JPH03148145A - 高周波高出力トランジスタ - Google Patents
高周波高出力トランジスタInfo
- Publication number
- JPH03148145A JPH03148145A JP28691189A JP28691189A JPH03148145A JP H03148145 A JPH03148145 A JP H03148145A JP 28691189 A JP28691189 A JP 28691189A JP 28691189 A JP28691189 A JP 28691189A JP H03148145 A JPH03148145 A JP H03148145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- transistor
- output
- frequency
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波高出力トランジスタに関し、特に多数の
ワイヤ金有するトランジスタに適した高周波高出力トラ
ンジスタラ提供する。
ワイヤ金有するトランジスタに適した高周波高出力トラ
ンジスタラ提供する。
第２（８１図は従来の高周波高出力トランジスタパッケ
ージの入力部もしくは出力部金石す図。
ージの入力部もしくは出力部金石す図。
第９（ｂ１図は従来の高周波高出力トランジスタのキャ
ップ命取り除−た状態の入力部もしくは出ｌ、 ８゜ 刃部を示す図である。従来の高周波高出力トランジスタ
の内部リードＩｌ＋には、ワイヤ（２）ヲボンデイング
する場所の目印がないため、ワイヤ１りをボンディング
したときに多少のワイヤ１２）の長さやワイヤ（りとワ
イヤ（２１０間隔に差が生じる。
ップ命取り除−た状態の入力部もしくは出ｌ、 ８゜ 刃部を示す図である。従来の高周波高出力トランジスタ
の内部リードＩｌ＋には、ワイヤ（２）ヲボンデイング
する場所の目印がないため、ワイヤ１りをボンディング
したときに多少のワイヤ１２）の長さやワイヤ（りとワ
イヤ（２１０間隔に差が生じる。
このように、ワイヤ１２）をボンディングする位置が変
動すると、ワイヤ（２）の長さやワイヤ（２）とワイヤ
（２）の間隔等が変わり、トランジスタの入力及び出力
インピーダンスが変化するため１個々のトランジスタに
よって、特性にばらつきが多くなう不安定となる。
動すると、ワイヤ（２）の長さやワイヤ（２）とワイヤ
（２）の間隔等が変わり、トランジスタの入力及び出力
インピーダンスが変化するため１個々のトランジスタに
よって、特性にばらつきが多くなう不安定となる。
従来の高周波高出力トランジスタは以上のように構成さ
れていたので、ワイヤを内部リードにボンディングする
位置が変動するため、トランジスタの入力及び出力イン
ピーダンスが変化し、トランジスタの高周波特性が個々
の素子により不安定となるという問題点があった。
れていたので、ワイヤを内部リードにボンディングする
位置が変動するため、トランジスタの入力及び出力イン
ピーダンスが変化し、トランジスタの高周波特性が個々
の素子により不安定となるという問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
もので、高周波高出力トランジスタの組立て精度を良く
シ、高周波高出力トランジスタの高周波特性音安定させ
ることを目的とするＯ 〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る高周波高出力トランジスタは、ワイヤボン
ディングする場所にマークを付けた内部リードを有する
トランジスタパッケージを備えたものである。
もので、高周波高出力トランジスタの組立て精度を良く
シ、高周波高出力トランジスタの高周波特性音安定させ
ることを目的とするＯ 〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る高周波高出力トランジスタは、ワイヤボン
ディングする場所にマークを付けた内部リードを有する
トランジスタパッケージを備えたものである。
本発明における高周波高出力トランジスタは、内部リー
ドｒＣワイヤボンディングする位置にマークを付けたた
め、組立精度が向上し、ワイヤの長さやワイヤの間隔が
正確になるので、それぞれのトランジスタの入出力イン
ピーダンスが均一になる。
ドｒＣワイヤボンディングする位置にマークを付けたた
め、組立精度が向上し、ワイヤの長さやワイヤの間隔が
正確になるので、それぞれのトランジスタの入出力イン
ピーダンスが均一になる。
以下１本発明の一実施例金色について説明する。第１（
＆１図は本発明の一実施例であるトランジスタパッケー
ジの入力部もしくは、出力部を示す図、第１ ｆｂ１図
