KR970024027A - 고주파 증폭 집적-회로 장치(High-Frequency Amplifier Integrated-Circuit Device) - Google Patents

고주파 증폭 집적-회로 장치(High-Frequency Amplifier Integrated-Circuit Device) Download PDF

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Abstract

본 발명은 이전 기술의 장치와 비교하여 이득의 차이를 줄이면서, 저가로 제조 가능한 고주파 증폭 집적-회로 장치에 관한 것이다. 고주파 증폭 집적-회로 장치는 반도체 기판; 및 반도체 기판에 형성되어 복수 개의 제 1 전극, 복수 개의 제 2 전극, 및 적어도 하나의 제 3 전극을 가지며, 복수 개의 제 2 전극에 입력된 고주파 신호는 트랜지스터에 의해 증폭되어 제 3 전극으로부터 출력되고, 복수 개의 제 1 전극 중에서 적어도 두 개의 제 1 전극은 커패시터를 통해 접지되고, 두 커패시터의 정전 용량값은 상호 다른 값으로 설정되는 트랜지스터를 포함한다.

Description

고주파 증폭 집적-회로 장치(High-Frequency Amplifier Integrated-Circuit Device)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 본 발명의 양태에 따른 모체 기판(100) 상에 실장된 고주파 증폭 집적-회로 장치(91)의 평면도이다,
도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 절단된 단면도이다,
도 3은 도 1의 고주파 증폭 집적-회로 장치(91)의 회로도이다,
도 4는 도 1의 고주파 증폭 집적-회로 장치의 출력단 반사 계수 및 이득의 주파수 특성을 도시하는 그래프이다,
도 5는 종래의 고주파 증폭 집적-회로 장치(92)의 평면도이다,
도 6은 도 5의 고주파 증폭 집적-회로 장치(92)의 회로도이다,
도 7은 도 5의 고주파 증폭 집적-회로 장치(92)의 출력단 반사 계수 및 이득의 주파수 특성을 도시하는 그래프이다.

Claims (11)

  1. 반도체 기판; 및 반도체 기판에 형성되고, 복수 개의 제 1 전극, 복수 개의 제 2 전극, 및 적어도 하나의 제 3 전극을 지니고 있어서, 상기 복수 개의 제 2 전극에 입력된 고주파 신호를 증폭하고, 상기 제 3 전극으로부터 증폭된 신호를 출력하는 트랜지스터를 포함하며, 상기 복수 개의 제 1 전극 중에서 적어도 두 개의 제 1 전극은 각기 커패시터를 통해 각각 접지됨을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 전극 중에서 단지 두 개가 접지됨을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 반도체 기판의 단지 외부에서 서로 접속되며, 상기 적어도 두 개의 제 1 전극이 상기 각각의 커패시터를 통해 각각 접속되는 적어도 두 개의 접지 도체를 더 포함함을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 모체 기판 상에 제공되어 상기 복수 개의 제 1 전극에 접속된 제 1 단자 및 상기 적어도 하나의 제 3 전극에 접속된 제 2 단자를 포함하고, 상기 제 1 단자, 상기 제 2 단자, 및 상기 적어도 두 개의 접지 도체는 본딩 와이어에 의해서 상기 모체 기판 상에 형성된 각각의 다른 단자에 접속됨을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 제 1 전극 중에서 단지 두 개가 접지됨을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 두 개 커패시터의 정전 용량값이 상호 다른 값으로 설정됨을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 두 개의 커패시터 중 하나의 정전 용량값은 다른 커패시터의 정전 용량값의 3 내지 50배 범위의 크기 값으로 설정됨을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 하나의 커패시터의 용량이 상기 외부 커패시터 용량의 40배 크기임을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 상기 제 1 전극이 소스 전극, 상기 제 2 전극이 게이트 전극, 상기 제 3 전극이 드레인 전극인 전계 효과 트랜지스터임을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  10. 반도체 기판; 상기 기판에 형성되어 게이트 전극, 드레인 전극, 및 소스 전극을 지니는 트랜지스터; 상기기판 상에 형성된 접지 도체; 상기 소스 전극과 상기 접지 전극 사이에서 접속되고, 상기 소스 전극의 제 1 부분에 접속되어진 제 1 커패시터; 및 상기 소스 전극과 상기 접지 전극 사이에서 접속되고, 상기 소스 전극의 제 2 부분에 접속되어진 제 2 커패시터를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 부분은 상기 소스 전극이 소정의 고 주파수 영역에서 인덕터로서 작용하는 것을 방지하도록 결정되는 상기 소스 전극 상의 각각의 부분임을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 소스 전극은 복수 개의 병렬 분기를 가지고, 상기 소스의 상기 분기는 기판의 표면상에 있는 상기 게이트 및 드레인 전극의 사이에 끼워지며, 상기 제 1 커패시터는 상기 소스 전극의 상기 분기 중의 하나에 접속되고, 상기 제 2 커패시터는 상기 소스 전극의 상기 분기 중의 다른 하나에 접속되며, 상기 제 1 및 제 2 커패시터는 상기 소스 전극이 상기한 소정의 고 주파수 영역에서 인덕터로서 작용하는 것을 방지함을 특징으로 하는 고주파 증폭 집적-회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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