JPH0563047B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0563047B2 JPH0563047B2 JP61314860A JP31486086A JPH0563047B2 JP H0563047 B2 JPH0563047 B2 JP H0563047B2 JP 61314860 A JP61314860 A JP 61314860A JP 31486086 A JP31486086 A JP 31486086A JP H0563047 B2 JPH0563047 B2 JP H0563047B2
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- JP
- Japan
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- thin metal
- transistor
- transistor chip
- metal wire
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の構造に関し、特に高周
波、高出力用途で使用する電界効果トランジスタ
の構造に関する。
波、高出力用途で使用する電界効果トランジスタ
の構造に関する。
従来、この種の電界効果トランジスタにおいて
は、ソース接地形成が一般的であり、電界効果ト
ランジスタチツプの複数個のゲートボンデイング
バツドは、複数の金線等によりトランジスタパツ
ケージの入力メタライズ部に電気的に接続され、
また複数個のドレインボンデイングパツドは同じ
く複数の金線等により出力メタライズ部に電気的
に接続されておりしかも上記複数の金線の長さは
すべて等しくなるように形成されていた。
は、ソース接地形成が一般的であり、電界効果ト
ランジスタチツプの複数個のゲートボンデイング
バツドは、複数の金線等によりトランジスタパツ
ケージの入力メタライズ部に電気的に接続され、
また複数個のドレインボンデイングパツドは同じ
く複数の金線等により出力メタライズ部に電気的
に接続されておりしかも上記複数の金線の長さは
すべて等しくなるように形成されていた。
上述した従来の電界効果トランジスタは、高周
波、高出力用途の場合、複数個のゲートボンデイ
ングパツドまたは複数個のドレインボンデイング
パツドは、複数個の金属細線によつてトランジス
タパツケージ内のそれぞれ入力側メタライズ部ま
たは出力側メタライズ部にすべて等長にて電気的
に接続されている。ところがこの場合には、複数
個の金属線細には、自己インダクタンスと相互イ
ンダクタンスを有し、並行に複数個の金属細線を
配置する通常の構成においては両端部の金属細線
の有する総合インダクタンスの方が中央部の金属
細線の有するそれよりも小さくなりインダクタン
スにおける不平衡が生じ入力電力または出力電力
がそれぞれ電界トランジスタチツプへ均一に導入
または導出できなくなり、高周波、高出力用途に
おいては、電力利得及び電力出力の低下を誘因し
ていた。
波、高出力用途の場合、複数個のゲートボンデイ
ングパツドまたは複数個のドレインボンデイング
パツドは、複数個の金属細線によつてトランジス
タパツケージ内のそれぞれ入力側メタライズ部ま
たは出力側メタライズ部にすべて等長にて電気的
に接続されている。ところがこの場合には、複数
個の金属線細には、自己インダクタンスと相互イ
ンダクタンスを有し、並行に複数個の金属細線を
配置する通常の構成においては両端部の金属細線
の有する総合インダクタンスの方が中央部の金属
細線の有するそれよりも小さくなりインダクタン
スにおける不平衡が生じ入力電力または出力電力
がそれぞれ電界トランジスタチツプへ均一に導入
または導出できなくなり、高周波、高出力用途に
おいては、電力利得及び電力出力の低下を誘因し
ていた。
上述した従来の電界効果トランジスタの場合は
トランジスタチツプの複数個のドレインボンデイ
ングパツドやゲートボンデイングパツドを電気的
に接続する各金属細線の長さがすべて等しいた
め、トランジスタチツプの中央部を接続する金属
細線は、その両隣りからの相互インダクタンスが
付加される為トランジスタチツプの端部を接続す
る金属細線の総合インダクタンスよりも大きくな
りRF動作が不均一になるそれに対して本発明は、
金属細線の長さに関してトランジスタチツプの中
央部の方が端部に比較して短くすることによつて
実効的に各金属細線の持つ総合インダクタンスを
等しくすることによりRF動作における位相バラ
ンスを実現し、高出力化高利得化を計ることがで
きるという独創的内容を有する。
トランジスタチツプの複数個のドレインボンデイ
ングパツドやゲートボンデイングパツドを電気的
に接続する各金属細線の長さがすべて等しいた
め、トランジスタチツプの中央部を接続する金属
細線は、その両隣りからの相互インダクタンスが
付加される為トランジスタチツプの端部を接続す
る金属細線の総合インダクタンスよりも大きくな
りRF動作が不均一になるそれに対して本発明は、
金属細線の長さに関してトランジスタチツプの中
央部の方が端部に比較して短くすることによつて
