JPH01206710A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
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- JPH01206710A JPH01206710A JP3125688A JP3125688A JPH01206710A JP H01206710 A JPH01206710 A JP H01206710A JP 3125688 A JP3125688 A JP 3125688A JP 3125688 A JP3125688 A JP 3125688A JP H01206710 A JPH01206710 A JP H01206710A
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- Japan
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- integrated circuit
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 2
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波の増幅に用いることのできる、マ
イクロ波集積回路に関するものである。
イクロ波集積回路に関するものである。
従来の技術
近年、マイクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと印す）は小
型＠示、長寿命等の点から、従来の電子管にとってかわ
ってきた。（例えば、今井哲二他「化合物半導体デバイ
スＩ、（昭５９．７．１０）工業調査会、Ｐ２１１１） 以下、図面を参照しながら、上述したような従来のＭＩ
Ｃについて説明する。
型＠示、長寿命等の点から、従来の電子管にとってかわ
ってきた。（例えば、今井哲二他「化合物半導体デバイ
スＩ、（昭５９．７．１０）工業調査会、Ｐ２１１１） 以下、図面を参照しながら、上述したような従来のＭＩ
Ｃについて説明する。
２・＼ノ
第２図（ａ）は従来のＭＩＧの概略図を示すものである
。第２図（ａ）において、２１はＭＩＣ基板、２２は能
動素子であるＦＥＴ、２３は入出力のＲＦ倍信号伝播す
る入出力ＲＦ線路、２４はインピーダンスを微調するだ
めの調整パッドである。
。第２図（ａ）において、２１はＭＩＣ基板、２２は能
動素子であるＦＥＴ、２３は入出力のＲＦ倍信号伝播す
る入出力ＲＦ線路、２４はインピーダンスを微調するだ
めの調整パッドである。
第２図（ｂ）はＦＥＴ部の拡大図で、２５がドレイン電
極、２６はゲート電極、２７はゲートのフィンガーであ
る。ソースはピアホールによって裏面に直接アースされ
ている。
極、２６はゲート電極、２７はゲートのフィンガーであ
る。ソースはピアホールによって裏面に直接アースされ
ている。
以上のように構成されたＭＩＣについて、以下その動作
を説明する。入出力部には各ＤＣバイアスが外部からか
けられる。入力部に入ったＲＦ倍信号、ＭＩＣ基板上で
、ＦＥＴの入力インピーダンスに合うようマツチングが
とられ、さらにＦＥＴで増幅される。増幅された信号は
、出力側ＭＩＣ基板上で、負荷インピーダンスに合うよ
うマツチングがとられる。そして外部にＲＦ倍信号増幅
されて出力部から取り出される。
を説明する。入出力部には各ＤＣバイアスが外部からか
けられる。入力部に入ったＲＦ倍信号、ＭＩＣ基板上で
、ＦＥＴの入力インピーダンスに合うようマツチングが
とられ、さらにＦＥＴで増幅される。増幅された信号は
、出力側ＭＩＣ基板上で、負荷インピーダンスに合うよ
うマツチングがとられる。そして外部にＲＦ倍信号増幅
されて出力部から取り出される。
発明が解決しようとする課題
しかし々から、」二記のような］ｔ〜成では、高出力３
１、−２ を得るために、ゲートフィンガーの数をふやしてゲート
幅を増加さぜると、ＦＥＴチップのゲートフィンガーに
垂直な方向の長さが増大する。
１、−２ を得るために、ゲートフィンガーの数をふやしてゲート
幅を増加さぜると、ＦＥＴチップのゲートフィンガーに
垂直な方向の長さが増大する。
この横方向長さが増幅するＲＦ倍信号波長と同程度にな
ってくると、ＭＩＣ回路上で伝播するＲＦ倍信号位相が
、ＦＥＴの中央部を通る場合と周辺部を通る場合では異
なってくるので、信号の合成がう１くいかなくなり、ゲ
ート幅を増大しても、利得がふえないという欠点を有し
ていた。
ってくると、ＭＩＣ回路上で伝播するＲＦ倍信号位相が
、ＦＥＴの中央部を通る場合と周辺部を通る場合では異
なってくるので、信号の合成がう１くいかなくなり、ゲ
