンチインクパッドやゲ
ートポンディングパッド金１気的に接続する各金Ｍｍ巌
の長さがすべて等しいため、トランジスタチップの中央
部全接続する釡属ＩＩ ｓｌげ、その両隣Ｖからの相互
インダクタンスが付加される為トランジスタチップの端
部全！＆続する金属細線の総合インダクタンスエ９も人
さくな９凡に゛動作が不均一になるそれに対して不発明
に、金属細線の長さに関してトランジスタチップの中央
部の方が端部に比較して短くすることによって実効的に
各金属細線の持つ総合インダクタンスを等しくすること
に工９）Ｌｌ”動作における位相バランス全実現し、高
出力化高利得化を計ることができるといり独創的内科を
有する。
本発明の電界効果トランジスタにおいては、複数個のゲ
ートポンティングパッドとトランジスタパッケージとを
電気的に接続する複数個の金属細線の長きま友は、複数
個のドレインボンティングパッドとトランジスタパッケ
ージと′に１［気的に接続する複数個の金属細線の長さ
においてトランジスタチップの中央部全接続する部分の
金属細線の長さが、トランジスタチップの端部を接続す
る部分のそれよりも短くして各金属細線の有する総合イ
ンダクタンスが実効的に等しくなる工すにした構造を有
している。
ートポンティングパッドとトランジスタパッケージとを
電気的に接続する複数個の金属細線の長きま友は、複数
個のドレインボンティングパッドとトランジスタパッケ
ージと′に１［気的に接続する複数個の金属細線の長さ
においてトランジスタチップの中央部全接続する部分の
金属細線の長さが、トランジスタチップの端部を接続す
る部分のそれよりも短くして各金属細線の有する総合イ
ンダクタンスが実効的に等しくなる工すにした構造を有
している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１因は本発明の一実施例を示す製品平面図である。ま
次第２図は従来の製品平面図である。高周波、高出力用
途の電界効果トランジスタに、電力出力を外部へ取り出
す為に、複数個のチップのドレインボンティングパッド
ｌとパッケージ２の出力側メタライズ部３とを複数個の
金属細線４で電気的に接続されている。さらに外部から
トランジスタチップ５内に電力葡供給する為に、複数個
のチップのゲートポンティングパッド６とパッケージ２
０入力伸メタライズ部７とを前記と同様に複数個の金属
細線８で電気的に接続されている。この場合、平行に配
置されている複数個のドレイ７側の金属細線４のつちト
ランジスタチップ５の中央部と接続している金Ａ’Ａ細
腺の長さの方がトランジスタチップ５の端部全接続して
いる金属細線の長さよりも短くして各ドレイン側の金属
細線４の持つ総合インダクタンスを等しくしてｋＬＩ４
°電力出力全均一にに４ｙ、り出すことがでさる構造と
なっている。
次第２図は従来の製品平面図である。高周波、高出力用
途の電界効果トランジスタに、電力出力を外部へ取り出
す為に、複数個のチップのドレインボンティングパッド
ｌとパッケージ２の出力側メタライズ部３とを複数個の
金属細線４で電気的に接続されている。さらに外部から
トランジスタチップ５内に電力葡供給する為に、複数個
のチップのゲートポンティングパッド６とパッケージ２
０入力伸メタライズ部７とを前記と同様に複数個の金属
細線８で電気的に接続されている。この場合、平行に配
置されている複数個のドレイ７側の金属細線４のつちト
ランジスタチップ５の中央部と接続している金Ａ’Ａ細
腺の長さの方がトランジスタチップ５の端部全接続して
いる金属細線の長さよりも短くして各ドレイン側の金属
細線４の持つ総合インダクタンスを等しくしてｋＬＩ４
°電力出力全均一にに４ｙ、り出すことがでさる構造と
なっている。
第３図は、本発明の実施例２の平面図でろる。
実施例２に実施例１と異なってトランジスタチップの中
央部全接続する金属細線の長さが、トランジスタチップ
の端を接続する金属細線の長さよりも短くし各金属細線
の持つ総合インダクタンス全実効的に等しくシ友構造會
ドレイン伸だけでなくグー） １１１１＋も実施してエ
リｋＬＦ動作の位相的均一化を計ったものである。
央部全接続する金属細線の長さが、トランジスタチップ
の端を接続する金属細線の長さよりも短くし各金属細線
の持つ総合インダクタンス全実効的に等しくシ友構造會
ドレイン伸だけでなくグー） １１１１＋も実施してエ
リｋＬＦ動作の位相的均一化を計ったものである。
以上説明したように、本発明に、トランジスタチップの
ゲートポンティングパッドとパッケージの入カメタライ
ズ部筐友ニトランジスタチップのドレインボンティング
パッドとパッケージの出力メタライズ部を相互に接続す
る複数個の金属細線の９ち、トランジスタチップの中央
部ケ接続する金Ｍ＃ｌｔｌ線の長さの方がトランジスタ
チップの端部、を接続するそれの長さエフも細くするこ
とにより各金ＪｊＩ細線の持つ総合インダクタンスを等
しくすることにより、入力電力が均一にトランジスタチ
ップに駆動され、出力電力についても均一にトラ／ラス
タ外へ取り出すことができる。それに工って高周波、高
出力用途において高出力化及び高利得化を実現すること
ができる。
ゲートポンティングパッドとパッケージの入カメタライ
ズ部筐友ニトランジスタチップのドレインボンティング
パッドとパッケージの出力メタライズ部を相互に接続す
る複数個の金属細線の９ち、トランジスタチップの中央
部ケ接続する金Ｍ＃ｌｔｌ線の長さの方がトランジスタ
チップの端部、を接続するそれの長さエフも細くするこ
とにより各金ＪｊＩ細線の持つ総合インダクタンスを等
しくすることにより、入力電力が均一にトランジスタチ
ップに駆動され、出力電力についても均一にトラ／ラス
タ外へ取り出すことができる。それに工って高周波、高
出力用途において高出力化及び高利得化を実現すること
ができる。
第１（２）は本発明の実施例１の電界効果トランジスタ
平面図であり、第２因に第１図に対応した従来構造の電
界効果トランジスタ平面図である。また第３図は本発明
の実施例２の平面１でろり実施例１のエフ改善されｆｃ
構造である。 １・・・ドレインボンブイノブパッド、２・・・トラン
ジスタパッケージ、３・・・出力側メタライズ部、４・
・・ドレイン側金）ｌｔｌｍ、５・・・トランジスタチ
ップ、６・・・ゲートポンチインクパッド、７・・・入
力佃１メタライズ部、８・・・ゲート側金Ｍ細巌 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛：１−′
平面図であり、第２因に第１図に対応した従来構造の電
界効果トランジスタ平面図である。また第３図は本発明
