JPS58221512A - 電力増幅装置 - Google Patents
電力増幅装置Info
- Publication number
- JPS58221512A JPS58221512A JP57104474A JP10447482A JPS58221512A JP S58221512 A JPS58221512 A JP S58221512A JP 57104474 A JP57104474 A JP 57104474A JP 10447482 A JP10447482 A JP 10447482A JP S58221512 A JPS58221512 A JP S58221512A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- main surface
- resistance
- capacitor
- matching device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/28—Impedance matching networks
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は整合装置に係り、＃に並列接続で動作するトラ
ンジスタ電力増幅回路の整合キャパシタ部に関する。
ンジスタ電力増幅回路の整合キャパシタ部に関する。
電力増幅装置は、単位増幅器又は増幅回路を並列に接続
することによって、その扱う電力全増大することがでＩ
Ｊ、一般的に使用されている。この様に並列接続された
電力増幅装置は単位増幅回路間の電気的干渉すなわち個
々の増幅回路のインピーダンス及び利得の不均一等によ
って負荷均衡を悪くシ、異常発振やトランジスタ尋の増
幅素子の破壊を招く等の障害があり、その対策の一つと
して単位増幅回路間を電気的にある程度分離可能な回路
すなわちハイブリッド電力分配回路が用いられている。
することによって、その扱う電力全増大することがでＩ
Ｊ、一般的に使用されている。この様に並列接続された
電力増幅装置は単位増幅回路間の電気的干渉すなわち個
々の増幅回路のインピーダンス及び利得の不均一等によ
って負荷均衡を悪くシ、異常発振やトランジスタ尋の増
幅素子の破壊を招く等の障害があり、その対策の一つと
して単位増幅回路間を電気的にある程度分離可能な回路
すなわちハイブリッド電力分配回路が用いられている。
しかし、ＵＨＦＨＦ上の周波数に於て主
は、増幅用トランジスタの寄婢容量やインダクタンス等
によって安定な電力増幅装置を構成することが困難とな
り、この問題の解決が望まれていた。
によって安定な電力増幅装置を構成することが困難とな
り、この問題の解決が望まれていた。
本発明の目的は１以上を鑑みて、特にＵＨＦＨＦ上で並
列接続して高電力を取り扱う増幅装置を安定に動作させ
るために必要な単位増幅回路間の干渉を減じ、且つ高効
率で増幅を可能とするための整合装ＷＬｔ提供すること
にある。
列接続して高電力を取り扱う増幅装置を安定に動作させ
るために必要な単位増幅回路間の干渉を減じ、且つ高効
率で増幅を可能とするための整合装ＷＬｔ提供すること
にある。
本発明は、誘電体基板の一生面に抵抗性薄膜とこの抵抗
性薄膜の両端に接する金属膜から成る電極とを形成し、
前記誘電体基板の他主面に金属膜を形成してなる整合装
置にある。
性薄膜の両端に接する金属膜から成る電極とを形成し、
前記誘電体基板の他主面に金属膜を形成してなる整合装
置にある。
以下本発明を図面を参照しながら説明する。第１回内は
本発明の実施例の整合装置の平面図、第１図（同はその
断面図である。
本発明の実施例の整合装置の平面図、第１図（同はその
断面図である。
第１図（５）、第１図（均に示すように１本整合装置は
、誘電体基板１の一方の主面に抵抗皮膜２とこの両端に
設けた金属皮膜から成る上部電極３が。
、誘電体基板１の一方の主面に抵抗皮膜２とこの両端に
設けた金属皮膜から成る上部電極３が。
他方の主面のほぼ全体に金属皮膜から成る上部電極４が
、スパッタリング、真空蒸着、めっき方法と写真蝕刻方
法で形成される。かくして、上部電極３と下部電極４間
でキャパシタとして静電容量金得ることかで＠、上部電
極３の間に形成した抵抗皮膜２で抵抗値を得ることがで
き、その電気的等価回路は、第２図の如く表現すること
ができ。
、スパッタリング、真空蒸着、めっき方法と写真蝕刻方
法で形成される。かくして、上部電極３と下部電極４間
でキャパシタとして静電容量金得ることかで＠、上部電
極３の間に形成した抵抗皮膜２で抵抗値を得ることがで
き、その電気的等価回路は、第２図の如く表現すること
ができ。
抵抗Ｒは第１図の抵抗皮膜２に、キャパシタＣは上部電
極３と下部電極４の間で得られる静電容量に各々対応す
る。抵抗比の値は、単位増幅器間の分離度によって決定
されるが数十オームから数６オームの範囲が適している
。キャパシタＣの静電容量値は単位増幅器の整合が最適
となる様に選らばれ、単位増幅回路のインピーダンスと
動作周波数によって決定される値で、誘電体基板の誘電
率と上部電極３の面積の増減で所望の値を得ること次に
前記整合装置を電力増幅装置に適用した場合について説
明する。第３図に示すように、入力電力分配回路１１．
前記整合装置（抵抗付整合キャパシタ）１２．トランジ
スタチップ１３．出力合成回路１４を配置し、互いｔ一
対のボンディングワイヤー２３．２４．２５で接続する
ことによって第４図の回路図と等価な電力増幅装置ｔＳ
成することができる。第４図の抵抗Ｒ１は第３図の抵抗