ート幅を増大しても、利得がふえないという欠点を有し
ていた。
本発明は上記欠点に鑑み、信号の合成ロスを増すことな
く、ゲート幅の拡大が可能で、高い利得の得られるＭＩ
Ｃを提供するものである。
く、ゲート幅の拡大が可能で、高い利得の得られるＭＩ
Ｃを提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明のＭＩＣは、入出力
のＭＩＧ基板と、ｍＪ記基板上の入出力線路と垂直の方
向に入出力端子対が設けられたＦＥＴとから構成されて
いる。
のＭＩＧ基板と、ｍＪ記基板上の入出力線路と垂直の方
向に入出力端子対が設けられたＦＥＴとから構成されて
いる。
作用
この構成によって、ＦＥＴの横方向の長さが波長程度の
大きさになっても、入力ＲＦ線路から、ＦＥＴを通り、
出力ＲＦ線路へ至る信号の伝播の距離は、ＦＥＴの中央
部でも、チップ端でも同じ長さになり、位相差による合
成ロスをなくすことができ、利得の犬き々ＭＩＣ素子を
実現できる。
大きさになっても、入力ＲＦ線路から、ＦＥＴを通り、
出力ＲＦ線路へ至る信号の伝播の距離は、ＦＥＴの中央
部でも、チップ端でも同じ長さになり、位相差による合
成ロスをなくすことができ、利得の犬き々ＭＩＣ素子を
実現できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるＭＩＣの概略図
を示すものである。第１図において、１ばＭＩＣ基板、
２はＦＥＴ、３は入出力ＲＦ帆線路、４は調整用パッド
である。
を示すものである。第１図において、１ばＭＩＣ基板、
２はＦＥＴ、３は入出力ＲＦ帆線路、４は調整用パッド
である。
以」−のように構成されたＭＩＣの動作は従来例と同じ
であるが、入力のＭＩＣおよび出力のＭＩＣでマツチン
グをとる際、従来例では、ＲＦ信号線路から遠い所を通
過する信号はど、位相の回転が大きくなり、利得のベク
トル合成が不十分だったが、本実施例ではＦＥＴのどの
セル部分を通過しても、位相は同じになるので理想的な
ベクトル合成が可能である。調整用パッド４はマツチン
グをとるための微調整用で、ワイヤボンドにより、ＲＦ
５ ／＼−／ 線路と接続される。
であるが、入力のＭＩＣおよび出力のＭＩＣでマツチン
グをとる際、従来例では、ＲＦ信号線路から遠い所を通
過する信号はど、位相の回転が大きくなり、利得のベク
トル合成が不十分だったが、本実施例ではＦＥＴのどの
セル部分を通過しても、位相は同じになるので理想的な
ベクトル合成が可能である。調整用パッド４はマツチン
グをとるための微調整用で、ワイヤボンドにより、ＲＦ
５ ／＼−／ 線路と接続される。
以上のように本実施例によれば、ＭＭＣの入出力ＲＦ線
路の方向とＦＥＴの入出力端子対の方向を垂直にとるこ
とにより、出力の合成ロスをへらすことができる。
路の方向とＦＥＴの入出力端子対の方向を垂直にとるこ
とにより、出力の合成ロスをへらすことができる。
以下、本発明の第２の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。図面は第１図と同じであるが、１は厚さ０
．４７１１ｍのアルミナ基板、２はゲート長０．５μｍ
、フィ７ガー長７５１ｚｍ、１セル当り１２フインガー
で、１８セル構成。全体で１６．２ｍｍのゲート幅を有
するＧａＡｓパワーＦＥＴｏソースはピアホールにて直
接アースされている。入出力ＲＦ線路３はＣｒ ／ Ａ
ｕ各５００人、１０００への蒸着とＡｕの５μｍのメ
ツキで形成されている。４の調整用バットも同様である
。
ら説明する。図面は第１図と同じであるが、１は厚さ０
．４７１１ｍのアルミナ基板、２はゲート長０．５μｍ
、フィ７ガー長７５１ｚｍ、１セル当り１２フインガー
で、１８セル構成。全体で１６．２ｍｍのゲート幅を有
するＧａＡｓパワーＦＥＴｏソースはピアホールにて直
接アースされている。入出力ＲＦ線路３はＣｒ ／ Ａ
ｕ各５００人、１０００への蒸着とＡｕの５μｍのメ
ツキで形成されている。４の調整用バットも同様である
。
以上のように構成されたＭＩＣ素子は、Ｋｕ帯の高出力
増幅器として動作する。利得６ｄＢ、飽和出力８Ｗが期
待できる。
増幅器として動作する。利得６ｄＢ、飽和出力８Ｗが期
待できる。
なお第１の実施例では、能動素子をＦＥＴとしたが、Ｆ
ＥＴに限定されるものでなく、増幅とい６ ・・−７ う機能を有するものであれば何でもよい。例えばバイポ
ーラトランジスタを用いることができる。
ＥＴに限定されるものでなく、増幅とい６ ・・−７ う機能を有するものであれば何でもよい。例えばバイポ
ーラトランジスタを用いることができる。
丑だ第２の実施例ではＭＩＣ基板をアルミナとしたがテ
フロンでもＧａＡｓでも高誘電率基板でもよいことはい
うまでもない。
フロンでもＧａＡｓでも高誘電率基板でもよいことはい