はトランジスタのキャップ金４゜ 取り除いた状態の入力部もしくば、出力部を示す図であ
る。
＆１図は本発明の一実施例であるトランジスタパッケー
ジの入力部もしくは、出力部を示す図、第１ ｆｂ１図
はトランジスタのキャップ金４゜ 取り除いた状態の入力部もしくば、出力部を示す図であ
る。
トランジスタパッケージ（３１の内部リード＋１１の表
面のワイヤ（りヲボンデイングする場所に、長方形のマ
ークｎ＋ｋｌｔ’ｔｔ’、ワイヤ（２）のボンディング
部がその内側に網管るようにボンディングする。
面のワイヤ（りヲボンデイングする場所に、長方形のマ
ークｎ＋ｋｌｔ’ｔｔ’、ワイヤ（２）のボンディング
部がその内側に網管るようにボンディングする。
以上のように％内部リード１１）の表面にワイヤ２）を
ボンディングする位置を明確にしたため。
ボンディングする位置を明確にしたため。
組立時にワイヤ（２１ヲ正確にボンディングすることが
できる。
できる。
なか、上記実施列では内部リード（１）にマーク（４１
を設けた場合を示したが、ＭＯＳ−０の電極にマーク＋
４１を設けても良い。
を設けた場合を示したが、ＭＯＳ−０の電極にマーク＋
４１を設けても良い。
以上のように本発明によれば、ワイヤボンディングの位
置が正確に決まるため組立精度が向上し、それぞれのト
ランジスタの入力及び出力インピーダンスが均一になる
ため、高周波高出力トランジスタの高周波特性が安定す
る。
置が正確に決まるため組立精度が向上し、それぞれのト
ランジスタの入力及び出力インピーダンスが均一になる
ため、高周波高出力トランジスタの高周波特性が安定す
る。
第１（＆１図は本発明の一実施例であるトランジスタパ
ッケージの入力部もしくは出力部の図、第１ ｉｂ１図
は、本発明の一実施例であるトランジスタの入力部もし
くは出力部の図％第Ｂ ＩＪＬＩ図は従来のトランジス
タパッケージの入力部もしくは出力部の図、第Ｂ ｉｂ
１図は従来のトランジスタの入力部もしくは出力部の図
である。 図にかいて、１ｌｌＩ／′ｉ内部リード、１２１はワイ
ヤ、＋１１ｉｊパツケージ、１４１はマーク、（６）は
外部リードを示す。 なか、図中、同−符ｊ）は同一、又は相当部分を示す。
ッケージの入力部もしくは出力部の図、第１ ｉｂ１図
は、本発明の一実施例であるトランジスタの入力部もし
くは出力部の図％第Ｂ ＩＪＬＩ図は従来のトランジス
タパッケージの入力部もしくは出力部の図、第Ｂ ｉｂ
１図は従来のトランジスタの入力部もしくは出力部の図
である。 図にかいて、１ｌｌＩ／′ｉ内部リード、１２１はワイ
ヤ、＋１１ｉｊパツケージ、１４１はマーク、（６）は
外部リードを示す。 なか、図中、同−符ｊ）は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ワイヤボンデイングする場所にマークを付けた内部リ
ードを有するトランジスタパッケージと、パッケージ内
に配置されたトランジスタチップ及びＭＯＳ−Ｃと前記
内部リード、トランジスタ及びＭＯＳ−Ｃ等を結ぶワイ
ヤとを備えた高周波高出力トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28691189A JPH03148145A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 高周波高出力トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28691189A JPH03148145A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 高周波高出力トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148145A true JPH03148145A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17710584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28691189A Pending JPH03148145A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 高周波高出力トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148145A (ja) |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28691189A patent/JPH03148145A/ja active Pending
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