JPS6365242B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6365242B2 JPS6365242B2 JP57104474A JP10447482A JPS6365242B2 JP S6365242 B2 JPS6365242 B2 JP S6365242B2 JP 57104474 A JP57104474 A JP 57104474A JP 10447482 A JP10447482 A JP 10447482A JP S6365242 B2 JPS6365242 B2 JP S6365242B2
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- JP
- Japan
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- transistors
- power
- matching device
- circuit
- input power
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- Expired
Links
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 13
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/28—Impedance matching networks
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電力増幅装置に関し、特に増幅用トラ
ンジスタが並列接続された電力増幅装置に関す
る。
ンジスタが並列接続された電力増幅装置に関す
る。
電力増幅装置は、単位増幅器又は増幅回路を並
列に接続することによつて、その扱う電力を増大
することができ、一般的に使用されている。この
様に並列接続された従来の電力増幅装置は単位増
幅回路間の電気的干渉すなわち個々の増幅回路の
インピーダンス及び利得の不均一等によつて負荷
均衡を悪くし、異常発振やトランジスタ等の増幅
素子の破壊を招く等の障害があり、その対策の一
つとして単位増幅回路間を電気的にある程度分離
可能な回路すなわちハイブリツド電力分配回路が
用いられている。しかし、UHF帯以上の周波数
に於ては、増幅用トランジスタの寄生容量やイン
ダクタンス等によつて安定な電力増幅装置を構成
することが困難となり、この問題の解決が望まれ
ていた。
列に接続することによつて、その扱う電力を増大
することができ、一般的に使用されている。この
様に並列接続された従来の電力増幅装置は単位増
幅回路間の電気的干渉すなわち個々の増幅回路の
インピーダンス及び利得の不均一等によつて負荷
均衡を悪くし、異常発振やトランジスタ等の増幅
素子の破壊を招く等の障害があり、その対策の一
つとして単位増幅回路間を電気的にある程度分離
可能な回路すなわちハイブリツド電力分配回路が
用いられている。しかし、UHF帯以上の周波数
に於ては、増幅用トランジスタの寄生容量やイン
ダクタンス等によつて安定な電力増幅装置を構成
することが困難となり、この問題の解決が望まれ
ていた。
本発明の目的は、特にUHF帯以上で単位増幅
回路を並列接続し、その間の干渉を減じて高電力
を安定に、且つ高効率で増幅できる電力増幅装置
を提供することにある。
回路を並列接続し、その間の干渉を減じて高電力
を安定に、且つ高効率で増幅できる電力増幅装置
を提供することにある。
本発明の電力増幅装置は、誘電体基板の一主面
に、抵抗性薄膜とこの抵抗性薄膜の両端に接する
金属膜から成る電極とを形成し、前記誘電体基板
の他主面に金属膜を形成してなる整合装置と、入
力電力を同相に２分岐する入力電力分配回路と、
この入力電力分配回路の出力端子のそれぞれが前
記整合装置の前記電極のそれぞれを介してそれぞ
れの入力端子に接続された二つのトランジスタ
と、このトランジスタのそれぞれの出力端子が接
続された出力電力合成回路とを備えて構成され
る。
に、抵抗性薄膜とこの抵抗性薄膜の両端に接する
金属膜から成る電極とを形成し、前記誘電体基板
の他主面に金属膜を形成してなる整合装置と、入
力電力を同相に２分岐する入力電力分配回路と、
この入力電力分配回路の出力端子のそれぞれが前
記整合装置の前記電極のそれぞれを介してそれぞ
れの入力端子に接続された二つのトランジスタ
と、このトランジスタのそれぞれの出力端子が接
続された出力電力合成回路とを備えて構成され
る。
以下本発明を図面を参照しながら説明する。第
１図Ａは本発明の電力増幅装置に用いる整合装置
の一具体例の平面図、第１図Ｂはその断面図であ
る。
１図Ａは本発明の電力増幅装置に用いる整合装置
の一具体例の平面図、第１図Ｂはその断面図であ
る。
第１図Ａ、第１図Ｂに示すように、本整合装置
は、誘電体基板１の一方の主面に抵抗皮膜２とこ
の両端に設けた金属皮膜から成る上部電極３が、
他方の主面のほぼ全体に金属皮膜から成る下部電
極４が、スパツタリング、真空蒸着、めつき方法
と写真蝕刻方法で形成される。かくして、上部電
極３と下部電極４間でキヤパシタとして静電容量
を得ることができ、上部電極３の間に形成した抵
抗皮膜２で抵抗値を得ることができ、その電気的
等価回路は、第２図の如く表現することができ、
抵抗Ｒは第１図の抵抗皮膜２に、キヤパシタＣは
上部電極３と下部電極４の間で得られる静電容量
に各々対応する。抵抗Ｒの値は、単位増幅器間の
分離度によつて決定されるが数十オームから数百
オームの範囲が適している。キヤパシタＣの静電
容量値は単位増幅器の整合が最適となる様に選ら
ばれ、単位増幅回路のインピーダンスと動作周波
数によつて決定される値で、誘電体基板の誘電率
と上部電極３の面積の増減で所望の値を得ること
ができる。