の実施例２の平面１でろり実施例１のエフ改善されｆｃ
構造である。 １・・・ドレインボンブイノブパッド、２・・・トラン
ジスタパッケージ、３・・・出力側メタライズ部、４・
・・ドレイン側金）ｌｔｌｍ、５・・・トランジスタチ
ップ、６・・・ゲートポンチインクパッド、７・・・入
力佃１メタライズ部、８・・・ゲート側金Ｍ細巌 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛：１−′
Claims (1)
- ドレイン、ソース及ひゲート領域をそれぞれ有する電
界効果トランジスタチップ及び互いに電気的に分離され
ている入力メタライズ部と出力メタライズ部と接地メタ
ライズ部を有する半導体容器及び、前記電界効果トラン
ジスタチップと前記半導体容器との電気的接続を実現す
る金属細線等からなる半導体装置において前記金属細線
の長さに関して、前記電界効果トランジスタチップの中
央部を接続する部分のそれが、端部を接続する部分のそ
れより実効的に短いことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31486086A JPS63160253A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31486086A JPS63160253A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160253A true JPS63160253A (ja) | 1988-07-04 |
| JPH0563047B2 JPH0563047B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=18058490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31486086A Granted JPS63160253A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160253A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007038981A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Suzuki Motor Corp | インストルメントパネルの乗員保護装置 |
| JP2010161348A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-07-22 | Toshiba Corp | 高周波半導体装置 |
| JP2011004218A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波電力増幅器 |
| JP2013017075A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
| JP2018078487A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路 |
| JP6521192B1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-05-29 | 三菱電機株式会社 | 増幅器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114183U (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-27 | 光夫 堀 | 自転車のサドルカバ− |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP31486086A patent/JPS63160253A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114183U (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-27 | 光夫 堀 | 自転車のサドルカバ− |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007038981A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Suzuki Motor Corp | インストルメントパネルの乗員保護装置 |
| JP4670535B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2011-04-13 | スズキ株式会社 | インストルメントパネルの乗員保護装置 |
| JP2010161348A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-07-22 | Toshiba Corp | 高周波半導体装置 |
| JP2015015496A (ja) * | 2008-12-10 | 2015-01-22 | 株式会社東芝 | 高周波半導体装置 |
| JP2011004218A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波電力増幅器 |
| JP2013017075A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
| JP2018078487A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路 |
| JP6521192B1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-05-29 | 三菱電機株式会社 | 増幅器 |
| WO2019229796A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱電機株式会社 | 増幅器 |
| US11303254B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-04-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563047B2 (ja) | 1993-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |