JPH0319403A - マイクロ波集積回路素子 - Google Patents
マイクロ波集積回路素子Info
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- JPH0319403A JPH0319403A JP15341889A JP15341889A JPH0319403A JP H0319403 A JPH0319403 A JP H0319403A JP 15341889 A JP15341889 A JP 15341889A JP 15341889 A JP15341889 A JP 15341889A JP H0319403 A JPH0319403 A JP H0319403A
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- Japan
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- output
- integrated circuit
- microwave integrated
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Links
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Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波の増幅■用いることのできるマイ
クロ波集積回路素子に関するものである。
クロ波集積回路素子に関するものである。
従来の技術
近年マイクロ波領域にふ・ける電力増幅用素子として信
頼性．経済性，小型軽量性などの観点から、ＧａＡＩ９
集積回路素子が進行波管にとってかわった（例えば、今
井哲二他「化合物半導体デバイス■、（昭和６９年７月
１０日）工業調査会、ｐ２１１）。
頼性．経済性，小型軽量性などの観点から、ＧａＡＩ９
集積回路素子が進行波管にとってかわった（例えば、今
井哲二他「化合物半導体デバイス■、（昭和６９年７月
１０日）工業調査会、ｐ２１１）。
以下、図面を参照しながら上述したような従来のマイク
ロ波集積回路素子について説明する。
ロ波集積回路素子について説明する。
第２図は従来のマイクロ波集積回路素子の概略図である
。図中２１は能動素子であるＧａＡｓＦＥＴ，２２釦よ
び２３は各々ＲＦ信号を分割．合成するＩ Ｍ Ｃ （
Ｉｎｔａｖａｌ Ｍａｔｃｈｉｎｇ Ｃｉｒｃｕｉｔ
） ， ２ ４はインビーダンヌを微調整するための
パッド、２６はＲＦ信号をパッケージ内に取り込むため
の入力リード，２６は逆にパッケージ内の信号を外部に
取り出すための出力リードである。２７および２８ぱ各
々ＣａＡｓＦＩＥＴとＩＭＣ１リードとＩＭＣとを結ぶ
ホンディングワイヤーである。同図（ｂｌは２１の拡大
図であシ、２９はドレイン電極、３ｏはゲート電極、３
１はゲートフィンガーである。１た、ソース電極はパイ
アホールによう裏面に直接アーヌされる。
。図中２１は能動素子であるＧａＡｓＦＥＴ，２２釦よ
び２３は各々ＲＦ信号を分割．合成するＩ Ｍ Ｃ （
Ｉｎｔａｖａｌ Ｍａｔｃｈｉｎｇ Ｃｉｒｃｕｉｔ
） ， ２ ４はインビーダンヌを微調整するための
パッド、２６はＲＦ信号をパッケージ内に取り込むため
の入力リード，２６は逆にパッケージ内の信号を外部に
取り出すための出力リードである。２７および２８ぱ各
々ＣａＡｓＦＩＥＴとＩＭＣ１リードとＩＭＣとを結ぶ
ホンディングワイヤーである。同図（ｂｌは２１の拡大
図であシ、２９はドレイン電極、３ｏはゲート電極、３
１はゲートフィンガーである。１た、ソース電極はパイ
アホールによう裏面に直接アーヌされる。
以上のように構成されたマイクロ波集積回路素子の動作
を以下に説明する。入力リード（ゲート側）および出力
リード（ドレイン伺１）には各々外部よりバイアスが印
加される。入力リードから入ったＲＦ信号は入力側ＩＭ
ＣによりＦＩＴのインビーダンヌに整合されボンディン
グワイヤーを通じてゲート電極に伝播されて増幅される
。そして出力側ＩＭＧにより、所望の周波数帯域で負荷
インビーダンヌに整合するよう各ドレイン電極からのＲ
Ｆ信号が合成され、出力リードより取り出される。
を以下に説明する。入力リード（ゲート側）および出力
リード（ドレイン伺１）には各々外部よりバイアスが印
加される。入力リードから入ったＲＦ信号は入力側ＩＭ
ＣによりＦＩＴのインビーダンヌに整合されボンディン
グワイヤーを通じてゲート電極に伝播されて増幅される
。そして出力側ＩＭＧにより、所望の周波数帯域で負荷
インビーダンヌに整合するよう各ドレイン電極からのＲ
Ｆ信号が合成され、出力リードより取り出される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、１つの入力信号か
ら２つ以上の出力信号を得るためには、マイクロ波集積
回路素子の出力端子の後に，信号分割用の素子を追加し
なければならず、マイクロ波増幅装置全体が大型化して
し１うという欠点を有する。本発明では，この欠点に鑑
み、複数個の出力信号を得ることのできるマイクロ波集
積回路素子を提供するものである。
ら２つ以上の出力信号を得るためには、マイクロ波集積
回路素子の出力端子の後に，信号分割用の素子を追加し
なければならず、マイクロ波増幅装置全体が大型化して
し１うという欠点を有する。本発明では，この欠点に鑑
み、複数個の出力信号を得ることのできるマイクロ波集
積回路素子を提供するものである。
課題を解決するｋめの手段
上記問題点を解決するため、本発明のマイクロ波集積回
路素子は、複数個の出力端子を持つＩＭＣ及びそれらと
同数の出力リードを内蔵することによう構成される。
路素子は、複数個の出力端子を持つＩＭＣ及びそれらと
同数の出力リードを内蔵することによう構成される。
作用
この構成により，１個のマイクロ波集積回路素子から複
数系統の出力信号が得られる。
数系統の出力信号が得られる。
実施例
以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例におけるマイクロ波集積回路素
子の概略を示すものである。第１図において、１は入力
ＩＭＣ、２は出力ＩＭＣ、３および４は２の出力ＩＭＣ
の出力端子、５は入力リード、６および７は出力リード
、８はＧａＡｓＦＥＴ９はインビータ゛ンヌを徽調整す
るためのパッド，１ｏはパッケージである。
子の概略を示すものである。第１図において、１は入力
ＩＭＣ、２は出力ＩＭＣ、３および４は２の出力ＩＭＣ
