JPS6346740A - 高周波用高出力トランジスタ - Google Patents

高周波用高出力トランジスタ

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JPS6346740A
JPS6346740A JP61191328A JP19132886A JPS6346740A JP S6346740 A JPS6346740 A JP S6346740A JP 61191328 A JP61191328 A JP 61191328A JP 19132886 A JP19132886 A JP 19132886A JP S6346740 A JPS6346740 A JP S6346740A
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JP
Japan
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cells
input terminal
terminal side
transistor
output terminal
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JP61191328A
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English (en)
Inventor
Akio Takabe
高部　明男
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波用高出力バイポーラトランジスタの構造
に関し、特にトランジスタの容器内部における接地用配
線に関するものである。
〔従来の技術〕
高周波用トランジスタの高出力化をはかるために、エミ
ッタ周囲長を長くすることが行なわれる。
しかし５、エミッタ周囲長を単純に増やすと、エミッタ
近傍から発生する熱が互いに重なり合い、トランジスタ
の中央部の接合温度が周辺部の接合温度よシ高くなり、
電流がトランジスタの中央部に集中しやすくなり、トラ
ンジスタは均一に動作しにくくなる。そこで、従来のト
ランジスタでは、ペース領域、即ち能動領域を複数個の
セルに分割し、分散させることにより発熱源を分散させ
、よって熱抵抗を下げ、かつ電流の集中をふせいている
。
一般に分割された複数個のセルは、トランジスタの入力
端子と出力端子を結ぶ線に対して垂直の方向に一列（て
並んで配置される。セル数を増やしていくと、入出力端
子に垂直な方向の長さが長くなるため、それをさけるた
めセルを２列以上にして並べてやることにより高出力化
をはかっている。
つぎに、ベース接地型トランジスタにおいて、そのベー
ス領域が入出力端子方向に２列をなし、互いに電気的に
並列接続された複数個のセルに分割されているトランジ
スタの従来例を図面を用いて説明する。第２図は従来の
ベース接地型トランジスタの斜視図である。第２図にお
いて、金属基体１上にＢｅＯ等による絶縁体２をのせ、
この絶縁体２上に電気的に独立している４つのメタライ
ズ部３．４．５．６にもっている。このうちメタライズ
部３は金属基体１に電気的に接続されている。トランジ
スタチップ９はメタライズ部４にマウントされ、メタラ
イズ部６に接続さくまた出力端子８は、コレクタボンデ
ィングワイヤ１５により電気的に接続されている。メタ
ライス部４上に、このコレクタボンティングワイヤのボ
ンディングする場所を作るために、トランジスタチップ
９は一般にメタライズ部の入力側に寄せてマウントされ
ている。一方トランジスタの接地は、トランジスタチッ
プ上のベース電極１２ａ、１２ｂからボンディングワイ
ヤ１３ａ＋１４ｂによりメタライズ部３に接続され、側
面メタライズあるいはスルーホールにより金属基体１に
電気的に接続されている。なお、入力端子となるトラン
ジスタチップ内のエミッタ電極はメタライズ面５と接続
する様配線するが、第２図においてこれらは図面の簡略
化のために省略しである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述の様に従来のトランジスタにおいては、トランジス
タチップがメタライズ部の入力端子によせてマウントさ
れているため、トランジスタチップ上セルｌｌａ、ｌｌ
ｂの２列があシ、その外側にペース電極の列２ａ、１２
ｂがそれぞれある５、合、出力端子側］のペース電極か
らのボンディングワイヤの長さが入力端子側のベースｉ
ｆからのボンディングワイヤの長さに比べ遅くなってい
る。
ベースボンディングワイヤの長さが長いといウコとは、
トランジスタの接地インダクタンスが大きいということ
である。接地インダクタンスは電力利得の低下を引き起
こし、回路の広帯域化を妨けるため、小さいことが望ま
しく、ベースボンデインクワイヤは短いことが望ましい
。しかし、従来の構造では、出力端子側のセルに対する
接地インダクタンスが入力端子側のセルに対する接地イ
ンダクタンスよυ大きくなってしまい、両方の列のセル
が均一に動作しないという欠点があり、高周波特性を劣
化させる要因になっていた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によるトランジスタは、出力端子側のセルに対ス
るペースボンディングワイヤの線径が、入力端子側のセ
ルに対するペースボンディングワイヤの線径より太くし
ている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
金属基体１上に、ＢｅＯ等からなる絶縁体２が搭載され
、絶縁体２の表面上に電気的に独立している４つのメタ
ライズ部３．４．５．６が備えられている。このうち、
メタライズ部３は金属基体１に電気的に接続されている