うまでもない。
発明の効果
以」−のように本発明は、ＭＩＪ二の入出力ＲＦ線路の
方向とＦＥＴの入出力電極対方向を垂直にとることによ
って、回路の合成ロスを少なくすることができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
方向とＦＥＴの入出力電極対方向を垂直にとることによ
って、回路の合成ロスを少なくすることができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
さらに、ＦＥＴとＭＸＣ基板を同一の基板上につくるこ
とにより、小型化、ボンディングワイヤが不要という効
果が得られる。
とにより、小型化、ボンディングワイヤが不要という効
果が得られる。
第１図は本発明の第１と第２の実施例におけるＭＩＣ素
子の概略図、第２図は従来のＭＩＣの概略図である。 １．２１・・・・ＭＩＣ基板、２，２２・・・・ ＦＥ
Ｔ。 ３．２３・・・・入出力ＲＦ線路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２じ （シ） ２、ダ
子の概略図、第２図は従来のＭＩＣの概略図である。 １．２１・・・・ＭＩＣ基板、２，２２・・・・ ＦＥ
Ｔ。 ３．２３・・・・入出力ＲＦ線路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２じ （シ） ２、ダ
Claims (1)
- 入力高周波線路および出力高周波入出力線路が電界効
果形トランジスタの入出力端子対の方向に垂直方向にの
びた形状をなしていることを特徴とするマイクロ波集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125688A JPH01206710A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125688A JPH01206710A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01206710A true JPH01206710A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12326274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3125688A Pending JPH01206710A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01206710A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275943A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-10-22 | General Electric Co <Ge> | 高周波で動作する多数の並列結合されたデバイスのための低インダクタンスパッケージ |
| JP2011129571A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 高周波モジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140211A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波電力増幅装置 |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP3125688A patent/JPH01206710A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140211A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波電力増幅装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275943A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-10-22 | General Electric Co <Ge> | 高周波で動作する多数の並列結合されたデバイスのための低インダクタンスパッケージ |
| JP2011129571A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 高周波モジュール |
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