JPS61220357A - 高周波高出力トランジスタ - Google Patents
高周波高出力トランジスタInfo
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- JPS61220357A JPS61220357A JP60061304A JP6130485A JPS61220357A JP S61220357 A JPS61220357 A JP S61220357A JP 60061304 A JP60061304 A JP 60061304A JP 6130485 A JP6130485 A JP 6130485A JP S61220357 A JPS61220357 A JP S61220357A
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- H01L2924/3011—Impedance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波高出力パイポーラトランジスタの構造に
関し、特にベース接地型で用いるトランジスタの容器内
部における配線に関するものである。
関し、特にベース接地型で用いるトランジスタの容器内
部における配線に関するものである。
高周波トランジスタの高出力化をはかる為に、トランジ
スタチップの数を増やすととに°よシ、エミッタ周囲長
を長くすることが行なわれる。しかし、トランジスタチ
ップ数が増加するKつれ、トランジスタの入出力インピ
ーダンスが小さくなシ外部回路とのインピーダンス整合
がとシにくくなる。この為、従来この種のトランジスタ
は、トランジスタチップを設置する容器内のステムにM
Os3の;ンデンサーを付け、このコンデンサーのキャ
パシタンスとボンディングワイヤーによるインダクタン
スとでLC回路を形成してやることKよ〕インピーダン
スを変換し、外部回路とのインピーダンス整合を取シや
すくシ、インピーダンス不整合による入出力電力波の損
失を防いでいた。
スタチップの数を増やすととに°よシ、エミッタ周囲長
を長くすることが行なわれる。しかし、トランジスタチ
ップ数が増加するKつれ、トランジスタの入出力インピ
ーダンスが小さくなシ外部回路とのインピーダンス整合
がとシにくくなる。この為、従来この種のトランジスタ
は、トランジスタチップを設置する容器内のステムにM
Os3の;ンデンサーを付け、このコンデンサーのキャ
パシタンスとボンディングワイヤーによるインダクタン
スとでLC回路を形成してやることKよ〕インピーダン
スを変換し、外部回路とのインピーダンス整合を取シや
すくシ、インピーダンス不整合による入出力電力波の損
失を防いでいた。
高周波用途ではベース接地型で用いられるが、この時の
入力インピーダンスは他の接地型の入力インピーダンス
よシ小さいので、このインピーダンス整合用のLC回路
は特に効果的である。ベース接地型ではインダクタンス
Lはエミッタボンディングワイヤーによシ形成していた
。
入力インピーダンスは他の接地型の入力インピーダンス
よシ小さいので、このインピーダンス整合用のLC回路
は特に効果的である。ベース接地型ではインダクタンス
Lはエミッタボンディングワイヤーによシ形成していた
。
かかる従来のトランジスタは、第3図に示すように、ス
テム上に多数のトランジスタチップlと上部電極5を有
するコンデンサとリード電極6とを有し、各トランジス
タチップ1には2つのエミッタ電極2を有し、これらエ
ミッタ電極2とコンデンサの上部電極5とをそれぞれ等
しい長さのボンディングワイヤー3により接続し、更に
コンデンサの上部電極5とリード電極6とを長さの等し
い複数のボンディングワイヤー3′で接続していた。
テム上に多数のトランジスタチップlと上部電極5を有
するコンデンサとリード電極6とを有し、各トランジス
タチップ1には2つのエミッタ電極2を有し、これらエ
ミッタ電極2とコンデンサの上部電極5とをそれぞれ等
しい長さのボンディングワイヤー3により接続し、更に
コンデンサの上部電極5とリード電極6とを長さの等し
い複数のボンディングワイヤー3′で接続していた。
上述した従来のトランジスタ内部KLCによるインピー
ダンス変換回路を備えているトランジスタにおいて、そ
のインダクタンスを形成するととろのエミッタボンディ
ングワイヤー3は、第3図に示す様に1等間隔でかつ等
しい長さとなってい念、ところで一般に空気中に存在す
る1本のワイヤーがもつ自己インダクタンスLは電流が
ワイヤーの表面に一様に分布しているものと仮定すると
次式で表わせる。
ダンス変換回路を備えているトランジスタにおいて、そ
のインダクタンスを形成するととろのエミッタボンディ
ングワイヤー3は、第3図に示す様に1等間隔でかつ等
しい長さとなってい念、ところで一般に空気中に存在す
る1本のワイヤーがもつ自己インダクタンスLは電流が
ワイヤーの表面に一様に分布しているものと仮定すると
次式で表わせる。
Lα/X10g7 ・・・・・・・・・
・・・(1)ここでlはワイヤーの長さ、dはワイヤー
の直径である。又、ワイヤーが2重子行く並んだ状態で
は相互インダクタンス(M)が存在し、次式で表わせる
。
・・・(1)ここでlはワイヤーの長さ、dはワイヤー
の直径である。又、ワイヤーが2重子行く並んだ状態で
は相互インダクタンス(M)が存在し、次式で表わせる
。
M工z X log r) ・・・・・・
