JPS63143856A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63143856A JPS63143856A JP29310786A JP29310786A JPS63143856A JP S63143856 A JPS63143856 A JP S63143856A JP 29310786 A JP29310786 A JP 29310786A JP 29310786 A JP29310786 A JP 29310786A JP S63143856 A JPS63143856 A JP S63143856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grounding
- stage
- distribution type
- semi
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にヒ化ガリウムあるいは
リン化インジウム等の半絶縁性基板上に形成されたマイ
クロ波モノリシ・ツク集積回路（以下、ＭＭＩＣと記す
）の半導体装置に関する。
リン化インジウム等の半絶縁性基板上に形成されたマイ
クロ波モノリシ・ツク集積回路（以下、ＭＭＩＣと記す
）の半導体装置に関する。
半絶縁性基板上に電界効果トランジスタを有する能動素
子とこの能動素子の機能を発揮させる様な受動素子とか
らなるＭＭＩＣは、混成集積回路に比べて高周波特性に
優れ、小型、低価格化が可能であり、かつ、信頼性も高
い事から特に準ミリ波帯では必要不可欠な素子となって
いる。
子とこの能動素子の機能を発揮させる様な受動素子とか
らなるＭＭＩＣは、混成集積回路に比べて高周波特性に
優れ、小型、低価格化が可能であり、かつ、信頼性も高
い事から特に準ミリ波帯では必要不可欠な素子となって
いる。
なかでも、分布型増幅器は回路構造上ＭＭＩＣに適して
おり、又、半絶縁性基板の準ミリ波動作の特徴を生かし
て超広帯域幅が可能であるところから、多くの分野で実
用化されようとしている。
おり、又、半絶縁性基板の準ミリ波動作の特徴を生かし
て超広帯域幅が可能であるところから、多くの分野で実
用化されようとしている。
次に、能動素子を多列に配置した多段構成の従来の技術
について図面番参照して説明する。
について図面番参照して説明する。
第２図は従来の半導体装置の一例の平面図である。
第２図に示すように、複数の能動素子ｌによる１段の分
布型増幅器２．３．４が、多列に半絶縁性基板５の主表
面に縦続接続されて配置されている。
布型増幅器２．３．４が、多列に半絶縁性基板５の主表
面に縦続接続されて配置されている。
チップ内のマイクロ波信号は、入力端子６から分布型増
幅器２を経て節点１１、節点１１から分右型増幅器３を
経て節点１２、節点１２から分布型増幅器４を経て出力
端子７へと通過する。この場合、それぞれの１段の分布
型増幅器２，３．４は互いに回路の結合及び干渉が無い
様に十分離して配置されていた。
幅器２を経て節点１１、節点１１から分右型増幅器３を
経て節点１２、節点１２から分布型増幅器４を経て出力
端子７へと通過する。この場合、それぞれの１段の分布
型増幅器２，３．４は互いに回路の結合及び干渉が無い
様に十分離して配置されていた。
上述した従来の半導体装置は、１段の分布型増幅器各々
の間隔を少くとも１龍離して配置する必要があるので、
高利得を得る為にチップ内で多段の縦続接続を行うとチ
ップサイズが大きくなり、ウェーハ歩留り及び組立歩留
りが低下して低価格化が困難になるという問題点がある
。
の間隔を少くとも１龍離して配置する必要があるので、
高利得を得る為にチップ内で多段の縦続接続を行うとチ
ップサイズが大きくなり、ウェーハ歩留り及び組立歩留
りが低下して低価格化が困難になるという問題点がある
。
本発明の目的は、低価格化が可能な半導体装置を提供す
ることにある。
ることにある。
本発明の半導体装置は、半絶縁性基板と、該半絶縁性基
板の主表面上に列状に配設された複数の能動素子を有し
マイクロ波信号径路に対し並列に配置され縦続接続され
た複数の分布型増幅器を備える半導体装置において、各
段の前記分布型増幅器の間に接地線を設けている。
板の主表面上に列状に配設された複数の能動素子を有し
マイクロ波信号径路に対し並列に配置され縦続接続され
た複数の分布型増幅器を備える半導体装置において、各
段の前記分布型増幅器の間に接地線を設けている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。
第１図に示すように、複数の能動素子１を多列配置した
１段の分布型増幅器２，３．４が入力端子６から一出力
端子７へと流れるチップ内のマイクロ波信号の径路に対
して並列に半絶縁性基板５の主表面に縦続接続されて配
置されている。
１段の分布型増幅器２，３．４が入力端子６から一出力
端子７へと流れるチップ内のマイクロ波信号の径路に対
して並列に半絶縁性基板５の主表面に縦続接続されて配
置されている。
それぞれの１段の分布型増幅器２．３．４間には、半絶
縁性基板５を貫通する構造の金属を充填したバイアホー
ル８により接地された接地線９が配置される。
縁性基板５を貫通する構造の金属を充填したバイアホー
ル８により接地された接地線９が配置される。
なお、接地線９の接地点との接続はバイアホール８でな
く、半絶縁性基板５の主表面に接地線９が接続される接
地端子を設けて、接地端子をボンディングワイヤにより
接地点と接続してもよい。
く、半絶縁性基板５の主表面に接地線９が接続される接
地端子を設けて、接地端子をボンディングワイヤにより
接地点と接続してもよい。
以上説明したように本発明の半導体装置は、多段接続構
成のＭＭＩＣの分布型増幅器において、１段ごとの分布
型増幅器各々の間に接地線を配置することにより、各段
の分布型増幅器相互の干渉を低減できるので、同一チッ
プサイズでは高周波特性が向上でき、かつ、１段の分布
型増幅器各々の間隔を２００μｍ程度に縮小できるので
、チップサイズを減少して歩留りを向上し低価格化を達
成できるという効果がある。
成のＭＭＩＣの分布型増幅器において、１段ごとの分布
型増幅器各々の間に接地線を配置することにより、各段
の分布型増幅器相互の干渉を低減できるので、同一チッ
プサイズでは高周波特性が向上でき、かつ、１段の分布
型増幅器各々の間隔を２００μｍ程度に縮小できるので
、チップサイズを減少して歩留りを向上し低価格化を達
成できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は従来の半
導体装置の一例の平面図である。 １・・・能動素子、２，３．４・・・分布型増幅器、５
・・・半絶縁性基板、６・−・入力端子、７・・・出力
端子、８・・・バイアホール、９・・・接地線、１１．
１２・・・節点。
導体装置の一例の平面図である。 １・・・能動素子、２，３．４・・・分布型増幅器、５
・・・半絶縁性基板、６・−・入力端子、７・・・出力
端子、８・・・バイアホール、９・・・接地線、１１．
１２・・・節点。
Claims (1)
- 半絶縁性基板と、該半絶縁性基板の主表面上に列状に配
設された複数の能動素子を有しマイクロ波信号径路に対
し並列に配置され縦続接続された複数の分布型増幅器を
備える半導体装置において、各段の前記分布型増幅器の