皮膜２１に、インダクタンスＬ１はボンディングワイヤ
ー２３に、抵抗Ｒ１キャパシタＣは整合装置１２に、イ
ンダクタンスＬ！はボンディングワイヤー２４に、一対
のトランジスタＴは一対のトランジスタチップ１３に、
インダクタンスＬ３はボンディングワイヤー２５にそれ
ぞれ相当する。尚トランジスタＴはゲートＧが入力端子
。
極３と下部電極４の間で得られる静電容量に各々対応す
る。抵抗比の値は、単位増幅器間の分離度によって決定
されるが数十オームから数６オームの範囲が適している
。キャパシタＣの静電容量値は単位増幅器の整合が最適
となる様に選らばれ、単位増幅回路のインピーダンスと
動作周波数によって決定される値で、誘電体基板の誘電
率と上部電極３の面積の増減で所望の値を得ること次に
前記整合装置を電力増幅装置に適用した場合について説
明する。第３図に示すように、入力電力分配回路１１．
前記整合装置（抵抗付整合キャパシタ）１２．トランジ
スタチップ１３．出力合成回路１４を配置し、互いｔ一
対のボンディングワイヤー２３．２４．２５で接続する
ことによって第４図の回路図と等価な電力増幅装置ｔＳ
成することができる。第４図の抵抗Ｒ１は第３図の抵抗
皮膜２１に、インダクタンスＬ１はボンディングワイヤ
ー２３に、抵抗Ｒ１キャパシタＣは整合装置１２に、イ
ンダクタンスＬ！はボンディングワイヤー２４に、一対
のトランジスタＴは一対のトランジスタチップ１３に、
インダクタンスＬ３はボンディングワイヤー２５にそれ
ぞれ相当する。尚トランジスタＴはゲートＧが入力端子
。
ドレインＤが出力端子、ソース８が接地端子となってい
る。
る。
本実施例で示す如く、入力電力分配回路１１に同位相形
ハイブリッド回路（一般的にウィルキンソン形と呼ばれ
ている）を用いることによって出力電力合成回路１４は
簡単に構成することができる。第４図の中の単位増幅回
路のインダクタンスＬ１．Ｌｍ、キャパシタＣは一般に
ローノくス整合回路と呼ばれ、そのインダクタンスはボ
ンディングワイヤー２３と２４の適切な長さで得ること
ができ、その値は回路全体のインピーダンス、トランジ
スタチップ１３の入力インピーダンスと動作周波数によ
って決定される。
ハイブリッド回路（一般的にウィルキンソン形と呼ばれ
ている）を用いることによって出力電力合成回路１４は
簡単に構成することができる。第４図の中の単位増幅回
路のインダクタンスＬ１．Ｌｍ、キャパシタＣは一般に
ローノくス整合回路と呼ばれ、そのインダクタンスはボ
ンディングワイヤー２３と２４の適切な長さで得ること
ができ、その値は回路全体のインピーダンス、トランジ
スタチップ１３の入力インピーダンスと動作周波数によ
って決定される。
以上の説明から明らかな様に本発明によれば。
特に単位増幅回路、を並列接続して構成される電力増幅
装置の整合回路として用いれば単位増幅回路間の電気的
干渉が減じ安定な増幅が得られ、さらには増幅効果も向
上するという効果が得られる。
装置の整合回路として用いれば単位増幅回路間の電気的
干渉が減じ安定な増幅が得られ、さらには増幅効果も向
上するという効果が得られる。
又１本発明の整合装置を用いると、小形化の点に於いて
も利点があシ、近年急速に発展しているガリウム砒素電
界効果電力トランジスタを用いたＸバンドからにバンド
に及ぶ電力増幅装置の実現に大きく貢献することができ
る。
も利点があシ、近年急速に発展しているガリウム砒素電
界効果電力トランジスタを用いたＸバンドからにバンド
に及ぶ電力増幅装置の実現に大きく貢献することができ
る。
第１図（５）は本発明の実施例の整合装置を示す平面図
、第１図（Ｂ）は第１回内の断面図、第２図は第１図（
５）の電気的等価回路、第３図は第１回内の整合装置音
用いた増幅装置金示す平面図−１第４図は第３図の電気
的等価回路である。面図において、１・・・・・・誘電
体基板、２・・・・・・抵抗皮膜、３・・・・・・上部
電極、４・・・・・・下部電極、１１・・・・・・入力
電力分配回路、１２・・・・・・整合装置、１３・・・
・・・トランジスタチップ、１４・・・・・・出力電力
合成回路、２１・ ２２・・・・・・抵抗皮膜、２３．
２４．２５・・・・・・ボンディングワイヤー、Ｃ・・
・・・・キャパシタ、 Ｒ，Ｒｔ、 ）ｌ・・・・・・
抵抗、Ｌｌ、Ｌ２．Ｌｌ・・・・・・インダクタンス。 Ｓ・・・・・・ソース、Ｇ・・・・・・ゲート、Ｄ・・
・・・・ドレイン。 Ｔ・・・・・・トランジスタ。 Ｚ γ Ｃ（Ａ）
を戸−７Ｇ（Ｂ）第 ２図 ス 、３ 図 篤 ４ 図
、第１図（Ｂ）は第１回内の断面図、第２図は第１図（
５）の電気的等価回路、第３図は第１回内の整合装置音
用いた増幅装置金示す平面図−１第４図は第３図の電気
的等価回路である。面図において、１・・・・・・誘電
体基板、２・・・・・・抵抗皮膜、３・・・・・・上部
電極、４・・・・・・下部電極、１１・・・・・・入力
電力分配回路、１２・・・・・・整合装置、１３・・・
・・・トランジスタチップ、１４・・・・・・出力電力
合成回路、２１・ ２２・・・・・・抵抗皮膜、２３．
２４．２５・・・・・・ボンディングワイヤー、Ｃ・・
・・・・キャパシタ、 Ｒ，Ｒｔ、 ）ｌ・・・・・・
抵抗、Ｌｌ、Ｌ２．Ｌｌ・・・・・・インダクタンス。 Ｓ・・・・・・ソース、Ｇ・・・・・・ゲート、Ｄ・・
・・・・ドレイン。 Ｔ・・・・・・トランジスタ。 Ｚ γ Ｃ（Ａ）
を戸−７Ｇ（Ｂ）第 ２図 ス 、３ 図 篤 ４ 図
Claims (1)
- 誘電体基板の一生面に、抵抗性薄膜とこの抵抗性薄膜の
両端に接する金属膜から成る電極とを形成し、前記誘電