は、誘電体基板１の一方の主面に抵抗皮膜２とこ
の両端に設けた金属皮膜から成る上部電極３が、
他方の主面のほぼ全体に金属皮膜から成る下部電
極４が、スパツタリング、真空蒸着、めつき方法
と写真蝕刻方法で形成される。かくして、上部電
極３と下部電極４間でキヤパシタとして静電容量
を得ることができ、上部電極３の間に形成した抵
抗皮膜２で抵抗値を得ることができ、その電気的
等価回路は、第２図の如く表現することができ、
抵抗Ｒは第１図の抵抗皮膜２に、キヤパシタＣは
上部電極３と下部電極４の間で得られる静電容量
に各々対応する。抵抗Ｒの値は、単位増幅器間の
分離度によつて決定されるが数十オームから数百
オームの範囲が適している。キヤパシタＣの静電
容量値は単位増幅器の整合が最適となる様に選ら
ばれ、単位増幅回路のインピーダンスと動作周波
数によつて決定される値で、誘電体基板の誘電率
と上部電極３の面積の増減で所望の値を得ること
ができる。
次に前記整合装置を用いた本発明の電が増幅装
置の一実施例について説明する。第３図に示すよ
うに、入力電力分配回路１１、前記整合装置（抵
抗付整合キヤパシタ）１２、トランジスタチツプ
１３、出力合成回路１４を配置し、互いを一対の
ボンデイングワイヤー２３，２４，２５で接続す
ることによつて第４図の回路図と等価な実施例を
構成することができる。第４図の抵抗R1は第３
図の抵抗皮膜２１に、インダクタンスL1はボン
デイングワイヤー２３に、抵抗R2キヤパシタＣ
は整合装置１２に、インダクタンスL2はボンデ
イングワイヤー２４に、一対のトランジスタＴは
一対のトランジスタチツプ１３に、インダクタン
スL3はボンデイングワイヤー２５にそれぞれ相
当する。尚トランジスタＴはゲートＧが入力端
子、ドレインＤが出力端子、ソースＳが接地端子
となつている。
置の一実施例について説明する。第３図に示すよ
うに、入力電力分配回路１１、前記整合装置（抵
抗付整合キヤパシタ）１２、トランジスタチツプ
１３、出力合成回路１４を配置し、互いを一対の
ボンデイングワイヤー２３，２４，２５で接続す
ることによつて第４図の回路図と等価な実施例を
構成することができる。第４図の抵抗R1は第３
図の抵抗皮膜２１に、インダクタンスL1はボン
デイングワイヤー２３に、抵抗R2キヤパシタＣ
は整合装置１２に、インダクタンスL2はボンデ
イングワイヤー２４に、一対のトランジスタＴは
一対のトランジスタチツプ１３に、インダクタン
スL3はボンデイングワイヤー２５にそれぞれ相
当する。尚トランジスタＴはゲートＧが入力端
子、ドレインＤが出力端子、ソースＳが接地端子
となつている。
本実施例で示す如く、入力電力分配回路１１に
同位相形ハイブリツド回路（一般的にウイルキン
ソン形と呼ばれている）を用いることによつて出
力電力合成回路１４は簡単に構成することができ
る。第４図の中の単位増幅回路のインダクタンス
L1，L2、キヤパシタＣは一般にローパス整合回
路と呼ばれ、そのインダクタンスはボンデイング
ワイヤー２３と２４の適切な長さで得ることがで
き、その値は回路全体のインピーダンス、トラン
ジスタチツプ１３の入力インピーダンスと動作周
波数によつて決定される。
同位相形ハイブリツド回路（一般的にウイルキン
ソン形と呼ばれている）を用いることによつて出
力電力合成回路１４は簡単に構成することができ
る。第４図の中の単位増幅回路のインダクタンス
L1，L2、キヤパシタＣは一般にローパス整合回
路と呼ばれ、そのインダクタンスはボンデイング
ワイヤー２３と２４の適切な長さで得ることがで
き、その値は回路全体のインピーダンス、トラン
ジスタチツプ１３の入力インピーダンスと動作周
波数によつて決定される。
両単位増幅回路の特性の不均一により相互に電
気的干渉が生ずると、抵抗R2の両端に不平衡信
号成分が発生し、この不平衡信号成分を抵抗R2
が減衰させるので、結果的に電気的干渉が抑圧さ
れる。両単位増幅回路に特性の不均一を生じる主
原因である両トランジスタＴにごく近接して抵抗
R2を配置できるので、抵抗R2（抵抗皮膜２２）に
よる電気的干渉の抑圧効果は大きい。
気的干渉が生ずると、抵抗R2の両端に不平衡信
号成分が発生し、この不平衡信号成分を抵抗R2
が減衰させるので、結果的に電気的干渉が抑圧さ
れる。両単位増幅回路に特性の不均一を生じる主
原因である両トランジスタＴにごく近接して抵抗
R2を配置できるので、抵抗R2（抵抗皮膜２２）に
よる電気的干渉の抑圧効果は大きい。
以上の説明から明らかな様に本発明によれば、
整合装置の抵抗性薄膜によつて単位増幅回路間の
電気的干渉が減じ安定な増幅が得られ、さらには
増幅効果も向上するという効果が得られる。
整合装置の抵抗性薄膜によつて単位増幅回路間の
電気的干渉が減じ安定な増幅が得られ、さらには
増幅効果も向上するという効果が得られる。
又、本発明は、小形化の点に於いても利点があ
り、近年急速に発展しているガリウム砒素電界効
果電力トランジスタを用いたＸバンドからＫバン
ドに及ぶ電力増幅装置の実現に大きく貢献するこ
とができる。
り、近年急速に発展しているガリウム砒素電界効
果電力トランジスタを用いたＸバンドからＫバン
ドに及ぶ電力増幅装置の実現に大きく貢献するこ
とができる。
第１図Ａは本発明の電力増幅装置に用いる整合
装置の一具体例を示す平面図、第１図Ｂは第１図
Ａの断面図、第２図は第１図Ａの電気的等価回
路、第３図は第１図Ａの整合装置を用いた本発明
の電力増幅装置の一実施例を示す平面図、第４図
は第３図の電気的等価回路である。尚図におい
て、 １……誘電体基板、２……抵抗皮膜、３……上
部電極、４……下部電極、１１……入力電力分配
回路、１２……整合装置、１３……トランジスタ
チツプ、１４……出力電力合成回路、２１，２２
……抵抗皮膜、２３，２４，２５……ボンデイン
グワイヤー、Ｃ……キヤパシタ、Ｒ，R1，R2…
…抵抗、L1，L2，L3……インダクタンス、Ｓ…