実効的に各金属細線の持つ総合インダクタンスを
等しくすることによりRF動作における位相バラ
ンスを実現し、高出力化高利得化を計ることがで
きるという独創的内容を有する。
本発明の電界効果トランジスタにおいては、複
数個のゲートボンデイングパツドとトランジスタ
パツケージとを電気的に接続する複数個の金属細
線の長さまたは、複数個のドレインボンデイング
パツドとトランジスタパツケージとを電気的に接
続する複数個の金属細線の長さにおいてトランジ
スタチツプの中央部を接続する部分の金属細線の
長さが、トランジスタチツプの端部を接続する部
分のそれよりも短くして各金属細線の有する総合
インダクタンスが実効的に等しくなるようにした
構造を有している。
数個のゲートボンデイングパツドとトランジスタ
パツケージとを電気的に接続する複数個の金属細
線の長さまたは、複数個のドレインボンデイング
パツドとトランジスタパツケージとを電気的に接
続する複数個の金属細線の長さにおいてトランジ
スタチツプの中央部を接続する部分の金属細線の
長さが、トランジスタチツプの端部を接続する部
分のそれよりも短くして各金属細線の有する総合
インダクタンスが実効的に等しくなるようにした
構造を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す製品平面図で
ある。また第２図は従来の製品平面図である。高
周波、高出力用途の電界効果トランジスタは、電
力出力を外部へ取り出す為に、複数個のチツプの
ドレインボンデイングパツド１とパツケージ２の
出力側メタライズ部３とを複数個の金属細線４で
電気的に接続されている。さらに外部からトラン
ジスタチツプ５内に電力を供給する為に、複数個
のチツプのゲートボンデイングパツド６とパツケ
ージ２の入力側メタライズ部７とを前記と同様に
複数個の金属細線８で電気的に接続されている。
この場合、平行に配置されている複数個のドレイ
ン側の金属細線４のうちトランジスタチツプ５の
中央部と接続している金属細線の長さの方がトラ
ンジスタチツプ５の端部を接続している金属細線
の長さよりも短くして各ドレイン側の金属細線４
の持つ総合インダクタンスを等しくしてRF電力
出力を均一に取り出すことができる構造となつて
いる。
ある。また第２図は従来の製品平面図である。高
周波、高出力用途の電界効果トランジスタは、電
力出力を外部へ取り出す為に、複数個のチツプの
ドレインボンデイングパツド１とパツケージ２の
出力側メタライズ部３とを複数個の金属細線４で
電気的に接続されている。さらに外部からトラン
ジスタチツプ５内に電力を供給する為に、複数個
のチツプのゲートボンデイングパツド６とパツケ
ージ２の入力側メタライズ部７とを前記と同様に
複数個の金属細線８で電気的に接続されている。
この場合、平行に配置されている複数個のドレイ
ン側の金属細線４のうちトランジスタチツプ５の
中央部と接続している金属細線の長さの方がトラ
ンジスタチツプ５の端部を接続している金属細線
の長さよりも短くして各ドレイン側の金属細線４
の持つ総合インダクタンスを等しくしてRF電力
出力を均一に取り出すことができる構造となつて
いる。
第３図は、本発明の実施例２の平面図である。
実施例２は実施例１と異なつてトランジスタチツ
プの中央部を接続する金属細線の長さが、トラン
ジスタチツプの端を接続する金属細線の長さより
も短くし各金属細線の持つ総合インダクタンスを
実効的に等しくした構造をドレイン側だけでなく
ゲート側も実施してよりRF動作の位相的均一化
を計つたものである。
実施例２は実施例１と異なつてトランジスタチツ
プの中央部を接続する金属細線の長さが、トラン
ジスタチツプの端を接続する金属細線の長さより
も短くし各金属細線の持つ総合インダクタンスを
実効的に等しくした構造をドレイン側だけでなく
ゲート側も実施してよりRF動作の位相的均一化
を計つたものである。
以上説明したように、本発明は、トランジスタ
チツプのゲートボンデイングパツドとパツケージ
の入力メタライズ部またはトランジスタチツプの
ドレインボンデイングパツドとパツケージの出力
メタライズ部を相互に接続する複数個の金属細線
のうち、トランジスタチツプの中央部を接続する
金属細線の長さの方がトランジスタチツプの端部
を接続するそれの長さよりも細くすることにより
各金属細線の持つ総合インダクタンスを等しくす
ることにより、入力電力が均一にトランジスタチ
ツプに駆動され、出力電力についても均一にトラ
ンジスタ外へ取り出すことができる。それによつ
て高周波、高出力用途において高出力化及び高利
得化を実現することができる。
チツプのゲートボンデイングパツドとパツケージ
の入力メタライズ部またはトランジスタチツプの
ドレインボンデイングパツドとパツケージの出力
メタライズ部を相互に接続する複数個の金属細線
のうち、トランジスタチツプの中央部を接続する
金属細線の長さの方がトランジスタチツプの端部
を接続するそれの長さよりも細くすることにより
各金属細線の持つ総合インダクタンスを等しくす
ることにより、入力電力が均一にトランジスタチ
ツプに駆動され、出力電力についても均一にトラ
ンジスタ外へ取り出すことができる。それによつ
て高周波、高出力用途において高出力化及び高利