体基板の他主面に金属膜を形成してなる整合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104474A JPS58221512A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 電力増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104474A JPS58221512A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 電力増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58221512A true JPS58221512A (ja) | 1983-12-23 |
| JPS6365242B2 JPS6365242B2 (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=14381568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57104474A Granted JPS58221512A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 電力増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58221512A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62292007A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
| JP2010177904A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Fujitsu Ltd | 高周波増幅器 |
| JP2014502797A (ja) * | 2010-12-08 | 2014-02-03 | クリー インコーポレイテッド | コンデンサ間抵抗器を含む内部安定ネットワークを備えたｒｆトランジスタパッケージ、及びコンデンサ間抵抗器を含む内部安定ネットワークを備えたｒｆトランジスタパッケージの形成方法 |
| WO2017033334A1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 三菱電機株式会社 | 整合回路及び高周波増幅器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5377158A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor variable filter |
| JPS53151343U (ja) * | 1977-05-06 | 1978-11-29 | ||
| JPS5442436U (ja) * | 1977-08-30 | 1979-03-22 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5175875A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-06-30 | Ebara Mfg | Fukusuchanbaahoshikinyoru kahenyoryogatayuatsumootano kudoyuatsukairo |
-
1982
- 1982-06-17 JP JP57104474A patent/JPS58221512A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5377158A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor variable filter |
| JPS53151343U (ja) * | 1977-05-06 | 1978-11-29 | ||
| JPS5442436U (ja) * | 1977-08-30 | 1979-03-22 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62292007A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
| JP2010177904A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Fujitsu Ltd | 高周波増幅器 |
| JP2014502797A (ja) * | 2010-12-08 | 2014-02-03 | クリー インコーポレイテッド | コンデンサ間抵抗器を含む内部安定ネットワークを備えたｒｆトランジスタパッケージ、及びコンデンサ間抵抗器を含む内部安定ネットワークを備えたｒｆトランジスタパッケージの形成方法 |
| WO2017033334A1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 三菱電機株式会社 | 整合回路及び高周波増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6365242B2 (ja) | 1988-12-15 |
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