・・・・・・(2)ここでDはワイヤー間距離である。
・・・・・・(2)ここでDはワイヤー間距離である。
第3図に示す様にエミッタボンディングワイヤー3が等
しい間隔りで多数張られている場合に杜。
しい間隔りで多数張られている場合に杜。
各々のボンディングワイヤー3の自己インダクタンスは
一定であるが、相互インダクタンスの総和は中央のワイ
ヤーと端部のワイヤーでは異なってくる。即ち中央付近
のワイヤーが受ける相互インダクタンスは、間隔り離れ
た2本のワイヤーによる相互インダクタンス、間隔2X
D離れた2本のワイヤーによる相互インダクタンス、間
隔3XD離れた・・・・・・相互インダクタンスの総和
であるのに対し、端のワイヤーが受ける相互インダクタ
ンス。
一定であるが、相互インダクタンスの総和は中央のワイ
ヤーと端部のワイヤーでは異なってくる。即ち中央付近
のワイヤーが受ける相互インダクタンスは、間隔り離れ
た2本のワイヤーによる相互インダクタンス、間隔2X
D離れた2本のワイヤーによる相互インダクタンス、間
隔3XD離れた・・・・・・相互インダクタンスの総和
であるのに対し、端のワイヤーが受ける相互インダクタ
ンス。
はその約半分となる。このため、インピーダンス変換に
バラツキを生じる。高出力化をはかる為にトランジスタ
チップ1の数を増やすことが行なわれるが、ここで各ト
ランジスタチップlをいかにして均一に動作させるかが
、問題となってくる。
バラツキを生じる。高出力化をはかる為にトランジスタ
チップ1の数を増やすことが行なわれるが、ここで各ト
ランジスタチップlをいかにして均一に動作させるかが
、問題となってくる。
その為には、各トランジスタチップ(あるいはトランジ
スタユニットセル)lに対してトランジスタ内部のイン
ピーダンス変換回路も等価のキャパシタンス、等価のイ
ンダクタンスで構成してやることが必要となってくる。
スタユニットセル)lに対してトランジスタ内部のイン
ピーダンス変換回路も等価のキャパシタンス、等価のイ
ンダクタンスで構成してやることが必要となってくる。
しかし上述の様に従来の構造では、中央部のトランジス
タチップ(あるいはトランジスタユニットセル)1に対
するインダクタンスが端のものに比べ、相互インダクタ
ンスの増える分だけ値が大きくなってお9トランジスタ
全体の均一動作の妨げとなっていた。
タチップ(あるいはトランジスタユニットセル)1に対
するインダクタンスが端のものに比べ、相互インダクタ
ンスの増える分だけ値が大きくなってお9トランジスタ
全体の均一動作の妨げとなっていた。
本発明の目的は複数のトランジスタ等価物の受ける入力
信号のインピーダンス変換が均一になされる高周波高出
力トランジスタを得ることにある。
信号のインピーダンス変換が均一になされる高周波高出
力トランジスタを得ることにある。
本発明によれば、複数個並列に並べられたトランジスタ
チップ(若しくは、トランジスタユニットセル)を有し
、各トランジスタチップの入力電極をボンディングワイ
ヤとコンデンサとのインピーダンス変換回路を介して入
力リードに接続したトランジスタにおいて、端部におけ
る入力電極とコンデンサとを接続するボンディングワイ
ヤーの長さが中央部のボンディングワイヤーの長さよ〕
長い高周波高出力トランジスタを得る。
チップ(若しくは、トランジスタユニットセル)を有し
、各トランジスタチップの入力電極をボンディングワイ
ヤとコンデンサとのインピーダンス変換回路を介して入
力リードに接続したトランジスタにおいて、端部におけ
る入力電極とコンデンサとを接続するボンディングワイ
ヤーの長さが中央部のボンディングワイヤーの長さよ〕
長い高周波高出力トランジスタを得る。
この構造によシ、各トランジスタチップに対する工ζツ
タボンディングワイヤーによるインダクタンスは等価と
することができ、インピーダンス変換が各トランジスタ
チップに対し均−罠なされ、トランジスタチップの均一
動作が可能となる。
タボンディングワイヤーによるインダクタンスは等価と
することができ、インピーダンス変換が各トランジスタ
チップに対し均−罠なされ、トランジスタチップの均一
動作が可能となる。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第1図は本発明による一実施例の平面図である。
並列に並べられた複数個のトランジスタチップ1にはそ
れぞれ2個のエミッタ電極が設けられておシ、全てのト
ランジスタチップ1のエミッタ電極2がエミッタボンデ
ィングワイヤー3.4によシコンデンサーの上部電極5
に接続され、さらにステムのリード電極6までボンディ
ングワイヤ3/。
れぞれ2個のエミッタ電極が設けられておシ、全てのト
ランジスタチップ1のエミッタ電極2がエミッタボンデ
ィングワイヤー3.4によシコンデンサーの上部電極5
に接続され、さらにステムのリード電極6までボンディ
ングワイヤ3/。
4′で接続されている。両端部および両端部に近いエミ
ッタ電極2に接続されたエミッタボンディングワイヤー
4の長さは中央部のエミッタボンディングワイヤー3の
長さより長くなっている。
ッタ電極2に接続されたエミッタボンディングワイヤー
4の長さは中央部のエミッタボンディングワイヤー3の
長さより長くなっている。
第2図は、本発明の他の実施例で、エミッタ電極2から
コンデンサーの上部電極5までのエミッタボンディング
ワイヤー3,4本数と、コンデンサーの上部電極5から
リード電極6までのエミッタボンディングワイヤー7.