…ソース、Ｇ……ゲート、Ｄ……ドレイン、Ｔ…
…トランジスタ。
装置の一具体例を示す平面図、第１図Ｂは第１図
Ａの断面図、第２図は第１図Ａの電気的等価回
路、第３図は第１図Ａの整合装置を用いた本発明
の電力増幅装置の一実施例を示す平面図、第４図
は第３図の電気的等価回路である。尚図におい
て、 １……誘電体基板、２……抵抗皮膜、３……上
部電極、４……下部電極、１１……入力電力分配
回路、１２……整合装置、１３……トランジスタ
チツプ、１４……出力電力合成回路、２１，２２
……抵抗皮膜、２３，２４，２５……ボンデイン
グワイヤー、Ｃ……キヤパシタ、Ｒ，R1，R2…
…抵抗、L1，L2，L3……インダクタンス、Ｓ…
…ソース、Ｇ……ゲート、Ｄ……ドレイン、Ｔ…
…トランジスタ。
Claims (1)
- １ 誘電体基板の一主面に、両端に加わる不平衡
信号成分を滅衰させるための抵抗性薄膜とこの抵
抗性薄膜の前記両端に接する金属膜から成る電極
とを形成し、前記誘電体基板の他主面に金属膜を
形成してなる整合装置と、入力電力を同相に２分
岐する入力電力分配回路と、この入力電力分配回
路の出力端子のそれぞれが前記整合装置の前記電
極のそれぞれを介してそれぞれの入力端子に接続
された二つのトランジスタと、このトランジスタ
のそれぞれの出力端子が接続された出力電力合成
回路とを備えたことを特徴とする電力増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104474A JPS58221512A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 電力増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104474A JPS58221512A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 電力増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58221512A JPS58221512A (ja) | 1983-12-23 |
| JPS6365242B2 true JPS6365242B2 (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=14381568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57104474A Granted JPS58221512A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 電力増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58221512A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62292007A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
| US8592966B2 (en) * | 2007-06-22 | 2013-11-26 | Cree, Inc. | RF transistor packages with internal stability network including intra-capacitor resistors and methods of forming RF transistor packages with internal stability networks including intra-capacitor resistors |
| JP5239905B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2013-07-17 | 富士通株式会社 | 高周波増幅器 |
| WO2017033334A1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 三菱電機株式会社 | 整合回路及び高周波増幅器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5377158A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor variable filter |
| JPS5442436B2 (ja) * | 1974-12-27 | 1979-12-14 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832324Y2 (ja) * | 1977-05-06 | 1983-07-18 | 日本電気株式会社 | 高周波高出力トランジスタ増幅器 |
| JPS5717527Y2 (ja) * | 1977-08-30 | 1982-04-13 |
-
1982
- 1982-06-17 JP JP57104474A patent/JPS58221512A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5442436B2 (ja) * | 1974-12-27 | 1979-12-14 | ||
| JPS5377158A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor variable filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58221512A (ja) | 1983-12-23 |
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