。メタライズ部５には入力端子７が、メタライズ部６に
は出力端子８が接続され、トランジスタチップ９は、メ
タライズ部４の入力端子側に寄せてマウントされている
。
メタライズ部４の出力端子側よυコレクタポンディング
ワイヤ１０が出力端子まで張られ、双方の′電気的接続
をなしている。トランジスタチップ９上には入出力端子
を結ぶ線に対して垂直の方向に２つの列を作る所の複数
個のセルｌｌａ、ｌｌｂがあり、各々に対し、２列から
なる複数個のベースボンディング電極１２ａ、１２ｂが
備えられている。このベースボンデインク電極１２ａ　
、１２ｂよりペースボンディングワイヤ１３ａ　、１３
ｂがメタライズ部３に配線されている。ここで、出力端
子側のセルｌｌｂに対するペースボンディングワイヤ１
３１〕の線径は、入力端子側のセルｌｌａに対するペー
スボンディングワイヤ１３ａの線径より太い。なお、入
力端子となるトランジスタチツブ内のエミッタ電極はメ
タライズ面５と接続するよう配線するが、第１図に於い
てこれらは図面の簡略化のために省略しである。
以上、ペース接地型トランジスタについて述べてきたが
、他の接地型のトランジスタ、例えばエミッタ接地型ト
ランジスタのエミッタボンディングワイヤについても同
様であることはいう１でもない。又、金属基体上の全面
が絶縁体におおわれている場合について述べたが、トラ
ンジスタチップを搭載する部分の下と入力端子の下が絶
縁体におおわれている容器においても同様であることは
いうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明はペースボンティングワイヤの
線径を変えてやることによって、出力端子側のセルに対
する接地インタフタンスを、入力端子側のセルに対する
接地インダクタンスと同程度の値にしてやることにより
、両方のセルの均一動作をはかり、トランジスタの電力
利得をより高くし、帯域をよシ広げる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のｆ＋祝図、第２図は従来の
ペース接地型トランジスタの斜視図である。 １・・・・・・金属基体、２・・・・・・絶縁体、３．
４．５　。 ６・・・・・・メタライズ部、７・・・・・・入力端子
、８・・・・・・出力端子、９・・・・・・トランジス
タチップ、１０・・・・・・コレクタポンチインクワイ
ヤ、ｌｌａ、ｌｌｂ・・・・・・セル％　　１２ａ＋１
２ｂ・・・・・・ペースボンティング電極、１３ａ、１
３ｂ・・・・・・ペースボンディングワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属基体上の絶縁物を介した入力端子用メタライズ部と
    出力端子用メタライズ部との間にトランジスタチップが
    マウントされ、このトランジスタチップの上でトランジ
    スタ能動部が複数個のセルに分割され、この複数個のセ
    ルが前記入力端子と出力端子を結ぶ方向に対し垂直方向
    に２列に配置され、前記２列のセルの外側にそれぞれ一
    列の複数個の接地用電極有し、これら電極から前記入力
    端子側と出力端子側にそれぞれ接地用ボンディングワイ
    ヤが配線されたトランジスタにおいて、前記出力端子側
    の接地用ボンディングワイヤの線径が入力端子側の接地
    用ボンディングワイヤより太いことを特徴とする高周波
    用高出力トランジスタ。
JP61191328A 1986-08-15 1986-08-15 高周波用高出力トランジスタ Pending JPS6346740A (ja)

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JP61191328A JPS6346740A (ja) 1986-08-15 1986-08-15 高周波用高出力トランジスタ

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JPS6346740A true JPS6346740A (ja) 1988-02-27

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61191328A Pending JPS6346740A (ja) 1986-08-15 1986-08-15 高周波用高出力トランジスタ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641430A (en) * 1994-12-02 1997-06-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silacyclohexane compounds, preparation thereof, liquid crystal compositions comprising the same, and liquid crystal devices comprising the compositions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641430A (en) * 1994-12-02 1997-06-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silacyclohexane compounds, preparation thereof, liquid crystal compositions comprising the same, and liquid crystal devices comprising the compositions

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