8の本数が異なる場合の平面図である。この場合も両端
部のエミッタボンディングワイヤー3.8は中央部のエ
ミッタボンディングワイヤー2,7よシも長くなってい
る。
コンデンサーの上部電極5までのエミッタボンディング
ワイヤー3,4本数と、コンデンサーの上部電極5から
リード電極6までのエミッタボンディングワイヤー7.
8の本数が異なる場合の平面図である。この場合も両端
部のエミッタボンディングワイヤー3.8は中央部のエ
ミッタボンディングワイヤー2,7よシも長くなってい
る。
以上チップコンデンサーが1段の場合について述べたが
、多数段のLC回路となっている場合も同様であること
はいうまでもない。
、多数段のLC回路となっている場合も同様であること
はいうまでもない。
又、チップコンデンサーはMOS型であってもセラミッ
ク型であっても同様であることも言うまでもない。
ク型であっても同様であることも言うまでもない。
以上説明したように、本発明は複数本並列に張られたエ
ミッタボンディングワイヤーの長さを中央部で短かく両
端部で長くすることによシ、各トランジスタチップに対
する内部インピーダンス変換回路を等価なものとし、各
トランジスタチップの均一動作を可能にし、高出力化並
びに高効率化実現の為に大きな効果を有する。
ミッタボンディングワイヤーの長さを中央部で短かく両
端部で長くすることによシ、各トランジスタチップに対
する内部インピーダンス変換回路を等価なものとし、各
トランジスタチップの均一動作を可能にし、高出力化並
びに高効率化実現の為に大きな効果を有する。
第1図および第2図はそれぞれ本発明の実施例によるト
ランジスタを示した容器内部のエミッタ配線部の平面図
、第3図は従来のトランジスタの容器内部のエミッタ配
線部の平面図である。 1・・・・・・トランジスタチップ% 2・・・・・・
エミッタ電極、3. 3’、 4. 4’、 7.8
・・・・・・ボンディングワイヤ、5・・・・・・コン
デンサの上部電極、6・・・・・・リード電極。
ランジスタを示した容器内部のエミッタ配線部の平面図
、第3図は従来のトランジスタの容器内部のエミッタ配
線部の平面図である。 1・・・・・・トランジスタチップ% 2・・・・・・
エミッタ電極、3. 3’、 4. 4’、 7.8
・・・・・・ボンディングワイヤ、5・・・・・・コン
デンサの上部電極、6・・・・・・リード電極。
Claims (1)
- 複数のエミッタ電極をもつトランジスタと、該複数のエ
ミッタとそれぞれボンディングワイヤーを介して接続さ
れたコンデンサとを有し、前記ボンディングワイヤーの
長さが両端部で中央部よりも長くなっていることを特徴
とする高周波高出力トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60061304A JPS61220357A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 高周波高出力トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60061304A JPS61220357A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 高周波高出力トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61220357A true JPS61220357A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13167302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60061304A Pending JPS61220357A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 高周波高出力トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61220357A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017531914A (ja) * | 2014-09-23 | 2017-10-26 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | 無線周波数電力コンポーネントおよび無線周波数信号送受信デバイス |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60061304A patent/JPS61220357A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017531914A (ja) * | 2014-09-23 | 2017-10-26 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | 無線周波数電力コンポーネントおよび無線周波数信号送受信デバイス |
US10347596B2 (en) | 2014-09-23 | 2019-07-09 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Radio frequency power component and radio frequency signal transceiving device |
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