間に接地線を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29310786A JPS63143856A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29310786A JPS63143856A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143856A true JPS63143856A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17790520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29310786A Pending JPS63143856A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143856A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2655195A1 (fr) * | 1989-11-24 | 1991-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteurs comportant un blindage contre le rayonnement electromagnetique et procede de fabrication. |
| JPH03165058A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US5256590A (en) * | 1989-11-24 | 1993-10-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a shielded semiconductor device |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP29310786A patent/JPS63143856A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2655195A1 (fr) * | 1989-11-24 | 1991-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteurs comportant un blindage contre le rayonnement electromagnetique et procede de fabrication. |
| JPH03165058A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US5151770A (en) * | 1989-11-24 | 1992-09-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Shielded semiconductor device |
| US5256590A (en) * | 1989-11-24 | 1993-10-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a shielded semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10284146B2 (en) | Amplifier die with elongated side pads, and amplifier modules that incorporate such amplifier die | |
| JP3487639B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US9761547B1 (en) | Crystalline tile | |
| US20100253435A1 (en) | Rf power amplifier circuit utilizing bondwires in impedance matching | |
| US8139370B2 (en) | Electronic system having field effect transistors and interconnect bumps on a semiconductor substrate | |
| JPH0645850A (ja) | 固体マイクロ波パワー増幅器モジュール | |
| CN111048487A (zh) | 具有双朝向非圆形通孔连接件的晶体管 | |
| US11581241B2 (en) | Circuit modules with front-side interposer terminals and through-module thermal dissipation structures | |
| US6414387B1 (en) | Semiconductor device including a chip having high-frequency circuit blocks | |
| JP2019096772A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US7095293B2 (en) | Methods and devices for providing bias to a monolithic microwave integrated circuit | |
| JPS63143856A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2755250B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| US6664855B2 (en) | MMIC driver amplifier having zig-zag RF signal flow | |
| JPS6228788Y2 (ja) | ||
| JPH06169064A (ja) | 半導体装置 | |
| US6670674B2 (en) | Transistor and power amplifier with improved bandwidth | |
| JPH11354709A (ja) | 半導体装置および増幅器 | |
| CN111669129A (zh) | 放大器芯片 | |
| JPH10256467A (ja) | シリコン高周波集積回路 | |
| JPS61145850A (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JPH09232334A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPH0319403A (ja) | マイクロ波集積回路素子 | |
| JPS62185358A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH057865B2 (ja) |