得化を実現することができる。
第１図は本発明の実施例１の電界効果トランジ
スタ平面図であり、第２図は第１図に対応した従
来構造の電界効果トランジスタ平面図である。ま
た第３図は本発明の実施例２の平面図であり実施
例１のより改善された構造である。 １……ドレインボンデイングパツド、２……ト
ランジスタパツケージ、３……出力側メタライズ
部、４……ドレイン側金属細線、５……トランジ
スタチツプ、６……ゲートボンデイングパツド、
７……入力側メタライズ部、８……ゲート側金属
細線。
スタ平面図であり、第２図は第１図に対応した従
来構造の電界効果トランジスタ平面図である。ま
た第３図は本発明の実施例２の平面図であり実施
例１のより改善された構造である。 １……ドレインボンデイングパツド、２……ト
ランジスタパツケージ、３……出力側メタライズ
部、４……ドレイン側金属細線、５……トランジ
スタチツプ、６……ゲートボンデイングパツド、
７……入力側メタライズ部、８……ゲート側金属
細線。
Claims (1)
- １ トランジスタチツプ上の複数の電極と半導体
容器に設けられたメタライズ部とを平行に並んだ
複数の金属細線で接続した半導体装置において、
前記複数の金属細線のうち中央部に存在する金属
細線の長さが、端部に存在する金属細線の長さよ
りも短いことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31486086A JPS63160253A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31486086A JPS63160253A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160253A JPS63160253A (ja) | 1988-07-04 |
| JPH0563047B2 true JPH0563047B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=18058490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31486086A Granted JPS63160253A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160253A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4670535B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2011-04-13 | スズキ株式会社 | インストルメントパネルの乗員保護装置 |
| US8431973B2 (en) * | 2008-12-10 | 2013-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor device |
| JP5436063B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2014-03-05 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波電力増幅器 |
| JP5699829B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2015-04-15 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力増幅器 |
| JP6665759B2 (ja) * | 2016-11-10 | 2020-03-13 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路 |
| WO2019229796A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱電機株式会社 | 増幅器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114183U (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-27 | 光夫 堀 | 自転車のサドルカバ− |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP31486086A patent/JPS63160253A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114183U (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-27 | 光夫 堀 | 自転車のサドルカバ− |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63160253A (ja) | 1988-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |