JPS63141328A - 高周波高出力トランジスタ - Google Patents
高周波高出力トランジスタInfo
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- JPS63141328A JPS63141328A JP61288204A JP28820486A JPS63141328A JP S63141328 A JPS63141328 A JP S63141328A JP 61288204 A JP61288204 A JP 61288204A JP 28820486 A JP28820486 A JP 28820486A JP S63141328 A JPS63141328 A JP S63141328A
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波高出力トランジスタ、特に複数の高周
波トランジスタチップを並列に配置した構造の高周波高
出力トランジスタに関するものである。
波トランジスタチップを並列に配置した構造の高周波高
出力トランジスタに関するものである。
従来例によるこの種の高周波高出力トランジスタの概要
構成を第２図に示す。第２図において、符号１ａ〜１ｅ
は高周波用のトランジスタチップ、２ａ〜２・はこれら
トランジスタチップ１ａ〜１ｅに形成された入力電極と
してのエミッタ電極、３１〜３＠は同じく各トランジス
タテップ１ａ〜１・に形成された接地電極としてのベー
ス電極、４は各トランジスタ１ａ〜１＠のコレクタ電極
を共通に接続してなるメタライズ部であシ、このメタラ
イズ部４は誘電体基板面にパターニングされている。５
はＭＯＳコンデンサ、６．７は各々の入力および出力リ
ード、８ａ〜８・は入カリードロからＭＯＳコンデンサ
５を経て各トランジスタチップ１ａ〜１ｅのエミッタ電
極２ａ〜２ｅに接続された入力ワイヤ、９ ｍ ＝ ９
ｅは各トランジスタチップ１１〜１＠のベース電極３
１〜３・から接地部をなす接地導体１３へ接続された接
地ワイヤ、１０ａ〜１０ｅは各トランジスタチップ１ａ
〜１ｅのコレクタ電極を共通に接続したメタライズ部４
から出力リードＴへ接続された出力ワイヤである。また
、１１は外囲器、１２は絶縁部であシ、この外囲器１１
内の両端側に配設された入カリードロと出カリードアと
の間の中夫部分に、それらリードの配列方向と直交する
方向に複数のトランジスタチップ１ａ〜１＠を直線状に
並べて配置することによシ、これらトランジスタチップ
１１〜１ｅを並列に接続するものとなっている。
構成を第２図に示す。第２図において、符号１ａ〜１ｅ
は高周波用のトランジスタチップ、２ａ〜２・はこれら
トランジスタチップ１ａ〜１ｅに形成された入力電極と
してのエミッタ電極、３１〜３＠は同じく各トランジス
タテップ１ａ〜１・に形成された接地電極としてのベー
ス電極、４は各トランジスタ１ａ〜１＠のコレクタ電極
を共通に接続してなるメタライズ部であシ、このメタラ
イズ部４は誘電体基板面にパターニングされている。５
はＭＯＳコンデンサ、６．７は各々の入力および出力リ
ード、８ａ〜８・は入カリードロからＭＯＳコンデンサ
５を経て各トランジスタチップ１ａ〜１ｅのエミッタ電
極２ａ〜２ｅに接続された入力ワイヤ、９ ｍ ＝ ９
ｅは各トランジスタチップ１１〜１＠のベース電極３
１〜３・から接地部をなす接地導体１３へ接続された接
地ワイヤ、１０ａ〜１０ｅは各トランジスタチップ１ａ
〜１ｅのコレクタ電極を共通に接続したメタライズ部４
から出力リードＴへ接続された出力ワイヤである。また
、１１は外囲器、１２は絶縁部であシ、この外囲器１１
内の両端側に配設された入カリードロと出カリードアと
の間の中夫部分に、それらリードの配列方向と直交する
方向に複数のトランジスタチップ１ａ〜１＠を直線状に
並べて配置することによシ、これらトランジスタチップ
１１〜１ｅを並列に接続するものとなっている。
しかして、かかる構造の高周波高出力トランジスタにお
いて、入カリードロに入力される高周波信号は、ＭＯＳ
コンデンサ５を経て各トランジスタチップ１ａ〜１ｅの
エミッタ電極２１〜２ｅに接続される入力ワイヤ８ａ〜
８＃１を介し、それらトランジスタチップのエミッタに
導かれて増幅され、各々のコレクタから出力ワイヤ１０
ａ〜１０ｅ、出力リードＴを経て出力されることとなる
。
いて、入カリードロに入力される高周波信号は、ＭＯＳ
コンデンサ５を経て各トランジスタチップ１ａ〜１ｅの
エミッタ電極２１〜２ｅに接続される入力ワイヤ８ａ〜
８＃１を介し、それらトランジスタチップのエミッタに
導かれて増幅され、各々のコレクタから出力ワイヤ１０
ａ〜１０ｅ、出力リードＴを経て出力されることとなる
。
しかし、上記した従来の高周波高出力トランジスタは以
上のように構成されているので、高周波信号が各トラン
ジスタチップに到達するまでの距離の差から各トランジ
スタチップ間に位相ずれが発生し、トランジスタチップ
相互間のＲＦ （高周波）動作が不均衡になる。また、
ＲＦ動作時に発生する熱の特に近接トランジスタチップ
から発生する熱の影響による熱分布の偏りにより、各ト
ランジスタチップ相互間のＲＦ動作は熱的不均衡になる
などの問題点があった。
上のように構成されているので、高周波信号が各トラン
ジスタチップに到達するまでの距離の差から各トランジ
スタチップ間に位相ずれが発生し、トランジスタチップ
相互間のＲＦ （高周波）動作が不均衡になる。また、
ＲＦ動作時に発生する熱の特に近接トランジスタチップ
から発生する熱の影響による熱分布の偏りにより、各ト
ランジスタチップ相互間のＲＦ動作は熱的不均衡になる
などの問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、入力リードから各トランジスタチップまでの距
離を一定にして位相ずれを抑えるとともに、近接トラン
ジスタチップの熱発生部までの距離を大きくすることに
よシ、近接トランジスタチップから発生する熱の影響を
抑え、高周波特性を向上させることのできる高周波高出
力トランジスタを得ることを目的とする。
もので、入力リードから各トランジスタチップまでの距
離を一定にして位相ずれを抑えるとともに、近接トラン
ジスタチップの熱発生部までの距離を大きくすることに
よシ、近接トランジスタチップから発生する熱の影響を
抑え、高周波特性を向上させることのできる高周波高出
力トランジスタを得ることを目的とする。
本発明に係る高周波高出力トランジスタは、入出力リー
ドを有する外囲器と、この外囲器内の前記各入力リード
と出力リードとの間に、該入力リードとの距離を一定に
するべく弓なり状に並べて配置された複数の高周波トラ
ンジスタチップとを備え、これら高周波トランジスタチ
ップを前記外囲器の入出力リードに対して並列に接続す
るようにしたものでめる。
ドを有する外囲器と、この外囲器内の前記各入力リード
と出力リードとの間に、該入力リードとの距離を一定に
するべく弓なり状に並べて配置された複数の高周波トラ
ンジスタチップとを備え、これら高周波トランジスタチ
ップを前記外囲器の入出力リードに対して並列に接続す
るようにしたものでめる。
本発明においては、複数のトランジスタチップを弓なり
状に配設することにより、入力リードから各トランジス
タチップまでの入力ワイヤの長さを一定にし、また各ト
ランジスタチップの熱発生部間の距離を大きくすること
ができる。
状に配設することにより、入力リードから各トランジス
タチップまでの入力ワイヤの長さを一定にし、また各ト
ランジスタチップの熱発生部間の距離を大きくすること
ができる。
以下、本発明の一実施例を第１図について説明する。第
１図において、符号１ａ〜１＠は弓なり状に並べて配置
された高周波用のトランジスタチップ、２＆〜２ｅはこ
れらトランジスタチップ１＆〜１＠のエミッタ電極、３
１Ｌ〜３命は同じくトランジスタチップ１ａ〜１ｅのベ
ース電極、４は各トランジスタチップ１ａ〜１＠のコレ
クタ電極を共通に接続するべく訪電体基板面にバターニ
ングされたメタライズ部である。また、５はＭＯＳコン
デンサ、６．７は各々の入力および出力リード、８ａ〜
８＠は入カリードロからＭＯＳコンデンサ５を経て各ト
ランジスタチップ１＆〜１＠のエミッタ電極２ａ〜２ｅ
に接続された入力ワイヤ、９ａ〜９ｅは各トランジスタ
チップ１＆〜１ｅのベース電極３ａ〜３・から接地部と
なる接地導体１３へ接続された接地ワイヤ、１０１〜１
０ｅは各トランジスタチップ１ａ〜１＠のコレクタ電極
を共通に接続したメタライズ部４から出カリードアへ接
続された出力ワイヤ、１１は外囲器、１２は絶縁部であ
る。
１図において、符号１ａ〜１＠は弓なり状に並べて配置
された高周波用のトランジスタチップ、２＆〜２ｅはこ
れらトランジスタチップ１＆〜１＠のエミッタ電極、３
１Ｌ〜３命は同じくトランジスタチップ１ａ〜１ｅのベ
ース電極、４は各トランジスタチップ１ａ〜１＠のコレ
クタ電極を共通に接続するべく訪電体基板面にバターニ
ングされたメタライズ部である。また、５はＭＯＳコン
デンサ、６．７は各々の入力および出力リード、８ａ〜
８＠は入カリードロからＭＯＳコンデンサ５を経て各ト
ランジスタチップ１＆〜１＠のエミッタ電極２ａ〜２ｅ
に接続された入力ワイヤ、９ａ〜９ｅは各トランジスタ
チップ１＆〜１ｅのベース電極３ａ〜３・から接地部と
なる接地導体１３へ接続された接地ワイヤ、１０１〜１
０ｅは各トランジスタチップ１ａ〜１＠のコレクタ電極
を共通に接続したメタライズ部４から出カリードアへ接
続された出力ワイヤ、１１は外囲器、１２は絶縁部であ
る。
すなわち、この実施例の高周波高出力トランジスタが第
２図に示す従来例のものと異なる点は、外囲器１１内の
両端側に配設される入カリードロと出カリードアとの間
のメタライズ部４上に、それらリードの配列方向と直交
する方向に複数のトランジスタチップ１１〜１＠を弓な
り状に並べて配置した構造と成し、これらトランジスタ
チップ１＆〜１ｅを入カリードロ、出カリードアに対し
て従来と同様に並列に接続するようＫしたことである。
２図に示す従来例のものと異なる点は、外囲器１１内の
両端側に配設される入カリードロと出カリードアとの間
のメタライズ部４上に、それらリードの配列方向と直交
する方向に複数のトランジスタチップ１１〜１＠を弓な
り状に並べて配置した構造と成し、これらトランジスタ
チップ１＆〜１ｅを入カリードロ、出カリードアに対し
て従来と同様に並列に接続するようＫしたことである。
しかして、上記実施例の構成によると、外囲器１１内の
入カリードロと出力リードＴとの間に複数のトランジス
タチップ１ａ〜１ｅを弓なり状に配置することによ）、
この入カリードロから各トランジスタチツプ１ａ〜１ｅ
までの距離に関してみる時、その中央にあるトランジス
タチップ１Ｃと。
入カリードロと出力リードＴとの間に複数のトランジス
タチップ１ａ〜１ｅを弓なり状に配置することによ）、
この入カリードロから各トランジスタチツプ１ａ〜１ｅ
までの距離に関してみる時、その中央にあるトランジス
タチップ１Ｃと。
周辺部ＫＪ）るトランジスタチップ１ｍ 、 １ｂおよ
び１ｄ 、Ｉｅの入カリードロからの距離の差を解消で
きることとなる。これによって、入力ワイヤ８ａ〜８・
の長さが一定となシ、各トランジスタチップ相互間を均
一に動作させることができる。
び１ｄ 、Ｉｅの入カリードロからの距離の差を解消で
きることとなる。これによって、入力ワイヤ８ａ〜８・
の長さが一定となシ、各トランジスタチップ相互間を均
一に動作させることができる。
また、各トランジスタチップ１ａ〜１・のうち近接トラ
ンジスタチップから発生した熱の影響に関してみる時、
近接トランジスタチップの熱発生部までの距離が大きく
なるため、その影響を最小限に抑えることもできる。
ンジスタチップから発生した熱の影響に関してみる時、
近接トランジスタチップの熱発生部までの距離が大きく
なるため、その影響を最小限に抑えることもできる。
なお、上記実施例では、入力ワイヤはＭＯＳコンデンサ
を経て各トランジスタチップのエミッタ電極に接続する
場合を示したが、直接入力リードからエミッタ電極に接
続する場合でもよい。
を経て各トランジスタチップのエミッタ電極に接続する
場合を示したが、直接入力リードからエミッタ電極に接
続する場合でもよい。
また、上記実施例では、ペース接地の場合を示したが、
エミッタ接地の場合でも同様に適用できることは勿論で
ある。
エミッタ接地の場合でも同様に適用できることは勿論で
ある。
以上のように、本発明の高周波高出力トランジスタによ
れば、各トランジスタチップへの入力ワイヤの長さを一
定にし、かつそれら近接トランジスタチップから発生す
る熱の影響を抑えることができるので、各トランジスタ
チップ相互間のＲＦ動作時の不均衡を抑さえ、高周波特
性を向上させることができる効果がある。
れば、各トランジスタチップへの入力ワイヤの長さを一
定にし、かつそれら近接トランジスタチップから発生す
る熱の影響を抑えることができるので、各トランジスタ
チップ相互間のＲＦ動作時の不均衡を抑さえ、高周波特
性を向上させることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による高周波高出力トランジ
スタを示す平面図、第２図は従来の高周波高出力トラン
ジスタを示す平面図である。 １ａ〜ｌ＠ｅ・・・トランジスタチップ、２息〜２ｅ・
・―・エミッタ電極、３＆〜３・・・・−ベース電極、
４＠・・・メタライズ部、５・・・・ＭＯＳコンデンサ
、６・・・・入力リード、Ｔ・・・・出力リード、８ａ
〜８・・・・６人カワイヤ、９ｈ〜９ｅ・・―・接地ワ
イヤ、１０ａ〜１０ｅ・・・・出力ワイヤ、１１・・・
・外囲器、１２・・・・絶縁部、１３・・・・接地導体
。
スタを示す平面図、第２図は従来の高周波高出力トラン
ジスタを示す平面図である。 １ａ〜ｌ＠ｅ・・・トランジスタチップ、２息〜２ｅ・
・―・エミッタ電極、３＆〜３・・・・−ベース電極、
４＠・・・メタライズ部、５・・・・ＭＯＳコンデンサ
、６・・・・入力リード、Ｔ・・・・出力リード、８ａ
〜８・・・・６人カワイヤ、９ｈ〜９ｅ・・―・接地ワ
イヤ、１０ａ〜１０ｅ・・・・出力ワイヤ、１１・・・
・外囲器、１２・・・・絶縁部、１３・・・・接地導体
。
Claims (1)
- 入出力リードを有する外囲器と、この外囲器内の前記
各入力リードと出力リードとの間に、該入力リードとの
距離を一定にするべく弓なり状に並べて配置された複数
の高周波トランジスタチップとを備え、これら高周波ト
ランジスタチップを前記外囲器の入出力リードに対して
並列に接続してなることを特徴とする高周波高出力トラ
ンジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61288204A JPS63141328A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 高周波高出力トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61288204A JPS63141328A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 高周波高出力トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63141328A true JPS63141328A (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=17727165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61288204A Pending JPS63141328A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 高周波高出力トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63141328A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4984065A (en) * | 1989-01-11 | 1991-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Hybrid resin-sealed semiconductor device |
| US11164828B2 (en) | 2017-05-17 | 2021-11-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Amplifier |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP61288204A patent/JPS63141328A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4984065A (en) * | 1989-01-11 | 1991-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Hybrid resin-sealed semiconductor device |
| US11164828B2 (en) | 2017-05-17 | 2021-11-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Amplifier |
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