の出力端子、５は入力リード、６および７は出力リード
、８はＧａＡｓＦＥＴ９はインビータ゛ンヌを徽調整す
るためのパッド，１ｏはパッケージである。
１および２の材質は、厚さＱ，４ ｆｆのアルミナ基板
上にクロムｓｏｎｓ／金１０Ｏｎｌｍの蒸着をおこなっ
た後５μ鵬の金めつきを施しパターンを形成し、ＲＦ電
送線路としたものである。８のＧａＡｓＦＫＴはゲート
長０．５μ鵬．フィンガー長８５μ重．１セルあたｂ１
６フィンガーで１２セル構成とし、全体では１９．３２
ｆｆのゲート長を有する。
上にクロムｓｏｎｓ／金１０Ｏｎｌｍの蒸着をおこなっ
た後５μ鵬の金めつきを施しパターンを形成し、ＲＦ電
送線路としたものである。８のＧａＡｓＦＫＴはゲート
長０．５μ鵬．フィンガー長８５μ重．１セルあたｂ１
６フィンガーで１２セル構成とし、全体では１９．３２
ｆｆのゲート長を有する。
以上のように構成されたマイクロ波集積回路素子の動作
Ｋトいて，２の出力ＩＭＯは，各ドレイン電極からのＲ
Ｆ信号を二系統に分けて各々負荷インビーダンヌに整合
するよう合成し、異なる２つの出力端子３かよび４から
別々のり一ド６および７を通じて外部に取り出される。
Ｋトいて，２の出力ＩＭＯは，各ドレイン電極からのＲ
Ｆ信号を二系統に分けて各々負荷インビーダンヌに整合
するよう合成し、異なる２つの出力端子３かよび４から
別々のり一ド６および７を通じて外部に取り出される。
な釦、本実施例では能動素子をＧａＡｓＦＫＴとしたが
これに限定されるものではなく、増幅機能を有するもの
ならなんでもよい。例えば，バイポーラトランジスタや
他の半導体材料による増幅素子をもちいることもできる
。１たＩＭＣ基板をアルミナとしたが、テフロンなどの
他の高誘電率物質でもよいことは言う１でもない。さら
にＩＭＣは、本実施例で述べたＲＦ電送線路のみならず
，容量や，インダクター等の受動回路素子をも含むこと
は言う筐でもない。
これに限定されるものではなく、増幅機能を有するもの
ならなんでもよい。例えば，バイポーラトランジスタや
他の半導体材料による増幅素子をもちいることもできる
。１たＩＭＣ基板をアルミナとしたが、テフロンなどの
他の高誘電率物質でもよいことは言う１でもない。さら
にＩＭＣは、本実施例で述べたＲＦ電送線路のみならず
，容量や，インダクター等の受動回路素子をも含むこと
は言う筐でもない。
発明の効果
以上のように，本発明のマイクロ波集積回路素子は、複
数個の出力端子を持つＩＭＣｂよびそれらと同数の出力
リードを内蔵することによシ、１個の素子から複数系統
の出力信号が得られることを可能にした。それ故、その
発明の効果は絶大である。
数個の出力端子を持つＩＭＣｂよびそれらと同数の出力
リードを内蔵することによシ、１個の素子から複数系統
の出力信号が得られることを可能にした。それ故、その
発明の効果は絶大である。
第１図は本発明の一実施例に釦けるマイクロ波集積回路
素子の概略図、第２図は従来のマイクロ波集積回路素子
の概略図である。 １・・・・・・入力ＩＭＧ．２・・・・・・出力ＩＭＣ
，５・・・・・・入カリード，６．７・・・・・出力リ
ード，８・・・・・Ｇａ▲ｓＦＫＴ
素子の概略図、第２図は従来のマイクロ波集積回路素子
の概略図である。 １・・・・・・入力ＩＭＧ．２・・・・・・出力ＩＭＣ
，５・・・・・・入カリード，６．７・・・・・出力リ
ード，８・・・・・Ｇａ▲ｓＦＫＴ
Claims (1)
- パッケージ内に複数の出力端子を持つ内部整合回路及
びそれらと同数の出力リードを持つことを特徴とするマ
イクロ波集積回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15341889A JPH0319403A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | マイクロ波集積回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15341889A JPH0319403A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | マイクロ波集積回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319403A true JPH0319403A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15562069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15341889A Pending JPH0319403A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | マイクロ波集積回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319403A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04326201A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-16 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
| JPWO2013175690A1 (ja) * | 2012-05-25 | 2016-01-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 高周波増幅回路 |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15341889A patent/JPH0319403A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04326201A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-16 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
| JPWO2013175690A1 (ja) * | 2012-05-25 | 2016-01-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 高周波増幅回路 |
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